C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Crocus Nano Electronics

КНЭПервое 300мм Производство MRAM в России

Марк Дидик – Генеральный директорMay-13th, 2014

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s 2

История Crocus Technology/КНЭ

Технология 3-го поколения

Инвестиционная Стратегия

Статус продвижения проекта

Подход к управлению производством

Содержание

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s•“Крокус Нано Электроника” (КНЭ) –

совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology S.A.

КНЭКНЭ

•Технополис “Москва”, г. Москва, Россия

Место-расположение

Место-расположение

•Запустить высококачественное, экологически чистое, 300мм производств магнитной памяти (MRAM) в России

•Первый этап – выйти на объём в 500 пластин в неделю. Второй этап – 1000 пластин в неделю (с дополнительными инвестициями)

•Создать производство, задающее стандарты самого высокого уровня в производстве MRAMЦельЦель

Общая Информация

3

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Структура Владения КНЭ

4

50.05% 49.95%

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

История Crocus Technology/КНЭ

Мировой лидер в области исследований и развития MRAM технологии

Головной офис находится в Санта Клара (Калифорния, США), научно-исследовательский центр в Гренобле (Франция)

В 2004 СТ отделился от основного исследовательского центра Spintec и продолжил сотрудничество с LETI, CEA, CNRS.

В 2011 Crocus Technology и IBM подписали соглашение о совместной разработке MRAM и ячейки Магнитной Логики

Массовое производство на КНЭ началось в 2013

2013

Crocus created to commercialize

MRAM technology

Spintec transferred to

Crocus exclusive license

for all patents

Bertrand Cambou appointed as CEO

for Crocus Technology

Crocus and TowerJazz declared

partnership

Concept of TAS-MRAM

develop-ed in Spintec

Crocus and RUSNANO

created JV – Crocus Nano Electronics

2000 2005 20062004 2009 2010

Spintec got 1-st patent

based on STT principle

Manufacturing of the

1-st sample

Venture funds started

financing

2008

Crocus and IBM declared cooperation

2011

Industrial manufacturing for magnetic layers,

CNE, Russia

2014

BEOL cycle implementation at CNE, Russia

5

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

МестоположениеБыло рассмотрено более 30 площадок для строительства

6

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Преимущества Технополиса “Москва”

7

Упрощенная процедура согласования строительных работ

Электро-мощности, отвечающие техническим требованиям производства

Круглосуточный таможенный пост на производстве

15.5% налог на прибыль компании вместо 20%

Субсидия на компенсацию процентов по банковскому кредиту

Участие правительства г. Москва в инвестициях

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Общая Информация о Производстве

Общая площадь = 8,195м² Чистая комната = 2,409м² Технология – 90/65/45нмДиаметр пластин = 200/300ммПр. мощность = 500 пл./нед. (на 1-ом этапе)Потенциал пр. мощности – до 1000 пл./нед. (последующая фаза)

Технические спецификации• Вода

– Де-ионизированная вода = 15м³/час

– Общий объём воды = 25м³/час

– Канализация – 26м³/час

• Энергия – 2700КВт

• Эл. Энергия

– 500 пл./нед. = 5МВт

– 1000 пл./нед. = 8МВт8

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Партнеры

9

Поставщики CMOS пластин

Партнёры по развитию

технологии

Основные производители оборудования

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s 10

Crocus Technology подписала соглашение о совместной разработке технологии MRAM 3-го поколения с IBM в октябре 2011г.

Разработка технологий производится в лаборатории IBM TJ Watson Research в г. Йорктаун Хэйтс, Нью-Йорк, США Группа специалистов TJ Watson MRAM имеет уникальный опыт в развитии MRAM

технологии, дизайна, интегрировании процесса, магнетизма и тестирования конечных результатов

Осаждение магнитных слоев (PVD) и макро-характеризация самого продукта производится в лаборатории Crocus Technology г. Гренобль, Франция

Уже состоялся успешный трансфер технологии 90нм BEOL на IBM Это, гарантированно подтверждает, что Crocus Technology разработала

функционирующую BEOL часть процесса На данном этапе остается решить две задачи:

Разработка процесса формирования оболочки кобальта Улучшение магнитных характеристик снижением напряжений в слоях, вызванных

магнитной анизотропией

Технология 3-го Поколения

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s 11

Сотрудничество IBM Crocus продлено до конца 2014г. Для осуществления следующих целей: Решение существующих задач

Характеризация нового продукта Sunset

Трансфер технологии для массового

производства в КНЭ

Технология 3-го Поколения (Прод.)

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

SMIC/КНЭ Стадия BSMIC/КНЭ Стадия BInterconnect Formation Al Wiring & Pad Formation

КНЭ Стадия AКНЭ Стадия AMagnetic Stack & Dot Line Formation

(Deposition, Photolithography, Etch, Passivation)

SMICSMICField Line/Pad Formation 15nm TaN/50nm Cobalt Cladding

Layer PVD Strap/Local Bit Line Formation

Схема Процесса 3-го Поколения

12

MRAM StepsConventional Steps

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Blue Pearl Технология TEM X-Section

SMICCMOS

CNEStage B

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s 14

Выбранная стратегия доказывает свою состоятельность

Выбор оборудования и процедура закупок Были задействованы специалисты международного

уровня для оценки и отбора закупаемого оборудования Выбран отличный “пакет” нового и обновленного

оборудования Строительство чистой комнаты

Чистая комната спроектирована максимально эффективно и компактно и полностью соответствует производственным требованиям

Отличное сотрудничество с “Москвичом” Небольшая, но очень профессиональная команда Faeth

Подход КНЭ к Использованию и Контролю Инвестиционных Средств

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Сравнительный Анализ3-е Поколение, 300мм - Инвестиции

15

КНЭ производство с низкой себестоимостью

MLU это простая и дешевая

технология “Пакет” обновленного

оборудования “Cost” is a priority

700 w/w

CNE Projected on industry trend line

2,000 w/w

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Текущее Положение

Проект завершен на 83%

Подана эл. энергия на основные электрические щиты Смонтирован фальшпол и установлены пьедесталы

Установлены перегородки в ЧК

DNS, KLA, Jusung уже в ЧК

HEPA функционируют

Планы на Q2

Подключить все оборудование для Стадии А до конца Q2

Запуск всех поддерживающих систем для этапа А

Разместить заказы на оборудование для Стадии В и подготовиться к его запуску

Статус Строительства Ч. Комнаты

Jusung Etcher

ASML PedestalsCleanroom Chase

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Стадия А – Общая Информация

17

Сегмент технологического процесса Модуль Магнитного слоя

Оборудование Singulus PVD – Осаждение магнитного “сэндвича” ASML 193nm - Фотолитография Jusung - Травление и инкапсуляция магнитных слоев Метрология - Толщина слоев, CD, Overlay

Подготовка к ввозу оборудования – 4/16/2014Завершение подключения оборудования – 6/17/2014Начало производства – 2/9/2015

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Стадия В – Общая Информация

18

Сегмент технологического процесса Формирование медной металлизации и магнитных ячеек по

технологии 90нм на КМОП пластинах Оборудование

PECVD – Осаждение пленок TEOS и SiN PVD – Осаждение металлических слоев CMP – Химико-Механическая полировка Electroplating – Электролиз меди Dielectric and Metal Etch – Травление металлических и

диэлектрических слоевПоставка оборудования – 07/31/2014Завершение этапа подключения оборудования – 10/24/2014Трансфер технологии – 6/17/2014Первичное производство – 04/15/2015Начало массового производства – 08/15/2015

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Руководящий состав КНЭ имеет обширный опыт в полупроводниковой индустрии, освоении новых технологий и

оптимизации полупроводникового производства Этап строительства, ввоза и подключения оборудования

Основное внимание уделяется контролю освоения бюджетных средств, срокам и качеству выполняемых работ

Квалификация технологического процесса Использование проверенных методологий, таких как: “White papers” &

“Change Control Board” для гарантии качестваo Комплексные изменения будут дублироваться нашими клиентамиo Статистический анализ будет использован для построения экспериментов и

контроля качестваo Инженеры и технологи пройдут аттестацию по программе Six Sigma Green

and Black Beltso Будет внедрена программа JMP для статистического анализаo Внедрение системы SPC для мониторинга критических параметров o Поставлена задача поддерживать уровень Cpk >1.33 для всех критических

параметров

Высокоэффективное Производство - Видение

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Руководство КНЭ намерено ориентироваться на внедрение передовых методологий управления производством Bottleneck management BKM TPM (Total Productive Maintenance) Lean manufacturing mindset Kaizen events, etc.

Использование индикаторов, с помощью которых будет производится мониторинг производственного процесса в режиме реального времени, позволит быстро находить возможности для постоянного повышения эффективности

High level KPIs Wafer Cost Yield CT, OTD Fab utilization Fab output OEE Productivity

Высокоэффективное Производство – Наращивание Объёмов Производства

C r o c u s N a n o E l e c t r o n i c s

Заключение

21

КНЭ – это совместное предприятие между Crocus Technology и РОСНАНО, в основе которого лежит технология Термо MRAM, разработанная в лаборатории Spintec labs, расположенной в г. Гренобль, ФранцияПоследующее развитие технология получила при содействии IBM и в ближайшее время будет успешно внедрена в производство в КНЭ

Соглашение о сотрудничестве с IBM продлено до конца 2014 года с целью завершения выполнения поставленных задач

Конкурентоспособная цена производимой продукции являлась ключевым фактором на стадии строительства, приобретения и подключения оборудованияРаботы по строительству ЧК выполняются в соответствии с запланированным графиком

Завершение подключения оборудования стадии A ожидается в июне 2014 Подключения оборудования Стадии B - в октябре 2014 Начало производства стадии B - в апреле 2015

В дальнейшем наша миссия - высокоэффективное производство