KATA PENGANTAR
Segala puji atas kebesaran Sang Khalik yang telah menciptakan alam
semesta dalam suatu keteraturan hingga dari lisan terpetik berjuta rasa syukur
kehadirat ALLAH SWT. Karena atas limpahan Rahmat dan Karunia-Nyalah
sehingga kami diberikan kesempatan dan kesehatan untuk dapat menyelesaikan
makalah “TRANSISTOR” yang terlaksana dengan baik. Shalawat dan salam
senantiasa tercurah kepada baginda Nabi Muhammad SAW, yang diutus ke
permukaan bumi ini menuntun manusia dari lembah kebiadaban menuju ke
puncak peradaban seperti sekarang ini.
Kami menyadari sepenuhnya,dalam penyusunan makalah ini tidak
lepas dari tantangan dan hambatan. Namun berkat kerja keras dan motivasi dari
pihak-pihak langsung maupun tidak langsung yang memperlancar jalannya
penyusunan makalah ini. Olehnya itu, secara mendalam kami ucapkan banyak
terimah kasih atas bantuan dan motivasi yang diberikan sehingga Penyusun dapat
menyelesaikan makalah ini.
Akhirnya dengan segala kerendahan hati kami menyadari bahwa
hanya kepada AlLAH SWT jualah kita menyerahkan segalanya. Semoga kita
semua mendapat curahan Rahmat dan Ridho-Nya, Aamiin.
Banjarmasin., 30 september 2013
Penyusun
DAFTAR ISI
Kata pengantar...........................................................................................................
Daftar Isi................................................................................................................
BAB I Pendahuluan ...................................................................................................
A. Latar Belakang........................................................................................
B. Tujuan Pembahasan.......................................................................................
C. Rumusan Masalah.........................................................................................
D. Batasan Masalah.........................................................................................
BAB II Pembahasan...................................................................................................
A. Pengertian Transistor
B. Jenis – Jenis Transistor
C. Uni Juction Transistor
D. Field Effect Transistor
E. Mosfet
BABIII Penutup
A. Kesimpulan
B. Daftar Isi
BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi
semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sirkuit sumber listriknya. Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita
ukur sentimeter) Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan
atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar
yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat
penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor
digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras
suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-
rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
Cara kerja transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya
ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor
bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara
berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi
utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang,
untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati
satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan
ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran
arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari
tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi
sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan
transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan
ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan
yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.
1.2 Rumusan Makalah
1. Menjelaskan Tentang FET (Field Effect Transistor)
2. Menjelaskan Tentang Mosfet
1.3 Tujuan pembahasan
Agar mahasiswa-mahasiswi untuk meningkatkan pengetahuan
mengenai elektronika semikonduktor dan pengetahuan lebih mendalam
tentang Jenis Transistor FET (Field Effect Transistor) dan Mosfet,
kemudian dipaparkan lebih sederhana agar mudah untuk pemahamahan
dan pembahasannya.
1.4 Batasan Masalah
Berdasarkan Rumusan masalah kami hanya membahas mengenai
1. FET (Field Effect transistor)
2. Mosfet
BAB II
PEMBAHASAN
2.1 Field Effect Transistor (FET)
Gambar 2.1 : ilustrasi gambar FET ( Field Effect Transistor)
FET (Field Effect Transistor ) digunakan untuk mengontrol
arus antara dua titik tapi tidak begitu berbeda dari transistor bipolar. FET
beroperasi dengan efek medan listrik pada aliran elektron melalui satu
jenis bahan semikonduktor. Sehingga FET kadang-kadang disebut
transistor unipolar. Juga, tidak seperti semikonduktor bipolar yang dapat
diatur dalam berbagai konfigurasi untuk menyediakan dioda, transistor,
perangkat fotolistrik. perangkat sensitif suhu dan sebagainya, efek medan
biasanya hanya digunakan untuk membuat transistor, meskipun FETs juga
tersedia sebagai dioda untuk tujuan khusus, untuk digunakan sebagai
sumber arus konstan.
Arus bergerak dalam FET dalam saluran, dari koneksi sumber ke
sambungan saluran. Sebuah gerbang terminal menghasilkan medan listrik
yang mengontrol arus . Saluran ini terbuat dari kedua jenis N-atau P-jenis
bahan semikonduktor, sebuah FET ditentukan baik sebagai N-channel atau
P-channel pada perangkat. Mayoritas pembawa mengalir dari sumber ke
drain. O)- In P-channel devices, the flow of holes requires that VDS <
0.”>Dalam perangkat N-channel, elektron mengalir sehingga potensi al
drain harus lebih tinggi dari Sumber (VDS> O) – Dalam perangkat P-
channel, aliran lubang mensyaratkan bahwa VDS <0. Polaritas medan
listrik yang mengontrol arus dalam saluran ditentukan oleh pembawa
mayoritas saluran, biasanya positif untuk P-channel FET dan negatif untuk
N-channel FET.
Gambar 2.2
Variasi teknologi FET didasarkan pada cara yang berbeda untuk
menghasilkan medan listrik. Namun, elektron di gate hanya digunakan
untuk men-charge dalam rangka untuk menciptakan medan listrik di
sekitar saluran, dan ada aliran minimal elektron melalui gate. Hal ini
menyebabkan resistensi masukan yang sangat tinggi de dalam perangkat
yang menggunakan FETs untuk input rangkaian. Mungkin ada sedikit
kapasitansi antara gate dan terminal FET lainnya, namun. Input Impedansi
mungkin cukup rendah di RF.
Arus melalui FET hanya untuk melewati satu jenis bahan
semikonduktor. Ada hambatan yang sangat kecil tanpa adanya medan
listrik (tidak ada tegangan bias). drain-source resistance (RDS) adalah
antara beberapa ratus ohm sampai kurang dari satu ohm. Output Impedansi
dari perangkat yang dibuat dengan FETs umumnya cukup rendah. Jika
tegangan bias gate ditambahkan untuk mengoperasikan transistor
mendekati cut-off, output impedansi rangkaian mungkin jauh lebih tinggi.
Perangkat FET dibangun pada substrat yang diolah dari bahan
semikonduktor. Saluran ini terbentuk di dalam substrat dan memiliki
polaritas yang berlawanan (P-channel FET memiliki N-jenis substrat). Fets
kebanyakan dibangun dengan silikon. Untuk untuk mencapai gain-
bandwidth yang lebih tinggi, bahan lainnya telah digunakan. Arsenat
Gallium (GaAs) memiliki mobilitas elektron dan kecepatan pergeseran
yang jauh lebih tinggi dari silikon doped standar, Amplifier dirancang
dengan perangkat GaAs FET memiliki respon frekuensi yang lebih tinggi
dan faktor kebisingan yang lebih rendah di VHF dan UHF dari yang dibuat
dengan standar FETs.
Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor biasa
ialah antara lain penguatannya yang besar, serta desah yang rendah.
Karena harga FET yang lebih tinggi dari transistor, maka hanya digunakan
pada bagian-bagian yang memang memerlukan.
Bentuk fisik FET ada berbagai macam yang mirip dengan transistor. Jenis
FET ada dua yaitu Kanal N dan Kanal P. Kecuali itu terdapat pula macam
FET ialah Junktion FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET
(MOSFET).
Gambar 2.3 : symbol dan gambar transistor type FET
2.2 MOSFET
Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida
(MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar
perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada
tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N
dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS,
pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital
maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub pada satu waktu
lebih umum.
A. Etimologi
Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya
merupakan nama yang salah karena bahan gerbang yang dahulunya lapisan
logam-oksida sekarang telah sering digantikan dengan lapisan polisilikon
(polikristalin silikon). Sebelumnya aluminium digunakan sebagai bahan
gerbang sampai pada tahun 1980 -an ketika polisilikon mulai dominan
dengan kemampuannya untuk membentuk gerbang menyesuai-sendiri.
Walaupun demikian, gerbang logam sekarang digunakan kembali karena
sulit untuk meningkatkan kecepatan operasi transistor tanpa pintu logam.
IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor
efek-medan gerbang-terisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET,
meskipun dapat merujuk ke semua FET dengan isolator gerbang yang
bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk pada
perangkat dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih
menyebutnya MOSFET.
B. Komposisi
Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun
beberapa produsen IC, terutama IBM, mulai menggunakan campuran
silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal MOSFET. Sayangnya,
banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik
daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk
antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik sehingga tidak cocok
untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat
isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor
lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus
gerbang, dielektrik κ tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator
gerbang, dan gerbang logam kembali digunakan untuk menggantikan
polisilikon1.
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara
tradisional adalah silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan
teknologi silicon oxynitride. Beberapa perusahaan telah mulai
memperkenalkan kombinasi dielektrik κ tinggi + gerbang logam di
teknologi 45 nanometer.
Gambar 3.1 :Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.
C. Simbol Sirkuit
Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar
umumnya garis untuk saluran dengan kaki sumber dan cerat
meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali sejajar dengan
kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang
tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan
garis lurus untuk moda pemiskinan.
Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke
bagian tengan kanal dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS.
Panah selalu menunjuk dari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalam 1 "Intel 45nm Hi-k Technology"
sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk kedalam (dari
badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya
dilakukan) kadang-kadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu
dengan sumber dan meninggalkan transistor. Jika badan tidak ditampilkan
(seperti yang sering terjadi pada desain IC desain karena umumnya badan
bersama) simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk menunjukkan
PMOS, sebuah panah pada sumber dapat digunakan dengan cara yang
sama seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk untuk
PMOS).
Kanal-P
Kanal-N
JFET MOSFET pengayaanMOSFET pemiskinan
Gambar 3.2 : Simbol Sirkuit pada Mosfet
Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini
dihubungkan internal ke sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun
tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi. Pada dasarnya, MOSFET
adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang
berbagi sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber
semua transistor.
D. Operasi MOSFET2
1. Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida
Gambar 3.3 :Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P
Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan
menumbuhkan selapis oksida silikon di atas substrat silikon dan
mengendapkan selapis logam atau silikon polikristalin. Karena oksida
silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan
kondensator planar dengan salah satu elektrodenya digantikan dengan
semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan
ini mengubah penyebaran muatan dalam semikonduktor. Umpamakan
sebuah semikonduktor tipe-p (dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p
kepadatan lubang; p = NA pada badan netral), sebuah tegangan positif
dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan memaksa
lubang bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka
gerbang-isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa.
Jika cukup tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif
membentuk lapisan inversi dibawah antarmuka antara semikonduktor dan
isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana kepadatan elektron pada
2 Yannis Tsividis (1999). Operation and Modeling of the MOS Transistor (ed. Edisi kedua). New York: McGraw-Hill. ISBN 0-07-065523-5.
lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan disebut
tegangan ambang.
Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n,
yang mana membutuhkan penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.
2. Struktur MOSFET dan formasi kanal
Gambar 3.4 : Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)
Gambar 3.5 Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)
Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida
(MOSFET) adalah berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh
kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan elektrode gerbang yang
terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti dengan
sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah
oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan
oksida, peranti mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–logam–
terisolasi (MISFET) atau FET gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET
menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang
disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari
daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi
keduanya harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah
badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai
dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan
tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber
dan cerat adalah daerah 'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti
yang dijelaskan di atas, dengan tegangan gerbang yang cukup, di atas
harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan inversi
atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang
menghantar ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus dialirkan
melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara sumber dan
cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang
terpopulasi dan hanya sedikit arus bocoran praambang yang dapat
mengalir dari sumber ke cerat.
3. Moda operasi
Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang
berbeda, bergantung pada tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk
mempermudah, perhitungan dibawah merupakan perhitungan yang telah
disederhanakan3 4
3 William Liu (2001). MOSFET Models for SPICE Simulation. New York: Wiley-Interscience. ISBN 0-471-39697-4.4 http://www.designers-guide.org/links.html
Untuk sebuah MOSFET salur-n moda pengayaan, ketiga moda
operasi adalah:
4. Moda Inversi Lemah
Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika
VGS < Vth
dimata V_th adalah tegangan ambang peranti.
Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak
ada penghantar antara sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya,
distribusi Boltzmann dari energi elektron memungkinkan beberapa
elektron berenergi tinggi pada sumber untuk memasuki kanal dan mengalir
ke cerat, menghasilan arus praambang yang merupakan fungsi
eksponensial terhadan tegangan gerbang–sumber. Walaupun arus antara
cerat dan sumber harusnya nol ketika transistor minatikan, sebenarnya ada
arus inversi-lemah yang sering disebut sebagai bocoran praambang.
Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar
gerbang-ke-sumber VGS56[
,
dimana ID0 = arus pada dan faktor landaian n didapat dari
,
dengan = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan = kapasitansi
dari lapisan oksida.
Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil
keuntungan dari bocoran praambang.789 Dengan menggunakan daerah
inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit tersebut memberikan perbandingan 5 P R Gray, P J Hurst, S H Lewis, and R G Meyer (2001). Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (ed. Edisi Keempat). New York: Wiley. hlm. 66-67. ISBN 0-471-32168-0.6 P. R. van der Meer, A. van Staveren, A. H. M. van Roermund (2004). Low-Power Deep Sub-Micron CMOS Logic: Subthreshold Current Reduction. Dordrecht: Springer. hlm. 78. ISBN 1402028482.7 Leslie S. Smith, Alister Hamilton (1998). Neuromorphic Systems: Engineering Silicon from Neurobiology. World Scientific. hlm. 52-56. ISBN 9810233779.
transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi ( ),
hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah
dikarenakan arus penggerak yang rendah.10 11
Gambar 3.6 : arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa
harga , perbatasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan
(aktif) diperlihatkan sebagai lengkung parabola di atas
Gambar 3.7 : Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat
terlihat bahkan didekat cerat
8 Satish Kumar (2004). Neural Networks: A Classroom Approach. Tata McGraw-Hill. hlm. 688. ISBN 0070482926.9 Manfred Glesner, Peter Zipf, Michel Renovell (2002). Field-programmable Logic and Applications: 12th International Conference. Dordrecht: Springer. hlm. 425. ISBN 3540441085.10 Sandeep K. Shukla, R. Iris Bahar (2004). Nano, Quantum and Molecular Computing. Springer. hlm. 10 and Fig. 1.4, p. 11. ISBN 1402080670.11 Ashish Srivastava, Dennis Sylvester, David Blaauw (2005). Statistical Analysis and Optimization For VLSI: Timing and Power. Springer. hlm. 135. ISBN 0387257381.
Gambar 3.8 : Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik
didekat cerat
5. Moda trioda
Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik1213) yaitu
ketika VGS > Vth dan VDS < ( VGS - Vth ).
Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang
memungkinkan arus untuk mengalir di antara sumber dan cerat. MOSFET
beroperasi seperti sebuah resistor, dikendalikan oleh tegangan gerbang
relatif terhadap baik tegangan sumber dan cerat. Arus dari cerat ke sumber
ditentukan oleh:
dimana adalah pergerakan efektif pembawa muatan, adalah lebar
gerbana, adalah panjang gerbang dan adalah kapasitansi oksida
gerbang tiap unit luas. Transisi dari daerah eksponensial praambang ke
daerah trioda tidak setajam seperti yang diperlihatkan perhitungan.
6. Moda penjenuhan
12 C Galup-Montoro & Schneider MC (2007). MOSFET modeling for circuit analysis and design. London/Singapore: World Scientific. hlm. 83. ISBN 981-256-810-7.13 Norbert R Malik (1995). Electronic circuits: analysis, simulation, and design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall. hlm. 315–316. ISBN 0-02-374910-5.
Juga disebut dengan Moda Aktif14 15Ketika VGS > Vth dan VDS >
( VGS - Vth )Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus
untuk mengalir di antara sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih
tinggi dari tegangan gerbang, elektron menyebar dan penghantaran tidak
melalui kanal sempit tetapi melalui kanal yang jauh lebih lebar. Awal dari
daerah kanal disebut penyempitan untuk menunjukkan kurangnya daerah
kanal didekat cerat. Arus cerat sekarang hanya sedikit bergantung pada
tegangan cerat dan dikendalikan terutama oleh tegangan gerbang–sumber.
Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang
kanal, membuat tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh
adanya efek Early.
,
dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive.16
Parameter penting desain MOSFET adalah resistansi keluaran :
.
E. Tipe MOSFET lainnya
1. MOSFET gerbang ganda
MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana
semua gerbang mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan
untuk peranti isyarat kecil pada penggunaan frekuensi radio dimana
gerbang kedua gerang keduanya digunakan sebagai pengendali penguatan
atau pencampuran dan pengubahan frekuensi.
14 PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-3216815 A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (ed. Fifth Edition). New York: Oxford. hlm. 552. ISBN 0-19-514251-9.16 A. S. Sedra and K.C. Smith. p. 250, Eq. 4.14. ISBN 0-19-514251-9.
2. FinFET
Gambar 3.9 Peranti FinFET gerbang ganda.
FinFET adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan
untuk memprakirakan flek kanal pendek dan mengurangi perendahan
sawar diinduksikan-cerat.
3. MOSFET moda pemiskinan
Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori
sedemikian rupa sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada
tegangan dari gerbang ke sumber. Untuk mengendalikan kanal, tegangan
negatif dikenakan pada gerbang untuk peranti salur-n sehingga
"memiskinkan" kanal, yang mana mengurangi arus yang mengalir melalui
kanal. Pada dasarnya, peranti ini ekivalen dengan sakelar normal-hidup,
sedangkan MOSFET moda pengayaan ekivalen dengan sakelar normal-
mati.17
Karena peranti ini kurang berdesah pada daerah RF dan penguatan
yang lebih baik, peranti ini sering digunakan pada peralatan elektronik RF.
4. Logika NMOS
MOSFET salur-n lebih kecil daripada MOSFET salur-p untuk
performa yang sama, dan membuat hanya satu tipe MOSFET pada
kepingan silikon lebih murah dan lebih sederhana secara teknis. Ini adalah
prinsip dasar dalam desain logika NMOS yang hanya menggunakan
17 "Intel 45nm Hi-k Technology
MOSFET salur-n. Walaupun begitu, tidak seperti logika CMOS, logika
NMOS menggunakan daya bahkan ketika tidak ada pensakelaran. Dengan
peningkatan teknologi, logika CMOS menggantikan logika NMOS pada
tahun 1980-an.
5. MOSFET daya
Gambar 3.10 :Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor
biasanya terdiri dari beberapa ribu sel.
MOSFET daya memiliki struktur yang berbeda dengan MOSFET
biasa.18 Seperti peranti semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah
vertikal, bukannya planar. Menggunakan struktur vertikal memungkinkan
transistor untuk bertahan dari tegangan tahan dan arus yang tinggi. Rating
tegangan dari transistor adalah fungsi dari pengotoran dan ketebalan dari
lapisan epitaksial-n, sedangkan rating arus adalah fungsi dari lebar kanal.
Pada struktur planar, rating arus dan tegangan tembus ditentukan oleh
fungsi dari dimensi kanal, menghasilkan penggunaan yang tidak efisien
untuk daya tinggi. Dengan struktur vertikal, besarnya komponen hampir
sebanding dengan rating arus dan ketebalan komponen sebanding dengan
rating tegangan.
MOSFET daya dengan struktur lateral banyak digunakan pada
penguat audio hi-fi. Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih baik
pada daerah penjenuhan daripada MOSFET vertikal. MOSFET vertikal
didesain untuk penggunaan pensakelaran.
18 Power Semiconductor Devices, B. Jayant Baliga, PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6
F. DMOS
DMOS atau semikonduktor–logam–oksida terdifusi–ganda adalah
teknologi penyempurnaan dari MOSFET vertikal. Hampir semua
MOSFET daya dikonstruksi dengan teknologi ini.
BAB III
KESIMPULAN
Dalam makalah ini kami menyimpulkan bahwa :
Transistor adalah kompnen yang mengubah wajah dunia,memungkinkan
ukuran peralatan elektronika semakin kecil dan kompak dan daya konsumsinya
rendah,juga mengawali era elektronika digital.
Tiga karakteristik transisttror yaitu karakteristik masukan, karakteristik
keluaran, dan karakteristik transfer. Dari karakteristik masukan kita dapat
menghitung hambatan masukan dan dari karakteristik keluaran kita dapat
menghitung hambatan keluaran, sedangkan dari karakteristik transfer kita dapat
menghitung penguatan arus.
Jenis Jenis Transistor ada 3 yaitu : Uni Junction Transistor, Field Effect
Transistor dan Mosfet.
DAFTAR ISI
http://dasarelektronika.com/pengertian-dan-fungsi-transistor/
http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan
http://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET