REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD RAFAEL BELLOSO CHACÍN

FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA DE ELECTRONICA: MENCION AUTOMATIZACION Y CONTROL

CÁTEDRA: ELECTRONICA III

SECCIÓN: O-823

PRACTICA DE LABORATORIO N°3: CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACION CON UJT.

PRESENTADO POR:

Br. NORMAN CARRIZO, 26775300

Br. REIDER TROCONIS, 24261455

Br. DEMETRIO URREA, 26200237

Maracaibo, marzo de 2017

INTRODUCCION.

La siguiente practica tiene como objetivo observar y demostrar el funcionamiento de un transistor uniunion (UJT) en un circuito oscilador de relajación trabajando a una frecuencia determinada. Para lograr realizar esta práctica, se procederá a realizar los cálculos para el diseño del circuito de relajación aplicando los conocimientos previos obtenidos en clases para obtener los valores de las resistencias RE, R1 y R2 y el valor del condensador CE. Luego proseguiremos con el montaje del circuito en la protoboard para así observar el funcionamiento del circuito, analizar y comparar los valores obtenidos con los valores teóricos.

TRANSISTOR UNIUNIÓN.

Símbolo del UJT.

El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Construcción.

Estructura. Circuito equivalente.

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como B1 y B2 respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.

Características.

Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje VEB1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Operación.

El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base B1 se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia RB1B2 circula entonces una corriente IB2=Ie IB2=Ie=VBB \RBB

El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión: VC=RB1 \RB1+RB2VBB=\ηVBB

El diodo puede presentar una polarización inversa si VE es inferior a VC por lo que se presentará una corriente de fuga IEBO muy pequeña. Por otro lado, si VE es superior VC, el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente IE formada por portadores minoritarios que son depositados en R1. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensión Vo disminuye también, ahora si bien si VE es constante, IE debe aumentar, lo que disminuye aún más a R1.

Aplicaciones del UJT.

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

Objetivos.

Identificar los terminales del UJT para darle un uso correcto. Diseñar un circuito oscilador de relajación con UJT para una frecuencia de

500hz.

Lista de materiales:

1 resistencia de 66k 1w

1 resistencia de 120 1/4w

1 resistencia de 1k 1/4w

1 condensador cerámico 20n

1 UJT 2N2646

Fuente de alimentación DC.

Multímetro

Cables de osciloscopio.

Cables de fuente dc, de prueba.

Procedimiento:

1. Medir RBB.2. Observar y medir la señal en los extremos del condesador.3. Medir Vv y Vp.4. Medir el periodo y calcular la frecuencia de oscilación.

5. Observar y medir Vomin y Vomax en los extremos de la resistencia R1.

Mediciones.

Valores teóricos Valores experimentales

simulacion

Vomax 0.5V 0.9V 0.93VVomin 0.3V 0.4V 0.33V

Vv 3V 2.4V 2.66VVp 13.7V 11V 10.7V

ANEXOS.

Montaje del circuito en Proteus.

Señal en los extremos del condensador CE.

Voltaje mínimo en R1.

Voltaje máximo en R1.

Voltaje pico.

Voltaje de valle.

Montaje del circuito en protoboard.

Señal en los extremos del condensador CE.

Voltaje mínimo y voltaje máximo en los extremos de R1.

CONCLUSIÓN.

Después de haber seguido los pasos correctos para el diseño del circuito, de realizar los cálculos correspondientes para los valores de las resistencias R1, R2, RE y el condensador CE, así como también de haber seguido los procedimientos al pie de la letra para realizar las mediciones, observar y analizar las gráficas, se logró ver cómo funciona el UJT en un circuito oscilador de relajación trabajando a una frecuencia determinada por el usuario. Una vez de haber terminado el análisis se pudo comprobar que los valores teóricos, valores experimentales y los valores de la simulación coinciden mostrando un margen de error aceptable. De esta manera se puede decir que los objetivos de esta práctica se lograron cumplir de forma exitosa.

Hay que destacar que para lograr obtener el funcionamiento correcto del circuito y obtener la frecuencia deseada, los valores de los componentes no son exactos a los valores teóricos, esto es debido a las aproximaciones que se realizaron para dichos cálculos, así como también en ocasiones suele ocurrir que los valores obtenidos de forma teórica no se encuentran en el mercado debido que a nivel mundial existe un estándar en los valores de los componentes electrónicos.

BIBLIOGRAFIA.

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_uniuni%C3%B3n