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Reporte Técnico

Proyecto SIP: 20080428 Recubrimientos de TiOx sobre substratos de acero utilizando un sistema MOCVD, para aplicaciones de resistencia a la degradación.

Responsable: Fernando Juárez López

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1. INTRODUCCION

Hoy en día el desarrollo de nuevos productos planos, en particular el acero, requiere una

renovación funcional de su superficie para volverlos más resistentes y atractivos. La superficie es

el lugar privilegiado de las reacciones e interacciones entre un sólido y su medio ambiente. El

"tratamiento de superficies", antes limitado a la protección contra el desgaste/corrosión, se amplió

en efecto a otros ámbitos como: superficies luminiscentes, bactericidas (por ejemplo envolturas

de desglose,), antiadhesión, autolimpiadores, de alto resultado térmico o mecánico, etc. La

modificación de las propiedades de superficie de los materiales abre un ámbito de aplicación

considerable. El progreso en este ámbito es muy importante y se debe en parte al desarrollo de

métodos de depósito, ya sean físicos o químicos. La realización de nuevos materiales pasa

necesariamente por el control de la elaboración de superficies y capas superficiales, hacía

propiedades perfectamente controladas a distintas escalas, del molecular al macroscópico. En

particular, la organización a nivel nanométrico confiere a las superficies propiedades asombrosas

que permiten prever soluciones originales a problemas de actualidad de una extraordinaria

diversidad. Numerosos fenómenos, principalmente controlados por las características de su

superficie, son referidos por esta acción: adsorción, agarre, adhesión, tribología, endurecimiento,

transferencia entre interfaces, corrosión, catálisis heterogénea, etc. Con esta visión, parece

entonces importante estudiar las potencialidades de métodos de depositación química en fase

vapor, a partir de compuestos organometálicos (MOCVD). A largo plazo, es la posible aplicación

en una línea industrial de la técnica MOCVD sin interrupción que se percibe. Responder a un

método industrial impone muchas dificultades que, sin embargo en el caso del tratamiento de

placas de acero que desfilan, se resumen a:

Temperatura de depositación

Presión

Velocidad de la placa en desfile a recubrir.

Espesor de depósito.

Los recubrimientos que pueden proveer nuevas funciones a la superficie de los aceros planos

son los óxidos como, por ejemplo, TiO2 o los metales como, el Fierro.

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El óxido de titanio debería permitir mejorar la adherencia (pintura), el comportamiento a la

corrosión y las propiedades tribológicas de los aceros planos.

Estado del arte del TiO2

Estructura de TiO2.

El dióxido de titanio es un semiconductor a gran déficit que existe bajo distintas formas

alotrópicas [18]. Se le encuentra en la naturaleza bajo tres formas: rutilo (tetragonal a = 4,593 Å, c

= 2,959 Å; P42/mnm; d = 4.23), anatasia (tetragonal a = 3,785 Å, c = 9,514 Å; I41/amd; d = 3,9), y

brookita (ortorrómbico a = 5,4565 Å, b = 9,182 Å, c = 5,143 Å; d = 4,13). El dióxido TiO2 tiene un

gran número de fases obtenidas a alta presión con una estructura modelo columbita (-TiO2)

[18]. Para añadir complejidad al sistema, el TiO2 puede aceptar las formas no estequiométricas

de tipo TiO2-x o TiO2+x.

Sin embargo, solamente el rutilo y la anatasia desempeñan un papel en aplicaciones del TiO2 y

sus estructuras se muestran en Figura 1. Las dos estructuras constan de un átomo de titanio

rodeado por seis átomos de oxígeno en una configuración octaédrica más o menos ordenada.

La Anatasia tiene una estructura tetraédrica alargada con octaédricos de oxígeno irregulares. Las

distancias Ti- O (1,917 Å de media) son sensiblemente iguales a las del rutilo.

El rutilo tiene una red tetraédrica de cationes y octaédricos de oxígeno rodeando los cationes. El

octaédrico TiO2 comparte un borde común a lo largo del eje [001] y un borde común con otro

octaédrico adyacente, con una relacion de contacto catión - anión - catión.

Figura 1 Representación estructural del Rutilo

y de la Anatasia. Las distancias y los ángulos

entre los átomos coordinados de Ti son

indicados y el apilamiento de los octaedros

dentro de las dos estructuras es mostrado de

lado derecho.

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I.1.3 - Propiedades físicas

A 20 °C TiO2 es un aislante, su conductividad eléctrica específica aumenta con la temperatura.

Se vuelve semiconductor a alta temperatura. Por la adición de pequeñas cantidades de Ti 3+, la

conductividad eléctrica puede inducirse mediante interacciones catión - catión o Ti 3+ - anión -

Ti4 +. Así, la conductividad eléctrica específica, a temperatura constante (aproximadamente 200

°C) crece rápidamente cuando se aleja de la composición estequiométrica:

I.1.4 - Propiedades químicas y térmicas

El TiO2 puede ser preparado por combinación directa entre el titanio y el oxígeno, por tratamiento

de las sales de titanio en solución acuosa, por reacción entre los compuestos volátiles

inorgánicos de titanio con el oxígeno, por oxidación o hidrólisis de los compuestos orgánicos del

titanio. Insoluble en H2O, HCl, HNO3 y H2SO4 diluido, es soluble en H2SO4 concentrado en

caliente y HF. Un monocristal puro de rutilo tiene las propiedades de una gema con una reflexión,

refracción y brillo mayores que el de un diamante. El TiO2 es muy estable térmica y

químicamente; la reducción en óxidos inferiores solo se efectúa a temperaturas relativamente

elevadas. Las propiedades químicas de la Anatasia son las mismas que las del rutilo y el polvo de

Anatasia tienen todas las propiedades del dióxido de titanio calcinado. Generalmente, la fase de

rutilo se forma a altas temperaturas, mientras que la fase de Anatasia es una variedad a baja

temperatura. El rutilo es la fase termodinámicamente estable, la Anatasia y el brookite se

transforman en rutilo a partir de 700 °C.

Frecuentemente, el TiO2 se aleja de su fórmula estequiometrica liberando escasas cantidades de

oxígeno. A 1605 °C bajo vacío la sub estequiometria alcanza TiO1,97. TiO2 pasando a su óxido

inferior Ti2O3 según la reacción:

4TiO2 = 2 Ti 2O3 + O2

El diagrama de equilibrio del sistema Ti-O (Figura 2) muestra varias fases, con composición

variable en un rango de homogeneidad más o menos ancho siguiendo la fase y la temperatura

[19].

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Se constata que la combinación titanio- oxígeno comienza a aparecer a alta temperatura

(alrededor de 925 °C) para un porcentaje atómico de oxígeno del 33% (O: Ti = 0,49). A un 41%

de oxígeno (O: Ti = 0,59) para temperaturas incluidas entre 600 y 925 °C, la fase TiO está bajo

forma sólida. El óxido inferior Ti2O3 aparece después de un 54% en oxígeno (O: Ti = 1,17), las

fases TiO y Ti2O3 coexisten en el rango entre un 54% y un 59% de oxígeno. El óxido inferior Ti2O3

está puro para un 59% de oxígeno combinado con el titanio. La fase TiO2 aparece al 64% de

oxígeno (O: Ti = 1,78).

Figura 2 Diagrama de equilibrio del sistema Titanio Oxigeno.

I.1.5 - Propiedades de superficie del TiO2

I.1.5.1 - Ángulo de contacto

En nuestro medio ambiente diario, la superficie de un material rechaza más o menos el agua

según presente un carácter absorbente o hidrófobo. Este comportamiento está vinculado a la

energía superficial del material y es medido por el ángulo de contacto de una gota de agua

colocada en la superficie. Sobre el vidrio o sobre numerosos materiales inorgánicos, el agua tiene

generalmente un ángulo de contacto en el rango de 20 y 30 grados. Con resinas, el ángulo de

contacto del agua varía generalmente de 70 en 90 grados. Con una resina hidrofóbica, como una

resina silicona, el ángulo de contacto es superior a 90 grados.

Pocos materiales tienen un ángulo de contacto inferior a 10 grados (carácter muy absorbente),

con excepción de algunos materiales absorbentes de agua y que han sido activados por jabón u

otros agentes tensioactivos. Cuando el ángulo de contacto pasa a ser cerca de cero, la superficie

del material no retiene ya el agua y se dice que ella es "superabsorbente". Recientemente, se

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puso de relieve un comportamiento superabsorbente sobre fotocatalizador [20,.21]. Cuando la

superficie fotocalitica se expone a una radiación U.V., el ángulo de contacto en la superficie del

TiO2 con el agua disminuye poco a poco. Después de una exposición suficiente a la luz, la

superficie se vuelve súper absorbente. Se informa en la literatura de las variaciones de ángulo de

contacto que van de 60° antes de la irradiación UV a algunos grados solamente después de la

irradiación [22]. Sin embargo, estas superficies no conservan este carácter absorbente mucho

tiempo [23]. Este carácter particular puede obtenerse durante uno o dos días. El ángulo de

contacto aumenta progresivamente durante este período y la superficie vuelve a ser hidrófoba. En

esta fase, la súper hidrofobicidad puede encontrarse gracias a una exposición a la luz U.V. Este

tipo de fotocatalizador es el solo conocido que posee una propiedad súper absorbente

semipermanente.

Este fenómeno es considerado metaestable debido a cambios estructurales del TiO2 [ 23-27 ]. La

conmutación hidrófoba/absorbente de la superficie de TiO2 ha sido atribuida a la formación y a la

extinción en la superficie de los grupos hidróxilo. Más concretamente, la irradiación UV causa la

reducción de los iones Ti4 + en Ti3 + y la producción de lagunas de oxígeno en la superficie de

TiO2. Las adsorciones disociativas sucesivas del vapor de agua ambiente sobre tales superficies

tienen como consecuencia la formación de grupos hidróxilo (- OH). El desplazamiento de los

grupos de hidróxilo de la superficie de TiO2 (la transición de absorbente a hidrófobo) a sido

atribuido a la reoxidación del Ti 3 + sobre la superficie durante el almacenamiento en la oscuridad

[ 20 ].

2 - Depósitos MOCVD de TiO2.

Se han preparado algunas películas de óxido de titanio utilizando distintas fuentes de titanio por

varias técnicas, como: anodisación [ 32 ], electrodeposición [ 33 ], técnicas sol-gel [ 34,.35 ],

actividad reactiva de evaporación [ 36 ], depositación química en vapor (CVD) [ 8, 38, 39 ],

plasma en depositación química en fase vapor [ 40 ], plasma-asistido por CVD de compuestos

orgánicos (ECR MOCVD) [ 40,.41 ], depositación electrostática sol-pulverizador (ESSD) [ 42 ],

depositación por plasma y pirolisis [ 43,.44 ] y pirosol [ 45 ].

Entre todas estas técnicas, la técnica CVD utilizando como precursores fuentes organometálicas

parecen tener muchas ventajas, por ejemplo, una buena uniformidad de depósito sobre partes de

forma compleja, la posibilidad de crecimiento epitaxial, la realización de depósitos selectivos, la

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aplicación sobre grandes superficies y la compatibilidad con tratamientos sin interrupción.

Además, las técnicas CVD no son muy costosas y permiten un control relativamente fácil de las

condiciones de depósito. La utilización de técnicas mas conocidas "menos costosas" como: dip-

coating, spray-coating o spin-coating requieren operaciones posteriores de recocido a alta

temperatura para la obtención de películas cristalinas. Las técnicas CVD son capaces de

depositar directamente capas finas de alta calidad sin necesitar tratamiento de recocido para la

cristalización. Una variante de la técnica CVD es la llamada MOCVD, la cual utiliza compuestos

organometálicos. Estos compuestos tiene la ventaja de descomponerse a baja temperatura,

luego entonces la temperatura necesaria de operación del proceso MOCVD será menor.

Para este estudio se retiene la alternativa de utilizar la técnica MOCVD susceptible de utilizarse a

presión atmosférica para el tratamiento de partes en línea:

La técnica MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) conocida como una de las

técnicas más preponderantes para la fabricación de películas con microestructura y

estequiometria controlada. Para esta técnica, la selección del precursor molecular es una

etapa clave.

II.1.2 - Remembranza sobre la técnica MOCVD

La técnica MOCVD consiste en elaborar un material en forma de capa fina, transportando en fase

vapor las moléculas y haciéndolos reaccionar sobre (o en proximidad de) una superficie, esta

reacción química da como producto sólido el material deseado. Los precursores son moléculas

que contienen los elementos del material que serán depositados y se llama substrato a la

superficie sobre la cual la reacción química debe tener lugar.

El precursor es transportado hasta el substrato en forma de vapor, generalmente por medio de un

gas inerte, llamado "gas vector". La descomposición sobre el substrato es obtenida generalmente

por activación térmica, la reacción química tiene lugar bajo el efecto de la temperatura. Sin

embargo otros métodos de activación se pueden utilizar: activación fotónica, plasma, microondas,

etc. También, es normal utilizar un gas llamado reactivo con el fin de facilitar la reacción. Además

del material depositado, los otros productos de la reacción de depósito son compuestos

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gaseosos, formados por los otros elementos constituyendo la molécula inicial y, cuando proceda,

un gas reactivo complementario. Estos subproductos gaseosos se evacuan fuera del reactor con

las especies que no tienen reacción. Por último, en algunas condiciones, otros subproductos,

sólidos esta vez, pueden formarse y CODEPOSITARSE con los elementos del material deseado,

contaminando de tal manera la película. En este caso se deteriorarán generalmente las

propiedades del material obtenido.

El método MOCVD se divide generalmente en siete etapas cinéticas elementales:

1. transporte del precursor sobre el substrato.

2. difusión del precursor en la capa límite hacia la superficie del substrato.

3. adsorción del precursor en la superficie.

4. difusión de las especies sobre la superficie del substrato.

5. reacción de superficie: formación del material y de las especies gaseosas.

6. desorción de las especies producidas.

7. difusión de los residuos gaseosos a la capa límite.

Estas distintas etapas se ilustran sobre la Figura 3.

+

+

Transport

Adsorption Réaction de

surface Diffusion

Désorption

Germination

Croissance

Substrat

Ligand

Centre

métallique

M olécule

Metal-organique Transport

Diffusion

Réaction en

Phase gazeuse

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La técnica MOCVD consiste en utilizar moléculas organometálicas como precursores del material

de deposito. El interés de esta técnica de elaboración surge en parte a partir de la gran variedad

de compuestos potencialmente utilizables y a las bajas energías de enlace entre el metal

(especie que debe depositarse) y los ligantes. En estas moléculas, estos enlaces son

generalmente mucho más débiles que los enlaces entre los átomos de los ligantes, llamados

heteroátomos. Esta técnica aporta dos ventajas sobre el CVD clásico:

Las energías de activación para la descomposición son menos importantes, a causa de la

baja energía de enlace, y los depósitos pueden hacerse a temperaturas mucho más bajas.

En la descomposición del precursor, las probabilidades para que la especie que debe

depositarse esté vinculada a otros átomos son más escasas y en consecuencia se

desfavorece la incorporación de heteroátomos en el depósito - en principio.

La MOCVD es una técnica compleja. Recurre a conceptos de química, ingeniería química y

ciencia de los materiales. El objetivo para el científico consiste en conseguir incluir los efectos de

los distintos parámetros que se producen en el proceso, sobre el material obtenido. La

caracterización del material y el estudio de la reacción de depósito, que permitan la aclaración de

los mecanismos interviniendo durante su elaboración, son los medios que deben permitirnos

proponer soluciones para optimizar las propiedades del material y su método de elaboración.

II 1.3.- Elección del precursor.

Un compuesto es el mejor precursor para la MOCVD si el responde mejor a los siguientes

criterios:

* Tensión de vapor suficiente a una temperatura relativamente baja (menor de 100

°C) con el fin de obtener un transporte eficiente del elemento a depositar.

* Buena estabilidad térmica dentro del tiempo y temperatura de descomposición la

mas alejada posible de su temperatura de vaporización.

* Descomposición térmica a una temperatura baja.

* Formar subproductos volátiles y fáciles a evacuar.

* No tóxicos y poco costosos.

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Así, existen una gran variedad de precursores de Ti clasificados por familias: alcoxidos, alcoxidos

mixtos halogenuros, y nitratos.

Las primeras fuentes de precursores moleculares mencionadas dentro de la literatura para

obtener TiO2 por CVD son las fuentes inorgánicas de tipo TiX4. Estos precursores son fáciles a

obtener, además estos precursores no son caros y tiene la ventaja de tener una buena

volatilidad. La utilización de estas fuentes implica obligatoriamente un co-reactante como fuente

de oxigeno (O2, N2O, O3, H2O etc). La realización de películas exige temperaturas superiores a

500 °C.

II 1.4.- Efecto de algunos parámetros de operación MOCVD.

La literatura aporta información controversial concerniente a la estructura de películas de

TiO2 depositadas por CVD a baja presión. Por ejemplo para B. C. Kang [8], los diagramas de

difracción de TiO2 depositado sobre Si(100) muestran la presencia de Anatasia en dos dominios:

para temperaturas menores de 500 ° C existe una orientación preferencial de la Anatasia y para

temperaturas entre 500 y 700 °C existe la preferencial de Rutilo. Sin embargo, Byun y

colaboradores [ 46 ] crecieron películas delgadas de Anatasia orientadas a temperaturas

superiores de 600 °C sobre Si (100), mientras que Lee y col [ 47 ] depositaron películas de rutilo

orientadas utilizando el mismo precursor en condiciones similares. Battison y col. [ 48 ] muestran

que la película de Anatasia puede crecer solamente dentro de la dirección sobre Si (100) para

temperaturas de alrededor de 600 °C y para temperaturas mayores que 600 °C la fase Rutilo es

depositada con una orientación. C. K. Jung et col. depositaron Rutilo entre 650 °C y 750 °C, con

direcciones de crecimiento preferencial sobre Si (100) y Si (111) [ 49 ]. Esta diversidad de

resultados proviene de la diversidad en configuraciones de reactor y a las condiciones

experimentales que afectan las condiciones locales del depósito – aun mal conocidas - y que

solo registran el crecimiento.

Así entonces, se fabricarán películas delgadas de TiO2 obtenidas por un proceso MOCVD.

Se estudiará el efecto de la temperatura, de la fracción molar del co-reactante, de la duración y

del substrato sobre la estructura de películas delgadas de TiO2.

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13

Metas iníciales

Funcionalidad del sistema MOCVD para la obtención de películas delgadas y/o recubrimientos de

TiOx.

Objetivos iníciales del proyecto SIP

Rediseño y construcción a nivel laboratorio del sistema MOCVD dentro de las instalaciones del

CIITEC.

Determinación de los parámetros de operación MOCVD; temperatura de depositación, fracción

molar de precursor, flujo de gases, temperatura de arrastre de los precursores para la

depositación de TiOx.

Cronograma

Optimización del sistema MOCVD

Pruebas preliminares MOCVD, temperatura, presión, relación flujos gases para la depositación de

Películas TiOx

Determinación de parámetros de operación MOCVD de TiO2 (Temperatura, presión de

vaporización de precursor, fracción molar).

Presupuesto

El presupuesto otorgado por la SIP no fue suficiente para la compra de un flujo-metro (costo

aproximado a la fecha 30,000 pesos MN. ). De manera que para cumplir con las metas y

objetivos de funcionalidad de un sistema MOCVD, se solicito el apoyo al Consejo Nacional de

Ciencia y Tecnologia (CONACyT). Con lo cual se concluyo el rediseño y construcción del

sistema MOCVD.

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Metolodología seguida en el desarrollo del proyecto.

Revisión

Proyecto

(objetivos)

Sistema

MOCVD,

depositación

Análisis

del sistema

para TiOx

Estado deseado del

conocimiento

Metas Restricciones

Criterio

Estado actual del

conocimiento

Restricciones Criterio

Acciones

correctivas al

problema

Comparación

referencias

y/o materiales

estándares

Cambio de actitud

hacia los problemas

del proyecto Satisfacción

cliente

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2. Resultados Como se menciono anteriormente en las metas, la funcionalidad del sistema MOCVD para la

obtención de películas delgadas y/o recubrimientos de TiOx, incluyo la adquisición e instalación

de flujometros estos fueron adquiridos a mitad del año 2008, con lo cual se retraso la metas. Sin

embargo después de solventar ciertos inconvenientes financieros, se probaron diferentes flujos

másicos de precursor. A continuación se muestra el esquema general de la instalación funcional

del sistema MOCVD.

Figura 3. Esquema general del sistema MOCVD para la depositación de películas delgadas.

Partes principales de nuestro sistema MCVD:

* Horno de resistencia tipo pared caliente con un rango de temperatura de 20 - 850 C.

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* Un flujometro masico marca MKS con un rango de funcionamiento de 0 – 50 sccm.

*Consola de comando con 4 canales de salida

*Parrilla eléctrica, para la preparación del substrato.

*Rotametro, con un rango de salida de 0 – 1 lt/min, para la alimentación de gases.

*Controladores de temperatura, para el control térmico del sistema.

*Tubería aislada térmicamente para el control de transporte del precursor de TiOx.

Figura 4. Vista Lateral sistema MOCVD.

Se cuenta con un sistema de alimentacion de gases, cilindro Ar y control de presión con

válvulas y manometros.

Sistema de extraccion de residuos; bombas de extraccion.

Una microfotografía de la Morfología de la superficie de TiOx ilustra el crecimiento en filamentos (

MEB), sin un control adecuado de la alimentación de gases reactivos y de precursor.

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Figura 5. Vista de planta

Temperatura de depositación 400 oC Presión atmosférica

Flujo de gases y fracción molar 200 sccm

Figura 6. Vista de perfil Temperatura de depositación 400 oC

Presión atmosférica Flujo de gases y fracción molar 1000 sccm

Después de esto fue necesaria la caracterización del precursor, para la optimización de las

películas anteriormente citas.

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Figura 7. Tensión de vapor de Ti(OiPr)4 en función de la temperatura.

La determinación de la tensión de vapor del precursor para la depositación fue un una

herramienta extra para el conocimiento de un buen transporte de precursor a la zona de reacción,

(horno de resistencia a la temperatura de consigna).

Conclusiones.

Fue posible el transporte de precursor hacia la zona de reacción del reactor MOCVD, sin

embargo es necesaria la optimización de los parámetros del proceso, en especial la temperatura

y el arrastre de precursor a la zona de reacción. La eficiencia del proceso fue muy pobre debido a

que el balance entre el precursor alimentado y la cantidad de producto depositado fue del 50 %.

Las fotomicrografías muestran una estructura de TiO poco refinada y compacta, por lo que es

necesario trabajar en la optimización de los parámetros para obtener películas con una

1/T (K)

0.0020 0.0022 0.0024 0.0026 0.0028 0.0030 0.0032 0.0034

log

P (T

orr) -1

0

1

2

3

R2= 0,982

Log P (Torr) = 9,465 - 3222 / T (K)

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morfología filiforme y compacta. Sin embargo se tiene un sistema funcional para la alimentación

exacta de gases de reacción y de transporte.

3. DOCENCIA

A la par de realizan actividades de docencia y de asesoría de alumnos de posgrado en rolados

en temas que contemplan el uso de un sistema MOCVD.

Descripción las actividades docentes desarrolladas por semestre, durante el año 2008

NIVEL ESCUELA DONDE SE IMPARTIÓ

NOMBRE DE ASIGNATURA

Posgrado (Maestría)

CURSO DE nanoestructuras, CIITEC Maestría en Tecnología Avanzada

CURSO DE nanoestructuras NIVEL POSGRADO, CIITEC Maestría en Tecnología Avanzada

Licenciatura

CURSO DE diseño y selección de materiales CARRERA DE Mecánica, ESIME-AZC grupo 9MM6

CURSO DE diseño y selección de materiales noveno semestre CARRERA DE mecánica, ESIME-AZC

CURSO DE diseño y selección de materiales CARRERA DE Mecánica, ESIME-AZC, grupo 9MM2

CURSO DE diseño y selección de materiales noveno semestre CARRERA DE mecánica, ESIME-AZC

4. ASESORÍA DE TESIS

Huitzilopochtli Vera, Boleta B072056. “Fabricación de películas delgadas de

ZnS por un proceso MOCVD”, Maestría CIITEC.

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Javier Ávila M. Boleta A070967, “Recuperación de Cromo Hexavalente y

reintegración al proceso que lo fabrico”, Doctorado CIITEC.

Jose M. Juárez G. Boleta A070967, “Fabricación de nanoalambres para

aplicaciones fotoelectrónicas por un proceso MOCVD, Doctorado CIITEC.”

El MC Juarez es un estudiante de tiempo parcial, sus actividades las divide entre su trabajo en el

CENAM como responsable de microanalisis SEM y el CIITEC. Bajo este esquema hemos

coordinado suS actividades incluyendo un estancia de investigacion en la Universidad de Toronto

Canada. El objetivo fue de trabajar sobre la depositacion de ZnS para la fabricacion de

nanoalambres por MOCVD.

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5. ESTADO ACTUAL DEL PROYECTO EN DESARROLLO.

El prototipo MOCVD está listo para la realización e investigación de películas delgadas de

cualquier material inclusive polímeros, se realizaron las pruebas correspondientes, sin embargo

falta una caracterización de los depositos de TiOx