VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY

FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF RADIO ELECTRONICS

NÍZKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČ VE TŘÍDĚ D S PWM MODULACÍ CLASS D AUDIO AMPLIFIER WITH PWM MODULATION

BAKALÁŘSKÁ PRÁCE BACHELOR’S PROJECT

AUTOR PRÁCE Luboš Arvai AUTHOR

VEDOUCÍ PRÁCE doc. Ing. Tomáš Kratochvíl, Ph.D. SUPERVISOR

BRNO, 2009

2

3

Abstrakt Tato práce se zabývá návrhem nízkofrekvenčního zesilovače pracujícího ve třídě D s výkonem 2x20 W. V úvodu je stručně popsán princip funkce zesilovačů pracujících ve třídě D. Následuje blokové schéma navrhovaného zesilovače a popis požadavků na jednotlivé bloky. V další části je podrobně popsán obvodový návrh bloku korekčního předzesilovače, modulátoru s budičem výkonových tranzistorů, výkonový stupeň a rekonstrukční filtr. Na závěr jsou shrnuty experimentálně zjištěné poznatky. Na základě těchto poznatků je popsána modifikace původního návrhu. Abstract The aim of this project is design audio amplifier working in class D with power output 2x20 W. In the beginning is shortly described a principle of amplifiers in class D. In the next chapter is block circuit diagram and requirements list for individual blocks. In next section is closely described circuit design of correction preamplifier, PWM modulator with driver of power transistors, power stage and output filter. At the conclusion is summarized experimentally obtained knowledge. On the basis of this knowledge is described modification of original design. Klíčová slova nízkofrekvenční zesilovač, třída D, PWM modulace, monolitický IO Keywords audio amplifier, class D, PWM modulation, monolithic IC

ARVAI, L. Nízkofrekvenční zesilovač ve třídě D s PWM modulací. Brno: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2009. 19 s. Vedoucí bakalářské práce doc. Ing. Tomáš Kratochvíl, Ph.D.

4

Prohlášení

Prohlašuji, že svoji bakalářskou práci na téma Nízkofrekvenční zesilovač ve třídě D s PWM modulací jsem vypracoval samostatně pod vedením vedoucího bakalářské práce a s použitím odborné literatury a dalších informačních zdrojů, které jsou všechny citovány v práci a uvedeny v seznamu literatury na konci práce.

Jako autor uvedené bakalářské práce dále prohlašuji, že v souvislosti s vytvořením této práce jsem neporušil autorská práva třetích osob, zejména jsem nezasáhl nedovoleným způsobem do cizích autorských práv osobnostních a jsem si plně vědom následků porušení ustanovení § 11 a následujících autorského zákona č. 121/2000 Sb., včetně možných trestněprávních důsledků vyplývajících z ustanovení § 152 trestního zákona č. 140/1961 Sb.

V Brně dne 5. června 2009 ............................................ podpis autora

Poděkování

Děkuji vedoucímu semestrálního projektu doc. Ing. Tomáši Kratochvílovi, Ph.D. za účinnou metodickou, pedagogickou a odbornou pomoc a další cenné rady při zpracování mé bakalářské práce.

V Brně dne 5. června 2009 ............................................ podpis autora

5

Obsah 1. Úvod ....................................................................................................................... 6 2. Zesilovače ve třídě D.............................................................................................. 7

2.1.Princip funkce zesilovače ve třídě D.................................................................. 7 2.1.1. Blok modulátoru.......................................................................................... 7

3. Blokové schéma ..................................................................................................... 9 3.1. Popis blokového schématu............................................................................... 9

3.1.1. Korekční předzesilovač............................................................................... 9 3.1.2. Modulátor s budičem výkonových tranzistorů ............................................. 9 3.1.3. Výkonový stupeň ........................................................................................ 9 3.1.4. Rekonstrukční filtr ....................................................................................... 9

4. Návrh jednotlivých částí zesilovače ...................................................................... 11 4.1. Korekční předzesilovač................................................................................... 11

4.1.1. Možnosti realizace .................................................................................... 11 4.1.2. Popis zapojení .......................................................................................... 11

4.2. Modulátor s budičem výkonových tranzistorů ................................................. 13 4.2.1. Možnosti řešení ........................................................................................ 13 4.2.2. Popis zapojení .......................................................................................... 13

4.3. Blok výkonových tranzistorů ........................................................................... 15 4.3.1. Možnosti realizace .................................................................................... 15 4.3.2. Výběr vhodných tranzistorů ...................................................................... 15 4.3.2. Výpočet ztrát na výkonových tranzistorech............................................... 16

4.4. Blok rekonstrukčního filtru .............................................................................. 19 4.4.1. Možnosti realizace .................................................................................... 19 4.4.2. Výběr prvků rekonstrukčního filtru ............................................................ 21

5. Modifikace ............................................................................................................ 22 6. Závěr .................................................................................................................... 25 Seznam obrázků....................................................................................................... 26 Seznam tabulek........................................................................................................ 26 Seznam zkratek........................................................................................................ 27 Seznam symbolů ...................................................................................................... 27 Seznam literatury...................................................................................................... 28 Příloha A: Schéma zapojení ........................................................................................ I Příloha B: Deska plošných spojů ................................................................................ II Příloha C: Rozmístění součástek ............................................................................. VII Příloha D: Seznam součástek .................................................................................. XII Příloha E: Mechanické uspořádání..........................................................................XVI

6

1. Úvod Cílem této práce je navrhnout nízkofrekvenční zesilovač ve třídě D s výkonem

2x20 W při impedanci zátěže 4 Ω, který bude sloužit jako laboratorní přípravek pro měření. Navrhován bude s ohledem na dosažení co nejvyšší kvality reprodukce v případě, že by byl použit k domácímu poslechu. Třída D je v současnosti používána hlavně kvůli své vysoké účinnosti pro konstrukci nízkofrekvenčních zesilovačů v mnoha moderních elektronických zařízeních. Navrhovaný zesilovač se skládá z korekčního předzesilovače LM1036 ve standardním zapojení, ale ovládaného tlačítky. Další částí zesilovače je obvod TPA3101D2 ve standardním zapojení. Ke zvýšení jeho výstupního výkonu je na výstup tohoto obvodu přidán samostatný výkonový zesilovač v můstkovém zapojení. Návrh obsahuje kompletní schéma zapojení, návrh desky plošného spoje v programu Eagle, rozmístění součástek na desce plošného spoje v programu Eagle, soupisku součástek a mechanické uspořádání. Na úvod je krátce popsán princip funkce zesilovačů ve třídě D a vytvoření PWM modulovaného signálu. V další kapitole je uvedeno blokové schéma navrhovaného zesilovače a popsány požadavky na jednotlivé bloky. Poté následuje schéma zapojení a jeho detailní popis rozdělený do bloků podle blokového schématu. U výkonové části bude rozebrána velikost ztrátového výkonu na výkonových tranzistorech a jejich případné chlazení. Na závěr bude navrženo mechanické uspořádání přípravku. Následně by měl být zesilovač realizován a měly by být změřeny jeho parametry.

7

2. Zesilovače ve třídě D 2.1.Princip funkce zesilovače ve třídě D

Zesilovače ve třídě D jsou typické tím, že jejich aktivní prvky nepracují v aktivním režimu. Jako u lineárních zesilovačů tříd A, AB, B, které se obvykle používají pro konstrukci nízkofrekvenčních zesilovačů. Jejich aktivní prvky jsou spínány řídícím signálem vyšší frekvence, který nese informaci o užitečném nízkofrekvenčním signálu. Tím je možno u zesilovačů ve třídě D dosáhnout vysoké účinnosti teoreticky až 100%, ve skutečnosti 80-90%. Teoretické účinnosti není možné dosáhnout, protože aktivní prvky nejsou ideální. Mají nenulový odpor v sepnutém stavu a jejich spínací proces taky není bezeztrátový.

Obr. 1 Blokové schéma výkonového audio zesilovače ve třídě D. (Převzato z [1]).

Blokové schéma výkonového audio zesilovače ve třídě D je na Obr. 1.

Předzesilovač vstupní signál upraví tak, aby mohl být zpracován modulátorem. Zároveň také impedančně odděluje výkonový zesilovač ve třídě D od zdroje signálu. V modulátoru vzniká PWM modulovaný signál, který řídí spínání výkonových tranzistorů. Zesílený PWM modulovaný signál je přes rekonstrukční filtr typu dolní propust přiveden na výstup. [1]

2.1.1. Blok modulátoru Modulátor upravuje vstupní signál do podoby, která umožní řídit spínání

výkonových tranzistorů. Zapojení impulsně šířkového (PWM) modulátoru je na Obr. 2.

Obr. 2 Zapojení impulsně šířkového modulátoru.

Užitečný nízkofrekvenční signál je přiváděn na invertující vstup komparátoru, který

ho porovnává s trojúhelníkovým nebo pilovým signálem o vysoké frekvenci. Na výstupu komparátoru je nízká úroveň, když trojúhelníkový signál přivedený na invertující vstup má vyšší úroveň než nízkofrekvenční signál přivedený na neinvertující vstup komparátoru. Vysoká úroveň na výstupu komparátoru je tehdy, když je úroveň užitečného nízkofrekvenčního signálu na neinvertujícím vstupu komparátoru větší než úroveň trojúhelníkového signálu na invertujícím vstupu komparátoru. Na výstupu komparátoru dostáváme obdélníkový impulsně šířkově

Vstupní audio signál

Předzesilovač ModulátorKoncový stupeň s budičem

Rekonstrukční filtr

+

-

komparátor

Nízkofrekvenční signál

Trojúhelníkový signál

PWM signál

8

modulovaný signál. Ilustrační průběhy signálů na vstupech a výstupu komparátoru, vysvětlující vznik PWM signálu jsou na Obr. 3. Z průběhů na Obr. 3 je patrné, že pro kladnou půlvlnu vstupního signálu, případně kladný stejnosměrný signál vstupní je střída PWM signálu větší než 50 % a pro zápornou půlvlnu vstupního signálu, případně záporný vstupní signál je menší než 50 %. [1]

Obr. 3 Vznik PWM signálu. (Převzato a upraveno z [7]).

9

3. Blokové schéma 3.1. Popis blokového schématu

Blokové schéma navrhovaného zesilovače je na Obr. 4.

Obr. 4 Blokové schéma navrhovaného zesilovače

3.1.1. Korekční předzesilovač Korekční předzesilovač je první částí navrhovaného zesilovače. Předzesilovač také

řídí hlasitost, stereo vyvážení, případně tónové korekce celého zesilovače. Hlavním požadavkem na korekční předzesilovač je co nejmenší zkreslení zpracovávaného signálu a velmi malý šum, protože zkreslení a šum vzniklý v předzesilovači jsou dále zesilovány ve výkonovém stupni zesilovače.

3.1.2. Modulátor s budičem výkonových tranzistorů Signál z předzesilovače je zde převeden na signál vhodný pro řízení spínání

výkonových tranzistorů. To se děje nejčastěji pomocí modulace PWM, ale používá se také delta modulace a sigma-delta modulace. Všechny uvedené modulace jsou popsány v [1]. Jako výkonové tranzistory jsou používány u zesilovačů ve třídě D tranzistory typu MOSFET. Budič tedy musí mít tyto vlastnosti:

• malý dynamický odpor budícího obvodu, protože při provozu, kdy jsou spínány výkonové tranzistory s frekvencí stovek kHz, je potřena nabíjet kapacity ve výkonových tranzistorech co nejrychleji,

• malý klidový proud protékající budícím obvodem v neaktivním stavu. Velký proud protékající obvodem při nečinnosti by způsobil snížení účinnosti celého zařízení se všemi negativními jevy s tím spojenými [1].

Řešení, která tyto požadavky splňují a jsou tedy vhodná pro řízení výkonových tranzistorů MOSFET, je mnoho a nejčastěji užívaná jsou popsána v [1].

3.1.3. Výkonový stupeň Zde se jako aktivní prvky používají tranzistory typu MOSFET, zapojené do

půlmůstkového nebo můstkového zapojení. Jejich vhodný výběr je zásadní pro zkreslení a účinnost celého zesilovače. Tranzistory MOSFET se používají, protože nejlépe splňují požadavky na spínání induktivní zátěže při vysokých frekvencích. Mají nízký úbytek napětí v sepnutém stavu, spínají a rozpínají rychle, mají nízké hodnoty parazitních kapacit a jsou řízeny pouze přiloženým napětím na řídící elektrodu „gate“. Proud tekoucí touto elektrodou slouží pouze k nabití a vybití parazitních kapacit tranzistoru.

3.1.4. Rekonstrukční filtr Jedná se o filtr typu dolní propust, který má integrační charakter a tak získává

z PWM signálu jeho střední hodnotu, která nese informaci o užitečném nízkofrekvenčním signálu. Nejčastěji se používá filtr LC typu dolní propust 2. řádu. Dolní propust 2. řádu je používána kvůli dostatečně strmé amplitudové frekvenční

Korekční předzesilovač

VstupL

VstupP Modulátor, budič výkonových tranzistorů

Výkonový stupeň

Rekonstrukční filtr

VýstupL

VýstupP

10

charakteristice. Ten může být doplněn filtrem RC typu dolní propust, který potlačí nežádoucí složky nad rezonančním kmitočtem LC filtru. Méně časté je použití filtru skládajícího se z feristoru a kondezátoru. V některých aplikacích není použití rekonstrukčního filtru nutné. Protože se filtrem přenáší celý výkon zesilovače, není možné nahradit cívku a kondenzátor ve filtru syntetickými prvky. Mezní kmitočet dolní propusti se volí mezi 20 až 40 kHz a používá se Butterworthova nebo Besselova aproximace. [1] Výhodou první je strmý přechod amplitudové frekvenční charakteristiky z propustného do nepropustného pásma a její maximální plochost v propustném pásmu. Výhodou druhé je lineární průběh fázové charakteristiky.

11

4. Návrh jednotlivých částí zesilovače 4.1. Korekční předzesilovač

4.1.1. Možnosti realizace Korekční předzesilovač lze realizovat kombinací obvodů složených z diskrétních

součástek, které zajišťují jednotlivé funkce předzesilovače. Toto řešení nelze považovat za vhodné pro zesilovač pracující ve třídě D, a tak zde nebude rozebráno. Vhodnější je použít některý z integrovaných obvodů, které jsou na trhu a mají požadované funkce. Z dostupných integrovaných obvodů byl zvolen obvod firmy National Semiconductor LM 1036, který umožňuje řídit hlasitost, stereo vyvážení, fyziologickou kompenzaci hlasitosti a tónové korekce výšek a hloubek. Jeho základní vlastnosti jsou uvedeny v tabulce 1.

Napájecí napětí 9-16 V Napájecí proud Max.45 mA

Rozsah ovládání hlasitosti Min.70 dB Rozsah korekce hloubek Typ. -15 až 15 dB Rozsah korekce výšek Typ. -15 až 15 dB

THD Typ. 0,06 % Odstup mezi kanály Min. 60 dB

SNR Min. 75 dB Tabulka 1 Základní parametry obvodu LM1036 [2]

4.1.2. Popis zapojení Zapojení korekčního předzesilovače je na Obr. 5. Integrovaný obvod LM 1036 je

napájen napětím 12 V, které dodává stabilizátor 7812. Blokovací kondenzátor napájení C10 je keramický. Kondenzátory C2 a C9 na vstupech signálu slouží k oddělení stejnosměrné složky signálu a jejich hodnota je zvolena dle doporučení výrobce. Kondezátory C3 a C8 nastavují maximální rozsah tónové korekce výšek. Při jejich hodnotě 10 nF doporučené výrobcem, bude rozsah korekce výšek ±15 dB na frekvenci 16 kHz. Kondenzátory C5 a C6 nastavují rozsah korekce hloubek při frekvenci 40 Hz. Kapacita doporučená výrobcem se jako fóliový kondenzátor nevyrábí. Zvolená vyšší kapacita bude mít za následek omezení rozsahu korekce hloubek. Hodnotou kondenzátorů C4 a C7 je možné omezit rozsah tónových korekcí na nízkých kmitočtech, kde se může vyskytovat šum a přitom zůstane zachován rozsah korekcí na ostatních kmitočtech. Rezistor R1 spolu s obvodem DS1666 tvoří napěťový dělič, který určuje velikost stejnosměrného řídícího napětí tónové korekce hloubek. Dělič složený z rezistoru R2 a dalšího obvodu DS1666 určuje velikost řídícího napětí pro ovládání hlasitosti. Stereo vyvážení je ovládáno napětím určeným děličem R3 a napětím třetího obvodu DS1666. Tónová korekce výšek je ovládána napětím děliče R4 a posledního obvodu DS1666. Kondenzátory C11, C12, C13 a C14 slouží k omezení šumu potenciometrů. Řídící napětí je na děliče přiváděno z vnitřního regulovaného zdroje obvodu LM1036. Obvod DS1666 je elektronický pseudo-logaritmický potenciometr ovládaný digitálně s maximální hodnou odporu 50 kΩ. Na napájecí pin Vcc a pin VH, který představuje horní konec dráhy potenciometru, přivedeme napětí z výstupu vnitřního regulovaného zdroje obvodu LM1036. Pin VL, který představuje dolní konec dráhy potenciometru, uzemníme.

12

Stejně tak uzemníme pin VB, který umožňuje funkci obvodu s negativním napětím, kterou nevyužíváme. Pin VW představuje jezdce potenciometru a v tomto případě také výstup děliče. Tlačítko S1 je přes rezistor R6 připojené k napětí 5V ze stabilizátoru 7805 a k zemi. Zároveň jsou k tomuto tlačítku připojené pin /CS, který aktivuje obvod a pin /INC, který mění odpor obvodu podle nastavení pinu U//D. Tyto piny jsou aktivní v nízké úrovni, takže při stisknutí tlačítka dojde k jejich uzemnění a zároveň pin U//D uzemněn není, tak se hodnota odporu obvodu DS1666 zvýší. Tlačítko S2 je zapojené stejně s tím rozdílem, že je k němu připojený také pin U//D, který se při stisknutí tlačítka S2 uzemní také a hodnota odporu obvodu DS1666 se sníží. Dioda D1 brání uzemnění pinu U//D při stisku tlačítka S1 přes propojení pinů /CS a /INC mezi tlačítky S1 a S2. Ovládání a zapojení ostatních děličů je totožné. Přepínač S9 přepojuje vstup LOUD obvodu LM1036 mezi výstupním napětím děliče ovládajícího hlasitost, v tom případě je funkce fyziologické kompenzace hlasitosti zapnuta, a referenčním napětím z vnitřního regulovaného zdroje obvodu LM1036, kdy je tato funkce vypnuta. [2], [3]

Obr.5 Schéma zapojení korekčního předzesilovače

13

4.2. Modulátor s budičem výkonových tranzistorů

4.2.1. Možnosti řešení První možností je opět realizace modulátoru i budiče z diskrétních součástek. Toto

řešení vyžaduje předzesilovač, který upraví vstupní audiosignál do podoby, kdy může být zpracován komparátorem. Také musíme realizovat precizní generátor trojúhelníkového signálu, který přivedeme na druhý vstup komparátoru. Signál z modulátoru potom přivádíme na budič, který musí splňovat podmínky uvedené v kapitole 3.1.2.. Nejčastěji se používá komplementární emitorový sledovač. Jeho zapojení není složité a umožňuje nastavení doby náběhu budících impulzů. Jeho nevýhodou je použití dvou bipolárních tranzistorů pro řízení jednoho výkonového MOSFET tranzistoru. Výkonové tranzistory je také možné řídit s využitím impulsního transformátoru. Výhodou tohoto řešení je galvanické oddělení řídích obvodů od výkonové části. Transformátor také díky vysoké spínací frekvenci vychází malý.

Další možností je kombinace diskrétního modulátoru a integrovaného budiče. Tyto integrované budiče ve verzích umožňují řídit jeden nebo více MOSFET tranzistorů s kanálem typu N nebo P, případně kombinaci obou typů. Vyrábí se také budiče přímo připravené pro buzení výkonových tranzistorů zapojených v půlmůstkovém nebo můstkovém zapojení. Poslední možností je využití „power stage“ obvodů, které v jednom pouzdře integrují modulátor, budič výkonových tranzistorů i samotné výkonové tranzistory. Tyto obvody dosahují vysoké účinnosti a malého zkreslení a jsou velmi kompaktní [1]. Využijeme-li je k buzení výkonových tranzistorů, můžeme zvýšit jejich výkon, který obvykle dosahuje maximálně 2x25W. Některé obvody power stage nepotřebují za určitých podmínek použití výstupního rekonstrukčního filtru. Bylo rozhodnuto o použítí obvod firmy Texas Instruments TPA3101D2, který patří do kategorie „power stage“ obvodů. Tento obvod používá PWM modulaci a má symetrický výstup. Jeho základní vlastnosti jsou uvedeny v tabulce 2. a platí pro napájecí napětí 24 V a RZ = 8 Ω.

Napájecí napětí 10-26 V Výstupní výkon 10 W

THD+N 0,09 % SNR 102 dB

Tabulka 2 Základní parametry obvodu TPA3101D2[4]

4.2.2. Popis zapojení Schéma zapojení modulátoru s budičem výkonových tranzistorů je na Obr. 6.

Analogová část obvodu je napájena napětím 24 V. Toto napětí je přivedeno přes dva blokovací kondenzátory C29 a C30 na napájecí piny obvodu. Výkonová část obvodu je napájena stejným napětím a každý kanál má vlastní napájení a blokovací kondezátory C31, C32, C35 a C36. Všechny blokovací kondenzátory je nutné umístit na desce plošných spojů do blízkosti pouzdra obvodu. Obvod umožňuje použití symetrických i nesymetrických vstupů. Předzesilovač LM1036 má nesymetrický výstup, takže musíme použít nesymetrických vstupů, přes kondenzátory C24 a C25, které oddělují stejnosměrnou složku. Druhá část vstupních pinů je přes kondenzátory C23 a C25 uzemněna. Zisk obvodu můžeme nastavit na pinech GAIN0, GAIN00 a GAIN1 na čtyři různé úrovně. Byl nastaven zisk na 20dB, při tomto nastavení má obvod největší vstupní impedanci a to 32 kΩ. Při tomto nastavení a použití kapacity kondenzátorů 470 nF, jak doporučuje výrobce, bude vstupní signál o frekvenci 10,6 Hz utlumen o 3 dB. To zajistí, že při frekvenci 20 Hz,

14

kterou považujeme za spodní hranici užitečného signálu, nebude docházet k významnému útlumu signálu. Kondenzátory C37, C38, C39 a C40 tvoří „bootstrap“, který je nutný pro správné spínání tranzistorů v horní větvi výstupní části obvodu. Ve výstupní části obvodu jsou použity pouze tranzistory MOSFET s N kanálem, zapojené do plného mostu. Rezistory R14, R15, R16, R17 a kondenzátory C41, C42, C43, C44 linearizují spínací děje, tlumí překmity při spínání. Tak snižují THD+N a zlepšují EMC vlastnosti. Kondenzátory C33 a C34 zajišťují, že napětí UGS na výstupních tranzistorech obvodu nepřekročí maximální povolenou mez. Kondenzátor C27 ovlivňuje vnitřní funkci obvodu a jeho hodnota by měla být minimálně stejná jako u vstupních kondezátorů, lépe však vyšší. Rezistor R13 spolu s interním kondenzátorem určuje výstupní spínací frekvenci obvodu, při jeho hodnotě 100 kΩ bude spínací frekvence v závislosti na hodnotě interního kondenzátoru mezi 217 až 294 kHz. Pin MSTR//SLV umožňuje řídit spínací frekvenci obvodu obdélníkovým hodinovým signálem přivedeným na pin SYNC. Tato funkce není využita, takže pin MASTR//SLV je připojen na pin VREG, kde je výstupní napětí, které můžeme použít pro nastavení logických úrovní na vstupech obvodu, a pin SYNC bude uzemněn. Pin /SHUTDOWN připojíme na napětí 5 V ze stabilizátoru 7805.[1], [4]

Obr.6 Schéma zapojení modulátoru s budičem

15

4.3. Blok výkonových tranzistorů

4.3.1. Možnosti realizace Jak již bylo uvedeno, jako aktivní prvky se u zesilovačů pracujících ve třídě D

používají téměř výhradně tranzistory MOSFET. Ty mohou být zapojené v půlmůstkovém nebo můstkovém zapojení. Půlmůstkové zapojení výkonových tranzistorů má výhody v tom, že používá pouze dva tranzistory na jeden kanál, také konstrukce rekonstrukčního filtru bývá jednodušší, stejně jako budič. Obvykle je použito symetrické napájecí napětí vůči potenciálu země. Také je nutné zavést zpětnou vazbu z důvodu eliminace nežádoucí stejnosměrné složky a nesymetrie napětí na výstupu, která by mohla poškodit reproduktor. Také u tohoto zapojení dochází k „bus pumping“ efektu, což je nežádoucí jev, kdy se výkonový stupeň snaží rekuperovat komutační proud z výstupního filtru a induktivní zátěže zpět do napájecího zdroje.[1]

Můstkové zapojení výkonových tranzistorů vyžívá čtyři tranzistory na jeden kanál, to zvyšuje, spolu se složitějším budičem a rekonstrukčním filtrem, který toto zapojení potřebuje, náklady na realizaci. Můstkové zapojení netrpí problémy s „bus pumpingem“, stejnosměrnou složkou na výstupu, používá nesymetrické napájecí napětí a pro stejný výkon stačí tranzistory s polovičním průrazným napětím UDSmax. S rostoucí povolenou hodnotou napětí UDSmax se zhoršují jiné vlastnosti tranzistorů, které jsou pro správnou funkci zesilovače důležité, a protože zvolený budící obvod TPA3101D2 má symetrické výstupy, které se dají použít pro spínání MOSFET tranzistorů s N a P kanálem, bylo rozhodnuto pro můstkové zapojení výkonových tranzistorů. Zapojení výkonového stupně včetně rekonstrukčního filtru je na Obr. 7.

4.3.2. Výběr vhodných tranzistorů Minimální hodnota minimálního povoleného napětí UDS pro můstkové zapojení je

určena vzorcem (1) z [1]

2,15201

42022min =+

⋅⋅=+

⋅⋅= %K

MRP

U ZOUTDS V, (1)

kde POUT -výstupní výkon zesilovače RZ -impedance zátěže M -stupeň modulace K -rezerva

Je důležité volit tranzistory s hodnotou napětí UDS co nejmenší, ale ne menší než

hodnota určená ze vztahu (1). Protože tranzistory budou spínané ze symetrických výstupů budiče, použijeme tranzistory s N i P kanálem. Každý typ je spínán napětím o jiné polaritě. Tyto tranzistory by měly mít ideálně stejné parametry. Bohužel se nepodařilo najít dvojici tranzistorů s N a P kanálem, takže byly vybrány tranzistory s co nejpodobnějšími parametry a to tranzistory IRF 3205 (N kanál) a IRF 4905 (P kanál). Jejich vybrané parametry jsou v tabulkách 3 a 4.

16

Průrazné napětí UDS Min. 55 V

Kontinuální proud ID při TJ = 100°C Max. 80 A Teplota čipu za provozu Max. 175 °C

Statický odpor RDS-on Max. 0,008 Ω Celkový náboj hradla QG Max. 146 nC

Výstupní kapacita tranzistoru COSS Typ. 781 pF Tabulka 3. Vybrané parametry tranzistoru IRF3205 [8]

Průrazné napětí UDS Min. -55 V

Kontinuální proud ID při TJ = 100°C Max. -52 A Teplota čipu za provozu Max. 175 °C

Statický odpor RDS-on Max. 0,02 Ω Celkový náboj hradla QG Max. 180 nC

Výstupní kapacita tranzistoru COSS Typ. 1400 pF Tabulka 4 Vybrané parametry tranzistoru IRF4905 [9]

Všechny hodnoty v obou tabulkách platí pro teplotu čipu TJ = 25 °C pokud není

uvedeno jinak. Hodnoty průrazného napětí UDS a kontinuálního proudu elektrodou „drain“ jsou důležité pro maximální hodnotu výkonu zesilovače. Jejich hodnoty jsou záporné u tranzistoru IRF 4905, protože se jedná o tranzistor s P kanálem. Statický odpor mezi elektrodami „drain-source“ v sepnutém stavu určuje velikost ztrát na tranzistoru v sepnutém stavu. Celkový náboj hradla QG a výstupní kapacita tranzistoru COSS ovlivňují rychlost spínání a velikost spínacích ztrát tranzistoru.[1]

4.3.2. Výpočet ztrát na výkonových tranzistorech Ztráty na výkonových tranzistorech zesilovače pracujícího ve třídě D jsou dvojího

druhu. Ztráty vedením závisí hlavně na hodnotě statického odporu RDS-on a vypočítají se podle vzorce (2) z [1]

onDSDvedením RIP −⋅= 22max , (2)

kde Pvedením -ztrátový výkon na tranzistoru vzniklý vedením IDmax -maximální proud tekoucí elektrodou „drain“ RDS-on -statický odpor mezi elektrodami „drain-source“ v sepnutém

stavu.

Hodnota odporu RDS-on je silně teplotně závislá a výrobce ji udává pro teplotu čipu TJ = 25 °C, proto je ve vzorci (2) počítáno s dvojnásobnou hodnotou. Druhým druhem jsou ztráty při spínání, které se skládají ze ztrát na hradle tranzistoru, kam je pro sepnutí tranzistoru nutné přivést určitý náboj, a vlastních spínacích ztrát, které vznikají přechodnými jevy při spínání tranzistoru. Ztráty na hradle jsou určeny vzorcem (3) z [1]

spinacíbudičGhradlo fUQP ⋅⋅= , (3)

kde Phradlo -ztrátový výkon na hradle tranzistoru QG -celkový náboj hradla Ubudič -výstupní napětí budiče tranzistoru fspínací -spínací frekvence tranzistoru

17

a vlastní spínací ztráty vzorcem (4) z [1]

( ) spínacínaprrspínacínapOSSspínacífrnapDspínací fUQfUCfttUIP ⋅⋅⋅+⋅⋅⋅+⋅+⋅⋅⋅=21

21

245 2 , (4)

kde Pspínací -ztrátový výkon při spínání tranzistorů ID -proud tekoucí elektrodou „drain“ Unap -napájecí napětí výkonových tranzistorů tr -doba náběžné hrany proudu ID při sepnutí tranzistoru tf -doba sestupné hrany proudu ID při rozepnutí tranzistoru fspínací -spínací frekvence tranzistoru COSS -výstupní kapacita tranzistoru Qrr -komutační náboj integrované diody tranzistoru MOSFET.

Celkové ztráty jsou potom součtem všech těchto ztrát. Ztráty na tranzistorech jsou určeny podle výše uvedených vzorců a při výpočtu je

vždy počítáno s nejhorším možným případem. Pro výpočet ztrát je napřed potřeba spočítat napájecí napětí tranzistorů Unap a maximální proud elektrodou „drain“ IDmax. Napájecí napětí je určeno vztahem (5) a maximální proud pomocí vztahu (6) oba vztahy jsou z [5].

9,1720422 =⋅⋅=⋅⋅≥ OUTZnap PRU V (5)

Unap -napájecí napětí výkonových tranzistorů RZ -impedance zátěže POUT -výstupní výkon zesilovače

Z důvodu jednoduššího rozvodu napájení na desce plošných spojů bylo zvoleno

napájecí napětí stejné pro modulátor s budičem i pro výkonové tranzistory, tedy 24 V. Tato hodnota napájecího napětí představuje i dostatečnou rezervu.

342

242

=⋅

=⋅

=Z

napD R

UI A (6)

ID -proud tekoucí elektrodou „drain“ RZ -impedance zátěže Unap -napájecí napětí výkonových tranzistorů

Nyní už je známé vše potřebné pro výpočet ztrátového výkonu na tranzistoru

IRF3205. Hodnotu proudu na ID je nahrazena svojí střední hodnotou. Ztráty na tomto tranzistoru jsou:

144,0008,0232 =⋅⋅=vedenímP W 03,12940002410146 9 =⋅⋅⋅= −

hradloP W

( )

W437,12940002410212212940002410781

21294000106510124223

245

9

2129

Pspínací

=⋅⋅⋅⋅

⋅+⋅⋅⋅⋅+⋅⋅+⋅⋅⋅⋅

⋅=

−

−−

π

611,2437,103,1144,0 =++=++= spínacíhradlovedenímcelkové PPPP W Celkový ztrátový výkon na jednom tranzistoru IRF3205 je tedy 2,611 W.

18

Ztráty na tranzistoru IRF4905 jsou:

36,002,0232 =⋅⋅=vedenímP W 27,12940002410180 9 =⋅⋅⋅= −

hradloP W

( )

W128,229400024103502129400024101400

2129400010969924223

245

9

2129

=⋅⋅⋅⋅

⋅+⋅⋅⋅⋅+⋅⋅+⋅⋅⋅⋅

⋅=

−

−−

πspínacíP

758,3128,227,136,0 =++=++= spínacíhradlovedenímcelkové PPPP W Ztrátový výkon na jednom tranzistoru IRF4905 je 3,758 W. Následuje kontrola

teploty čipu tranzistoru podle vzorce (7) z [1]

278758,36245 =⋅+=⋅+= celkovéTHJAOJ PRTT C° , (7) kde TJ -teplota čipu

TO -teplota okolí RTHJA -tepelný odpor mezi čipem a okolím Pcelkové -celkový ztrátový výkon.

Teplotu na čipu a případný výpočet chladiče bude počítána pouze pro tranzistor IRF4905, jehož ztrátový výkon je větší a tedy i jeho oteplení bude větší. Teplotu okolí 45 °C byla zvolena, protože zesilovač bude umístěn v krabici s větracími otvory.

Výpočet ukázal, že bez použití chladiče by teplota čipu překročila maximální teplotu

povolenou výrobcem. Takže je nutné použít chladič. Celkový tepelný odpor je určen vztahem (8) z [5]

29,21758,3

45125=

−=

−=

celkové

OJTH P

TTR K/W , (8)

kde RTH -celkový tepelný odpor TJ -teplota čipu TO -teplota okolí

a potom je spočítán maximální tepelný odpor chladiče podle vztahu (9) z [5]

04,205,075,029,21 =−−=−−= THPTHJCTHTHCH RRRR K/W , (9) kde RTHCH -teplený odpor chladiče

RTH -celkový tepelný odpor RTHJC -tepelný odpor mezi čipem a pouzdrem RTHP -tepelný odpor slídové dielektrické položky od tloušťce 0,05mm.

Protože některé z parametrů MOSFET tranzistorů jsou teplotně závislé a také by mezní provozní teplota čipu tranzistorů mohla ohrozit spolehlivou funkci zesilovače, je chladič navržen tak, aby teplota přechodu byla 125°C při teplotě okolí 45°C.

19

Je použit chladič DO1A s tepelným odporem 20 K/W pro každý tranzistor zvlášť. Vzhledem k tomu, že ztráty jsou počítány pro nejhorší případ a chladič je navržen pro teplotu přechodu o 50 °C nižší než je povolená teplota čipu, nemělo by dojít k destrukci výkonových tranzistorů, i kdyby výsledný tepelný odpor byl o něco vyšší.

Obr.7 Schéma zapojení výkonových tranzistorů s rekonstrukčním filtrem

4.4. Blok rekonstrukčního filtru

4.4.1. Možnosti realizace Pro zesilovače pracující s malým výkonem je možné realizovat rekonstrukční filtr

pomocí feristoru a kondenzátoru. Toto řešení vyžaduje velmi pečlivé rozmístění součástek na desce plošných spojů a má další nevýhody, takže se používá jen pro některé aplikace. Stejně tak výstup bez rekonstrukčního filtru, který umožňují některé „power stage“ obvody, se používá jen za určitých podmínek. Nejčastější řešení rekonstrukčního filtru představuje filtr typu dolní propust z cívky a kondenzátoru. Zapojení rekonstrukčního filtru spolu s výkonovým stupněm je na Obr. 7. Od cívky v rekonstrukčním filtru požadujeme nezávislost indukčnosti na protékaném proudu a kmitočtu, nízké ztráty a malé rozměry. Důležitý je také pokud možno lineární tvar magnetovací křivky, případná její nelinearita přináší další zkreslení do zpracovávaného signálu. Toto splňují vzduchové cívky, ale kvůli velkým hodnotám

20

potřebné indukčnosti vycházejí tyto cívky příliš velké. Pro vinutí cívek se používají železo-prachová toroidní jádra nebo feritová jádra se vzduchovou mezerou. Na kondezátory ve výstupním filtru jsou kladeny tyto požadavky: velká proudová zatížitelnost v impulsním režimu, nízký ekvivalentní sériový odpor (ESR), nízká ekvivalentní sériová indukčnost (ESL), časová stálost. Tyto požadavky splňují fóliové kondenzátory.[1] Hodnoty cívek a kondenzátorů pro rekonstrukční filtr zesilovače byly použity doporučené v katalogovém listu výrobcem obvodu TPA3101D2. Tento filtr má mezní frekvenci 28 kHz, indukčnost cívky je 15 μH a kapacita kondezátoru 2,2 μF.[4] Mezní frekvence rekonstrukčního filtru se ověří Thompsonovým vztahem (10)

27705102,210152

12

166=

⋅⋅⋅==

−−ππ LCfm Hz, (10)

kde -fm mezní kmitočet -L indukčnost cívky -C kapacita kondenzátoru. Průběh frekvenční přenosové charakteristiky filtru se ověří simulací v programu PSpice. Schéma požité pro simulaci frekvenční přenosové charakteristiky filtru je na Obr. 8. Odsimulovaná frekvenční charakteristika filtru je na Obr. 9. Ze simulace je patrné, že filtr má lineární přenos od 20 Hz do 16 kHz. Při frekvenci 20 kHz je pokles frekvenční přenosové charakteristiky 0,5 dB. Mezní kmitočet pro pokles o 3 dB je 27,7 kHz. Strmost charakteristiky je 40 dB/dek. Pro cívku je použito železo-prachové toroidní jádro. K výběru vhodné velikosti a materiálu jádra byl použit program „Inductor Design Software“ vyvinutý firmou Micrometals a dostupný na [10].

Obr. 8 Schéma zapojení filtru pro simulaci frekvenční přenosové charakteristiky

21

Obr. 9 Frekvenční přenosová charakteristika filtru simulovaná v programu PSpice

4.4.2. Výběr prvků rekonstrukčního filtru Pro rekonstrukční filtr byly vybrány fóliové kondenzátory MKS4-2,2μF/63V. Bohužel

kromě výše uvedených požadavků a programu, nebylo k návrhu cívky rekonstrukčního filtru nalezno nic jiného, než poznámka, že volba materiálu a rozměrů jádra závisí hlavně na praktických zkušenostech návrháře. Z řešení cívky navržených programem bylo zvoleno řešení, které upřednostňuje stálou hodnotu indukčnosti nezávisle na protékajícím proudu. Cívka bude navinuta na jádře od firmy Amidon T68-2, které je z materiálu o kruhové permeabilitě μtor = 10 a na toto jádro je navinuto 51 závitů.

22

5. Modifikace Po výrobě desek plošných spojů a jejich osazení podle výše popsaného návrhu

zesilovač jako celek nefungoval. Bylo tedy nutné vyzkoušet a oživit jednotlivé části zesilovače samostatně. Jako byl odzkoušen a oživen korekční předzesilovač i s jeho ovládáním tlačítky. Předzesilovač fungoval v použitém zapojení bez problémů včetně ovládání. Nevýhodou použití elektronických potenciometrů DS1666 je, že při odpojení napájení a jeho opětovném zapojení se nastaví na svoji základní polohu odporu. Ta odpovídá v použitém zapojení minimální hodnotě řídícího napětí na řídících vstupech předzesilovače LM1036 a tedy také minimální hlasitosti, maximálnímu potlačení hloubek a výšek a také nevyvážené stereo váze. Nastavení hlasitosti po zapnutí vždy na minimální hodnotu nelze považovat za problém. U ostatních funkcí je tato vlastnost nevhodná. Na průbězích výstupního signálu, které jsou na Obr. 8 a Obr. 9, je patrné, že při maximální hlasitosti dochází ke zkreslení signálu již v předzesilovači.

Obr.10 Výstupní signál předzesilovače LM1036 pro minimální hlasitost

Obr.11 Výstupní signál předzesilovače LM1036 pro maximální hlasitost

23

Dalším krokem bylo oživení a odzkoušení modulátoru s budičem TPA3101D2. Obvod v použitém zapojení fungoval, ale výstupní signály jednoho kanálu nejsou v protifázi, jak bylo očekáváno u symetrických výstupů, ale pouze se v závislosti na polaritě a úrovni vstupního signálu mění šířka pulzů. Tento signál není použitelný k řízení můstkového ani půlmůstkového zapojení výkonových tranzistorů. Výstupní signály obvodu TPA3101D2 jsou na Obr. 10, Obr. 11 a Obr. 12. Na obrázcích je na prvním kanálu signál označený na Obr. 6 jako VÝSTUP P+ a na druhém kanálu je signál označený na tom samém obrázku jako VÝSTUP P-.

Obr.12 Výstupní signály obvodu TPA3101D2 bez buzení

Obr.13 Výstupní signál obvodu TPA3101D2 pro kladnou půlvlnu vstupního signálu

P+

P-

P+

P-

24

Obr.14 Výstupní signál obvodu TPA3101D2 pro zápornou půlvlnu vstupního

signálu Po zjištění, že není možné zvoleným obvodem jednoduše řídit výkonové

tranzistory, bylo rozhodnuto, že celý blok výkonového stupně bude odstraněn a bude využito výkonu obvodu TPA3101D2, který je 2x10 W. Modifikované blokové schéma zesilovače je na Obr. 13. Obvod TPA3101D2 by bylo možné nahradit příbuzným obvodem TPA3100D2, který má výstupní výkon 2x20 W a byl by tak dosaženo výstupního výkonu požadovaného v zadání. V zapojení obvodu se pouze změní hodnota kondenzátorů C41, C42, C43 a C44 z hodnoty 470 pF na hodnotu 1 nF. Schéma zapojení a podklady pro výrobu desek plošných spojů pro realizaci modifikovaného zesilovače jsou v přílohách.

Obr.15 Modifikované blokové schéma navrhovaného zesilovače

Korekční předzesilovač

Vstup L

Vstup P Integrovaný zesilovač ve třídě D

Rekonstrukční filtr

Výstup L

Výstup P

P+

P-

25

6. Závěr Cílem práce bylo vytvořit kompletní obvodový návrh nízkofrekvenčního zesilovače

ve třídě D a ten poté realizovat. Jako základ návrhu byl použit integrovaný obvod firmy Texas Instruments TPA3101D2, který byl doplněn o výkonové tranzistory pro dosažení požadovaného výkonu. Zesilovač byl doplněn korekčním předzesilovačem LM1036 k jehož řízení jsou použity elektronické potenciometry DS1666, takže je ovládán tlačítky.

Po neúspěšné realizaci zesilovače byly zjištěny chyby v návrhu a ten byl přepracován z časových důvodů však již nebylo možné tento přepracovaný návrh plně odzkoušet. Byl odzkoušen předzesilovač včetně ovládání tlačítky a činnost obvodu TPA3101D2. Protože výkon tohoto obvodu nesplňuje zadání, byl popsán i způsob záměny tohoto obvodu za TPA3100D2, který má dostatečný výkon. Frekvenční přenosová charakteristika rekonstrukčního filtru byla odsimulována v programu PSpice.

26

Seznam obrázků Obr. 1 Blokové schéma výkonového audio zesilovače ve třídě D ..............................7 Obr. 2 Zapojení impulsně šířkového modulátoru ........................................................7 Obr. 3 Vznik PWM signálu..........................................................................................8 Obr. 4 Blokové schéma navrhovaného zesilovače .....................................................9 Obr. 5 Schéma zapojení korekčního předzesilovače................................................12 Obr. 6 Schéma zapojení modulátoru s budičem.......................................................14 Obr. 7 Schéma zapojení výkonových tranzistor s rekonstrukčním filtrem.................19 Obr. 8 Schéma zapojení filtru pro simulaci frekvenční přenosové charakteristiky ....20 Obr. 9 Frekvenční přenosová charakteristika filtru simulovaná v prog. PSpice ........21 Obr.10 Výstupní signál předzesilovače pro minimální hlasitost ................................21 Obr.11 Výstupní signál předzesilovače pro maximální hlasitost ...............................21 Obr.12 Výstupní signál obvodu TPA3101D2 bez buzení..........................................22 Obr.13 Výstupní signál obvodu TPA3101D2 pro kladnou půlvlnu vstupního sig. .....22 Obr.14 Výstupní signál obvodu TPA3101D2 pro zápornou půlvlnu vstupního sig....23 Obr.15 Blokové schéma modifikovaného zesilovače................................................24

Seznam tabulek Tabulka 1 Základní parametry obvodu LM1036 .......................................................11 Tabulka 2 Základní parametry obvodu TPA3101D2.................................................13 Tabulka 3 Vybrané parametry tranzistoru IRF3205 ..................................................16 Tabulka 4 Vybrané parametry tranzistoru IRF4905 ..................................................16

27

Seznam zkratek EMC elektromagnetická kompatibilita PWM pulzně šířková modulace

Seznam symbolů C [F] kapacita kondezátoru COSS [F] výstupní kapacita MOSFET tranzistoru fspínací [Hz] spínací frekvence tranzistoru ID [A] proud tekoucí elektrodou „Drain“ tranzistoru MOSFET L [H] indukčnost cívky M [-] stupeň modulace POUT [W] výstupní výkon zesilovače Phradlo [W] ztrátový výkon na hradle tranzistoru Pspínací [W] ztráty vzniklé spínáním tranzistoru Pvedením [W] výkonvé ztráty vzniklé vedením proudu QG [C] náboj hradla tranzistoru Qrr [C] komutační naboj integrované diody MOSFET tranzistoru RDS-on [Ω] odpor mezi elektrodami "Drain" a "Source" při sepnutém tranzistoru RTH [K/W] celkový tepelný odpor RTHCH [K/W] tepelný odpor chladiče RTHJA [K/W] tepelný odpor mezi čipem a okolím RTHJC [K/W] tepelný odpor mezi čipem a pouzdrem RTHP [K/W] tepelný odpor izolační podložky RZ [Ω] impedance zátěže SNR [dB] odstup užitečného signálu a šumu vyjádřený v logaritmické míře TJ [°C] teplota čipu tranzistoru TO [°C] teplota okolí THD [%] celkové harmonické zkreslení THD+N [%] celkové harmonické zkreslení se šumem tf [s] doba sestupné hrany proudu při rozepnutí tranzistoru tr [s] doba náběžné hrany proudu při sepnutí tranzistoru Ubudič [V] výstupní napětí budiče tranzistoru UDS [V] napětí mezi elektrodami "Drain" a "Source" MOSFET tranzistoru

UDSmin [V] minimální průrazné napětí mezi elektrodami "Drain" a "Source" tranzistoru MOSFET

Unap [V] napájecí napětí tranzistoru µtor [-] kruhová permeabilita jádra

28

Seznam literatury [1] ŠTÁL, Petr. Výkonové audio zesilovače pracující ve třídě D, BEN - technická

literatura, Praha 2008, 200s. ISBN 978-80-7300-230-5 [2] LM1036 Datasheet [online], National Semiconductor Company, 1999.

[cit. 17. prosince 2008]. Dostupný na WWW: < http://cache.national.com/ds/LM/LM1036.pdf/>

[3] DS1666 Datasheet [online], Dallas Semiconductor,

[cit. 17. prosince 2008]. Dostupný z WWW: < http://datasheets.maxim-ic.com/en/ds/DS1666.pdf/>, [4] TPA3101D2 Datasheet [online], Texas Instruments, 2007,

[cit. 17. prosince 2008]. Dostupný z WWW: <http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/tpa3101d2.pdf/>

[5] Přednáška BNFE č.5, bnfe_prednaska_5.pdf, Ing. Tomáš Kratochvíl, PhD.,

FEKT VUT Brno, 2008 [6] Přednáška BNFE č.6, bnfe_prednaska_6.pdf, Ing. Tomáš Kratochvíl, PhD.,

FEKT VUT Brno, 2008 [7] JANÁČ, J. Návrh spínačového nízkofrekvenčního zesilovače: bakalářská práce.

Brno: FEKT VUT v Brně, 2008. 60 stran, 1 příl. [8] IRF3205 Datasheet [online], International Rectifier, [cit. 17. prosince 2008].

Dostupný z WWW: <http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf/>

[9] IRF4905 Datasheet [online], International Rectifier,

[cit. 17. prosince 2008]. Dostupný z WWW: <http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf4905.pdf/>,

[10] Micrometals, Inc. - Iron Powder Cores [online]. 2008 [cit. 2008-01-12].

Dostupný z WWW: <http://www.micrometals.com/software.html>.

I

Příloha A: Schéma zapojení

II

Příloha B: Deska plošných spojů

Strana součástek desky plošných spojů pro zesilovač (154 x 115 mm, měřítko 1:1)

III

Strana spojů desky plošných spojů pro zesilovač (154 x 115 mm, měřítko 1:1)

IV

Strana součástek desky plošných spojů pro ovládací prvky (190 x 27 mm, měřítko 1:1)

V

Strana spojů desky plošných spojů pro ovládací prvky (190 x 27 mm, měřítko 1:1)

VI

Strana součástek desky plošných spojů pro osazení obvodu TPA3101D2

(43 x 64 mm, měřítko 1:1)

Strana spojů desky plošných spojů pro osazení obvodu TPA3101D2 (43 x 64 mm,

měřítko 1:1)

VII

Příloha C: Rozmístění součástek

Rozmístění součástek na straně součástek desky plošných spojů pro zesilovač

VIII

Rozmístění součástek na straně spojů desky plošných spojů pro zesilovač

IX

Rozmístění součástek na straně součástek desky plošných spojů pro ovládací prvky

X

Rozmístění součástek na straně spojů desky plošných spojů pro ovládací prvky

XI

Rozmístění součástek na straně součástek desky plošných spojů pro osazení

obvodu TPA3101D2

XII

Příloha D: Seznam součástek Seznam součástek na desce plošných spojů pro zesilovač Označení součástky Hodnota Pouzdro Poznámka 24V ST4,8 Faston konektor 7805 5V TO-220 Stabilizátor napětí 7812 12V TO-220 Stabilizátor napětí BAL ST2,8 Faston konektor BAL2 ST2,8 Faston konektor BASS+ ST2,8 Faston konektor BASS- ST2,8 Faston konektor C1 47μF/16V SMC_C Tantalový C2 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C3 10nF/63V C050-025x075 Fóliový C4 10μF/16V SMC_A Tantalový C5 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C6 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C7 10μF/16V SMC_A Tantalový C8 10nF/63V C050-025x075 Fóliový C9 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C10 10nF/50V C0805 Keramický C11 220nF/63V C050-035x075 Fóliový C12 220nF/63V C050-035x075 Fóliový C13 220nF/63V C050-035x075 Fóliový C14 220nF/63V C050-035x075 Fóliový C15 100pF/50V C0805 Keramický C16 100pF/50V C0805 Keramický C17 100pF/50V C0805 Keramický C18 100pF/50V C0805 Keramický C19 100pF/50V C0805 Keramický C20 100pF/50V C0805 Keramický C21 100pF/50V C0805 Keramický C22 100pF/50V C0805 Keramický C23 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C24 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C25 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C26 470nF/63V C050-035x075 Fóliový C27 1μF/16V C1206 Keramický C28 10nF/50V C0805 Keramický C29 10μF/35V SMC_D Tantalový C31 220μF/35V E5-10,5 Elektrolytický s nízkým ESR C33 1μF/16V C1206 Keramický C34 1μF/16V C1206 Keramický C35 220μF/35V E5-10,5 Elektrolytický s nízkým ESR

XIII

C37 220nF/50V C0805 Keramický C38 220nF/50V C0805 Keramický C39 220nF/50V C0805 Keramický C40 220nF/50V C0805 Keramický C41 470pF/50V C0805 Keramický C42 470pF/50V C0805 Keramický C43 470pF/50V C0805 Keramický C44 470pF/50V C0805 Keramický C45 2,2μF/63V C150-064x183 Fóliový C46 2,2μF/63V C150-064x183 Fóliový C47 2,2μF/63V C150-064x183 Fóliový C48 2,2μF/63V C150-064x183 Fóliový C49 100nF/50V C0805 Keramický C50 100nF/50V C0805 Keramický C52 330nF/50V C1206 Keramický C53 330nF/50V C1206 Keramický C57 15p/50V C1206 Keramický C58 15p/50V C1206 Keramický C59 15p/50V C1206 Keramický C60 15p/50V C1206 Keramický D1 1N4148 MINIMELF D2 1N4148 MINIMELF D3 1N4148 MINIMELF D4 1N4148 MINIMELF GND ST4,8 Faston konektor GNDP ST2,8 Faston konektor INL ST4,8 Faston konektor INR ST4,8 Faston konektor JP1 PLS-12S Kolíky do DPS R=2,54mm JP2 PLS-12S Kolíky do DPS R=2,54mm JP3 PLS-12S Kolíky do DPS R=2,54mm JP4 PLS-12S Kolíky do DPS R=2,54mm L1 15μH T37-26 L2 15μH T37-26 L3 15μH T37-26 L4 15μH T37-26 LOUD ST2,8 Faston konektor LOUD0 ST2,8 Faston konektor LOUD1 ST2,8 Faston konektor OUTL- ST4,8 Faston konektor OUTL+ ST4,8 Faston konektor OUTR- ST4,8 Faston konektor OUTR+ ST4,8 Faston konektor R1 47kΩ R1206 R2 47kΩ R1206 R3 47kΩ R1206

XIV

R4 47kΩ R1206 R5 1kΩ R0805 R6 1kΩ R0805 R7 1kΩ R0805 R8 1kΩ R0805 R9 1kΩ R0805 R10 1kΩ R0805 R11 1kΩ R0805 R12 1kΩ R0805 R13 100kΩ R0805 R14 20Ω R0805 R15 20Ω R0805 R16 20Ω R0805 R17 20Ω R0805 R18 0Ω R1206 SMD propojka R19 0Ω R1206 SMD propojka R20 0Ω R1206 SMD propojka R21 0Ω R1206 SMD propojka R22 0Ω R1206 SMD propojka R23 0Ω R1206 SMD propojka R24 0Ω R1206 SMD propojka R25 0Ω R1206 SMD propojka R26 0Ω R1206 SMD propojka R27 0Ω R1206 SMD propojka R28 0Ω R1206 SMD propojka R29 10kΩ R0805 R30 10kΩ R0805 R31 10kΩ R0805 R32 10kΩ R0805 TREB+ ST2,8 Faston konektor TREB- ST2,8 Faston konektor U$1 LM1036M SOIC20W U$2 DS1666-50 SOIC16 U$3 DS1666-50 SOIC16 U$4 DS1666-50 SOIC16 U$5 DS1666-50 SOIC16 VOL+ ST2,8 Faston konektor VOL- ST2,8 Faston konektor

XV

Seznam součástek na desce plošných spojů pro ovládací prvky Označení součástky Hodnota Pouzdro Poznámka

BAL ST2,8 Faston konektor BAL2 ST2,8 Faston konektor BASS+ ST2,8 Faston konektor BASS- ST2,8 Faston konektor GND ST2,8 Faston konektor LOUD ST2,8 Faston konektor LOUD0 ST2,8 Faston konektor LOUD1 ST2,8 Faston konektor S1 P-B1720 Tlačítko S2 P-B1720 Tlačítko S3 P-B1720 Tlačítko S4 P-B1720 Tlačítko S5 P-B1720 Tlačítko S6 P-B1720 Tlačítko S7 P-B1720 Tlačítko S8 P-B1720 Tlačítko S9 P-B143 Spínač TREB+ ST2,8 Faston konektor TREB- ST2,8 Faston konektor VOL+ ST2,8 Faston konektor VOL- ST2,8 Faston konektor Seznam součástek na desce plošných spojů pro osazení obvodu TPA3101D2 Označení součástky Hodnota Pouzdro Poznámka

C30 470nF/50V C1206 Keramický C32 470nF/50V C1206 Keramický C36 470nF/50V C1206 Keramický JP1 BL25G Dutinková konktaktní lišta R=2,54mm JP2 BL25G Dutinková konktaktní lišta R=2,54mm U$1 TPA3101D2 HTQFP

XVI

Příloha E: Mechanické uspořádání Použitý typ konstrukční krabice: KP 13 Vnější rozměry použité konstrukční krabice: 250x149x90mm(šířka x hloubka x výška)

Pohled do krabice zesilovače shora

XVII

Čelní panel (250 x 90 mm)

Zadní panel (250 x 90 mm)

VSTUP L, VSTUP P – BNC konektor 24V, GND, VÝSTUP P+, VÝSTUP P-, VÝSTUP L+, VÝSTUP L- - zdířka pro banánek