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Sachverzeichnis

AA-Betrieb, 288, 431AB-Betrieb, 288, 431Abschätzanalyse, 56, 445Abtastfrequenz, 536Abtasthalteschaltung

mit gesteuertem MOS-Schalter, 538Abtasthalteschaltungen, 538Abtasttheorem, 536Abwärts-Mischstufe, 458Abwärtswandler, 194, 516AC-Analyse, 27

Einstellungen, 46, 49AC-Arbeitsgerade, 297AC-Multimeter, 27A/D-Wandler, 541, 549, 551

Ein-Rampenverfahren, 541Iterationsverfahren, 544Parallelverfahren, 548Quantisierungsfehler, 531, 537Sukzessive Approximation, 544VHDL-AMS Modell, 547Zählverfahren, 541Zwei-Rampenverfahren, 542

AGC, 456Aktive Signaldetektoren, 269Amplitude-Shift-Keying, 473Amplitudenmodulation, 186, 473amplitudenmoduliertes Signal

Modulationsfrequenz, 186, 189Modulationsgrad, 186Trägerfrequenz, 186, 473

amplitudenmoduliertes Signal (AM), 186Analog/Digital Wandlung, 541Analog/Digitale Schnittstelle, 519Analoge Filterschaltungen, 272

Bandpass, 166, 273Bandstoppfilter, 173, 274Hochpass, 172, 272, 378Tiefpass, 66, 172, 272

Analoger Modellteil, 77, 522Analogmultiplizierer, 492Analogspeicher, 538Angepasster Tiefpass/Hochpass, 172anisotrope Ätzung, 572Anti-Blockier-Systemen, 17Antialiasing-Filter, 537Arbeitsgerade des Eingangskreises, 296, 383ASIC, 10ASIC-Design, 563ASK-Modulation, 473Astabiler Multivibrator, 278Attribut-Eigner, 42Attribut-Name, 40, 42Attribut-Wert, 40, 42Attribute an Symbolen, 41

Implementation Path-Attribut, 42Implementation Type-Attribut, 42Implementation-Attribut, 42Reference-Attribut, 43Reference-Designator, 38Template-Attribut, 42Value-Attribut, 42

Audiosignal, 536Aufwärts-Mischung, 458Auto-Router, 13

BBandgap-Referenzschaltung, 375Basisgrundschaltung, 310Baugruppenträger, 13Begrenzerschaltungen, 190

J. Siegl, E. Zocher, Schaltungstechnik – Analog und gemischt analog/digital, Springer-Lehrbuch, 701DOI 10.1007/978-3-642-29560-7, © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2014

702 Sachverzeichnis

Best-Case, 668Bias Point, 47Binäre Phasenumtastung, 477Bipolartransistor

Übertragungskennlinie, 113, 288Abschätzanalyse, 125, 281AC-Modellvarianten, 127Arbeitsgerade des Ausgangskreises, 297Arbeitsgerade des Eingangskreises, 296Arbeitspunkteinstellung und Stabilität, 288Ausgangskennlinien, 114Aussteuerung im Arbeitspunkt, 298Bahnwiderstände, 117Basisbahnwiderstand, 118, 120Basislaufzeit TF, 133DC-Modellvarianten, 125differenzieller Widerstand re, 123, 128Diffusionskapazität, 119, 121Early-Effekt, 120, 126Early-Spannung, 120Injektionsstrom, 114inverse Stromverstärkung BR, 123, 366Inverser Betrieb, 123Kleinsignalmodell, 120Kollektor-Basis-Raumladungszone, 119Ladungsdreieck, 119mit Stromquelle als Last, 330Normalbetrieb, 112optimaler Lastwiderstand, 295parallelgegengekoppelt, 286, 320physikalischer Aufbau, 117Rauschanalyse, 129 ,309Rekombinationssperrstrom, 113Sättigungsbetrieb, 112, 122Sättigungssperrstrom IS, 113Schalteranwendungen, 359seriengegengekoppelt, 284, 322Simulationsmodell in VHDL-AMS, 137spannungsgesteuerter Schalter, 359Sperrbetrieb, 112, 123Sperrschichtkapazität, 117, 121Sperrstrom ICB0, 116, 125Steilheit im Arbeitspunkt, 121Stromverstärkung B, 113, 117Substratkapazität, 121systematische Arbeitspunktanalyse, 295Temperaturabhängigkeit UBE, 289Transistoreffekt, 114, 119Transitfrequenz, 123, 127

Transitzeit der Ladungsträger in derBasiszone, 123, 134

Transportmodell, 133, 282Bird’s-Beak, 570Bodediagramm, 27, 60

Asymptoten, 60Eckfrequenzen, 60Frequenzgangverlauf, 60Primitivfaktoren, 61RC-Tiefpass, 66Verstärkerschaltung mit zwei Stufen, 69

BOM – Bill of Material, 36Bondung, 565BPSK-Modulator, 473, 477Brückengleichrichter, 178Brückenverstärker, 266

CC-Betrieb, 288, 431Capture, 29, 35

Änderung des Widerstandswertes, 48Add Libraries, 31Design Cache, 31Designsheet, 30Place Part, 31Place Wire, 31Taskleiste, 30

Carrier Frequency, 472CE-Kennzeichnung, 15Chip (Die), 565CMOS Logikgatter, Dimensionierung, 655CMOS Logikgattern, 652CMOS-Inverter, 422

Latch-Up Effekt, 420Schaltverhalten, 420spannungsgesteuerte Schalter, 421Verstärker, 423

CMOS-Logikfamilien, 519CMOS-Logikgatter, Statisches Verhalten, 652CMOS-NAND-Gatter, 422CMOS-NOR-Gatter, 422CMOS-Prozess, 569, 582CMOS-Schalter, 514CMOS-Schaltkreistechnik, 365CMOS-Standardprozess, 588CMOS-Technologie, 534, 564CMOS-Transmission-Gate, 423CMP, 571

Sachverzeichnis 703

CMRRGleichtaktunterdrückungsverhältnis, 248

Component Instantiation, 78, 87Concurrent-Signal-Assignment, 78, 525CVD, 569, 572

DD Verstärker, 443D-Flip-Flop, flankengetriggert, 665D-FlipFlop, 467, 524D/A-Umsetzer, 531D/A-Umsetzung

mit gestuften Spannungen, 534mit gestuften Stromquellen, 533mit gewichteten Kapazitäten, 535

DAE, 76Darlingtonstufen, 324Datenblatt, 38, 72DC-Analyse, 28, 47, 58, 103DC-Arbeitsgerade, 297DC-Multimeter, 27DC-Sweep-Analyse, 434, 443De Morgan, 652Delta-Sigma Modulat, 553Delta-Sigma Wandler, 444, 553Demodulator, 186, 481Design, 30Design Manager, 30Designinstanz, 31, 36, 38, 521Designsheet, 36, 38Dezimator, 553Dick-Oxid, 571Dickschicht- oder Dünnfilmtechnik, 19Differenzaussteuerung, 336Differenzdiskriminator, 189Differenzial-Algebraische-Gleichungssysteme,

76Differenziator, 159, 241, 454Differenzstufe, 22, 252, 334, 406

Übertragungskennlinie, 335AC-Analyse bei Gleichtaktansteuerung, 342AC-Modell, 337, 342Aussteuerverhalten, 338basisgekoppelt, 347emittergekoppelt, 334gategekoppelt, 406in Kaskodeschaltung, 356mit Feldeffekttransistoren, 406

Offsetverhalten, 342sourcegekoppelt, 406Strombegrenzung, 442Stromspiegel im Lastkreis, 351unsymmetrischer Ausgang, 345verfeinertes AC-Modell, 342

Diffusion, 579Digital/Analog Wandlung, 531Digitaler Modellteil, 77, 522Diode, 45, 93

Arbeitspunkt im Flussbereich, 46Kapazitätsdiode, 99Linearisierung im Arbeitspunkt, 47Modellbeschreibung, 93spektrales Rauschstromquadrat, 112statische Kennlinie, 94Testschaltung Speicherzeit, 101

DiodenBackwarddioden, 174Detektordioden, 174Gleichrichterdioden, 173Photodioden, 174pin-Dioden, 174Schaltdioden, 182Tunneldioden, 174

Dioden-Modell, 94differenzieller Widerstand, 96Diffusionskapazität, 100Diodenstrom, 94Durchbrucheffekt, 98Durchbruchspannung, 98Idealtypisch, 95Korrektur-Diode, 96Realer Sperrstrom, 97Rekombinationssperrstrom, 96Speicherzeit, 100Sperrschichtkapazität, 94, 98Statische Modellparameter, 97Transportsättigungssperrstrom IS, 96verzögerter Stromkomponente, 94

Dioden-Modell vereinfachtDurchbruchbereich, 103Flussbereich, 102Sperrbereich, 102

Diodenbrücken, 540Diodenschaltung

Arbeitspunktbestimmung, 47Diodenschaltungen

Begrenzerschaltungen, 190

704 Sachverzeichnis

Klemmschaltungen, 192Parallelbergenzer, 190Reihenbegrenzer, 190Schutzschaltungen, 192Signaldetektorschaltungen, 182Spannungsquelle, 181Spitzendetektor in Reihen- und

Parallelschaltung, 183Direct Conversion, 481Doppelgegentakt-Mischer, 470Doppelweggleichrichter, 174Dotierverfahren, 579Drehratensensor, 17Durchflusswandler, 194Dynamik, 215, 268

1dB-Kompressionspunkt, 215Grenzsignalleistung, 215

EEarly-Effekt, 120Einweggleichrichter, 174Elektronik-Labor, 26Elmore-Delay, 620, 621Emitterfolger, 315Emittergrundschaltung, 302Empfangssignal, 458, 481Empfindlichkeiten, 599Entscheider, 510Entwicklungsmethodik, 9Entwicklungsprozess, 9Entwurfszentrierung, 598Ereignissteuerung, 525, 527Ereignistabelle, 78, 525, 528ESD (Electrostatic Discharge), 566ESD Schutz, 252Event-Queue, 77, 525, 528EXOR-Phasenvergleicher, 493

FFeinentwurf, 10, 12Feld-Oxid (FOX), 578Feldeffekttransistor, 140, 381

Übertragungskennlinie, 143Übertragungsleitwertparameter, 149Abschnürbetrieb, 140, 142Abschnürpunkt, 142, 631Abschnürspannung Up, 141

AC-Ersatzschaltbild JFET, 145AC-Ersatzschaltbild MOSFET, 152AC-Modell JFET, 145, 387Anreicherungstyp MOSFET, 148Anwendung des Linearbetriebs, 402Anwendungsschaltungen, 391Arbeitspunkteinstellung und

Arbeitspunktstabilität, 383Ausgangskennlinien, 143Aussteuerung einer Verstärkerschaltung, 387Aussteuerung im Arbeitspunkt, 386Bulkanschluss MOSFET, 150Depletion-MOSFET, 148digitale Anwendungsschaltungen, 410Drain-Grundschaltung, 393Early-Effekt, 142Early-Spannung, 146Enhancement-MOSFET, 148Exemplarstreuungen, 385Gate-Grundschaltung, 392Innenwiderstand der Stromquelle, 146Inversionsladung MOSFET, 148Inversionsschicht MOSFET, 149Isolierschicht-Feldeffekttransistor MOSFET,

140Kanalbreite W, 147Kanallänge L, 147Kanallängenlängenmodulation, 142Kanalzone, 141Kennlinien N-JFET, 144Kennlinien P-JFET, 145optimaler Lastwiderstand, 385physikalischer Aufbau N-JFET, 141, 143physikalischer Aufbau N-MOSFET, 147Rauschen JFET, 146Rauschen MOSFET, 152Rekombinationssperrstrom IGSS, 142Schwellspannung Up, 140Source-Grundschaltung, 393spektrale Rauschspannung am Eingang, 391Sperrbetrieb, 141Sperrschicht-Feldeffekttransistor JFET, 140Sperrschichtkapazitäten, 142Steilheit, 146, 382Steuerung der Raumladungszonen (RLZ),

141Stromergiebigkeit, 142Stromquellen-Betrieb, 141, 142Symbol JFET, 140

Sachverzeichnis 705

Symbol MOSFET, 150Temperaturabhängigkeit der

Übertragungskennlinie, 385Transkonduktanzkoeffizient, 142Verarmungstyp MOSFET, 148Verstärkergrundschaltungen, 391VHDL-AMS Modell N-MOSFET, 155Widerstandsbetrieb, 141

Fertigungsdaten, 13Fertigungsfreigabe, 10, 13Fertigungstoleranzen, 672Fertigungsunterlagen, 10Field Programmable Gate Arrays, 519FM-Demodulation, 465, 509FM-Demodulator, 187

Flankendetektor, 160, 188FM-Tuner, 482Footprint, 21, 40Foster-Seeley-Diskriminator, 170Frequency-Shift-Keying, 463, 475Frequenzdiskriminator, 170Frequenzgangausdruck, 60

Übertragungsfunktion, 61Nennerpolynom, 61Polynomdarstellung, 60Zählerpolynom, 61

Frequenzgangkorrektur, 236Frequenzmodulation, 473, 508frequenzmodulierte Signale, 482frequenzmoduliertes Signal (FM), 187Frequenzmoduliertes Signal

Demodulation, 187Modulationsfrequenz, 187Modulationshub, 187Trägerfrequenz, 187

Frequenzsynthese, 510FSK-Modulation, 475Full-Custom Design, 564Functional Design, VFunkelrauschen, 108Funkempfänger, 458, 481Funksender, 458Funkstrecken, 458Funktional gesteuerte Quellen, 40Funktionale Verifikation, 26Funktionsgeneratoren, 27Funktionsgrundschaltungen, 22Funktionsmodell, 24, 246, 520Funktionsprimitive, 22

Funktionsschaltkreise, 22Funktionsschaltungen, 3, 24, 302, 410, 431

GGategekoppelte Differenzstufe, 408Gatelevel-Simulator, 267Gegentaktansteuerung, 247Gehäuse, 21Gehäuseformen, 21Generic-Attribut, 82, 524Geradeausempfänger, 481Gesteuerte Quellen, 36getakteter Integrator, 555getakteter Komparator, 554Gilbert-Mischer, 470Gleichrichterschaltungen, 174

Doppelweggleichrichter, 174, 177Einweggleichrichter, 175Spannungsverdopplerschaltungen, 179Spannungsvervielfacherschaltungen, 179

Gleichtaktansteuerung, 247Gleichtaktunterdrückung, 253, 334, 345Glitches, 534

HHalbwellendetektor, 270Harmonic Balance Methode, 47HC/HCT, 519Hierarchische Vorgehensweise, 482High-Speed Transistor, 567High-Voltage Transistor, 567Hochpass, 172, 273, 559

Angepasst, 172Hold-Zeiten, 522hot electrons, 638Hybrid-Schaltungstechnik, 18

II/O-Modell, 267, 522I/Q-Demodulator, 481I/Q-Mischer, 479I/Q-Modulator, 479IEEE-Standard 1076.1, 77Impedanznomogramm, 64Impedanztransformator, 22Implementation Path-Attribut, 42Implementation Type-Attribut, 42Implementation-Attribut, 42

706 Sachverzeichnis

Implementierungsspezifikation, 12Induktiver Abstandssensor, 18Induktivitäten, parasitäre, 613Induktivitäten, planmäßige, 614Inphase-Signal, 479Instanziierung, 31, 38, 527

physikalischen Instanziierung, 38virtuelle Instanziierung, 38

Instrumentenverstärker, 265Integrator, 159, 271, 429Integrierte Induktivitäten, 613Integrierte Leitung, Induktivitätsbelag L′, 616Integrierte Leitung, Kapazitätsbelag C′, 616Integrierte Leitung, Leitungsbelag R′, 615Integrierte Leitung, Modell, 615Integrierte Leitung, R-L-C-Modell, 620Integrierte Leitung, Schichtwiderstand Rsh, Ltg,

594Intermetall-Dielektrikum, 576Intermetall-Dielektrikum (IMD), 579Ionenimplantation, 579Isolatoren, Dielektrika, 567Iterations- bzw. Wägeverfahren, 544Iterationsregister, 544

JJitter, 488

Phasenjitter, 502, 508Junction, 72

KKapazität, flächenspezifische, 606, 608Kapazität, randspezifisch, 608Kapazitäten, 606Kapazitäten, laterale Flächenkapazität, 608Kapazitäten, laterale Koppelkapazität, 608Kapazitäten, spannungsabhängig, 609Kapazitäten, spannungsunabhängig, 607Kapazitäten, Temperaturkoeffizienten, 613Kapazitätsbelag, 161

Koaxialkabel, 161Kapazitiv gekoppelte Resonanzkreise, 167Kapazitiver Spannungsteiler

Impedanztransformator, 160Kaskode-Schaltung, 328Kernmaterial

AL-Wert, 163Kettenleiternetzwerk, 534

Klemmschaltungen, 192Knoten-Admittanzgleichungen, 55Komparator, 199, 209, 277, 444, 513, 541Komparatoren, 335, 465, 548Komparatorschwelle, 335Komplementäre Emitterfolger, 438Komplentäre Schaltungsstruktur, 650Komplexgatter, 652Kompressor/Expander-Verstärker, 268Konstantspannungsquellen, 374Konstantstromquellen, 367Kontakt, 581Kontaktlöcher, 575Konzeptphase, 10kristallines Silizium (Si), 565

LLabormuster, 10Ladungsträgerbeweglichkeit, 149Lambda-Gridmaß, 588Lastenheft, 12Latchup-Effekt, 585Layout-Editor, 13Layoutentwicklung, 13Layouterstellung, 10LC-Resonator

Güte, 166Induktiv gekoppelt, 168Kapazitiv gekoppelt, 167Kennwiderstand, 167Parallelresonanzkreis, 166Phasensteilheit, 166Resonanzfrequenz, 166Serienresonanzkreis, 170

LC-Resonatoren, 166LD (Lightly Doped), 573LDD(Lightly Doped Drain), 574Leistungsanpassung, 107Leistungsverstärker, 315, 431, 458Leiterbahnen, 581Leiterplatte, 13Leiterplattentechnik, 18Leitungskontaktierung, 581Lineare Schaltungen, 45Linearisierte Schaltungen, 45Linearisierung nichtlinearer Schaltungen, 45

Taylor-Reihe erster Ordnung, 45Linearverstärker, 199

Ausgangswiderstand, 200

Sachverzeichnis 707

Aussteuergrenzen, 207Dynamik, 215Eingangswiderstand, 200Grundmodell, 119innere Rauschquellen, 109, 210Makromodelle, 199Modell mit spannungsgesteuerter

Stromquelle, 204parallelgegengekoppelt, 228PSpice-Makromodell, 202, 208rückgekoppelt, 216Rauschen, 210Schnittstellenverhalten, 205seriengegengekoppelt, 224Verstärkungsfrequenzgang, 200VHDL-AMS Modellbeschreibung, 203

Linienbreite Lmin, 565Lizenzgebühr, 516LNA, 458Local Oscillator, 458, 483LOCOS-Verfahren, 572Logarithmischer Verstärker, 366Logikfamilien, 519Logikinstanz, 523Logiksignal, 520

Auflösungsfunktion, 521std_logic, 520Treiberstärke, 520

Logiksimualtion, 520Logiksimulation, 77, 528

Algorithmus, 77Ereignistabelle, 78Folgeereignisse, 78VHDL-Modell, 77

LogiksystemDatenselektoren, 522Decoder/Encoder, 522Ereignissteuerung, 527FlipFlops, 523Funktionsblöcke, 521Funktionsmodell, 521I/O-Modell, 522Modellbeschreibung von Logikfunktionen in

PSpice, 523PSpice Grundmodelle, 522PSpice Timing-Modell, 522PSpice-Funktionsmodell, 521Register, 522Schematic-Modell, 521

Standard-Gatter, 522Subcircuit-Modell, 521Timing-Modell, 522Timing-Parameter, 522VHDL-Modell, 521Zähler, 522

Logikzustände, 520Low-Leakage Transistor, 588LSB, 531

MMachbarkeitsstudie, 10Makromodelle, 25Makrozellen, 669Makrozellentwurf, 669Mapping, 21Marketing, 10Marketing Requirements, 11Marktanalyse, 10Maschen-Impedanzgleichungen, 55Masse-Versorgungssystem, 13Metallisierung, 581Micron-, Submicron- und Deep-

Submicron-Prozesstechnologie,565

Mikrofonverstärker, 394Miller-Effekt, 329Mischer, 458, 470Mittelwelle, 186Mittelwellenempfänger, 186MNA-Methode, 50

Aufstellen der Netzwerkmatrix, 54Knoten-Admittanzgleichungen, 52Maschen-Impedanzgleichungen, 54

Model Editor, 31, 101Model Library, 31, 40, 522Modelle, 39

Intrinsic-Modelle, 40Intrinsic-Modelle mit Parametersatz, 40Makromodelle, 40Modell-Referenz, 40Parametrisierbare Modelle, 43Registrierung, 43Schematic-Modelle, 41Subcircuit-Modelle, 41

Modulationsverfahren, 444, 473Modulfertigung, 10Modultest, 10Monolithisch integrierte Schaltungstechnik, 19

708 Sachverzeichnis

MOS-Kapazität, flächenspezifisch C′OX, 629MOS-Schalter, 425, 465, 533MSB, 531Multi Metall Kondensator, 614Multi-Emitter-Transistor, 365Musteraufbauten, 26Musterfertigung, 10Musterprüfung, 15

NNachregistrierung, 31Netzliste, 32, 35, 38Netzwerkanalysator, 28Newton-Methode, 54Nichtlineare Schaltungen, 47NMOS-Inverter, 400, 410

mit ohmscher Last, 411mit selbstleitendem NMOS-Transistor als

Last, 414mitselbstsperrende NMOS-Transistor als

Lastkreis, 412Noise-Shaping, 559Nyquist-Abtastung, 536, 559

OOberflächenpolierung (CMP), 576Offsetverhalten, 257, 342OP-Verstärker MA 741, 445

Arbeitspunkteinstellung, 445Abschätzanalyse, 200, 445Treiberstufe, 448erste Stufe, 447zweite Stufe, 447Slew-Rate Verhalten, 449

Operationsverstärker, 119AC – Parameter, 248Analog-Addierer, 268Analoge Integratoren, 271Ausgangsaussteuerbarkeit, 249Ausgangsoffsetspannung, 254, 257Aussteuerparameter, 248Datenblatt, 252DC – Parameter, 248Eingangsoffsetspannung, 248Eingangsoffsetstrom, 248Eingangsruhestrom, 248Gegentaktansteuerung, 247Gegentaktverstärkung, 248

Gesamtrauschspannung, 260Gleichtaktansteuerung, 247Gleichtaktunterdrückung, 253Gleichtaktunterdrückungsverhältnis, 248Makromodell, 250maximaler Ausgangsstrom, 249Offsetkompensation, 259Rauschen, 260Ruhestromkompensation, 258Slew – Rate – Parameter, 249Slew-Rate Verhalten, 261Strombegrenzung, 251Versorgungsparameter, 249Versorgungsspannungsempfindlichkeit, 249VHDL-AMS Modell, 264

Optischer Empfänger, 509, 511Orcad-Lite/PSpice, 90Oszillator

AM/FM-modulierbar, 459Laufzeit-Prinzip, 465Negativ-Impedanz-Oszillator, 459Resonanzkreis-Oszillator, 459spannungsgesteuert, 484

Oszilloskop, 27Oxid-Kapazität, 149

PPackage, 21, 40Pad-Zellen, 565Parallegegenkopplung, 228, 232Parallelbergenzer, 190Parallelresonanzkreis mit

Bandpasscharakteristik, 166Part, 40Passive Funktionsgrundschaltungen, 159Patent, 513, 516PCB, 13PFD Phasendetektor, 485Pflichtenheft, 12Phasendetektor, 467, 485

Zustandsdiagramm, 469Phasenmodulation, 473Phasenrauschen, 488, 507Phasenregelkreis, 484Phasenreserve, 236, 244, 505Phasenvergleicher, 467

VHDL-AMS Modellbeschreibung, 492Photo/Ätztechnik, 18Physical View, 21

Sachverzeichnis 709

Physikalischer Entwurf, 10Pin-Namen am Symbol, 44Pipeline-Umsetzer, 548Place and Route, 669Planartechnik, 566PLL-Schaltkreis, 484

Anwendungen, 509Aufbau und Wirkungsprinzip, 485Fangbereich, 500Fehlerübertragungsfunktion, 502Frequenzsynthese, 510Haltebereich, 500Loop-Filter, 498Phasenübertragungsfunktion, 501Phasenvergleicher, 490Rauschsignalunterdrückung, 487Restphasenfehler, 487spannungsgesteuerter Oszillator VCO, 488Stabilität des Regelkreises,statisches Verhalten im Haltebereich, 504Systemverhalten, 500Ziehbereich, 500

PLL-Synthesizer, 484PMOS-Schalter, 516, 651pn-Übergang, 93

Raumladungszone, 93Schwellspannung, 93

POLY-POLY Kondensator, 609Poly-Si, 580Polykristallines Silizium (Poly-Si), 580Post-Layout-Simulation, 668, 671Potenzialverschiebung, 377Power-Supplies, 26Pre-Layout-Simulation, 668Probe), 32Produktentwicklungsprozess, 10Produktidee, 10Project, 29Propagation-Delays, 522Property Editor, 32Prototypenfertigung, 13Prototypenverifikation, 26Prototypfertigung, 10PSpice

ABM-Library, 37E, G, H, F, 37EValue, 37GValue, 37I - Stromquellen, 36

S – Schalter, 193, 422SOURCE-Library, 37V - Spannungsquellen, 36

Puls-Weiten-Mod.-Verfahren (PWM), 444Pulsweiten-Modulation, 553PWM-Signal, 444

QQPSK-Modulator, 479Quadratur-Signal, 479Quantisierungsfehler, 531, 537Quantisierungsrauschen, 537, 559Quell-Signal, 458, 472Querschalter, 359

RRückgekoppelte Systeme

Differenziator, 241Spannungsfolger, 237

Rückgekoppeltes System, 216Frequenzgang, 221Frequenzgangkorrektur, 236Phasenreserve, 240Schleifenverstärkung, 231, 234Stabilitätsbetrachtung, 218, 234

Rückgekoppeltes SytemVerstärkungs-Bandbreiteprodukt, 222

Rückkopplung, 216Gegenkopplung, 217offene Schleife, 218Rückkopplungsfaktor, 217Rückkopplungspfad, 216Rückkopplungsschleife, 218Schleifenverstärkung, 217Schwingbedingung, 218

Rükgekoppeltes SystemSchleifenverstärkung, 221

Rail-to-Rail Verstärker, 207Raster, Gridmaß, 669Rauschübertragungsfunktion, 559Rauschanpassung, 214Rauschen

Kettenschaltung von Verstärkern, 214Rauschen eines BJT-Verstärkers, 129Rauschformung, 559Rauschgrößen

V(ONOISE), 107Rauschgrößen, 105

710 Sachverzeichnis

Amplitudenrauschen, 105mittleres Rauschspannungsquadrat, 106Phasenrauschen, 105Rauschleistung, 107spektrale Rauschleistungsdichte, 106spektrale Rauschspannung, 105thermisches Rauschen, 106

Rauschmessplatz, 28Rauschquellen, 110

frequenzabhängige Rauschspgsquelle, 109frequenzabhängige Rauschstromquelle, 111

Rauschzahl, 129, 211, 309RC-Resonator, 165

Resonanzfrequenz, 166Receiver, 16Reference-Designator, 36Referenzbezeichner, 36Referenzspannung, 181, 277, 374Reflow-Löten, 15Reflow-Lötverfahren, 19Regelverstärker, 458Registrierung, 31Resonanztransformator, 171, 460Resonator, 165, 166, 459

SSägezahngenerator, 444, 517, 541Salicidation, 575Salicide, 575Sample&Hold-Schaltungen, 538Sample&Hold-Stufe, 537SAW-Resonator, 459SC-Technik

Switched-Capacitor-Technik, 425Schaltdioden, 540Schalter-Kondensator-Technik, 425

Integratorschaltung, 429Ladungstransfer,RC-Tiefpass, 425

SchalteranwendungenÜbersteuerungsfaktor, 360Abfallzeit, 362Anstiegszeit, 361Ausräumfaktor, 362Einschaltverzögerung, 361Längsschalter, 365Speicherzeit, 362

Schaltkreisfunktion, 21

Schaltkreissimulation, 29Schaltkreissimulator, 35Schaltnetzteil, 510Schaltnetzteile, 194

Durchflusswandler, 194primär getaktet, 195Schalttransistor, 194sekundär getaktet, 195Sperrwandler, 196Wirkungsgrad, 194

Schaltplan, 17Schaltplaneingabe, 30, 35Schalttransistor, 194, 359, 362Schaltungsanalyse, 35Schaltungsentwicklung, 10Schematic, 29, 30Schematic-Modelle, 41Schematic-View, 44Schleifenverstärkung, 217Schmitt-Trigger, 276

Hysterese, 276Schaltschwellen, 277

Schottky-Dioden, 182, 540Schottkydiode, 582Schrotrauschen, 108Schutzrechte, 516Schutzschaltungen, 190Schwall-Löten, 15Schwingbedingung

Selbsterregungsfrequenz, 220Self Alignment, 572semistatische Master/Slave-Struktur, 665semistatisches Latches, 665Sensorelektronik, 17, 513Sensorverstärker, 265

Brückenverstärker, 266Seriengegenkopplung, 224Set-Up-Zeiten, 522Setup, 30Shallow Trench Isolation, 570, 575Signal-zu-Rauschleistungsverhältnis, 210, 538Signalquellen, 26, 35, 37

trapezförmige Impulsquelle, 37VPULSE, 37VSIN, 37

Silizium, Amorphes Si, 565Silizium, einkristallines (monokristallines) Si,

565Silizium, monokristallines Si, 565

Sachverzeichnis 711

Silizium, polykristallines Si (Poly-Si), 565Simulation Profile, 32, 35Slew-Rate-Parameter, 249SMD, 18Sourcegekoppelte Differenzstufe, 406Spacer, 574Spannungsfolger, 236, 454spannungsgesteuerter Halbleiterschalter, 194Spannungsgesteuerter Oszillator (VCO), 488Spannungsgesteuerter Schalter, 359, 477Spannungsregler, 177Spannungsstabilisierungsschaltung, 181Spannungsverdopplerschaltungen, 179Spannungsvervielfacherschaltungen, 179Spektralanalyse, 28Spektraldarstellung, 28Spektrumanalysator, 28Sperrwandler, 194, 196Spezifikation, 10spezifische MOS-Kapazität C′OX, 567Spice, 40Störimpulse, 534Störspannung, 58Stückliste, 13, 36Standardzellen, 669Standardzellentwurf, 669Steilheitsmischer, 470Steilheit, 121, 146, 387, 399STI, 571, 578Stimuli-Beschreibung, 526Stromflusswinkel, 176, 432Stromspiegel, 349Strukturgröße, 565Subcircuit-Modelle, 41Subsystementwicklung, 12Subsystementwurf, 10Suchindex (∗.ind), 43Superheterodyn-Prinzip, 481Switch-Level, 422Symbol, 21

Attribute, 44Pin, 44Pin-Namen, 44Symbolkörper, 44

Symbol Editor, 29Symbol Library, 31, 36

ABM, 36ANALOG, 36EVAL, 36

SOURCE, 36USER, 36

Symbolische Beschreibung, 35Symbolpins, 36System-Design, 669Systemaufteilung, 10Systementwicklung, 11Systementwurf, 10Systemintegration, 15Systemkonstruktion, 10Systemprüfung, 10Systemsimulation, 10Systemspezifikation, 12Systemtest, 10SystemVision, 90

TTachometerschaltung, 271Taktrückgewinnung, 484, 504, 509Taktsignalsynchronisation, 484Technologieknoten, 566Teilelogistik, 14Temperaturverhalten, 673Testadapter, 28Testbench, 26, 34Testplatine, 28Thermometercode, 548Tiefpass, 172

Angepasst, 172Timer-Baustein 555D, 444, 517Timing-Modell, 520, 522Toleranzverhalten, 600Torzeit, 542TR-Analyse, 28, 49

Abbruchschranke, 51adaptive Schrittweitensteuerung, 52Algorithmus, 50Einstellungen, 50Initial Conditions, 51Iterationsschritt, 53Maximalschrittweite, 52Zeitschrittweite, 51

Trägerfrequenzsignal, 473Trace Expression, 33Transimpedanzbeziehung, 230, 251, 283, 397Transimpedanzverstärker, 511Transistorschalter, 193Transmitter, 16Transportsättigungssperrstrom IS, 96, 113, 142

712 Sachverzeichnis

Treiberstärke, 520Treiberstufen, 431

A-Betrieb, 432Komplementäre Emitterfolger im

AB-Betrieb, 440Komplementäre Emitterfolger im B-Betrieb,

438Wirkungsgrad, 436

Treppengenerator, 267Triodenbereich, 141TriState-Ausgang, 422, 469, 496TTL-Inverter, 365TTL-Schaltkreistechnik, 365Typical-Case, 672

UÜberabtastung, 536, 559Überlagerungsempfänger, 482Überlagerungsempfang), 481Übersteuerungsstrom ICÜ, 360Übertrager, 163

Übersetzungsverhältnis, 163Gegeninduktivität, 163gekoppelte Induktivitäten, 164Kernmaterial, 163Koppelfaktor, 163

UKW-Übertragungssystem, 187

VValue-Attribut, 44VCO, 465, 475

Makromodell, 488VHDL-AMS Modellbeschreibung, 490

VCO-Konstante, 488VDE-Vorschriften, 15Vektorvoltmeter, 28Versorgungsimpedanz, 58Versorgungsspannungenquellen, 26VHDL, 76, 520

Component Instantiation, 78Concurrent Signal Assignment, 78, 525D-FlipFlop, 524Entity, 81, 524Entity Generic-Attribute, 82, 524Entity Port-Deklaration, 77, 524Process, 78, 524Strukturmodell, 524Strukturmodelle, 78Verhaltensmodell, 524

Verhaltensmodelle, 78VHDL-AMS, 76

Architecture, 82Beschreibung einer Testschaltung, 84Branch Quantities, 81charakteristische Beziehungen, 78Entity, 81Entity Port-Declaration, 85Entity-Declaration, 84Flussgrößen, 79Free Quantities, 81free QUANTITY, 78Generic-Attribute, 82konservative Systeme, 79Libraries und Packages, 80Modellbeschreibung der Testbench für die

Diodenschaltung, 87Modellbeschreibung einer DC-Quelle, 86Modellbeschreibung einer

DCSweep-Spannungsquelle, 88Modellbeschreibung einer Diode (level0), 86Modellbeschreibung eines realen

Widerstandes, 89Modellbeschreibung eines Widerstandes, 85Modellbeschreibung für eine Testbench, 91Nature, 80nichtkonservative Systeme, 79Quantity-Attribute, 82Simultaneous Case Statement, 84Simultaneous Procedural Statement, 84Simultaneous Statements, 83Terminals, 80through QUANTITY, 79Verhaltensmodell einer AC-Spannungsquelle,

90Verhaltensmodell einer Diode, 104

VHDL-Modell mit Testbench, 524Video-Testsignale, 267Virtuelle Induktivität, 274Vollkunden Entwurf, 563Vorselektion, 482Vorserie, 10

WWärmeflussanalyse, 56, 71, 76

Gesamtverlustleistung, 72Junction, 72Lastminderungskurve, 72Leistungsbilanz, 71

Sachverzeichnis 713

Nennverlustleistung, 72Pulsleistung, 75Thermische Ersatzschaltung, 73Verlustleistung, 74Wärmeübergangswiderstand, 73Wärmekapazität, 73Wärmeverlustleistung, 71Wärmewiderstand im Pulsbetrieb, 75

Wärmeverlustleistung, 71Wafer, 565Waveform-Analyzer, 32Widerstände, integrierte, 593Widerstände, Kontaktwiderstände, 598Wilson-Konstantstromquelle, 370

Wirbelstromverluste, 513Wirkungsgrad, 174, 194, 431, 436Workspace, 29, 43worst case, 599Worst-Case, 673

ZZellbibliothek, 668Zenerdiode, 173, 181ZF-Verstärker, 483Ziehbereich, 500, 503Zieltechnologie, 13Zustandsautomaten, 479Zwischenfrequenzlage, 458, 470, 481