elektronika i

Elektronika I

Ispitna pitanjaTUZLA

I Dio pitanja sa ispitnih rokova1. Skicirajte zavisnost kod poluprovodnika i provodnika?

2. ta je to koncentracija elektrona? Broj slobodnih elektrona u jedinici zapremine naziva se koncentracija elektrona i oznaava se sa . 3. Kako se odreuje statiki i dinamiki otpor termistora sa karakteristike ?

4. Skicirajte idealnu karakteristiku diode.

5. Pri kojim inverznim naponima je najmanja vrijednost dinamikog Zenerovog otpora? Najmanja vrijednost dinamikog Zenerovog otpora je pri naponima od 5 do 7 volti. ELEKTRONIKA I 6. Skicirajte primjenu Zener dioda za zatitu skretnog kalema kod instrumenata

1FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

7. Gdje se primjenjuju varikap diode? Varikap diode se primjenjuju u parametarskim pojaavaima i u ureajima za proizvodnju frekventne modulacije. 8. Skicirajte poloaj Fermijevih nivoa kod tunelskih diode.

Velike koncentracije primjesa uzrokovat e pomijeranje ferijevog nivoa koji se nalazi blizu Z.Z pa prei u Z.Z. isto vai i za fermijev nivo koji se nalazi u blizini slobodne zone. 9. Kako gkasi zavisnost kod varistora?

10. Skicirajte zonski dijagram izolatora, provodnika i poluprovodnika

11. ta je to koncentracija upljina? Broj upljina u jedinici zapremine naziva se koncentracija upljina i oznaava se sa . 12. Skicirajte zavisnost kod termistora

, 13. Skicirajte idealiziranu karakteristiku diode

konstante koje je potrebno odrediti.

FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

ELEKTRONIKA I

2

14. Skicirajte primjenu Zener dioda za dobijanje pravougaonih impulsa

15. Skicirajte statiku karakteristiku tunelske diode i oznaite podruije negativne provodnosti.

Prikljuenjem inverznog napona doi e do razdvajanja fermievih nivoa tako da moe proticati struja kroz spoj pa e vei broj elektrona iz tipa prei u tip, nego obratno. Podruije negativne provodnosti. 16. Opiite postupak dobijanja takaste diode. Dobija se kada se na kristal Ge pritisne opruga od volframa i propusti jak impuls struje, i ica se praktiki zavari za Ge te nastaje zaporni sloj i formira barijera. 17. Kako se mijenja specifini otpor poluprovodnika i provodnika sa dodavanjem primjesa? Ukoliko se poluprovodnicima dodaju primjese, njihova specifina otpornost znaajno se mijenja npr ako se istom Ge doda samo nekog elementa njegova provodnost se povea za 10 000 puta, dok se kod provodnika ne mijenja ili se neznatno mijenja. 18. Kakva je koncentracija primjesa u Koncentracije primjesa u tipu poluprovodnika?

tipu poluprovodnika su priblino jednake tip, tip i za tip poluprovodnika! ELEKTRONIKA I

19. Izvedite izraz za Fermijev nivo


20. Koliko iznosi proizvod koncentracija elektrona i upljina u bilo kojem tipu poluprovodnika?

21. Dali se potencijalna barijera iri ili suava ukoliko se poveava napon direktne polarizacije diode? Potencijalna barijera se suava ukoliko se poveava napon direktne polarizacije diode. 22. Kakvu koncentraciju primjesa ima varikap dioda sa linearnom barijerom? Koncentracija primjesa u varikap diodi sa linearnom barijerom se mijenja po linearnom zakonu a iznosi odnosno 23. Skicirajte statiku karakteristiku Zener diode!

24. Koju osobinu imaju amorfna vrsta tijela? Amorfna vrsta tijela imaju osobinu izotropije, to znai da imaju iste fizike osobine u svim smjerovima. Atomi i molekule su haotino rasporeeni u prostoru. 25. Dali se potencijalna barijera iri ili suava ukoliko se poveava po apsolutnoj vrijednosti inverzni napon diode? Ukoliko se poveava po apsolutnoj vrijednosti inverzni napon diode, potencijalna barijera se iri.


ELEKTRONIKA I

4

26. Skicirajte karakteristiku inverzne diode.

Ova dioda se dobije kada se dodaje manja koncentracija primjesa u odnosu na tunelsku diodu a vea koncentracija primjesa u odnosu na obinu diodu. 27. Zbog ega razne vrste zraenja jae utiu na poluprovodnike nego na izolatore? Razne vrste zraenja jae utiu na poluprovodnike zato to mogu predati elektronima dovoljno energije da oni preu iz valentne u slobodnu zonu, a ime se bitno mijenja specifina provodnost poluprovodnika. Ona se poveava! 28. Kako se definie termiki napon i ta predstavlja?

To je potencijalna razlika koja moe zaustaviti naelektrisanu esticu sa prosjenom kinetikom energijom. 29. Kako se definie vremenska konstanta termistora? Vrijeme koje protekne od iskljuenja termistora sa napajanja do trenutka kada mu se temperatura smanji za e puta naziva se vremenska konstant atermistora. 30. Nacrtajte emu dvostranog ispravljaa. U paraleli sa otporom optereenja nema spojenog kondenzatora. Skicirajte talasni oblik izlaznog napona

31. Skicirajte zavisnost

varikap diode? ELEKTRONIKA I


32. Gdje se primjenjuju varistori? Varistori se primjenjuju kao mnoai, za zatitu kontakata, kao stabilizatori napona, kao katodni odvodnici, itd. 33. Kako se definie temperaturni koeficijent otpora varistora?

34. ta je fonon? Fononi su hipotetike estice koje kre oko atoma. Koncentracija fonona zavisi od temperature tj. to je vea temperature vea gustoa fonona. 35. Kako se odreuju konstante termistora i ?

36. Skicirajte promjenu dinamikog Zenerovog otpora za razliite vrijednosti Zenerovog napona

37. Koje su prednosti takaste diode u odnosu na ostale klasine polupprovodnike diode? Prednost im je u odnosu na ostale diode to imaju veoma mali kapacitet znaajan na visokim frekvencijama. 38. Skicirajte elektrinu emu u kojoj je varistor upotrebljen za zatitu od prenapona?


ELEKTRONIKA I

6

39. Skicirajte karakteristiku termistora karakteristiku?

i napiite analitiki izraz koji opisuje datu

40. Sa poveanjem koncentracije primjesa Zenerov proboj se... (poveava ili smanjuje) Vjerovatnoa da e doi do Zenerovog proboja se poveava to je barijera tanja, a ona je tanja ukoliko imamo vie primjesa. 41. Zbog ega je debljina potencijalne barijere tunelske diode tanja od klasine ispravljake diode? Tunelske diode izraene su na bazi degenerisanih poluporvodnika p-n tipa i zato imaju usku potencijalnu barijeru. (Degenerisani poluprovodnik ima veliku koncentraciju primjesa) 42. Skicirajte poloaj Fermijevih nivoa kod PN spoja tunelske diode pri maksimalnoj tunelskoj struji

43. Nacrtati elektrinu emu u kojoj je Zenerova dioda upotrijebljena za stabilizaciju napona

44. Na koji nain se definie gustina kvantnih stanja poluprovodnika?

45. Kako moe nastati toplotni proboj kod zener diode? Maksimalno dozvoljena snaga Zener diode ne smije biti prekoraen, jer bi tada nastupilo pretjerano zagrijavanje diode, to bi dovelo do toplotnog proboja i unitenja diode.FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

ELEKTRONIKA I

7

DODATAKPostoje etiri tipa veza izmeu estica i kristala: Jonska, Kovalentna, Molekularna, Metalna Jonska veza Opaa se kod jonskih kristala kod i izmeu njih djeluju elektrostatike sile koje obezbjeuju da imamo pravilan raspored unutar kristalne reetke. Metalna veza Metalna veza je karakteristina za kristale metala i daje dobre mehanike osobine metalima. Kod metala su valentni elektroni najslabije vezani za jezgro, tako da i pri T=0K valentni elektroni prelaze u slobodnu zonu. Djeluju jake elektrostatike sile i na taj nain dolazi do formiranja metalne veze. Van-der valsova veza (Molekularna) Pojavljuje se kod kristala koji obrazuju dipole. Centri pozitivnog i negativnog naelektrisanja se ne podudaraju onda se oni privlae (suprotni) na taj nain se izmeu takvih dipola formira Van-der valsova veza. Ova veza je slabija u odnosu na prethodne dvije veze. Kovalentna veza Kod kovalentnih kristala, Si, Ge i osnovu ove veze ine zajedniki elektroni. Dolazi do zajednikih orbita zajednikih elektrona. Kovalentna veza se uglavnom opaa kod poluprovodnika. Valentna zona vezana je za energiju atoma.

Fermi dirakova funkcijaVjerovatnoa da neki elektron ima energiju na temperaturi se izraava Fermi - Dirakovom funkcijom tj.,

Vjerovatnoa da upljina moe imati energiju na temperaturi

je data slijedeom relacijom:

- za isti poluprovodnik


ELEKTRONIKA I

8

Teorija rada dioda

Slika 2. Odnosi u p-n-kristalu (a): (b) koncentracija elektrona i upljina (c) gustina elektriciteta (d) jaina elektrinog polja i (e) kontaktni napon


ELEKTRONIKA I

Sapajanjem p i n tipa poluprovodnika dolazi do izjednaavanja Fermievih nivoa tako da energetski dijagram za P N spoj ima slijedeci oblik.

9

Kontaktni napon izmeu

i

tipa poluprovodnika je dat slijedeim relacijama:

Da bi electron ili upljina prela sa jednog nivoa na drugi mora savladati odreeni napon koji je vezan za razliku energija.Ovo je bila analiza spoja kada nema vanjskog napajanja.

Inverzna polarizacija ne protie struja ( Dolazi do sabiranja unutranjeg i vanjskog polja, te se potencijalna barijera iri ). b) Direktna polarizacija i diode provodi struju (Smjer elektrinog polja bie suprotan unutranjem polju te se potencijalna barijera suava, te protie stuja do nekog praga te onda eksponencijalno raste). a)

Parametri diodeStatiki i dinamiki otpor - Statiki i dinamiki otpor se odreuje u radnoj taki. Disipacija - Maksimalna snaga koju moe da podnese diode. Dioda zavisi od materijala tako da dva osnovna materijala za posljedica irine zaporne oblasti (za Si vea nego za Ge).

prag

i

prag

. To je direktno ELEKTRONIKA I


Temperatura dolazi do poveanja inverzne struje zasienja.

Proboj u poluprovodniku (imamo 4 vrste proboja)

Zenerov proboj Nastaje zbog tunelskog efekta koji je poznat u kvantnoj mehanici. Obzirom da elektron ima i talasne i korpuskularne osobine moe se dogoditi da elektron prolazi kroz potencijalnu barijeru iako nema dovoljnu energiju po zakonima. I vjerovatnoa je utoliko vea to je barijera manja to znai ako se doda vea koncentracija primjesa dobija se tanja barijera. Lavinski proboj Ima struju elektrona koja pod uticajem inverznog (napona) polja ulazi u potencijalnu barijeru i bombarduje jone te ih izbija, a joni pod uticajem polja bivaju ubrzani te na taj nain imamo uticaj lavinskog proboja i protok struje. Fiziki postoji samo lavina elektrona. Toplotni proboj Poveanjem temperature dolazi do vee koncentracije elektrona (upljina) te do proticanja velike inverzne struje i proboja. Temperaturni proboj ima eksponencijalnu zavisnost. Zavisi od vrste poluprovodnika:

Povrinski proboj Nastaje zbog uprljanosti povrine poluprovodnika. U toku proizvodnje on se ne moe kontrolisati. PARAMETRI ZENER DIODE Statiki otpor odnos izmeu struje i napona u radnoj taki. Dinamiki otpor Pri naponima priblino 6 V ovaj otpor ima najmanju vrijednost. Zenerov napon napon pri kojem nastaje proboj . Temperaturni koeficijent zenerovog napona - odreuje relativnu promjenu zenerovog napona pri promjeni temperature za 1K.

Max i min struja da bi dioda radila moramo imati rad diode u odreenom diapazonu . Radno podruije mora biti u ovom diapazonu. Disipacija - proizvod struje i napona ne smije prei odreenu vrijednost snage. Ukoliko se preskoi dolazi do toplotnog proboja.FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

11

ELEKTRONIKA I

Varikap dioda sa stepenastom potencijalnom barijerom

Razliku potencijala

predstavlja:

Varikap dioda sa linearnom barijerom


ELEKTRONIKA I

Gustinu naelektrisanja moemo prikazati sa linearnom kombinacijom

Parametri Tunelske diode Statiki i dinamiki otpor

Maksimalna i minimalna struja Zatim parametar (zavisi od vrste materijala od kojeg je dioda napravljena).

Vrijeme prebacivanja To je vrijeme dok dioda ne pree iz take P u taku Q. Znaajno je u kolima za dobijanje vrlo kratkih impulsa. Disipacija


ELEKTRONIKA I

II Dio pitanja sa ispitnih rokova1. Zbog ega se bipolarni tranzsitor ne ponaa isto u direktnom i inverznom reimu rada? Inverzan reim rada bio bi isti kao i aktivan ako su K i E isti (-isto). Zamijene se E i K. Inverzno aktivno podruje rada (kada je emiterski spoj zaporno polariziran, a kolektorski propusno) identino je normalnom aktivnom podruju, samo to su kolektor i emiter zamijenili uloge (kolektor injektira nosioce u bazu, a emiter ih sakuplja. 2. Na koji nain se mogu smanjiti parazitni kapaciteti kod bipolarnog tranzsistora? Sa poveanjem frekvencije moemo da smanjimo parazitni kapacitet. Upotrebom silicija na izolatoru (silicon on insulator SOI) mogu se smanjiti parazitni kapaciteti tranzistora 3. Skicirajte strukturu dinistora i odgovarajuu statiku karakteristiku.

4. Kako nastaju potencijalne jame kod heteroprelaza? Usljed razliite irine dolazi do potencijalnih jama izmeu P i N spoja i tu se elektroni nagomilavaju. Heteroprijelazi se mogu formirati i kao P-P tip i kao N-N tip samo razliitih materijala i nazivaju se izotipni termoprijelazi. ELEKTRONIKA I 5. ime je odreeno vrijeme preleta lavinsko-proletne diode? Vrijeme preleta lavinsko proletne diode odreeno je brzinom zasienja elektrona

6. Skicirajte zonski dijagram poluprovodnika kod kojeg moe nastati Ganov efekat? Mehanizam nastajanja oscilacija u poluprovodniku je baziran na zapreminskom efektu.


7. Navedite oblast primjene amorfnih poluprovodnika. Primjena je bazirana na realizaciju veoma brzih prekidaa. 8. Na koji nain se moe smanjiti vrijeme difuzije kod bipolarnog tranzistora? Kapacitet B-C puno vie utie na gr.frekv. nego kapacitet B-E. Trebalo bi smanjiti povrinu izmeu B . Dodamo drugu elektrodu na bazu. Dobijamo uu povrinu. Smanjen je kapacitet , ali je povean otpor Baze. Ugradimo E i C tako da je baza veoma kratka i vrijeme difuzije je smanjeno.

9. Skicirajte ekvivalentnu emu Fotogeneratora (na emi oznaite napone i struje koje teku unutar modela)

10. Skicirajte strukturu tiristora i odgovarajuu statiku karakteristiku?


ELEKTRONIKA I

11. Skicirajte energetski dijagram heteroprelaza?

12. Skicirajte Ebers Molov model tranzistora (napiite izraze za sruje koje oznaite na modelu tranzistora)

13. Nacrtajte ekvivalentnu emu jednoprelaznog tranzistora sa oznaenim polarizacijama naponskih izvora koji se prikljuuju na tranzistor.

14. Skicirajte strukturu mosfet tranzistora sa ugraenim

kanalom i skicirajte zavisnost

(

)


ELEKTRONIKA I

15. Skicirajte strukturu DIAKA i odgovarajuu statiku karakteristiku.

16. Skicirajte strukturu fototranzistora. Pod uticajem svjetlosti struja kroz emiterski spoj e protei ukoliko je osvijetljen i dio izmeu emitera i baze. Inverzna struja zasienja Baza Colector.

17. Zbog ega se Ganov efekat opisuje kao zapreminski efekt? U ganovom oscilatoru ne postoji prijelazni sloj, ve ploica poluprovodnika predstavlja homogeni materijal. Upravo zbog toga oscilacije se generiraju u zapremini ploice zapreminski efekat. 18. Koje su prednosti tranzistora na bazi heteroprelaza? Struja difuzije E B je vea od struje difuzije B E tj efikasnost emitera je vea, bolji koeficijent strujnog pojaanja, smanjen kapacitet E B, vie granine frekvencija. 19. Koji parametri utiu na gornju graninu frekvenciju tranzistora? Parazitini kapacitet tranzistora Vrijeme difuzije Otpor Baze 20. Nacrtajte strukturu jednoprelaznog tranzistora. ELEKTRONIKA I


21. Zbog ega je ulazni otpor unipolarnog tranzistora vei nego kod bipolarnog tranzistora? Ulazni otpor bipolarnog tranzistora predstavlja inverzni otpor diode koju obrazuju oko . I to je velika prednost u odnosu na bipolarne tranzistore. 22. Skicirajte zavisnost kod dinistora. i tip i iznosi

I porast struje usljed napona ; II proboj ; IV zasienje ; V inverzno polarisan 23. Kako glasi Ajntajnov zakon fotoefekta?

III nagli porast usljed lavinske jonizacije

Za kolo moe proticati struja samo ako je frekvencija svjetlosti frekvencija koja zavisi od vrste materijala. 24. Kako se definie provodnost fotootpornika? Gdje je primjese,

koja pada na katodu vea od neke granine

prirataj provodnosti poluprovodnika. Na raun poveane pokretljivosti , koncentracija elektriciteta.

utiu: energija,

25. U kom reimu rade lavinsko-proletne diode? U reimu lavinskog proboja. ( u reimu inverzne polarizacije kako bi mogao da nastupi lavinski efekt) 26. ta je to heteroprelaz? Imaju P N prijelazni sloj na bazi dvije vrste materijala provodnika. Npr P N prijelazni sloj je proizveden na bazi P tipa i N tipa i obratno. ELEKTRONIKA I 27. Kako se mogu klasificirati amorfni poluprovodnici? Kao materijali sa velikim promjerom otpora; kao materijali sa negativnim diferencijalnim otporom do kao materijali sa dva upravljiva stanja provodnosti; kao materijali sa dva stabilna prekidaka stanja i funkcionalni (imaju sve ove osobine). ;


28. Skicirajte strukturu TRIAKA i odgovarajuu statiku karakteristiku.

29. Kako otpor baze utie na gornju gornju graninu frekvenciju bipolarnog tranzistora? Otpor baze treba da bude to manji da bi granina frekvencija bila via. Meutim, smanjenjeotpora baze veim botiranjem primjesa ima za posljedicu i smanjenje efikasnosti emitera, to nije poeljno, tako da treba pronai odgvarajui kompromis. 30. Skicirajte zavisnost kod kanalnog unipolarnog tranzistora.

31. Na koje tranzistore (unipolarne ili bipolarne) vie utie temperatura. Karakteristike unipolarnih ne zavise od vremena ivota sporednih nosilaca elektriciteta, snienjem temprature parametri se nee promijeniti. Ovi tranzistori mogu da se koriste i na temperaturi u kolu pojaavaa, dok je kod bipolarnih to nemogue. 32. Da li kod MOSFET tranzistora sa indukovanim kanalom protie struja izmeu elektroda D i S kada je elektroda G na istom potencijalu kao i elektroda S? Ako prikljuimo napon na S-D nee proticati struja. 33. Koji uslov mora biti ispunjen da bi nastala sopstvena apsorpcija kod poluprovodnika? ELEKTRONIKA I Energija fotona (svjetlosti) mora biti vea od irine zabranjenog pojasa. 34. Kako se definie spektralna osjetljivost kod fotoprovodnika? Odnos fotostruje i svjetlosnog fluksa pri odreenom naponu na fotoprovodniku, samo to se svjetlosni fluks uzima iz odgovarajueg monohromatinog svjetlosnog izvora (sijalica od 100 ). ;


35. Skicirajte strukturu lavinsko proletne diode.

36. Opiite Ganov efekat. Kako tanka ploica generira visokofrekventne oscilacije kada se na nju prikljui jednosmjerni napon stvara dovoljno veliko elektrinopolje i ovo se naziva Ganov efekat. 37. Nabrojte parazitne kapacitete bipolarnog tranzistora. Kapacitet Baza Emiter ; Baza Kolektor ; Emiter Kolektor ; Kristal Kuite 38. Skicirajte zavisnost kod jednoprelaznog tranzistora.

39. Na koje tranzistor (unipolarne ili bipolarne) vie utiu zraenja? Kada se poluprovodnik izloi zraenju dolazi do skraenja vremena ivota sporednih nosilaca elektriciteta, zbog stvaranja rekombinacionih centara u kristalnoj strukturi. S obzirom da u unipolarnim struju odreuju osnovni nosioci elektriciteta, proticanje struje e daleko manje zavisiti od spoljanjih radijacija. 40. Kako se opisuju reimi osiromaenja kod MOSFET tranzistora? U reimu osiromaenja porastom napona po apsolutnoj vrijednosti smanjuje se koncentracija nosilaca elektriciteta u kanalu, pa shodno tome i struja . 41. Koji prijelazi nastaju kod primjesne apsorpcije? I. elektron prelazi iz valentne zone na akceptorski nivo II. elektron prelazi sa donorskog nivoa u slobodnu zonu 42. Nabrojte znaajne parametre na bazi heteroprijelaza. I. Vrijeme potrebno da dioda pree iz provodnog u neprovodno stanje nakon iskljuivanja anodnog napona (vrijeme neutralizacije sporednih nosilaca elektriciteta). II. Inverzni probojni napon koji treba da bude to vei III. Pad napona u direktnom smjeruFAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

20

ELEKTRONIKA I

43. Skicirajte NPN bipolarni tranzistor i oznaite struje koje teku unutar struktura.

44. Skicirajte NPN bipolarni tranzistor i oznaite struje koje teku unutar struktura.

45. Kako sa statike karakteristike FET tranzistora odreujemo parametar strmina (skicirajte statiku karakteristiku).

46. Navedite razliku izmeu bipolarnih i unipolarnih tranzistora. Manji umovi kod unipolarnih jer nema rekombinacije nosilaca elektriciteta Manja zavisnost karakteristika tranzistora od zraenja Manji uticaj temperature na rad tranzistora (unipolarni se mogu koristiti i na temperaturi do kolu pojaavaa dok je kod bipolarnih to nemogue)

u


ELEKTRONIKA I

47. Nabrojte parametre fotootpornika. Provodnost u tami Maksimalno dozvoljen napona Maksimalna disipacija snage Vremnska konstanta Integralna osjetljivost Spektralna osjetljivost Prag osjetljivosti 48. Skicirajte strukturu kristalne tetrade.

49. Skicirajte na zonskom dijagramu prelaze koji nastaju kod sopstvene apsorpcije?

50. Pri kojim prelazima nastaje emitovanje svjetlosti kod LED dioda? Prvi prelazi (rekombinacija upljina i elektrona se odvija bez nastajanja fonona) Nepravi prelaz (pri rekombinaciji se stvara fonon)


ELEKTRONIKA I

DODATAKParametri bipolarnog tranzistora: 1. Efikasnost emitera 2. Koeficijent prijenosa 3. Efikasnost kolektora 4. Strujni koeficijent pojaanja Reimi rada bipolarnog tranzistora

a) Aktivan reim rada b) Inverzan reim rada bio bi isti kao i aktivan ako su K i E isti (-isto). Zamijene se E i K.

c) Zasienje - oba spoja su direktno polarisana, tranzistor provodi struju i ponaa se kao zatvoren prekida. d) Zakoenje oba spoja su inverzno polarisana i tranzistor se ponaa kao otvoren prekida.

Parametri tranzistora sa efektom polja 1. Unutranji otpor 2. Strmina (dobija se sa ulazne karkteristike tranzistora) 3. Pojaanje (predstavlja naponsko pojaanje komponenti, odreuje se sa izlazne karakteristike tranzistora pri d=const).FAKULTET ELEKTROTEHNIKE | SUDO

23

ELEKTRONIKA I

Parametri jednoprijelaznog tranzistora 1. Inverzna struja 2. U i I u takama A i B 3. Disipacija

Generator testeratih oscilacija

Parametri dinistora:1. 2. 3. 4. 5. 6. Vrijednost struje kada je komp. Iskljuenja U i I u takama A i B Kapacitet komp. U stanju iskljuenja Vrijeme iskljuenja (koriste se u kolima energetske elektrotehnike) Vrijeme iskljuenja Disipacija

Mehanizmi apsorpcije svjetlosti u poluprovodniku 1. Sopstvena ili fundamentalna apsorpcija 2. Prijenosna apsorpcija 3. Akceptorsko-donorska primjesa 4. Apsorpcija slobodnih nosilaca elektriciteta 5. Apsorpcija kristalne reetke


ELEKTRONIKA I

elektronika i

Documents