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Analogmultiplizierer, 475, 494Analogspeicher, 542Angepasster Tiefpass/Hochpass, 172anisotrope Ätzung, 576Anti-Blockier-Systemen, 17Antialiasing-Filter, 541Arbeitsgerade des Eingangskreises, 296, 385ASIC, 10ASIC-Design, 567ASK-Modulation, 475Astabiler Multivibrator, 278, 477Attribut-Eigner, 42Attribut-Name, 40, 42Attribut-Wert, 40, 42Attribute an Symbolen, 41

Implementation-Attribut, 42Implementation Path-Attribut, 42Implementation Type-Attribut, 42Reference-Attribut, 43Reference-Designator, 38Template-Attribut, 42Value-Attribut, 42

Audiosignal, 540Aufwärts-Mischung, 460Auto-Router, 13

BBandgap-Referenzschaltung, 376Basisgrundschaltung, 310Baugruppenträger, 13Begrenzerschaltungen, 190Best-Case, 677Bias Point, 48Binäre Phasenumtastung, 479

AA-Betrieb, 288, 433AB-Betrieb, 288, 433Abschätzanalyse, 56, 447Abtastfrequenz, 540Abtasthalteschaltung, 542

mit gesteuertem MOS-Schalter, 542Abtasttheorem, 540Abwärts-Mischstufe, 460Abwärtswandler, 194, 519AC-Analyse, 28

Einstellungen, 48AC-Arbeitsgerade, 297AC-Multimeter, 27A/D-Wandler, 483, 535, 545, 552, 557

Ein-Rampenverfahren, 546Iterationsverfahren, 548Parallelverfahren, 552Quantisierungsfehler, 535, 541, 549Sukzessive Approximation, 548VHDL-AMS Modell, 550Zählverfahren, 545Zwei-Rampenverfahren, 546

AGC, 458Aktive Signaldetektoren, 269Amplitude-Shift-Keying, 475Amplitudenmodulation, 186, 475Analog/Digital Wandlung, 545Analog/Digitale Schnittstelle, 523Analoge Filterschaltungen, 272

Bandpass, 172, 273Bandstoppfilter, 173, 274Hochpass, 172, 273, 379Tiefpass, 66, 172, 272

Analoger Modellteil, 78, 526

Sachverzeichnis

704 Sachverzeichnis

Bird’s-Beak, 576Bodediagramm, 27, 60

Asymptoten, 60Eckfrequenzen, 60Frequenzgangverlauf, 60Primitivfaktoren, 61RC-Tiefpass, 66Verstärkerschaltung mit zwei Stufen, 69

BOM – Bill of Material, 36Bondung, 569BPSK-Modulator, 479Brückengleichrichter, 178Brückenverstärker, 266

CC-Betrieb, 288, 434Capture, 29, 35

Add Libraries, 31Änderung des Widerstandswertes, 48Design Cache, 31Designsheet, 30Place Part, 31Place Wire, 31Taskleiste, 30

Carrier Frequency, 474CE-Kennzeichnung, 15Chip (Die), 569CMOS-Inverter, 419

Latch-Up Effekt, 422Schaltverhalten, 421spannungsgesteuerte Schalter, 423Verstärker, 425

CMOS-Logikfamilien, 523CMOS Logikgatter, Dimensionierung, 659CMOS-Logikgatter, Statisches Verhalten, 659CMOS Logikgattern, 654CMOS-NAND-Gatter, 424CMOS-NOR-Gatter, 424CMOS-Prozess, 582, 586, 592CMOS-Schalter, 517CMOS-Schaltkreistechnik, 363CMOS-Standardprozess, 592CMOS-Technologie, 539, 568CMOS-Transmission-Gate, 425CMP, 576CMRR

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis, 248Component Instantiation, 78, 88

BipolartransistorAbschätzanalyse, 127, 282AC-Modellvarianten, 127Arbeitsgerade des Ausgangskreises, 297Arbeitsgerade des Eingangskreises, 296Arbeitspunkteinstellung und Stabilität, 288Ausgangskennlinien, 112Aussteuerung im Arbeitspunkt, 298Bahnwiderstände, 117Basisbahnwiderstand, 118, 120Basislaufzeit TF, 133DC-Modellvarianten, 125differenzieller Widerstand re, 123, 127Diffusionskapazität, 121, 127Early-Effekt, 120, 125Early-Spannung, 120Injektionsstrom, 114inverse Stromverstärkung BR, 123, 365Inverser Betrieb, 123Kleinsignalmodell, 120Kollektor-Basis-Raumladungszone, 119Ladungsdreieck, 119mit Stromquelle als Last, 331Normalbetrieb, 112optimaler Lastwiderstand, 295parallelgegengekoppelt, 286, 320physikalischer Aufbau, 117Rauschanalyse, 129, 309Rekombinationssperrstrom, 115Sättigungsbetrieb, 112, 122Sättigungssperrstrom IS, 113Schalteranwendungen, 359seriengegengekoppelt, 284, 322Simulationsmodell in VHDL-AMS, 137spannungsgesteuerter Schalter, 359Sperrbetrieb, 112, 123Sperrschichtkapazität, 117, 121Sperrstrom ICB0, 113, 117Steilheit im Arbeitspunkt, 121Stromverstärkung B, 113, 117Substratkapazität, 121systematische Arbeitspunktanalyse, 295Temperaturabhängigkeit UBE, 289Transistoreffekt, 114, 119Transitfrequenz, 123, 127Transitzeit der Ladungsträger in der

Basiszone, 123, 134Transportmodell, 125, 282Übertragungskennlinie, 112, 288

705Sachverzeichnis

Übertragungskennlinie, 334unsymmetrischer Ausgang, 345verfeinertes AC-Modell, 341

Diffusion, 583Digital/Analog Wandlung, 535Digitaler Modellteil, 77, 526Diode, 45, 93

Arbeitspunkt im Flussbereich, 46Backwarddioden, 174Detektordioden, 174Gleichrichterdioden, 173Kapazitätsdiode, 99Linearisierung im Arbeitspunkt, 47Modellbeschreibung, 93Photodioden, 174pin-Dioden, 174Schaltdioden, 173spektrales Rauschstromquadrat, 112statische Kennlinie, 94Testschaltung Speicherzeit, 101Tunneldioden, 174

Diodenbrücken, 544Dioden-Modell, 94

differenzieller Widerstand, 96Diffusionskapazität, 100Diodenstrom, 94Durchbrucheffekt, 98Durchbruchspannung, 98Idealtypisch, 95Korrektur-Diode, 96Realer Sperrstrom, 97Rekombinationssperrstrom, 96Speicherzeit, 100Sperrschichtkapazität, 94, 98Statische Modellparameter, 97Transportsättigungssperrstrom IS, 96verzögerter Stromkomponente, 94

Dioden-Modell vereinfachtDurchbruchbereich, 103Flussbereich, 102Sperrbereich, 102

DiodenschaltungArbeitspunktbestimmung, 47Begrenzerschaltungen, 190Klemmschaltungen, 192Parallelbergenzer, 190Reihenbegrenzer, 190Schutzschaltungen, 192Signaldetektorschaltungen, 182

Concurrent-Signal-Assignment, 78, 532CVD, 573, 576

DD Verstärker, 446DAE, 76D-FlipFlop, 481, 527D-Flip-Flop, flankengetriggert, 669Darlingtonstufen, 324Datenblatt, 38, 72D/A-Umsetzer, 535D/A-Umsetzung

mit gestuften Spannungen, 538mit gestuften Stromquellen, 537mit gewichteten Kapazitäten, 539

DC-Analyse, 28, 47, 58, 125DC-Arbeitsgerade, 297DC-Multimeter, 27DC-Sweep-Analyse, 436, 453De Morgan, 656Delta-Sigma Modulat, 557Delta-Sigma Wandler, 446, 557Demodulator, 186, 483Design, 30Design Manager, 30Designinstanz, 31, 35, 38, 525Designsheet, 35, 37Dezimator, 557Dick-Oxid, 582Dickschicht- oder Dünnfilmtechnik, 19Differenzaussteuerung, 337Differenzdiskriminator, 189Differenzial-Algebraische-Gleichungssysteme,

76Differenziator, 159, 241, 458Differenzstufe, 22, 252, 334, 433

AC-Analyse bei Gleichtaktansteuerung, 342AC-Modell, 337, 342Aussteuerverhalten, 338basisgekoppelt, 347emittergekoppelt, 334gategekoppelt, 410in Kaskodeschaltung, 356mit Feldeffekttransistoren, 408Offsetverhalten, 342sourcegekoppelt, 408Strombegrenzung, 444Stromspiegel im Lastkreis, 351

706 Sachverzeichnis

Ausgangskennlinien, 143Aussteuerung einer Verstärkerschaltung,

387Aussteuerung im Arbeitspunkt, 388Bulkanschluss MOSFET, 150Depletion-MOSFET, 148digitale Anwendungsschaltungen, 412Drain-Grundschaltung, 395Early-Effekt, 146Early-Spannung, 146Enhancement-MOSFET, 148Exemplarstreuungen, 387Gate-Grundschaltung, 394Innenwiderstand der Stromquelle, 146Inversionsladung MOSFET, 149Inversionsschicht MOSFET, 149Isolierschicht-Feldeffekttransistor MOS-

FET, 140Kanalbreite W, 147Kanallänge L, 147Kanallängenlängenmodulation, 142Kanalzone, 141Kennlinien N-JFET, 144Kennlinien P-JFET, 145optimalen Lastwiderstand, 387physikalischer Aufbau N-JFET, 141, 143physikalischer Aufbau N-MOSFET, 147Rauschen JFET, 146Rauschen MOSFET, 152Rekombinationssperrstrom IGSS, 142Schwellspannung Up, 141Source-Grundschaltung, 393spektrale Rauschspannung am Eingang, 394Sperrbetrieb, 141Sperrschicht-Feldeffekttransistor JFET, 140Sperrschichtkapazitäten, 142Steilheit, 146, 389Steuerung der Raumladungszonen (RLZ),

141Stromergiebigkeit, 142Stromquellen-Betrieb, 140, 142Symbol JFET, 140Symbol MOSFET, 150Temperaturabhängigkeit der

Übertragungskennlinie, 387Transkonduktanzkoeffizient, 142Übertragungskennlinie, 143Übertragungsleitwertparameter, 149Verarmungstyp MOSFET, 148

Spannungsquelle, 181Spitzendetektor in Reihen- und

Parallelschaltung, 182Direct Conversion, 483Doppelgegentakt-Mischer, 486Doppelweggleichrichter, 176Dotierverfahren, 583Drehratensensor, 17Durchflusswandler, 194Dynamik, 215, 268

1dB-Kompressionspunkt, 215Grenzsignalleistung, 215

EEarly-Effekt, 120Einweggleichrichter, 175Elektronik-Labor, 26Elmore-Delay, 624, 625Emitterfolger, 315Emittergrundschaltung, 302Empfangssignal, 460, 484Empfindlichkeiten, 603Entscheider, 512Entwicklungsmethodik, 9Entwicklungsprozess, 9Entwurfszentrierung, 602Ereignissteuerung, 529, 531Ereignistabelle, 78, 529, 532ESD (Electrostatic Discharge), 570ESD Schutz, 252Event-Queue, 77, 529, 532EXOR-Phasenvergleicher, 496

FFeinentwurf, 10, 12Feldeffekttransistor, 140, 383

Abschnürbetrieb, 140, 142Abschnürpunkt, 149, 635Abschnürspannung Up, 141AC-Ersatzschaltbild JFET, 145AC-Ersatzschaltbild MOSFET, 152AC-Modell JFET, 145, 389Anreicherungstyp MOSFET, 148Anwendung des Linearbetriebs, 404Anwendungsschaltungen, 393Arbeitspunkteinstellung und

Arbeitspunktstabilität, 385

707Sachverzeichnis

Geradeausempfänger, 483Gesteuerte Quellen, 36getakteter Integrator, 560getakteter Komparator, 558Gilbert-Mischer, 472Gleichrichterschaltungen, 174

Doppelweggleichrichter, 174, 177Einweggleichrichter, 175Spannungsverdopplerschaltungen, 179Spannungsvervielfacherschaltungen, 179

Gleichtaktansteuerung, 247Gleichtaktunterdrückung, 253, 334, 343Glitches, 537

HHalbwellendetektor, 270Harmonic Balance Methode, 47HC/HCT, 523Hierarchische Vorgehensweise, 484High-Speed Transistor, 592High-Voltage Transistor, 592Hochpass, 172, 273, 564

Angepasst, 172Hold-Zeiten, 526hot electrons, 642Hybrid-Schaltungstechnik, 19

IIEEE-Standard 1076.1, 77Impedanznomogramm, 64Impedanztransformator, 22Implementation Path-Attribut, 42Implementation Type-Attribut, 42Implementation-Attribut, 42Implementierungsspezifikation, 12Induktiver Abstandssensor, 18Induktivitäten, parasitäre, 618Induktivitäten, planmäßige, 618Inphase-Signal, 481Instanziierung, 31, 38, 531

physikalischen Instanziierung, 37virtuelle Instanziierung, 38

Instrumentenverstärker, 265Integrator, 159, 271, 431Integrierte Induktivitäten, 618Integrierte Leitung, Induktivitätsbelag L′, 620Integrierte Leitung, Kapazitätsbelag C′, 620

Verstärkergrundschaltungen, 393VHDL-AMS Modell N-MOSFET, 155Widerstandsbetrieb, 141

Feld-Oxid (FOX), 582Fertigungsdaten, 13Fertigungsfreigabe, 10, 13Fertigungstoleranzen, 677Fertigungsunterlagen, 10Field Programmable Gate Arrays, 523FM-Demodulation, 486, 511FM-Demodulator, 187

Flankendetektor, 188FM-Tuner, 484Footprint, 21, 40Foster-Seeley-Diskriminator, 170Frequency-Shift-Keying, 475, 477Frequenzdiskriminator, 170Frequenzgangausdruck, 61

Nennerpolynom, 61Polynomdarstellung, 61Übertragungsfunktion, 61Zählerpolynom, 61

Frequenzgangkorrektur, 240Frequenzmodulation, 475, 511Frequenzsynthese, 513FSK-Modulation, 477Full-Custom Design, 567, 568Functional Design, VFunkelrauschen, 108Funkempfänger, 460, 483, 484Funksender, 460Funkstrecken, 460Funktional gesteuerte Quellen, 40Funktionale Verifikation, 26Funktionsgeneratoren, 27Funktionsgrundschaltungen, 22Funktionsmodell, 25, 246, 524Funktionsprimitive, 22Funktionsschaltkreise, 22Funktionsschaltungen, 3, 24, 302, 412, 433

GGategekoppelte Differenzstufe, 410Gatelevel-Simulator, 267Gegentaktansteuerung, 247Gehäuse, 21Gehäuseformen, 21Generic-Attribut, 82, 532

708 Sachverzeichnis

Konstantspannungsquellen, 375Konstantstromquellen, 368Kontakt, 585Kontaktlöcher, 579Konzeptphase, 10kristallines Silizium (Si), 569

LLabormuster, 10Ladungsträgerbeweglichkeit, 149Lambda-Gridmaß, 592, 593Lastenheft, 12Latchup-Effekt, 589Layout-Editor, 13Layoutentwicklung, 13Layouterstellung, 10LC-Resonator, 166

Güte, 167Induktiv gekoppelt, 168Kapazitiv gekoppelt, 167Kennwiderstand, 167Parallelresonanzkreis, 166Phasensteilheit, 166Resonanzfrequenz, 166Serienresonanzkreis, 170

LD (Lightly Doped), 577LDD (Lightly Doped Drain), 578Leistungsanpassung, 107Leistungsverstärker, 315, 433, 460Leiterbahnen, 585Leiterplatte, 13Leiterplattentechnik, 18Leitungskontaktierung, 585Lineare Schaltungen, 45Linearisierte Schaltungen, 45Linearisierung nichtlinearer Schaltungen, 45

Taylor-Reihe erster Ordnung, 45Linearverstärker, 199

Ausgangswiderstand, 200Aussteuergrenzen, 207Dynamik, 215Eingangswiderstand, 200Grundmodell, 199innere Rauschquellen, 108, 210Makromodelle, 199Modell mit spannungsgesteuerter Strom-

quelle, 204parallelgegengekoppelt, 228

Integrierte Leitung, Leitungsbelag R′, 620Integrierte Leitung, Modell, 619Integrierte Leitung, R-L-C-Modell, 622Integrierte Leitung, Schichtwiderstand Rsh,

Ltg, 620Intermetall-Dielektrikum (IMD), 580, 583I/O-Modell, 267, 526Ionenimplantation, 583I/Q-Demodulator, 483I/Q-Mischer, 481I/Q-Modulator, 481Isolatoren, Dielektrika, 571Iterations- bzw. Wägeverfahren, 548Iterationsregister, 548

JJitter, 490

Phasenjitter, 505, 512Junction, 72

KKapazität, flächenspezifische, 612Kapazität, randspezifisch, 612Kapazitäten, 610Kapazitäten, laterale Flächenkapazität, 612Kapazitäten, laterale Koppelkapazität, 612Kapazitäten, spannungsabhängig, 613Kapazitäten, spannungsunabhängig, 611Kapazitäten, Temperaturkoeffizienten, 617Kapazitätsbelag, 161

Koaxialkabel, 161Kapazitiv gekoppelte Resonanzkreise, 167Kapazitiver Spannungsteiler

Impedanztransformator, 160Kaskode-Schaltung, 328Kernmaterial

AL-Wert, 163Kettenleiternetzwerk, 538Klemmschaltungen, 192Knoten-Admittanzgleichungen, 55Komparator, 199, 210, 277, 334, 446, 467, 517,

546, 552Komparatorschwelle, 334Komplementäre Emitterfolger, 440Komplentäre Schaltungsstruktur, 654Komplexgatter, 656Kompressor/Expander-Verstärker, 268

709Sachverzeichnis

MMachbarkeitsstudie, 10Makromodelle, 25Makrozellen, 673Makrozellentwurf, 673Mapping, 21Marketing, 10Marketing Requirements, 11Marktanalyse, 10Maschen-Impedanzgleichungen, 55Masse-Versorgungssystem, 13Metallisierung, 585Micron- , Submicron- und Deep-Submicron-

Prozesstechnologien, 569Mikrofonverstärker, 396Miller-Effekt, 328Mischer, 460, 472Mittelwelle, 186Mittelwellenempfänger, 186MNA-Methode, 50

Aufstellen der Netzwerkmatrix, 54Knoten-Admittanzgleichungen, 52Maschen-Impedanzgleichungen, 54

Model Editor, 31, 101Model Library, 31, 40, 526Modelle, 39

Intrinsic-Modelle, 40Intrinsic-Modelle mit Parametersatz, 40Makromodelle, 39Modell-Referenz, 40Parametrisierbare Modelle, 43Registrierung, 43Schematic-Modelle, 40Subcircuit-Modelle, 41

Modulationsverfahren, 446, 475Modulfertigung, 10Modultest, 10Monolithisch integrierte Schaltungstechnik, 19MOS-Kapazität, flächenspezifisch C′OX, 633MOS-Schalter, 427, 467, 537MSB, 535Multi Metall Kondensator, 615Multi-Emitter-Transistor, 365Musteraufbauten, 26Musterfertigung, 10Musterprüfung, 15

PSpice-Makromodell, 201, 209Rauschen, 210rückgekoppelt, 216Schnittstellenverhalten, 205seriengegengekoppelt, 224Verstärkungsfrequenzgang, 200VHDL-AMS Modellbeschreibung, 203

Linienbreite Lmin, 569Lizenzgebühr, 519LNA, 460Local Oscillator, 460, 485LOCOS-Verfahren, 576Logarithmischer Verstärker, 366Logikfamilien, 523Logikinstanz, 527Logiksignal, 524

Auflösungsfunktion, 525std_logic, 524Treiberstärke, 524

Logiksimulation, 77, 524, 534Algorithmus, 77Ereignistabelle, 78Folgeereignisse, 78VHDL-Modell, 77

LogiksystemDatenselektoren, 526Decoder/Encoder, 526Ereignissteuerung, 531FlipFlops, 526Funktionsblöcke, 525Funktionsmodell, 525I/O-Modell, 526Modellbeschreibung von Logikfunktionen

in PSpice, 527PSpice Grundmodelle, 526PSpice Timing-Modell, 527PSpice-Funktionsmodell, 527Register, 526Schematic-Modell, 525Standard-Gatter, 526Subcircuit-Modell, 525Timing-Modell, 526Timing-Parameter, 526VHDL-Modell, 525Zähler, 526

Logikzustände, 524Low-Leakage Transistor, 592LSB, 535

710 Sachverzeichnis

OP-Verstärker μA741, 447Abschätzanalyse, 447Arbeitspunkteinstellung, 447erste Stufe, 449Slew-Rate Verhalten, 450Treiberstufe, 450zweite Stufe, 449

Orcad-Lite/PSpice, 92Oszillator

AM/FM-modulierbar, 461Laufzeit-Prinzip, 467Negativ-Impedanz-Oszillator, 461Resonanzkreis-Oszillator, 461spannungsgesteuert, 486

Oszilloskop, 27Oxid-Kapazität, 149

PPackage, 21, 40Pad-Zellen, 569Parallegegenkopplung, 228, 233Parallelbergenzer, 190Parallelresonanzkreis mit Bandpasscharakteris-

tik, 166Part, 40Passive Funktionsgrundschaltungen, 159Patent, 516, 519PCB, 13PFD Phasendetektor, 487Pflichtenheft, 12Phasendetektor, 471, 486

Zustandsdiagramm, 471Phasenmodulation, 475Phasenrauschen, 490, 511Phasenregelkreis, 486Phasenreserve, 240, 244, 507Phasenvergleicher, 469

VHDL-AMS Modellbeschreibung, 494Photo/Ätztechnik, 18Physical View, 21Physikalischer Entwurf, 10Pin-Namen am Symbol, 44Pipeline-Umsetzer, 552Place and Route, 673Planartechnik, 570PLL-Schaltkreis, 486

Anwendungen, 511Aufbau und Wirkungsprinzip, 487

NNachregistrierung, 31Netzliste, 32, 35, 38Netzwerkanalysator, 28Newton-Methode, 54Nichtlineare Schaltungen, 47NMOS-Inverter, 402, 412

mit ohmscher Last, 413mit selbstleitendem NMOS-Transistor als

Last, 416mit selbstsperrendem NMOS-Transistor

als Lastkreis, 414Noise-Shaping, 564Nyquist-Abtastung, 540, 564

OOberflächenpolierung (CMP), 580Offsetverhalten, 255, 342Operationsverstärker, 246

AC – Parameter, 248Analog-Addierer, 268Analoge Integratoren, 271Ausgangsaussteuerbarkeit, 249Ausgangsoffsetspannung, 254, 257Aussteuerparameter, 248Datenblatt, 252DC -Parameter, 248Eingangsoffsetspannung, 248Eingangsoffsetstrom, 248Eingangsruhestrom, 247Gegentaktansteuerung, 247Gegentaktverstärkung, 247, 248Gesamtrauschspannung, 260Gleichtaktansteuerung, 247Gleichtaktunterdrückung, 253Gleichtaktunterdrückungsverhältnis, 248Makromodell, 250maximaler Ausgangsstrom, 249Offsetkompensation, 259Rauschen, 260Ruhestromkompensation, 258Slew – Rate – Parameter, 248Slew-Rate Verhalten, 261Strombegrenzung, 251Versorgungsparameter, 248Versorgungsspannungsempfindlichkeit, 249VHDL-AMS Modell, 264

Optischer Empfänger, 512, 513

711Sachverzeichnis

QQPSK-Modulator, 481Quadratur-Signal, 481Quantisierungsfehler, 535, 542Quantisierungsrauschen, 541, 564Quell-Signal, 460, 474Querschalter, 359

RRail-to-Rail Verstärker, 207Raster, Gridmaß, 673Rauschanpassung, 214Rauschen

Kettenschaltung von Verstärkern, 214Rauschen eines BJT-Verstärkers, 129Rauschformung, 564Rauschgrößen, 105

Amplitudenrauschen, 105mittleres Rauschspannungsquadrat, 106Phasenrauschen, 105Rauschleistung, 107spektrale Rauschleistungsdichte, 106spektrale Rauschspannung, 105thermisches Rauschen, 106V(ONOISE), 107

Rauschmessplatz, 28Rauschquellen, 109

frequenzabhängige Rauschspgsquelle, 109frequenzabhängige Rauschstromquelle, 110,

111Rauschübertragungsfunktion, 564Rauschzahl, 129, 211, 309RC-Resonator, 165

Resonanzfrequenz, 166Receiver, 16Reference-Designator, 36Referenzbezeichner, 35Referenzspannung, 182, 277, 375Reflow-Löten, 15Reflow-Lötverfahren, 19Regelverstärker, 458Registrierung, 31Resonanztransformator, 171, 462Resonator, 165, 166, 461Rückkopplung, 216

Gegenkopplung, 217offene Schleife, 217

Fangbereich, 503Fehlerübertragungsfunktion, 505Frequenzsynthese, 513Haltebereich, 502Loop-Filter, 500Phasenübertragungsfunktion, 504Phasenvergleicher, 492Rauschsignalunterdrückung, 489Restphasenfehler, 489spannungsgesteuerter Oszillator VCO, 490Stabilität des Regelkreises, 507statisches Verhalten im Haltebereich, 503Systemverhalten, 502Ziehbereich, 502

PLL-Synthesizer, 486PMOS-Schalter, 655pn-Übergang, 93

Raumladungszone, 93Schwellspannung, 93

Polykristallines Silizium (Poly-Si), 584POLY-POLY Kondensator, 613Post-Layout-Simulation, 672, 675Potenzialverschiebung, 378Power-Supplies, 26Pre-Layout-Simulation, 672Probe, 32Produktentwicklungsprozess, 10Produktidee, 10Project, 30Propagation-Delays, 526Property Editor, 32Prototypenfertigung, 13Prototypenverifikation, 26Prototypfertigung, 10PSpice

ABM-Library, 36E, G, H, F, 36EValue, 36GValue, 36I - Stromquellen, 36S – Schalter, 193, 423SOURCE-Library, 37V - Spannungsquellen, 36

Puls-Weiten-Mod.-Verfahren (PWM), 446Pulsweiten-Modulation, 557PWM-Signal, 446

712 Sachverzeichnis

Schrotrauschen, 108Schutzrechte, 519Schutzschaltungen, 190Schwall-Löten, 15Schwingbedingung

Selbsterregungsfrequenz, 220SC-Technik

Switched-Capacitor-Technik, 427Self Alignment, 576semistatische Master/Slave-Struktur, 669semistatisches Latches, 669Sensorelektronik, 17, 516Sensorverstärker, 266

Brückenverstärker, 266Seriengegenkopplung, 233Setup, 30Set-Up-Zeiten, 526Shallow Trench Isolation, 575, 579Signal

amplitudenmoduliertes (AM), 186Modulationsfrequenz, 186, 189Modulationsgrad, 186Trägerfrequenz, 186, 475

frequenzmoduliertes (FM), 187, 484Demodulation, 187Modulationsfrequenz, 187Modulationshub, 187Trägerfrequenz, 187

Signalquellen, 26, 35, 37trapezförmige Impulsquelle, 37VPULSE, 37VSIN, 37

Signal-zu-Rauschleistungsverhältnis, 212, 542Silizium, Amorphes Si, 569Silizium, einkristallines (monokristallines) Si,

569Silizium, monokristallines Si, 569Silizium, polykristallines Si (Poly-Si), 569Simulation Profile, 32, 35Slew-Rate-Parameter, 249SMD, 18Sourcegekoppelte Differenzstufe, 408Spacer, 578Spannungsfolger, 238, 457spannungsgesteuerter Halbleiterschalter, 194Spannungsgesteuerter Oszillator (VCO), 467Spannungsgesteuerter Schalter, 359, 479Spannungsregler, 177Spannungsstabilisierungsschaltung, 181

Rückkopplungsfaktor, 217Rückkopplungspfad, 216Rückkopplungsschleife, 218Schleifenverstärkung, 216, 217Schwingbedingung, 216, 218

SSägezahngenerator, 446, 520, 545Salicidation, 579Salicide, 579Sample&Hold-Schaltungen, 542Sample&Hold-Stufe, 543SAW-Resonator, 461Schaltdioden, 544Schalteranwendungen

Abfallzeit, 362Anstiegszeit, 361Ausräumfaktor, 362Einschaltverzögerung, 361Speicherzeit, 362Übersteuerungsfaktor, 360

Schalter-Kondensator-Technik, 427Integratorschaltung, 431Ladungstransfer, 427RC-Tiefpass, 427

Schaltkreisfunktion, 21Schaltkreissimulation, 29Schaltkreissimulator, 35Schaltnetzteil, 194, 519

Durchflusswandler, 194primär getaktet, 195Schalttransistor, 194sekundär getaktet, 195Sperrwandler, 194Wirkungsgrad, 194

Schaltplan, 17Schaltplaneingabe, 30, 35Schalttransistor, 194, 359, 362Schaltungsanalyse, 35Schaltungsentwicklung, 10Schematic, 29, 30Schematic-Modelle, 40Schematic-View, 44Schleifenverstärkung, 217Schmitt-Trigger, 276

Hysterese, 276Schaltschwellen, 277

Schottky-Diode, 182, 544, 586

713Sachverzeichnis

Verstärkungs-Bandbreiteprodukt, 222Systemaufteilung, 10System-Design, 673Systementwicklung, 11Systementwurf, 10Systemintegration, 15Systemkonstruktion, 10Systemprüfung, 10Systemsimulation, 10Systemspezifikation, 12Systemtest, 10SystemVision, 91

TTachometerschaltung, 271Taktrückgewinnung, 486, 507, 512Taktsignalsynchronisation, 486Technologieknoten, 570Teilelogistik, 14Temperaturverhalten, 677Testadapter, 28Testbench, 26, 34Testplatine, 28Thermometercode, 552Tiefpass, 172

Angepasst, 172Timer-Baustein 555D, 446, 520Timing-Modell, 524, 526Toleranzverhalten, 604Torzeit, 546Trace Expression, 33Trägerfrequenzsignal, 475TR-Analyse, 28, 49

Abbruchschranke, 51adaptive Schrittweitensteuerung, 52Algorithmus, 50Einstellungen, 50Initial Conditions, 51Iterationsschritt, 53Maximalschrittweite, 52Zeitschrittweite, 51

Transimpedanzbeziehung, 230, 251, 287, 402Transimpedanzverstärker, 517Transistorschalter, 193Transmitter, 16Transportsättigungssperrstrom IS, 96, 113, 142Treiberstärke, 524Treiberstufen, 433

Spannungsverdopplerschaltungen, 179Spannungsvervielfacherschaltungen, 179Spektralanalyse, 28Spektraldarstellung, 28Spektrumanalysator, 28Sperrwandler, 194, 196Spezifikation, 10spezifische MOS-Kapazität C′OX, 571Spice, 40Standardzellen, 673Standardzellentwurf, 673Steilheit, 110, 146, 204, 389, 402Steilheitsmischer, 472STI, 575, 582Stimuli-Beschreibung, 530Störimpulse, 537Störspannung, 58Stromflusswinkel, 176, 434Stromspiegel, 349Strukturgröße, 569Stückliste, 13, 36Subcircuit-Modelle, 41Subsystementwicklung, 12Subsystementwurf, 10Suchindex (*.ind), 43Superheterodyn-Prinzip, 483Switch-Level, 424Symbol, 21

Attribute, 44Pin, 44Pin-Namen, 44Symbolkörper, 44

Symbol Editor, 29Symbol Library, 31, 35

ABM, 36ANALOG, 36EVAL, 36SOURCE, 36USER, 36

Symbolische Beschreibung, 35Symbolpins, 36System, rückgekoppeltes, 217

Differenziator, 241Frequenzgang, 221Frequenzgangkorrektur, 234, 236Phasenreserve, 238Schleifenverstärkung, 222, 234Spannungsfolger, 238Stabilitätsbetrachtung, 234

714 Sachverzeichnis

Architecture, 83Beschreibung einer Testschaltung, 85Branch Quantities, 81charakteristische Beziehungen, 78Entity, 82Entity-Declaration, 85Entity Port-Declaration, 86Flussgrößen, 79Free Quantities, 78, 81Generic-Attribute, 82konservative Systeme, 79Libraries und Packages, 80Modellbeschreibung der Testbench für die

Diodenschaltung, 88Modellbeschreibung einer DC-Quelle, 87Modellbeschreibung einer

DCSweep-Spannungsquelle, 89Modellbeschreibung einer Diode

(level0), 87Modellbeschreibung eines realen

Widerstandes, 90Modellbeschreibung eines Widerstandes, 86Modellbeschreibung für eine Testbench, 92Nature, 80nichtkonservative Systeme, 79Quantity-Attribute, 83Simultaneous Case Statement, 84Simultaneous Procedural Statement, 84Simultaneous Statements, 84Terminals, 80through QUANTITY, 79Verhaltensmodell einer AC-Spannungs-

quelle, 91Verhaltensmodell einer Diode, 104

VHDL-Modell mit Testbench, 528Video-Testsignale, 267Virtuelle Induktivität, 274Vollkunden Entwurf, 567Vorselektion, 484Vorserie, 10

WWafer, 569Wärmeflussanalyse, 26, 71

Gesamtverlustleistung, 72Junction, 72Lastminderungskurve, 72Leistungsbilanz, 71

A-Betrieb, 434Komplementäre Emitterfolger im

AB-Betrieb, 442Komplementäre Emitterfolger im

B-Betrieb, 440Wirkungsgrad, 438

Treppengenerator, 267Triodenbereich, 141TriState-Ausgang, 424, 471, 499TTL-Inverter, 365TTL-Schaltkreistechnik, 363Typical-Case, 676

UÜberabtastung, 540, 564Überlagerungsempfang, 483, 484Übersteuerungsstrom ICÜ, 360Übertrager, 163

Gegeninduktivität, 163gekoppelte Induktivitäten, 163Kernmaterial, 163Koppelfaktor, 163Übersetzungsverhältnis, 163

UKW-Übertragungssystem, 187

VValue-Attribut, 44VCO, 467, 477

Makromodell, 490VHDL-AMS Modellbeschreibung, 491

VCO-Konstante, 490VDE-Vorschriften, 15Vektorvoltmeter, 28Versorgungsimpedanz, 58Versorgungsspannungenquellen, 26VHDL, 76, 524

Architecture, 528Component Instantiation, 78Concurrent Signal Assignment, 78, 529D-FlipFlop, 528Entity, 82, 528Entity Generic-Attribute, 82, 528Entity Port-Deklaration, 77, 528Process, 78, 528Strukturmodell, 78, 528Verhaltensmodell, 78, 528

VHDL-AMS, 76

715Sachverzeichnis

Wirkungsgrad, 174, 194, 438, 442Workspace, 29, 43Worst-Case, 603, 677

ZZellbibliothek, 672Zenerdiode, 174, 181ZF-Verstärker, 485Ziehbereich, 502, 506Zieltechnologie, 13Zustandsautomaten, 481Zwischenfrequenzlage, 460, 472, 484

Nennverlustleistung, 72Pulsleistung, 75Thermische Ersatzschaltung, 73Verlustleistung, 74Wärmekapazität, 74Wärmeübergangswiderstand, 72Wärmeverlustleistung, 71Wärmewiderstand im Pulsbetrieb, 75

Wärmeverlustleistung, 71Waveform-Analyzer, 32Widerstände, integrierte, 597Widerstände, Kontaktwiderstände, 602Wilson-Konstantstromquelle, 370Wirbelstromverluste, 516