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esto trata de las memorias

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Trabajo Expositivo

MEMORIAS Integrantes: Juan Pablo Barrera Miguel Rodrguez

MemoriaEs la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes cantidades

Memorias semiconductorasLas memorias semiconductoras estn formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser latches o condensadores.

UNIDADES DE DATOS BINARIOSLas memorias almacenan datos en unidades que tienen de 1 a 8 bits.La menor unidad de datos binarios es bit. En muchas aplicaciones los datos se manejan en unidades de 8 bit se denominan byte o en mltiplos de unidades de 8 bits.El byte se puede dividir en dos unidades de 4 bits a las cuales se le llaman nibbles.Una unidad completa de informacin se denomina palabra y esta formada por uno o mas bytes; algunas memorias almacenan datos en grupos de 9 bits los cuales constan de un byte mas un bit de paridad.

Matriz de memoria semiconductoraSe denomina celda a cada elemento de almacenamiento en una memoria el cual puede guardar un 1 o un 0.

Las memorias estn formadas por matrices de celdas en las que se usan 64 celdas, cada bloque de la matriz tambin representa una celda de almacenamiento y su ubicacin se puede especificar mediante una fila y una columna.

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS MEMORIASLa posicin de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina direccin, la direccin de un bit en la matriz se especifica mediante la fila y columna en la que se encuentre.La direccin depende de como se organice la memoria en unidades de datos

Capacidad: la capacidad de una memoria es el numero total de unidades de datos que puede almacenar

OPERACIONES BSICAS DE MEMORIASDebido a que una memoria almacena datos binarios estos datos deben introducirse en la memoria y poder recuperarse cuando se necesite. La operacin de escritura ubica los datos en Posicin especifica y la operacin de lectura extrae los datos de una direccin especifica de memoria, la operacin de direccionamiento forma parte de la operacin de lectura como de escritura y selecciona la direccin de memoria especifica. Las unidades de datos se introducen en la memoria mediante la operacin de escritura y se extrae mediante la de lectura atreves de un conjunto de lneas denominadas bus de datos el cual es bidireccional osea que puede ir en las dos direcciones desde la memoria o hacia la memoria.

OPERACIN DE ESCRITURAPara almacenar un byte de datos en memoria, se introducen en el bus de direcciones un cdigo que se encuentra almacenado en el registro de direcciones cuando ya esta en el bus el decodificador de direcciones decodifica la direccin y selecciona la posicin de memoria especificada, entonces la memoria recibe una orden de escritura y los datos almacenados en el registro de datos se introducen en el bus de datos y se almacenan en la direccin de memoria completando as esta operacin. Cuando se escribe un nuevo byte en una direccin de memoria se sobrescribe y destruye el byte que estaba en esa direccin

OPERACIN DE LECTURASe introduce en el bus de direcciones un cdigo almacenado en el registro de direcciones una vez que el cdigo de direccin se encuentra en el bus el decodificador decodifica la direccin y selecciona la posicin especificada de la memoria entonces la memoria recibe una orden de lectura y una copia del byte de datos almacenados en la direccin de memoria seleccionada y se introduce en el bus de datos y se encarga en el registro de datos y finaliza, cuando se lee un byte de datos de una unidad de direccin de memoria, este sigue almacenada en dicha direccin y no se destruye esto se denomina lectura no destructiva

MEMORIAS RAM Y ROMMemorias Ram (Random-Access memory): es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a cualquier direccin y estas se pueden seleccionar en cualquier orden tanto en una operacin de escritura como de lectura; todas las Ram poseen ambas operaciones debido a que pierden los datos almacenados cuando se desconecta la alimentacin.Memoria Rom (Read-Only memory memoria de solo lectura): es un tipo de memoria que los datos se almacenan de forma permanente en los que solamente se pueden leer los datos al igual que la ram es una memoria de acceso aleatorio pero la Ram las tiene paras las funciones de lectura y escritura. La Rom mantiene almacena los datos incluso si se desconecta la fuente de alimentacin

FAMILIAS DE MEMORIAS RAMHay dos categoras de memorias Ram como la Ram esttica (SRAM) y la Ram dinmica(DRAM).La SRAM usan flip-flops como elemento de almacenamiento por lo que pueden almacenar datos de formas indefinidas siempre y cuando tenga una alimentacin continua.Las DRAM usan condensadores como elementos de almacenamientos y no pueden contener los datos muchos tiempos sin recargar los condensadores mediante el proceso de refresco ambos tipos de memoria perderan los datos cuando se elimine la alimentacin continua y se denomina memoria voltiles

Los datos se leen mas rpido en una SRAM que en una DRAM pero las DRAM almacenan muchos mas datos para un tamao fsico ya que las celdas de ella son mas sencillas y se pueden incluir muchas mas en un rea determinada.Los tipos bsicos de memorias SRAM son las SRAM asncronas(ASRAM) y las SRAM(SB RAM) sncronas de rfaga.Los tipos bsicos de DRAM son las DRAM con modo pagina rpido (Fast page mode, FPM DRAM) y la DRAM con salida de datos extendida (extended data out put, EDODRAM), la DRAM con salida de datos extendidas en rfaga (BURST extended data out put, BEDORAM) y la DRAM sncrona (Synchronous, SDRAM).

Memoria de acceso aleatorio (Ram)RAM esttica (SRAM)RAM dinmica (DRAM)SRAM asncrona (ASRAM)SRAM de Rfaga sncrona (SB SRAM)Dram con modo pagina rpido (FPM DRAM)DRAM con salida de datos extendida (EDO DRAM)EDO DRAM en rfaga (BEDO DRAM)DRAM sncrona (SDRAM)

LA RAM ESTATICA (SRAM)Se caracterizan por celdas de almacenamiento flip flop se implementan en circuitos integrados con varios transistores cuando se le aplica una alimentacin continua a una celda de ella se puede mantener un estado 1 o 0 indefinidamente y si se retira la alimentacin el bit de datos almacenados se perder. La celda se selecciona mediante un nivel activo en la lnea de seleccin de bit y un bit de datos (1 o 0) se escribe en la celda colocndolo en lneas de datos y datos, un bit de datos se puede leer extrayndolo de esas lneas y los datos de entrada o salida pueden compartir las misma lneas por que las dos operaciones se producen diferentes instantes

Matriz bsicas de celdas de SRAM: Las celdas de almacenamientos en una SRAM se organiza en filas y columnas todas las celdas de una misma fila comparten la misma lnea seleccion fila. Cada conjunto de lneas datos y datos van a cada celda situada en ciertas columnas y se conectan a una nica lnea de datos que sirven como entrada y salida atravez de los buffers.

ORGANIZACIN DE LA SRAM ASINCRONA BASICA (ASRAM)Una ASRAM es aquella en la que sus funcionamiento no est sincronizado con un reloj de sistema en el modo de lectura los bits de datos que almacenan en un direccin aparecen en las lneas de salida de datos y en el modo escritura los bits de datos que se aplica en las lneas de entrada se almacenan en la direccin seleccionada y las lneas de entradas y salida son exactamente las mismas. Durante la operacin de lectura estas actan como lneas de salida y durante la operacin de escritura actan como lneas de entradas Salidas triestado y buses: Los buffers triestado en una memoria permiten que las lneas de datos acten como lneas de entradsa o de salidas y conectan la memoria con el bus de datos tiene 3 posibles estados de salidas alto (1), bajo (0) y alta Z (alta impedancia abierto). Se indican en los smbolos lgicos como un triangulo invertidos y se usan como las estructuras de bus.

Fsicamente un bus es un conjunto de caminos conductores que sirven para interconectar dos o mas componentes de un sistema o de varios; elctricamente es una coleccin de seales y de niveles de tensin y/o corrientes especficos que permiten a los diferentes dispositivos conectados al bus comunicarse y funcionar normalmente

Matriz de memoria: los chips SRAM se pueden organizar en bits o sus mltiplos la SRAM trabaja as en primer lugar la entrada de habilitacion del chip debe estar bajo nivel bajo (0) para que la memoria funcione, 8 de las 15 lneas de direccin se decodifican en el decodificador de filas de modo que se selecciona una de las 256 filas la restante 7 lneas de direccin las decodifica el decodificador de columnas de ocho que se selecciona una de las 128 columnas de 8 bits.

Lectura: en el modo lectura la entrada de habilitacin alto y la salida de habilitacin esta a nivel bajo, la puerta 1 desactiva el buffers, y la puerta 2 activa los buffers triestado de salida de las columnas por tanto los 8 bits de datos almacenados en la direccin seleccionada se llevan atravez de la e/s de las columnas hasta las lneas de datos que actan como lneas de salida de datos Escritura: en el modo escritura la entrada de habilitacin esta a nivel bajo la puerta 1 activa los buffers de entrada y la puerta 2 desactiva los buffers de salida por tanto los 8 bits de datos de entrada de la lneas de datos se llevan atravez del control de datos de entrada y de la e/s de columna a la direccin seleccionada y se almacenan.

ORGANIZACIN BASICA DE LA SRAM SINCRONA DE RAFAGA (SB SRAM)A diferencia de la SRAM asncronas la SB SRAM esta sincronizada con el reloj del sistema en un sistema informtico la SB SRAM opera con la misma seal de reloj que el microprocesador de modo que l y la memoria esta sincronizados para conseguir una operacin mas rpida.La diferencia fundamental entre la SRAM sncronas es que usa registro con seal de reloj para sincronizar todas las entradas con el reloj del sistema

Los bits de direccin del sistema se enclavan en el registro de direccin con el flanco positivo de un pulso del reloj en el m