MODELO DE ALTA FRECUENCIA DEL FET

El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. Este describe tanto el

JFET como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen

un valor bajo en pF.

Las capacidades Cgs y Cgd, representan las capacidades distribuidas que

atraviesan el óxido entre la puerta y el canal. En el JFET representan las

capacidades de deplexión. El modelo se mejora agregando un resistor Ro en la

salida (rds).

El análisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado para

transistores bipolares.

Los condensadores que limitan la frecuencia de operación de un FET son:

capacidad puerta-fuente o Cgs, capacidad puerta-drenador o Cgd, y capacidad

drenador-fuente o Cds; generalmente Cgs >> Cgd, Cds. En la figura se indica el

modelo de pequeña señal y alta frecuencia para transistores FET.

Por conveniencia, los fabricantes miden las capacidades de un FET en

condiciones de cortocircuito a través de tres capacidades: Ciss o capacidad de

entrada con salida cortocircuitada, Coss o capacidad de salida con entrada

cortocircuitada, y Crss o capacidad de retroalimentación. Estas capacidades

varían con las tensiones de polarización; por ejemplo, en la gráfica

se indica el valor de estas capacidades en función de VDS. La relación entre

ambos tipos de capacidades es la siguiente

El terminal puerta de un FET no está aislado del de drenaje, sino que están

conectados a través de Cgd., esa capacidad puede descomponerse en dos: (1-

Av)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av= –gmRD||rd. Despreciando la segunda

capacidad que se suma a Cds, se observa que se incrementa notablemente la

capacidad de entrada (Ci) de puerta del FET. Al ser ésta la capacidad dominante,

la frecuencia de corte superior viene dada como

CAPACITANCIAS INTERNAS BJT

Modelo en bajas frecuencias

Modelo en altas frecuencias

Unión PN: Polarizada inversamente > Capacitancia de agotamiento = C j= decenas de pF

Polarizada directamente > CJ + Cd (Capacitancia de difusión, Cd>>Cj) = Cientos de pF

Unión Base-emisor= Cj+Cd= CΠ= Cbe = Ce

cib=capacitancia de entrada en base común

Unión Base colector= Cj = Cμ = Cbc = Cob

cob=capacitancia de salida en base común

CAPACITANCIAS INTERNAS FET

Modelo en bajas frecuencias

Modelo en altas frecuencias

Tanto para el MOSFET como el JFET, la capacitancia compuerta fuente es despreciable siendo de importancia las capacitancias parásitas entre las terminales. Cgs esta en el orden de las unidades de picofaradios