disparo del scr con ujt
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control de maquinas electricasTRANSCRIPT
EXPOSITOR
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP
NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
DISPARO DEL SCR CON UJT
Constitución interna del SCR
Gate
Anodo
Cátodo
Gate
P
P
N
N
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Presentación del SCR
Anodo
Cátodo
A
Gate
A
K G
A K
G
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Polarización Directa del SCR
P
P
N
N
Con VAK positivo,
se polariza J1 y J3
en directo, pero
J2 se queda sin
cargas y en
inversa, por lo
tanto es imposible
la conducción
Vacío
RL
A
K
+
_
G
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Polarización Inversa del SCR
P
P
N
N
Con VAK negativo,
se polariza J2 en
directo, pero J1 y
J3 se quedan sin
cargas y en
inversa, por lo
tanto es imposible
la conducción
Vacío
RL
A
K
_
+
G
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Para cambiar a estado de conducción:
• Polarización Directa y :
• a) Inundar con cargas + la región p central a fin de permitir corriente entre las junturas.
(aplicando VGK e IGK)
• b) Elevar el voltaje para provocar un efecto de avalancha en la juntura central.
(aplicando VAK > VPO)
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Para pasar a estado de NO Conducción:
• Polarización INVERSA :
a) Aplicando VAK < 0
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Curvas V – I del SCR
-Vz
I
VAK
VPO
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Equivalente del SCR con transistores
P
P
N
A
K
G
N
N
P
N
P
P
N
N
A
K G
K
G
A
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Equivalente del SCR con transistores
P
P
N
A
K
N
N
P
N
P
P
N
N
A
K G
K
G
A
(1) IGK
IGK
(2)
IGK
(3)
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Circuito con SCR y
Generador de disparo
20senwt
5v
RL
Vdisp
A
K
G
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El Transistor Unijuntura - UJT (Uni Junction Transistor)
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
CURVAS DEL UJT
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Relación de las resistencias de base de un UJT
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
RB2 = 4K
RB1 = 6K
+10 V
V = 6 v
Vp = 6.7v
Polarización de las
resistencias de base
Para hacer cnducir
al diodo EB1
B2
B1
E
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
RB2 = 4K
RB1 = 6K
+10 V
V = 6 v
Vp = 6.7v
Conectando un circuito RC:
C +
VC
-
VC
crece
desde 0
R
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
RB2 = 4K
RB1 = 6K
+10 V
V = 6 v
Vp = 6.7v
Conectando un circuito RC:
C
+
VC
-
Cuando VC
llega a Vp
el diodo
conduce e
inunda
decargas a
RB1
300 Ω
RB1 disminuye
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
RB2 = 3K
+10 V
V = 6 v
Vp = 6.7v
Conectando un circuito RC:
C
+
VC
-
Cuando VC
llega a Vp
el diodo
conduce e
inunda
decargas a
RB1
300 Ω
IB1
I de descarga por Base 1
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
Colocando RB de 100 Ω para obtener el impulso de I
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6.7 v
Vmin = 1.8 v
τ = (RE CE)
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VCE
IB1
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Colocando RT y RB
1K
100Ω
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Colocando un Opto Acoplador en B1
LED LASCR
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Circuito de Sincronismo con la Red de Alimentación
DR. ING. ELECTRÓNICO CIP. NOÉ CHÁVEZ TEMOCHE
IL
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Circuito de Sincronismo con la Red de Alimentación
(Con deteccion por cruce por cero)
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Vs
VR1
VCarga
t
t
t
Graficas del circuito
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