Download - Modelo de Alta Frecuencia Del Fet
MODELO DE ALTA FRECUENCIA DEL FET
El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. Este describe tanto el
JFET como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen
un valor bajo en pF.
Las capacidades Cgs y Cgd, representan las capacidades distribuidas que
atraviesan el óxido entre la puerta y el canal. En el JFET representan las
capacidades de deplexión. El modelo se mejora agregando un resistor Ro en la
salida (rds).
El análisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado para
transistores bipolares.
Los condensadores que limitan la frecuencia de operación de un FET son:
capacidad puerta-fuente o Cgs, capacidad puerta-drenador o Cgd, y capacidad
drenador-fuente o Cds; generalmente Cgs >> Cgd, Cds. En la figura se indica el
modelo de pequeña señal y alta frecuencia para transistores FET.
Por conveniencia, los fabricantes miden las capacidades de un FET en
condiciones de cortocircuito a través de tres capacidades: Ciss o capacidad de
entrada con salida cortocircuitada, Coss o capacidad de salida con entrada
cortocircuitada, y Crss o capacidad de retroalimentación. Estas capacidades
varían con las tensiones de polarización; por ejemplo, en la gráfica
se indica el valor de estas capacidades en función de VDS. La relación entre
ambos tipos de capacidades es la siguiente
El terminal puerta de un FET no está aislado del de drenaje, sino que están
conectados a través de Cgd., esa capacidad puede descomponerse en dos: (1-
Av)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av= –gmRD||rd. Despreciando la segunda
capacidad que se suma a Cds, se observa que se incrementa notablemente la
capacidad de entrada (Ci) de puerta del FET. Al ser ésta la capacidad dominante,
la frecuencia de corte superior viene dada como
CAPACITANCIAS INTERNAS BJT
Modelo en bajas frecuencias
Modelo en altas frecuencias
Unión PN: Polarizada inversamente > Capacitancia de agotamiento = C j= decenas de pF
Polarizada directamente > CJ + Cd (Capacitancia de difusión, Cd>>Cj) = Cientos de pF
Unión Base-emisor= Cj+Cd= CΠ= Cbe = Ce
cib=capacitancia de entrada en base común
Unión Base colector= Cj = Cμ = Cbc = Cob
cob=capacitancia de salida en base común
CAPACITANCIAS INTERNAS FET
Modelo en bajas frecuencias
Modelo en altas frecuencias
Tanto para el MOSFET como el JFET, la capacitancia compuerta fuente es despreciable siendo de importancia las capacitancias parásitas entre las terminales. Cgs esta en el orden de las unidades de picofaradios