photovoltaik technologie - anlagentechnik - anwendung vorlesung in den studiengängen evs/tga ss...

Photovoltaik

Technologie - Anlagentechnik - Anwendung

Vorlesung in den Studiengängen

EVS/TGA

SS 2006

Dr. Karl Molter

FH Trier

SS 2006 RENDDr. Karl Molter

2

Inhalt

1. Kurze Physik der Solarzelle

2. Photovoltaik-Technologien

3. Photovoltaik Anlagentechnik

4. Photovoltaik: Gebäudeintegration


3

1. Kurze Physik der Solarzelle

• Der photovoltaische Effekt und die Solarzelle

• Ladungstrennung: Der p/n-Übergang

• Solarzellen-Kennlinien


4

Historie

• 1839: Entdeckung des lichtelektrischen Effekts durch Bequerel

• 1873: Entdeckung des fotoelektrischen Effekts bei Selen

• 1954: Erste Silizium Solarzelle im Zuge der Entwicklung der Halbleitertechnologie ( = 5 %)


5

Der photovoltaische Effektund die Solarzelle

1. Absorption von Licht im Festkörper

h

-

+2. Erzeugung freier

Ladungsträger

3. Wirksame Trennung der Ladungsträger

Ergebnis: verschleißlose Erzeugung elektrischer Energie unter Verwendung von Solarstrahlung


6

Energiezustände in Festkörpern:Bänderschema

Atom Molekül

Ene

rgie

nive

aus

• • • • • • • •


7

Energiezustände in Festkörpern:Isolator

ElektronenenergieLeitungsband

Valenzband

Fermi-niveau EF

Bandlücke EG

(> 5 eV)


8

Begriffe:

Ferminiveau EF: Grenze zwischen besetzten und unbesetzten Niveaus bei T = 0 K;

Valenzband: höchstes Energieband unterhalb des Ferminiveaus, bei T = 0 K voll besetzt,

dieElektronen sind örtlich fest gebunden

Leitungsband: nächsthöheres Energieband, dieElektronen sind delokalisiert;

Bandlücke EG: Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband


9

Energiezustände in Festkörpern:Metall/Leiter

Elektronenenergie

Leitungsband

Fermi-niveau EF


10

Energiezustände in Festkörpern:Halbleiter

Elektronenenergie

Leitungsband

Valenzband

Fermi-niveau EF

Bandlücke EG

( 0,5 – 2 eV)


11

ElektronenenergieBeim absoluten Nullpunkt nehmen alle Elektronen den

niedrigst möglichen Energiezustand an. Sie können nun zwei Arten von Energie aufnehmen:

• Thermische Energie kT (k = Boltzmannkonstante, 1.381x10-23 J/K, T = absolute Temperatur in Kelvin)

• Lichtquanten h (h = Plancksches Wirkungsquantum, 6.626x10-34 Js, = Frequenz des Lichtquants in s-1.

Wenn der aufgenommene Energiebetrag reicht, können die Elektronen die Bandlücke überwinden und vom Valenzband in das Leitungsband gelangen:


12

Energiezustände in Festkörpern:Energieaufnahme / -abgabe

Elektronenenergie

Leitungsband

Valenzband

EF

+

-

h

Generation

+

-

h

Rekombination

x

x


13

Energiezustände in Festkörpernphysikalische Eigenschaften:

Thermisch: Je größer die Bandlücke, desto geringer die Leitfähigkeit. Mit steigender Temperatur sinkt der elektrische Widerstand (Heißleiter)

Optisch: Je größer die Bandlücke, desto geringer ist die Absorption von Lichtquanten (farbiges oder transparentes Material). Mit steigender Beleuchtung sinkt der elektrische Widerstand (Photowiderstand)


14

HalbleiterZur Schaffung einer internen Barriere, die eine Trennung positiver und negativer Ladungsträger ermöglicht und die Rekombination verhindert, greift man auf das Prinzip der Dotierung von Halbleitern zurück:

IIIB IVB VB

Si14

B 5

P15

Unter Dotierung versteht man die Substitution von Gitteratomen des Kristalls durch Fremdatome mit anderer Wertigkeit. Das Halbleitermaterial ist i.A. vierwertig (z.B. Silizium). Dotiert wird beispielsweise mit Bor oder Phosphor:


15

N - Dotierung

Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

P+

-

n-leitendes Silizium

-

Kristall

Leitungsband

Valenzband

EF

- - - - -P+ P+ P+ P+ P+

Freie Elektronen

Donator Niveau

Bandschema


16

P - Dotierung

Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

p-leitendes Silizium

B- +

+

Kristall

Leitungsband

Valenzband

EF B- B- B- B- B-

„Freie“ LöcherAkzeptor Niveau

+ + + + +

Bandschema


17

p - Gebiet

EFB- B- B- B- B-

+ + + +

n - Gebiet

- - - -P+ P+ P+ P+ P+

Der unbeleuchtete p/n-ÜbergangBandschema

+

--Diffusion

+

Diffusion

Diffusionsspannung

+ -Ed

Ud

Raumladungs- oder Feldzone


18

p - Gebiet

EFB- B- B- B- B-

+ + + +

n - Gebiet

- - - -P+ P+ P+ P+ P+

Der beleuchtete p/n-ÜbergangBandschema (Absorption im p-Gebiet)

+

-

+

Photostrom

Diffusionsspannung

+ -Ed

Ud

Raumladungs- oder Feldzone

E = h

-


19

Der beleuchtete p/n – ÜbergangKristall

n-Silizium

- - - - - - - - - - - -

- - - - - - - - - - - -

- - - - - - - - - - - -

- - - - - - - - - - - -

p-Silizium

+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

+

-Diffusion

-

+

elektrisches FeldE- - - - - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + +

+-

h

-

+

-

-

-

+

Raumladungszone


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Antireflex-Beschichtung

Aufbau einer Si Solarzelle

~0,2µm

~300µm

Vorderseitenkontakt

metallisierte Rückseite

n-Gebiet

p-Gebiet

-

+

h

Raumladungszone

- - - - - - - - - -+ + + + + + + + + +


21

Ersatzschaltbild einer Solarzelle

RP

USG

RSISG

RL

UL

ILID

UD

Strom-quelle

IPH

IPH: Photostrom der Solarzelle

ID /UD: Strom und Spannung an der internen p-n Diode

RP: paralleler Verlustwiderstand aufgrund Oberflächenin-

homogenitäten und Verlustströmen an den Kanten der SolarzelleRS: serieller Verlustwiderstand aufgrund des Bahnwiderstands der

Siliziumscheibe, der Kontakte und AnschlüsseISG/USG: Solargeneratorstrom und -spannung

RL/IL/UL: Lastwiderstand, Spannung und Strom

Es gilt: ISG = IL, USG = UL


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Idealisierte Kennlinie einer Solarzelle

ID ISG

RLUD=USG

ID

ISG / PSG

USG

Solargenerator-kennlinie

ISG = I0 = IK

RL=0 RL=

Leistung

UD

Diodenkennlinie

ID

U0

Lastwiderstand

UMPP

MPP

IMPP

MPP = Maximum Power Point

vereinfachtesSchaltbild


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charakteristische Eigenschaften einer Solarzelle

• Kurzschlußstrom ISC, I0 oder IK:• In weiten Grenzen proportional zur Einstrahlung• Steigt um ca. 0,07% pro Kelvin Temperaturanstieg.

• Leerlaufspannung U0, UOC oder VOC:• Entspricht Spannung über interner Diode• Steigt rasch mit zunehmender Einstrahlung• typische Werte für Si: 0,5...0,9V• Sinkt um ca. 0,4% pro Kelvin Temperaturanstieg.


24


• Leistung (MPP, Maximum Power Point)• UMPP (0,75 ... 0,9) UOC

• IMPP (0,85 ... 0,95) ISC

• Die Leistung sinkt um ca. 0,4% pro Kelvin Temperaturanstieg

• Die Nennleistung einer Solarzelle wird bei international festgelegten Testbedingungen(G0 = 1000 W/m2, TZelle = 25°C, AM 1,5) gemessen und in WP (Watt peak) angegeben.


25


• Der Füllfaktor (FF) einer Solarzelle ist definiert aus dem Quotienten von PMPP und dem Produkt aus Kurzschlussstrom IK und Leerlaufspannung U0

FF = PMPP / U0 IK

• Der Wirkungsgrad einer Solarzelle ist das Verhältnis der auf die Vorderseite auftreffenden Strahlungsleistung AGG,g zur von der Zelle abgegebenen elektrischen Leistung PMPP: = PMPP / AGG,g


26

Solarzellen Kennlinien (cSi)P = 0,88W, (0,18) P = 1,05W, (0,26)

P = 1,00W, (0,18)


27

Kennlinienfeld einer Solarzelle


28

2. Photovoltaik-Technologien

• Ausgangsmaterialien

• Technologien

• Marktanteile und Marktentwicklung


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AusgangsmaterialienDefinition eines Halbleiters: Ausschlaggebend ist die Elektronenkonfiguration im Festkörper

Ausschnitt aus der Periodentafel

Si14

Silizium (Si)

Ge32

Germanium (Ge)

Ga31

As33

Gallium-Arsenid (GaAs)

Cd48

Te52

Cadmium-Tellurid (CdTe) P

15

In49

Indium-Phosphor (InP)

Al13

Sb

51

Aluminium-Antimon (AlSb)

Kupfer, Indium, Gallium, Selen (CIS)

Cu29

Se34

In49

Ga31

IIB IIIB IVB VB VIBIB


30

Wirkungsgrade verschiedener Solarzellentypen(Theorie / Labor)


31

Technologische Bewertungskriterien

• Ein gutes Potenzial für einen hohen Wirkungsgrad

• Verfügbarkeit der benötigten Materialien• Akzeptable Preise für die Materialien• Potential für kostengünstige

Herstellungsverfahren• Stabilität der Eigenschaften über Jahrzehnte• Umweltverträglichkeit der Materialien und

Herstellungsverfahren


32

+ Produktionswirkungsgrad 15 - 18% (>23% im Labor)– großer Materialeinsatz nötig– Preis für Rohsilizium schwankend+ ausgereifte Herstellungsverfahren,aber

energieintensiv, Verbilligung durch EFG und Bänder-Technologie

+ Hohe Langzeitstabilität+ Material umweltverträglich+ z.Zt. zweitgrößter Marktanteil

Bewertung Monokristallines Silizium:


33

Bewertung Multikristallines Silizium:

+ Produktionswirkungsgrad 12 - 14%– großer Materialeinsatz nötig– Preis für Rohsilizium schwankend+ ausgereifte Herstellungsverfahren,weniger

energieintensiv als mono-Si+ Hohe Langzeitstabilität+ Material umweltverträglich+ z.Zt. größter Marktanteil


34

Bewertung amorphes Silizium (a-Si):

– Produktionswirkungsgrad 6 – 8%+ Dünnschichttechnologie (<1µm), geringer

Materialbedarf– Preis für Rohsilizium schwankend+ Ausgereiftes, kostengünstiges Herstellungsverfahren– garantierte Langzeitstabilität nur für Wirkungsgrade

von 4 – 6%+ Material umweltverträglich

http://www.ntb.ch/TT/Labors/EMS/duenn/sld001.htm


35

+ Produktionswirkungsgrade 11 – 14%+ Dünnschichttechnologie (<1µm), geringer

Materialbedarf+ Herstellung grossflächiger Module in einem Schritt+ gute Langzeitstabilität – Materialien nicht unbedenklich (Se, geringe Mengen

Cd)

Bewertung Kupfer, Indium, Diselenid (CIS)

http://www.ntb.ch/TT/Labors/EMS/duenn/sld001.htm


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+ Produktionswirkungsgrade teils bis 18%– Relativ exotische Ausgangsmaterialien– Teils sehr hohe Materialpreise– Herstellungsverfahren in vielen Fällen noch nicht

grosserientauglich– Langzeitstabilität noch nicht umfassend getestet– Materialien nicht unbedenklich (insbesondere As, Cd)

Bewertung GaAs, CdTe und andere


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Herstellungsverfahren1. Silizium Wafertechnologie (mono- oder multikristallin)

Säulenherstellung

Scheibenherstellung

Scheibenreinigung

Qualitätskontrolle

Wafer

Reinstsilicium

99.999999999%

Vorkommen:

Siliziumoxid (SiO2)

= Quarzsand

Schmelzen /

Kritallisieren

SiO2 + 2C = Si + 2CO

Mechanisches Schneiden

Dicke ca. 300µm

Minimale Dicke:

ca. 100µm

Typische Wafergrösse:

10 x 10 cm2

Link zu

Herstellerfirmen Silizium Wafer

http://mmoll.home.cern.ch/mmoll/links/silicon.htm

http://mmoll.home.cern.ch/mmoll/links/silicon.htm


38


mono- oder multikristallines Si


39


EFG: Edge-definded Film-fed Growth

Weniger energieintensiv als Kristallziehverfahren

Dicke: ca. 100µm

Weniger Si Abfall, da kein Sägen notwendig

Silizium Band-Ziehverfahren


40


Halbleitermaterialien werden grossflächig aufgedampt

Dicke: ca. 1µm

Flexible Unterlage möglich

Weniger energieintensiv als Si Verfahren

Geringer Materialverbrauch

Typische Produktionsgrösse:1 x 1 m2

Dünnschichtverfahren (CIS, CdTe, a:Si, ... )

CIS Module


41

Entwicklungstrends

• Dünnschichttechnologie– Geringer Materialverbrauch– Flexible Zellen– Fertigung großflächiger Module in einem Schritt

• Wirkungsgradverbesserung– Tandemzellen zur besseren Ausnutzung des

Sonnenspektrums– Light Trapping, Verbesserung der Absorptionseigenschaften– Transparente Kontaktierung– Beidseitig nutzbare Zellen (bifacial cells)


42

Tandem-zelle

Schema einer Multispektralzelle auf der Basis der Chalkopyrite Cu(In,Ga)(S,Se)2


43

Dünner Si-Wafer


44

Energierückzahlzeit(energy payback time (EPBT)

energy payback time (EPBT)

0

1

2

3

4

5

6

7

8

mono-Si multi-Si a-Si CIS CdTe

Technologie

EP

BT

[Ja

hre

]


45

Marktanteile


46

Solarzellen-Hersteller


47

Weltweit installiert PV-Leistung


48

In Deutschland installierte PV-Leistung


49

Kosten PV-ModuleLernkurve: Kosten pro Wp über kumulierter produzierter Leistung

Stand Ende 2003


50

3. PV Anlagentechnik

• PV Systemtechnik

• Strahlungsangebot

• Erträge

• Baurechtliche Aspekte


51

PV ModuleSerienschaltung einzelner Zellen zur Erzielung höherer Spannungen: PV-Modul

Typische Leerlaufspannung bei 36 Zellen: 36 * 0,7V = 25V

Problem: Ausfall einzelner Zellen durch Verschattung oder Defekt beeinträchtigt alle Zellen der Serie!


52

PV ModuleVerknüpfung von Solarzellen :Bypass-Dioden zum Schutz einzelner Zellen oderZellenstränge:


53

Aufbau eines netzgekoppelten PV-Systems

Solar-Generator

Wechsel-richter

DC

AC

Schutz-Diode

Ver-brau-cher

Wechsel-StromNetz

Grid

Das Netz übernimmt die Funktion des Energiespeichers

Bei Ausfall des Netzes (Grid) muss der Wechselrichter den Solargenerator automatisch vom Netz nehmen (Automatische Netzfreischaltung ENS)


54

Wechselrichterkonzepte

Netz

=~

=~

…

modulintegriert

=~

… … …

zentral

=~

=~

…

…

… …

stringorientiert

…

…… …

==

==

=~

multistringorientiert


55

Aufbau eines PV-InselsystemsWechselspannungsverbraucher

Solar-Generator

Lade-regler

DC

DC

Hinzu kommen Zusatzkomponenten wie Kabel, Halterungen, Gehäuse, Schalter etc.

Schutz-Diode

Fuse

Spannungs-aufbe-reitung

DC

AC

Ver-brau-cher

Batterie


56

Solargenerator• Der Solargenerator ist in Spannung und Leistung auf

den Speicher und den Verbraucher bzw. bei netzgekoppelten Systemen auf den Wechselrichter abzustimmen

• Dies erreicht man durch geeignete Parallel- und Serienschaltung von Modulen

• Inselsystem ohne Wechselrichter werden meist als 12V oder 24V und seltener 48V Gleichspannungssysteme ausgelegt.

• Um Spannungsverluste am Laderegler und der Verkabelung auszugleichen, sollte die Nennspannung der verwendeten Module ca. 3 bis 5 V oberhalb der Systemspannung liegen


57

Solargenerator• Die Dimensionierung des Solargenerators hängt auch von den

solaren Einstrahlungsbedingungen des Standortes ab:• Soll ein Deckungsgrad von 100% erreicht werden, dimensioniert

man das System nach dem Zeitraum, in dem die solare Einstrahlung am niedrigsten ist (in unseren Breiten: Dezember / Januar)

• Ausrichtung (Azimut) auf der Nordhalbkugel nach Süden, auf der Südhalbkugel nach Norden (Abweichungen von ± 30° wirken sich um weniger als 5% im Energieertrag aus

• Faustformel: Neigungswinkel ~ BreitengradSteiler: höherer Ertrag im Frühling / HerbstFlacher: Höherer Ertrag im Sommer

• Sonnenstandsnachführung ist aufwendig und rechnet sich meist nicht gegen einen höheren Energieertrag von 10 – 15%


58

Einstrahlungscharakteristik


59

Solares Strahlungsangebot


60

Solare Einstrahlung in Deutschland

Strahlungsatlas 2002

Nord-Süd-Gefälle zwischenca. 900 und 1300 kWh/m² pro Jahr auf die Horizontale


61

Solare Einstrahlung weltweit(kWh/m² a) auf die Horizontale


62

ErtragsergebnisErtagsübersicht 2kWp, Thalfang Schulweg 11

0

50

100

150

200

250

300

Monat

kW

h / M

on

at

Ertrag 2002: 905 kWh/kWp





63

ErtragsparameterAbhängig von:

• Standort / Klima Mitteleuropa: 700 – 900 kWh pro kWp installierter Leistung

• Ausrichtung (Neigung, Azimut)± 20° ± 5% Ertragseinbuße

• PV-Technologiebestimmt u.a. Flächenbedarf/Wirkungsgrad

• Zusatznutzen bzw. Einspareffektennetzferne Stromversorgung, weitere vgl. Abschnitt 4

• ÖkobilanzCO2 Einsparung etc.


64

Vergütung von Solarstrom (EEG, in Deutschland)

Voraussetzung: 100% Netzeinspeisung

Degression: 5 % jährlich ab 2005, bei Freiflächenanlagen: 6,5 % ab 2006

Jahr 2004 2005 2006 2007 2008

Gebäudeanlagen 57,4 ct 54,53 ct 51,80 ct 49,21 ct 46,75 ct

ab 30 kW 54,6 ct 51,87 ct 49,28 ct 46,82 ct 44,48 ct

ab 100 kW 54,0 ct 51,30 ct 48,74 ct 46,30 ct 43,99 ct

Fassadenbonus 5,00 5,00 ct 5,00 ct 5,00 ct 5,00 ct

Freilandanlagen 45,7 ct 43,42 ct 40,60 ct 37,96 ct 35,49 ct


65

Baurechtliche Aspekte

Regelung durch Landesbauordnungen:

• In der Regel sind Solaranlagen genehmigungsfrei, sofern sie an der Fassade, auf Flachdächern oder in der Dachfläche errichtet werden.

• Ausnahmen: Denkmalschutz, ggf. hervorspringende Objekte, Bebauungsplan

• Für eine Freiflächenanlagen wird auf jeden Fall eine Baugenehmigung benötigt.


66

Statische Anforderungen

Dachintegration• Zusätzliche Dachlast durch PV-Anlage: ca. 0,25

kN/m², in der Regel weniger als 15 % der Gesamtlast, für die der Dachstuhl ausgelegt ist.

• Ggf. individuelle Prüfung bei Steildach oder windexponierten Standorten

Fassadenintegration:• Jeweils Gesamtbetrachtung der

Fassadenkonstruktion erforderlich


67

4. PV-Gebäudeintegration

• Photovoltaik als multifunktionales Element

• Beispiele

• Weiterführende Informationen


68

4.1 Witterungsschutz

• Regen- und Winddichtigkeit

• Windlastfestigkeit

• Klimawechselresistenz

• Alterungsbeständigkeit


69

Beispiel: Kraftwerksturm Duisburg


70

Beispiel: Vordach


71

4.2 Wärmedämmung

• In Kombination mit üblichen Konstruktionen und Wärmedämmstoffen

• Im Isolierglasverbund


72

Beispiel: Tonnendach


73

Beispiel: Schwimmbad


74

4.3 Wärme / Klima

• Kombination von PV mit thermischer Energiewandlung in der Gebäudehülle (Luft / Wasser)

• Verbesserung des PV-Wirkungsgrads


75

4.4 Verschattung

• Regelung über „Packungsdichte“

• Verwendung semitransparenter Zellen


76

Beispiel Verschattung

PV-DoppelglasscheibenIm Atriumsbereich


77

4.5 Schalldämmung

• Schalldämm-Maß von 25dB durch Mehrschichtaufbau

• Höherer Wert durch Mehrscheibenisolier-glastechnik möglich


78

4.6 Elektromagnetische Schirmdämpfung

• Elektrisch leitende Elemente wirken wie ein „Faradayscher Käfig“

• Reduzierung von Elektrosmog innerhalb von Gebäuden


79

4.7 Elektromagnetische Energiewandlung

• Integration einer Sende- oder Empfangsantenne in ein PV-Modul („solare Planar-Antenne“)


80

Beispiel: Nachrichtenübertragung

Computersimulation:Nachrichtenübertragung mitSolarer Planar-Antenne


81

4.8 Heizung

• Heizung durch „Rückstrom“ in speziell gestalteten Modulen möglich


82

4.9 Solare Energieerzeugung

• Ertrag abhängig von Material, Neigung, Ausrichtung, Aufbau …

• (teilweise) Amortisation der Fassade innerhalb des Lebenszyklus möglich!


83

Beispiel: PV-Dach und Fassade, Hochhausfassade


84

4.10 Design /Ästhetik

• PV Fassaden- und Dachelemente sind hochwertige Baumaterialien die den unterschiedlichsten Design-Anforderungen angepasst werden können


85

Alwitra Solarfolie


86

Solardachziegel


87

Beispiel: Sporthalle Tübingen


88

Beispiel: BP Showcase


89

Beispiel: Feuerwehr


90

Fachzeitschriften (Auswahl)Photon - das Solarstrom-Magazin Solar Verlag GmbH Wilhelmstraße 34 52070 Aachen Tel.: ++49-(0)241 / 470 550 Fax: ++49-(0)241 / 470 559

Solarthemen Guido Bröer und Andreas Witt GbR Freies Redaktionsbüro für Umwelt- und Zukunftsfragen

Bültestr. 85 32545 Bad Oeynhausen Tel.: ++49-(0)5731/83460 Fax: ++49-(0)5731/83469

Solarzeitalter Neckar-Verlag GmbH Postfach 1820 78008 Villingen-Schwenningen Tel.: ++49-(0)7721 / 8987-0

Sonnenenergie DGS-Sonnenenergie Verlags-GmbH Augustenstr. 79 80333 München Tel.: ++49-(0)89 / 52 40 71 Fax: ++49-(0)89 / 52 16 68

Sonnenenergie & Wärmetechnik Bielefelder Verlagsanstalt GmbH & Co. KG Postfach 100 653 33506 Bielefeld Tel.: ++49-(0)521 / 595-0 Fax.: ++49-(0)521 / 595-531

Sonnenzeitung URANUS Verlag Lange Gasse 48/5 A-1080 Wien Tel: +43 1 403 91 11 Fax: +43 1 403 91 13 e-mail: [email protected]

http://www.photon.de/

http://www.solarthemen.de/

http://www.sonnenzeitung.at/


91

Informationsquellen im Internet (Auswahl)

• OTTI Kolleg: (Seminare, Kurse Veranstaltungen, sehr gute Tagungsbände)• Forschungsverbund Sonnenergie

Forschungsverbund Sonnenergie (8 Mitgliedsinstitute)• Solarserver der TU-Berlin,AG Erneuerbare Energien

TU-Berlin: Institut für Elektrische Energietechnik Arbeitsgruppe Erneuerbare Energien (mit grosser Adressedatenbank zum Thema Solarenergie)

• Internationales Wirtschaftsforum Regenerative Energienmit aktuellen Informationen aus Politik, Wirtschfaft und Forschung(IWR)

• Solarserver mit aktuellen Informationen aus Politik, Wirtschaft und ForschungSolarserver.de

• Software: – Valentin Energiesoftware: PVSOL, Meteonorm– Econzept Energieplanung: PVS2001

http://www.fv-sonnenenergie.de/

http://www.fv-sonnenenergie.de/institute/index.html

http://emsolar.ee.tu-berlin.de/




http://emsolar.ee.tu-berlin.de/adress/



http://www.iwr.de/

http://www.solarserver.de/

http://www.valentin.de/

http://www.valentin.de/

http://www.econzept.de/


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Diese Powerpoint Präsentation istüber meine Homepage

www.fh-trier.de/~molter -> Lehrtätigkeit

verfügbar.

Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit!

http://www.fh-trier.de/~molter


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