tehnologia realizării circuitelor integrate
DESCRIPTION
Tehnologia realizării circuitelor integrate. Litogra fia. Un circuit integrat este o colec ţie de dispozitive active şi componente pasive interconectate electric, realizate pe acelaşi substrat de siliciu. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
TEHNOLOGIA REALIZĂRII
CIRCUITELOR INTEGRATE
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Litografia Un circuit integrat este o colecţie de dispozitive
active şi componente pasive interconectate electric, realizate pe acelaşi substrat de siliciu.
Componenta de bază a circuitelor integrate este tranzistorul. Iniţial BIPOLAR apoi MOS în final BiCMOS.
Indiferent de tipul de tranzistor, acesta se compune dintr-o succesiune de straturi diferit impurificate.
Procedeul tehnic folosit pentru realizarea acestor straturi succesive şi a legăturilor dintre ele este LITOGRAFIA mai precis FOTOLITOGRAFIA
Fotolitografia se bazează pe acoperirea siliciului cu o substanţă fotosensibilă şi expunerea selectivă la ultraviolete prin nişte măşti.
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Evoluţia dimensiunii detaliului minim dintr-o mască
02468
1012
1970 1980 1990 2000 2010Anul
Min
imum
pat
tern
dim
ensi
on
(mm
)
IC for pocket calculator
4 K memory
16 K memory
64 K memory
256 K memory256 M memory
1 G memory
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
www.semiconductorfabtech.com/.../ lithography/7.147.f8c.jp
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Limita rezoluţiei Limita rezoluţiei unui sistem de expunere
optic este :
unde: k1 este un parametru de proces (uzual
0.4~0.8); NA este apertura numerică a sistemului de
lentile (uzual între 0.16~0.6); l este lungimea de undă a luminii utilizate.
NAkR l1
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Lungimea de undă a surselor de lumină folosite în litografie
F2 (157 nm)Deep UV
lightExtreme UV (13.5 nm)
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Structura unui tranzistor MOS cu poartă de polisiliciu
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Fotolitografia Utilizează lumină pentru a expune un strat
de fotorezist depus pe substrat prin intermediul unei măşti.
Masca este o placă de 2mm de sticlă, pe care sunt depuse regiuni opace de film de câţiva mm sau chiar mai puţin.
Fotorezistul este un polimer sensibil la lumina ultravioletă. Expunerea la lumină determină fie creşterea (rezist pozitiv) fie reducerea solubilităţii (rezist negativ) în anumiţi solvenţi.
Rezistul pozitiv asigură rezoluţie mai bună, cel negativ aderă mai bine la metal şi la SiO2.
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Tehnici de expunere
Fundamentals of Modern Manufacturing, by Mikell P. Groover
Prin contact• Rezoluţie bună• Uzura măştii
datorită contactului
Prin proximitate• Rezoluţie mai mică• Masca nu se uzează
Prin proiecţie (preferată)• Rezoluţia bună• Lipsa uzurii• Sistem optic sofisticat
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Secvenţa proceselor fotolitografice
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
Tehnologia bipolara si CMOS
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7
奈米科技與應用 Handout 5 - 陳政雄Tehnologie electronică - Curs 7