tcfe07082 10 analise circuitos tjb

30
Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica 1 Análise de Circuitos com Transístores Bipolares Teresa Mendes de Almeida Maio de 2008 © T.M.Almeida IST-DEEC- ACElectrónica Teresa Mendes de Almeida [email protected] DEEC Área Científica de Electrónica Matéria Transístores de junção bipolares NPN e PNP zonas de funcionamento corte, zona activa, saturação Circuitos amplificadores o transístor como amplificador modelo incremental 2 TCFE Análise de Circuitos com Transístores Bipolares modelo incremental circuito de polarização circuitos seguidor de emissor e amplificador de tensão (emissor comum) Efeito da temperatura polarização estabilizada Fontes de corrente Par diferencial com carga resistiva Exemplos de aplicação Maio de 2008 © T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrónica

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  • Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrnica1

    Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Teresa Mendes de Almeida

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Teresa Mendes de [email protected]

    DEECrea Cientfica de Electrnica

    Matria Transstores de juno bipolares

    NPN e PNP zonas de funcionamento

    corte, zona activa, saturao Circuitos amplificadores

    o transstor como amplificador modelo incremental

    2

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    modelo incremental circuito de polarizao circuitos seguidor de emissor e amplificador de tenso (emissor comum)

    Efeito da temperatura polarizao estabilizada

    Fontes de corrente Par diferencial com carga resistiva Exemplos de aplicao

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

  • Transstor de juno bipolar TJB - transstor de juno bipolar

    fabricado com material semicondutor (silcio) dispositivo com 3 terminais

    C colector B base E emissor

    baseia-se em 2 junes PN

    3

    n

    n

    p

    NPN

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    baseia-se em 2 junes PN base-colector (BC) base-emissor (BE)

    2 tipos de transstores NPN e PNP

    smbolo seta marca o terminal do emissor marca sentido da corrente indica sentido da juno pn entre base e emissor

    dispositivo no-linear usar modelo linear para analisar circuito com TJB

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    p

    pn

    PNP

    Transstor de juno bipolar 4 Transstor NPN Transstor PNP

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    constitudos por 3 regies de material semicondutor dispostas em camadas base tem espessura reduzida colector e emissor so diferentes

    dimenses e constituio so diferentes funcionamento do TJB mais complexo do que considerar apenas 2 junes

    (como se fossem apenas 2 dodos isolados) porque a base muito estreita 2 junes interagem ente si no so independentes

  • Transstor de juno bipolar Aplicao das leis de Kirchhoff

    KVL tenses entre terminais (circular entre terminais) KCL correntes a entrar/sair dos terminais (TJB visto como um n)

    Sentidos/polaridades convencionais das correntes/tenses valores positivos quando transstor est em conduo

    NPN PNP

    5

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    B C Ei i i+ =

    0BC CE BEv v v+ = 0EB CB ECv v v =

    PNP mesmas equaes que PNP sentidos / polaridades trocadosMaio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Regies de funcionamento do TJB modos de funcionamento do TJB de acordo com polarizao das junes pn

    polarizao directa dodo ON vD = VON polarizao inversa dodo OFF vD < VON

    6

    Regio de funcionamento

    Juno BE Juno BC Aplicaotpica

    CORTE Polarizada inversamente

    Polarizada inversamente

    Circuitos lgicos

    Zona Polarizada Polarizada AMPLIFICADOR

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Amplificador Porta lgica NORgerador interruptorcomandado

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ZonaACTIVA

    Polarizada directamente

    Polarizada inversamente

    AMPLIFICADOR

    SATURAO Polarizada directamente

    Polarizada directamente

    Circuitos lgicos

  • Corte TJB cortado (no conduz)

    2 junes inversamente polarizadas NPN vBE < 0 vCE > 0 PNP vEB < 0 vEC > 0

    transstor no percorrido por corrente comporta-se como interruptor aberto

    7

    0i i i= = =

    n

    n

    p

    NPN p

    pn

    PNP

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Modelo equivalente circuito aberto entre todos os terminais transstor no intervm no circuito onde est inserido

    Na prtica considera-se o TJB cortado

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    0B C Ei i i= = =

    ( )0,5 0,7ONBE BE

    v V V V<

    Zona Activa TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

    juno BE directamente polarizada juno BC inversamente polarizada corrente de colector directamente proporcional corrente de base

    8

    ( )( )

    0,5 0,72

    ONBE BE

    CE

    v V V V

    v V tipicamente

    =

    >

    ( )1

    BET

    vV

    C S

    C B

    i I ei ii i i i

    =

    = + = +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Modelo equivalente Ganho de corrente (hFE)NPN: 100 200PNP: 20 50

    elevado clculo aproximadogerador comandado iB

  • Saturao TJB conduz (iC > 0 e iB > 0)

    2 junes directamente polarizadas as tenses entre os terminais so impostas pelo transstor

    as correntes so determinadas pelo circuito exterior o circuito exterior que determina se TJB est na saturao ou na zona

    activa

    9

    ( ) ( )0,5 0,7 0,1 0, 2ON SATBE BE CE CE

    v V V V v V V V= =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    activa iC calculada por anlise do circuito

    Modelo equivalente

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    C B E B Ci i i i i< = +

    C

    VBE ON

    B

    E

    iB iC

    iE

    VCESAT

    Equaes TJB 10

    Equaes escritas para NPN Para PNP trocar sentidos correntes / polaridades tenses

    CORTE ZONA ACTIVA SATURAOJunes inversamente

    polarizadasJuno BE directamente

    polarizada

    Juno BC inversamente

    Junes directamente polarizadas

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Juno BC inversamente polarizada0B C Ei i i= = =

    ( )0,5 0,7ONBE BE

    v V V V<

    ( )1

    BET

    vV

    C S

    C B

    E B C B

    i I ei ii i i i

    =

    = + = +

    ( )0,5 0,7ONBE BE

    v V V V=

    ( )0,5 0,7ONBE BE

    v V V V=

    ( )0,1 0,2SATCE CE

    v V V V=

    C Bi i

    = = = >>

    Exemplo de aplicao PNP Calcular VC sabendo que VB=1V e VE=1,7V Qual o ganho de corrente ?

    PNP sentidos das correntes so invertidos relativamente a NPN VEB=VEBon=0,7V considerar hiptese de zona activa

    12

    0,710 10 1,7 1,66

    5

    ONEB EB

    EE

    E

    V V V

    VI mAR k

    = =

    = = =

    0,70, 2

    ON

    SAT

    EB

    EC

    V V

    V V

    =

    =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ( )

    ( )

    ( )

    50 1 10

    100

    1 1 165

    1,6510 1,75

    1,7 1,75 3, 45SAT

    E

    BB

    B

    EE B

    B

    C E B

    C C C

    B C

    EC E C EC

    R kVI A

    R kII II

    I I I mAV R I VV V CB inversamente polarizadaV V V V V

    = = =

    = + = =

    = =

    = + =

    >

    = = = >>

    n

    p

    p

    0, 2SATEC

    V V=

  • Exemplo de aplicao Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada

    VIN = VB = {0V,+4V, +6V} = 100 VBEon= 0,7V VCEsat= 0,2V

    VIN = VB = +4V hiptese: zona activa

    13

    4 0,7 3,30 3,3 1

    E B BEon

    E

    V V V VVI mA

    = = =

    = = =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    0 3,3 13,3

    0,99110 10 4,7 0,99 5,3

    0,01 105,3 3,3 2

    SAT

    EE

    E

    C E

    C C C

    C B

    B E C

    CE C E CE

    VI mAR k

    I I mA

    V R I VV V BC inversamente polarizadaI I I mA AV V V V V

    = = =

    = =

    +

    = = =

    >

    = = =

    = = = >>

    Exemplo de aplicao (cont.) Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada VIN = VB = +6V

    hiptese: zona activa = 100VBEon= 0,7VVCEsat= 0,2V

    14

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    VC < VB juno BC no pode estar inversamente polarizada TJB no pode estar na zona activa considerar hiptese de saturao e voltar a fazer os clculos

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

  • Exemplo de aplicao (cont.) Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada VIN = VB = +6V

    hiptese: zona de saturao

    15

    ( )0,5 0,7ONBE BE

    v V V V=

    ( )0,1 0,2SATCE CE

    v V V V= C Bi i< E B Ci i i= +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    = 100VBEon= 0,7VVCEsat= 0,2VIC < IB confirma-se hiptese de saturao

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Exemplo de aplicao (cont.) Calcular correntes e tenses para diferentes sinais de entrada VIN = VB = 0V

    hiptese: corte correntes so nulas junes BE e BC inversamente polarizadas

    16

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

  • Circuito inversor lgico / amplificadorCaracterstica de

    transferncia

    Circuito inversor lgico

    17

    Zona A

    CTIV

    A

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Circuito inversor lgico TJB corte / saturao VI nvel baixo / alto

    Circuito amplificador TJB a funcionar na zona activa vI = VI + vi (DC + AC)

    VI circuito de polarizao vi sinal a amplificar

    TJB no pode sair da zona activa (vi pequeno)Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    vi

    Polarizao Tenses e correntes DC para TJB ficar na ZONA ACTIVA

    juno base-emissor directamente polarizada (VBEon 0,7V) tenso VCE apropriada

    maximizar a amplitude do sinal de sada (meio da caracterstica) obter corrente IC pretendida

    Circuito de polarizao um bom circuito de polarizao deve ser insensvel a variaes dos

    18

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    um bom circuito de polarizao deve ser insensvel a variaes dos parmetros:

    valores reais das resistncias (so diferentes dos valores nominais) ganho de corrente, , do TJB temperatura (IC varia com T)

    Exemplo de circuito de polarizao circuito resistivo

    fonte de alimentao e resistncias impe o ponto de funcionamento em repouso (PFR)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    R1

    R2RE

    RC

    VCC

    IC

    IE

    IBVB

    VC

    VE

  • O Transstor como amplificador TJB a funcionar como amplificador

    TJB tem de ser polarizado para funcionar na ZONA ACTIVA Polarizao

    estabelecer uma corrente constante (DC) no emissor (ou no colector) corrente IE (ou IC) deve ser insensvel a variaes de temperatura e do

    Anlise do circuito DC polarizao

    19

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    PFR

    DC polarizao calcular o ponto de funcionamento em repouso (PFR) componente AC eliminada

    AC amplificador fontes DC eliminadas

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1

    BE

    T

    VV

    C S

    CB E C

    C CC C C

    I I eII I I

    V V R I

    =

    += =

    =

    PFR

    O Transstor como amplificador Transcondutncia gm

    20

    11

    be beBE BE BE

    T T T T T

    v vv V Vbe BEV V V V V

    BE BE be C S S C C Sc C

    be TbeC C x

    T

    C CC C be C c c be

    T T

    v vv V v i I e I e e I e I I e

    i i

    v Vvi IV e x

    I Ii I v I i i vV V

    = = + = = = =

    =

  • O Transstor como amplificador Resistncia entre a Base e o Emissor (olhando da base)

    21

    m

    rgpi

    =

    1C C C C mB be be B B b

    T

    be BE

    b B m

    i I I I gi v v i I iV

    v vr

    i i gpi

    = = + = + = +

    = =

    BEv

    Bi

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Resistncia entre o Emissor e a Base (olhando do emissor)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    BEv Ei

    ( )1 1

    1

    1

    E C C m be E E e

    e m be m be

    be BEe

    e E m

    i i I g v i I i

    i g v g v

    v vr

    i i g

    + += = + = +

    +=

    = =

    1e

    m

    rg

    =

    Modelo para sinais fracos (incremental) Circuito equivalente do TJB

    modelo linear que caracteriza o funcionamento do TJB na zona activa vlido para sinais fracos (pequenas variaes das grandezas em torno do

    ponto de funcionamento em repouso) Modelo incremental com fonte de corrente controlada por

    Tenso: Corrente:

    22

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Cm

    T

    IgV

    =

    m

    rgpi

    =

    1e

    m

    rg

    = Modelomais

    utilizado

    Maio de 2008

  • Circuitos amplificadores Circuito Seguidor de Emissor

    obter no emissor uma rplica do sinal de entrada ganho unitrio impedncia de entrada elevada impedncia de sada baixa aplicao isolar o gerador da carga

    23

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Circuito de Emissor-comum (Amplificador de Tenso) obter no colector uma rplica (invertida) amplificada do sinal de entrada ganho maior do que 1 (em mdulo) inverte o sinal de entrada impedncia de entrada elevada aplicao amplificar o sinal de entrada

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    Seguidor de Emissor Ganho de tenso unitrio

    24

    vovi

    Vi

    I I i

    O I BEonO I BEon

    o i

    v V vV V V

    v v Vv v

    = +

    = =

    =

    1o O Evi I B

    v v vAv v v

    = = = =

    RE

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vI-

    +

    vO

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Impedncia de entrada

    impedncia de entrada elevadaMaio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    i I Bv v v -

    RE

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vI-

    +

    vO-

    iI

    RI

    ( ) ( )1 1I

    II

    I E E E E B E I

    vRi

    v v R i R i R i

    =

    = = = + = +

    ( )1I ER R= +

  • Seguidor de Emissor Impedncia de sada

    eliminada entrada vI RB resistncia devida polarizao

    25

    R

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vO-

    RO

    iO

    RB

    OO O E

    O

    O E B B B

    E

    vR i ii

    v v v R iii

    = =

    = = =

    = 1B

    ORR = +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Aplicao isolador (buffer) isolar gerador de sinal (vG,RG) da carga RL

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    RO

    1E

    Bii

    =+

    1OR = +

    1 IvO

    R elevadaA

    R baixa=

    Seguidor de Emissor Circuito de polarizao

    uma possvel sequncia de passos para dimensionar ocircuito de polarizao pode ser:

    1) escolher valor da corrente IC (ou ento IE)2) escolher valor de VCE

    (para se ficar a meio da caracterstica de transferncia)3) escolher RC e RE (admitindo IE=IC)

    26

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    3) escolher RC e RE (admitindo IE=IC)VCC = VCE + (RC+RE) IE

    4) calcular VB para garantir VBE0,7V (VBEon)5) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR26) obtm-se a equao de um divisor de tenso

    7) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    21 2

    1 2 1 2

    CCB CC R R

    VRV V I IR R R R

    = = =

    + +

    Este circuitono nico.Podem ser

    usados outroscircuitos dife-rentes deste!

  • Amplificador de Tenso (Emissor-comum) Amplifica (e inverte) o sinal de entrada

    entrada na base sada no colector emissor comum entrada

    e sada

    Ganho de Tenso

    27

    RE

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vI-

    +

    vO

    -

    RC

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Ganho de Tenso

    ganho de tenso controlado por RC e RE

    se RE=0 o ganho seria infinito Na prtica o ganho sempre finito! TJB tem resistncia de emissor intrnseca, re, finita!

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    R R

    o O Cv v

    i I B

    E BE B E C C C C C C

    E E

    v v vA Av v v

    v vv v i i v R i v R

    = = =

    = = = =

    RC

    v

    E

    RA =

    1e

    m

    rg

    =

    Amplificador de Tenso (Emissor-comum) Impedncia de entrada

    usar o modelo incremental do TJB para calcular Rin fontes DC eliminadas

    28

    ibr

    B

    E

    C

    RC

    ic

    ib

    iin

    +

    vin

    RE

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vI-

    +

    vO

    -

    RC

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    RE ie

    Rin

    E RCvin

    -

    ( ) ( )( ) ( )

    1 1

    1 1

    in INin

    in IN

    b inin b E e in E in in E

    e b b

    E in E

    v vRi i

    i iv r i R i v r R i R r R

    i i i

    R r R R

    pi pi pi

    pi

    = =

    =

    = + = + + = + + = +

    + >> + ( )1in ER R= +

  • Amplificador de Tenso (Emissor-comum) Impedncia de sada

    usar o modelo incremental do TJB para calcular Rout fontes DC eliminadas gerador de entrada eliminado

    29

    RE

    VCC

    iC

    iE

    iB

    +

    vI-

    +

    vO

    -

    RC

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ( ) 0 0out OUT

    outout OUT

    b E b b b

    outout C RC C out C

    out

    v vRi i

    KVL r i R i i iv

    v R I R i Ri

    pi

    = =

    + + = =

    = = =out CR R=

    Amplificador de Tenso (Emissor-comum) Circuito de polarizao

    uma possvel sequncia de passos para dimensionar ocircuito de polarizao pode ser:

    1) escolher valor da corrente IC (ou ento IEIC)2) escolher valor de VC geralmente VC = VCC / 2

    (para se ficar a meio da caracterstica de transferncia)3) calcular RC: VCC = VC - RC IC

    30

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    3) calcular RC: VCC = VC - RC IC4) calcular RE, usando o valor do ganho de tenso Av = - RC / RE5) calcular VB para garantir VBE0,7V (VBEon): VB = VBE + REIE6) considerar que IR1,IR2>>IB, ou seja, IR1=IR27) obtm-se a equao de um divisor de tenso

    8) escolher os valores de R1 e R2 para que IR1=IR2 > 10 IB

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    21 2

    1 2 1 2

    CCB CC R R

    VRV V I IR R R R

    = = =

    + +

  • Acoplamento entre amplificadores Acoplamento AC

    para no alterar a polarizao dos vrios andares amplificadores usam-se condensadores de acoplamento entre os amplificadores condensadores bloqueiam componente DC

    em DC o condensador um circuito-aberto deixam passar a componente varivel (AC) do sinal a amplificar escolhem-se as capacidades dos condensadores para que nas frequncias de

    31

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    escolhem-se as capacidades dos condensadores para que nas frequncias de interesse os condensadores correspondam a curto-circuitos (vlido em frequncias mdias)

    ZC 0

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1

    101500,106 0

    C

    C

    ZC

    f kHzC F

    Z

    =

    =

    =

    =

    Dependncia da temperatura Ganho de corrente

    depende da corrente IC aumenta com a temperatura

    Tenso vBE diminui com a temperatura

    32

    ln Civ V

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Circuitos de polarizao estabilizada compensar efeitos da variao da temperatura

    RE circuito de polarizao inclui resistncia ligada ao emissor circuito integrado usar fontes de corrente (feitas com TJBs e resistncias)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ln2 /

    ( )

    CBE T

    S BE

    T S

    iv V

    I vmV C

    TkTV I Tq

    =

  • Polarizao estabilizada Resistncia RE

    estabiliza a corrente IE quando h variao da temperatura

    Quando a temperatura aumenta

    vBE diminui

    i diminui

    33

    BET

    vVi I e

    2 /BEv mV CT

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    iC diminui

    iE iC diminui vE = RE iE diminui

    VB no se altera

    vBE = VB vE aumenta, contrariando o aumento inicial devido temperatura

    iE iC fica estabilizada, apesar da variao da temperatura

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    TVC Si I e

    21 2

    1 2

    ,R R B B CCRI I i V V

    R R>>

    +

    Efeito de Early Modelo aproximado (Modelo Ebers-Moll)

    iC s depende de vBE TJB real

    iC depende de vBE e de vCE VA tenso de Early (tipicamente 50 100 V)

    extrapolando as curvas, encontram-se no ponto vCE = -VA Efeito de Early

    34

    BET

    vV

    C Si I e

    1BE

    T

    v

    V CEC S

    A

    vi I eV

    = +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Efeito de Early iC aumenta com vCE (vBE constante) resistncia vista do colector

    no infinita

    ro acrescentada nomodelo incremental

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1

    BE

    C Co

    CE AV

    i Ir

    v V

    =

    A

    o

    C

    Vr

    I=

  • Fonte de Corrente Usando uma fonte de corrente ligada ao emissor

    IE fica imposta pela fonte de corrente deixa de haver dependncia da temperatura

    Fontes de corrente usadas nos circuitos de polarizao em circuito integrado estabelecer corrente ICIE estvel construdas com transstores e resistncias

    35

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    construdas com transstores e resistncias

    Exemplo fonte de corrente simples transstores so iguais

    Q1=Q2 VBE1 = VBE2 I IREF

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    NPN PNP

    Espelho de corrente Fonte de corrente simples espelho de corrente

    obter uma fonte de corrente a partir da tenso de alimentao do CI circuito que reproduz uma corrente (consegue espelhar uma corrente)

    Conversor V-I fonte VCC e resistncia R em srie equivalente a fonte de corrente com

    resistncia em paralelo

    36

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    resistncia em paralelo permite obter IREF

    Conversor I-V Transstor Q1

    est sempre na zona activa est ligado como um dodo (juno BC curto-circuito)

    Conversor V-I Transstor Q2

    tem de estar na zona activa (tenso V tem de garantir VCE2 zona activa)Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    2

    2 2

    BE

    T

    VV

    C SI I e=

    1

    1 1

    BE

    T

    VV

    C SI I e=

  • IC1

    IB1

    IB2IC2

    Espelho de corrente Fonte de corrente espelho de corrente

    Clculo aproximado (anlise ideal) desprezando as correntes de base ()

    37

    1 2

    1 1 2 2

    1 21 2

    1 2 1 2

    BE BE

    T T

    V VV V

    C S C S

    BE BEC C

    S S

    I I e I I eV V

    I II I Q Q

    = =

    = =

    = =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    desprezando as correntes de base ()

    escolher R para se ter a IREF desejada para a fonte de corrente Clculo exacto (anlise real)

    finito (no desprezar IB1+IB2)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 21 1 2 1

    C CREF C B B C

    I II I I I I = + + = + +

    121

    REFI I

    =

    +

    ( )1 2 1 1

    11

    B B C REF C

    CC EE BECC EE REF BE REF

    I I I I IV V VV V RI V I

    R

    +

  • Espelho de corrente mltiplo Fonte de corrente mltipla

    corrente de referncia espelhada vrias vezes todos TJBs tm as bases ligadas VBEref = VBE1 = VBE2 = = VBEN TJBs so iguais QREF = Q1 = Q2 = = QN ISref = IS1 = IS2 = = ISN ento ICref = IC1 = IC2 = = ICN IBref = IB1 = IB2 = = IBN (IC=IB)

    39

    BE

    T

    VV

    C SI I e=

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    quanto maior o nmero de TJBs, pior vai ser a relao IK / IREFMaio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 21

    ... 11N REFI I I IN

    = = = =

    ++Bases

    todasligadas

    ( )1 2 ...

    1

    REF Cref Bref B B BN

    CrefREF Cref

    I I I I I I

    II I N

    = + + + + +

    = + +

    Espelho de corrente melhorado Compensar o erro introduzido pelas correntes de base

    acrescentado um transstor (Q3) fornece as correntes de base

    40

    ( )

    1 21 2

    1 2

    3 1 2 1 23

    3 31 11

    BE BEC C

    S S

    E B B B BB

    E B

    V VI I

    I I

    I I I I III I

    I I

    = =

    =

    = + +=

    = + +

    +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Comparando com a fonte simples foi possvel reduzir o erro devido s correntes de base 2 / 2

  • Amplificador Diferencial Circuito amplificador com 2 entradas

    tem por objectivo amplificar a diferena entre os sinais de entrada

    41

    v1

    ( )1 2O Dv G v v=

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Sinais de entrada geralmente v1 v2 v1 e v2 podem decompor-se em 2 parcelas

    componente de modo comum (componente simtrica) o que comum s 2 entradas a mdia dos 2 sinais

    componente diferencial (componente anti-simtrica) a diferena entre os 2 sinais

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    v2

    vC vD

    1 2

    2Cv v

    v+

    =

    1 2Dv v v=

    1

    2

    2

    2

    DC

    DC

    vv v

    vv v

    = +

    =

    Amplificador Diferencial Sinal de sada (combinao linear das entradas)

    pode ser descrito como a soma de 2 parcelas (teorema da sobreposio) sada em funo de v1 e v2 sada em funo de vC e vD

    Ganho de tenso GC ganho de tenso de modo comum

    calcula-se fazendo v1 = v2

    42

    1 2O O O

    O OC OD

    v v v

    v v v

    = +

    = +

    O C C D Dv G v G v= +

    v

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    calcula-se fazendo v1 = v2

    GD ganho de tenso de modo diferencial calcula-se fazendo v1 = -v2

    CMRR relao de rejeio do modo comum caso ideal GC = 0 CMRR = + na prtica GC baixo mas GC 0 CMRR +

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 2 0 OD O C C CC

    vv v v v G v G

    v= = = =

    1 2 0 OC O D D DD

    vv v v v G v G

    v= = = =

    D

    C

    GCMRRG

    =

    DdB

    C dB

    GCMRRG

    =

  • +VCC +VCC

    Par diferencial Circuito fundamental em microelectrnica

    pode ser realizado com TJBs (bipolar junction transistor) ou com outro tipo de transstores

    JFET junction field-effect transistor MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

    pode ter carga resistiva ou activa resistiva Rs ligadas aos colectores

    43

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    -VEE

    IEE

    v1 v2

    vO1 vO2+ vO12 -

    RC1 RC2 activa so usadas fontes de corrente Aplicaes principais

    amplificao de sinais diferenciais converso de sinais diferenciais em

    sinais no-diferenciais amplificadores operacionais

    andar de entrada 1 andar amplificador circuitos lgicos (famlia lgica ECL)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    +VCC +VCC

    v1 v2

    vO1 vO2+ vO12 -

    RC1 RC2

    Par Diferencial com carga resistiva Amplificador diferencial com BJT

    TJBs directamente acoplados pelo emissor transstores iguais (Q1=Q2)

    Q1 e Q2 no mesmo circuito integrado 2 fontes de alimentao (+VCC e VEE) fonte de corrente (IEE) 2 sinais de entrada (v1 e v2)

    44

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    -VEE

    IEE

    2 sinais de entrada (v1 e v2) aplicados nas bases

    sinal de sada (3 possibilidades) simples no colector de Q1

    vO1 = vC1

    simples no colector de Q2 vO2 = vC2

    sada diferencial entre os colectores vO12 = vO1 - vO2

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 1 1 1

    2 2 2 2

    12 1 2

    12 1 1 2 2

    O C CC C C

    O C CC C C

    O O O

    O C C C C

    v v V R iv v V R iv v v

    v R i R i

    = =

    = =

    =

    = +

  • Funcionamento em Modo Comum Modo Comum: v1 = v2 = vC vD = 0

    h simetria no circuito IEE divide-se igualmente por Q1 e Q2 transstores esto na zona activa

    45

    1 2 2 1EE

    E E C E

    EE EE EE

    Ii i i i

    I I Ii i

    = = = =+

    = = =

    +VCC +VCC

    vC

    vO1 vO2+ vO12 -

    RC1 RC2

    vC

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    correntes so independentes do sinal de entrada circuito no responde componente de modo comum das entradas

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 2 1 2 2 21 1

    EE EE EEC Ci i

    = = =

    +

    >>

    1 2

    1 2

    12 1 2

    20

    C C C

    EEO O CC C

    O O O

    R R RI

    v v V R

    v v v

    = =

    = =

    = =

    1 2 2EE

    O O CC CI

    v v V R= 12 0Ov =

    -VEE

    IEE

    +VCC +VCC

    vO1 vO2+ vO12 -

    RC1 RC2

    xvD2

    vD2

    Funcionamento em Modo Diferencial Modo Diferencial: v1 = -v2 = vD/2 vC = 0

    h anti-simetria no circuito vx = 0 (teorema da sobreposio)

    v1 = +1,5V e v2 = -1,5V Q1est na zona activa Q2 est cortado toda a corrente passa em Q1

    46

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    -VEE

    IEE

    x2 2 toda a corrente passa em Q1

    v1 = -1,5V e v2 = +1,5V Q1 est cortado, Q2 est na zona activa, toda corrente passa em Q2

    Corrente passa em Q1 ou Q2 consoante polaridade de vD Modo puramente diferencial (vC=0): obtm-se sada diferencial

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 1

    1 2

    12

    ,

    E EE C EE EE

    O CC C EE CC C EE O CC

    O C EE C EE

    i I i I Iv V R I V R I v Vv R I R I

    = =

    = =

    =

  • Caracterstica de Transferncia Funcionamento em modo diferencial (v1 = -v2 = vD/2 vC = 0)

    47

    +VCC +VCC

    vO1 vO2+ vO12 -

    RC1 RC2

    vD vDi

    iC1 iC2

    iE2

    1 2

    1 2

    1 1 2 2

    1 2 1 2

    1

    2

    1 2 1 2

    BE BE

    T T

    BE BE D

    T T

    v v

    V VC S C S

    S S Sv v v

    V VC

    C

    E E EE C C EE

    i I e i I eQ Q I I Ii

    e eii i I i i I

    = =

    = = =

    = =

    + = + =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    -VEE

    IEE

    vD2

    vD2

    iE1 iE21 2 1 2E E EE C C EEi i I i i I+ = + =

    1

    1D

    T

    EEC v

    V

    Iie

    =

    +

    2

    1D

    T

    EEC v

    V

    Iie

    +

    =

    +

    zona linear|vD| < 2VT 50mV

    Caracterstica de Transferncia Caracterstica de transferncia: vO12(vD)

    48

    1 2

    1 1 1 2 2 2

    1 1D D

    T T

    EE EEC Cv v

    V V

    O CC C C O CC C C

    I Ii ie e

    v V R i v V R i

    +

    = =

    + += =

    1 1

    1D

    T

    EEO CC C v

    V

    Iv V R

    e

    =

    +

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    zona linear|vD| < 2VT 50mV

    12 tanh 2D

    O EE CT

    vv I R

    V

    =

    1 TVe+

    2 2

    1D

    T

    EEO CC C v

    V

    Iv V R

    e

    +

    =

    +

    1 2 tanhx x

    C C C x xe eR R R xe e

    = = =

    +

    12 tanh 2D

    O EE CT

    vv I R

    V

  • Caracterstica de Transferncia Na prtica a zona linear considera-se para |vD| < 10mV

    zona linear muito estreita apenas permite a amplificao de sinais vD muito pequenos

    Caracterstica de transferncia aproximada aproximao vlida na zona linear

    49

    1 21 C C CR R RI i i i i = =

    = + +

    vO2vO1

    VCC

    VCC-RCIEE/2

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    do ponto de vista incremental preciso considerar re (resistnciaintrnseca vista do emissor)

    podeobter-se

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 2 1 2EE E E C CI i i i i= + +

    vD2VT 4VT 6VT0

    VCC-RCIEE

    vO12RCIEE

    RCIEE1 22 2 2 2EE D EE D

    C Ce e

    I v I vi ir r

    = + =

    212

    T T Te

    m C EE EE

    V V Vr

    g I I I= = = =

    Caracterstica de Transferncia Caracterstica de transferncia aproximada

    Limites de validade da aproximao considerada quando o par diferencial est desequilibrado Q conduo, Q cortado

    50

    1 2 2EE D

    O CC Ce

    I vv V R

    r

    = +

    2 2 2

    EE DO CC C

    e

    I vv V R

    r

    =

    vO2vO1

    VCC

    12C

    O De

    Rv v

    r=

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Q1 conduo, Q2 cortado

    Q2 conduo, Q1 cortado

    Como aumentar a zona linear, parase poder amplificar sinais maiores? acrescentar resistncia em srie com o emissor como consequncia o ganho do circuito diminui

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    vO2vO1

    vD2VT 4VT 6VT0

    VCC-RCIEE/2

    VCC-RCIEE

    vO12RCIEE

    RCIEE

    1 2, 0 2C EE C D e EE Ti I i v r I V= = = =

    2 1, 0 2C EE C D e EE Ti I i v r I V= = = =

  • Par Diferencial com degenerao de emissor Acrescentadas resistncias em srie com os emissores

    considerando as equaes anteriores basta substituir re por re+RX

    Alteraes introduzidas por RX zona linear aumenta

    podem ser amplificados sinais vD deamplitude mais elevada

    51

    RX R

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    amplitude mais elevada distoro no sinal de sada diminui

    ganho diferencial diminui (declive diminui) impedncia de entrada aumenta RX mais elevada

    zona linear estende-se mais Exemplo

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    RX RX

    iC1iC2

    vD2VT 4VT 6VT0

    IEE

    40 20 0,5TX D TEE

    VR v V VI

    = < =

    com RXsem RX

    Amplificador Operacional com BJT Exemplo: AmpOp com 4 andares de amplificao

    Q1-Q2 par diferencial sada diferencial

    Q4-Q5 par diferencial sada simples

    52

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    sada simples Q7

    amplificador tenso emissor comum

    Q8 seguidor emissor

    Q9,Q3,Q6 fonte de corrente

    mltipla

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

  • vD2VT 4VT 6VT0

    vO12RCIEE

    RCIEE

    Modelos Equivalentes Sinais fortes (large signal model)

    caracterstica de transferncia vo12(vD)

    Sinais fracos (small signal model)

    53

    12 tanh 2D

    O EE CT

    vv I R

    V

    1 1 2 2 12 12d D c C o O o O o Ov v v v v v v v v v= = = = =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    modelo incremental (vlido para pequenas variaes do sinal de entrada) anlise do circuito (funcionamento dinmico linear)

    TJB substitudo pelo seu modelo incremental Fontes de tenso VCC e VEE

    substitudas por curto-circuito ( massa) Fonte de corrente IEE

    fonte ideal substituda por circuito aberto (REE=+) fonte real substituda pela sua resistncia interna (REE+)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 1 2 2 12 12d D c C o O o O o Ov v v v v v v v v v= = = = =

    Modo Diferencial Ganho de Modo Diferencial

    definido relativamente a cada uma das sadas

    entrada diferencial

    54

    VCC VCC VCC VCC

    1 1 2 2 1 2 12 121 2

    O o O o O O O od d d

    D d D d D D d

    v v v v v v v vG G Gv v v v v v v

    = = = = = = =

    1 21 2 1 2 02 2 2

    d dd c

    v v v vv v v v v v

    += = = = =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    RC1

    VCC

    +

    vd

    -

    vo1

    RX

    RC2

    VCC

    vo2

    RX

    -VEE

    IEE,REE

    RC1

    VCC

    vo1

    RX

    RC2

    VCC

    vo2

    RX

    -VEE

    IEE,REE

    Vd

    2

    Vd

    2vX=0

  • Modo Diferencial Ganho de Modo Diferencial

    basta fazer a anlise de um circuito de emissor comum para obter o ganho

    55

    ( )1 1

    12d

    b X b

    o C b

    vr i R i

    v R i

    pi

    = + +

    =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ( )

    ( )

    ( )

    1 11

    2 22

    12 1

    22 1

    22 1

    1

    o C Cd

    d XX

    o C Cd

    d XX

    o C Cd

    d X X

    v R RGv Rr R

    v R RGv Rr R

    v R RGv r R R

    pi

    pi

    pi

    = = + +

    = = + + + +

    = =

    + +

    Cd

    X

    RGR

    =

    1 2 2C

    d dX

    RG GR

    = =

    1 2C C CR R R= =

    Modo Diferencial Ganho de Modo Diferencial

    Quando no h degenerao de emissor (RX=0) considera-se a resistncia intrnseca vista do emissor (re) substituir RX por re nas equaes do ganho

    56

    Cd

    e

    RGr

    = 1 2 2C

    d de

    RG Gr

    = =

    22

    T T Te

    C EE EE

    V V Vr

    I I I = = 2

    EEd C

    T

    IG RV

    =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Impedncia de entrada impedncia vista pelo gerador de tenso vd ligado entre as 2 entradas

    Impedncia de sada impedncia vista da sada simples

    sada num dos colectores impedncia vista da sada diferencial

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    ( )2 1id XR r Rpi = + +

    os CR R=

    2od CR R=

    ( )2 0id XR r Rpi= =

  • Modo Comum Ganho de Modo Comum

    definido relativamente a cada uma das sadas

    entrada comum

    57

    1 2 1 2 0c dv v v v v v= = = =

    VCC VCC

    1 1 2 2 1 2 12 121 2

    O o O o O O O oc c c

    C c C c C C c

    v v v v v v v vG G Gv v v v v v v

    = = = = = = =

    VCC VCC

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    RC1

    +

    vc

    -

    vo1

    RX

    RC2

    vo2

    RX

    -VEE

    IEE,REE

    RC1

    vc

    vo1

    RX

    RC2

    vo2

    RX

    -VEE

    IEE/2

    2REE

    vc

    -VEE

    IEE/2

    2REE

    IX=0

    Modo Comum Ganho de Modo Comum

    basta fazer a anlise de um circuito de emissor comum para obter o ganho

    58

    ( )( )1 1

    2 1c b X EE bo C b

    v r i R R iv R i

    pi

    = + + +

    =

    1 2C C CR R R= =

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    Impedncia de entrada vista pelo gerador de tenso vc

    ligado s 2 entradasMaio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    0cG =

    ( )( )1 1

    1 2

    121 2

    1 2

    02

    o Cc c

    c X EE

    C oc c c

    EE d

    v RG Gv r R R

    R vG G GR v

    pi

    = = = + + +

    = = =

    1 2 2C

    c c

    EE

    RG GR

    = =

    ( )( )1 1 22ic X EE

    R r R Rpi = + + + ( )1ic EER R +

    1 2C C CR R R= =

    EE XR R>>

  • Relao de Rejeio de Modo Comum CMRR sada diferencial

    se par diferencial for perfeitamente simtrico

    na prtica existem sempre assimetrias CMRR finita mas muito elevada

    CMRR sada num dos colectores

    59

    02

    EEc d C

    T

    IG G RV

    = =

    d

    c

    GCMRRG

    = = +

    R R R I

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares

    projecto para CMRR elevada garantir simetria no par diferencial fonte de corrente com resistncia interna elevada (espelho de corrente) resistncia RX baixa (quando h degenerao do emissor)

    Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    1 2 2C

    c c

    EE

    RG GR

    = 1 2 2C

    d de

    RG Gr

    = =

    1 2

    1 2

    22 2 2

    d d C e EE EE EE EE

    c c C EE e T EE T

    G G R r R R R ICMRRG G R R r V I V

    = = = = = =

    2EE EE

    T

    R ICMRRV

    =

    Par Diferencial com Espelho de Corrente Fonte de corrente

    realizada com espelho de corrente resistncia de sada da fonte de corrente elevada (REE = ro)

    60

    2EE EE

    T

    AEE o

    C

    R ICMRRV

    VR rI

    =

    = =

    RC1

    VCC

    vo1

    RC2

    VCC

    vo2

    VCC

    IREF

    TCFE Anlise de Circuitos com Transstores Bipolares Maio de 2008 T.M.Almeida IST-DEEC-ACElectrnica

    210025

    2000 66

    C

    CC EE BEonEE C REF

    REF

    A

    T

    A

    T

    dB

    IV V VI I I

    RVCMRRV

    V VV mV

    CMRR CMRR dB

    + = = =

    =

    =

    =

    = =

    v1

    RX RX

    v2

    RREF

    -VEE

    REEIEE