sala 5017 e [email protected] 05 vf.pdf · energia de fermi (junção pn) ao criar uma junção pn,...
TRANSCRIPT
Microeletrônica
Prof. Fernando Massa Fernandes
(Prof. Germano Maioli Penello)
Sala 5017 [email protected]
http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/Microeletronica_2016-2.html
DiodoAs características DC de um diodo são dadas pela equação de Shockley do diodo
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/iv/index.html
2
DiodoAs características DC de um diodo são dadas pela equação de Shockley do diodo
ID – corrente no diodoIS – Corrente de saturaçãoVd – Tensão no diodoVT – Tensão térmica (~25mV @ 300K)n – coeficiente de emissão (relacionado com o perfil de dopagem)
3
Metal – semicondutor - isolante
http://php.scripts.psu.edu/users/i/r/irh1/SWF/Semiconductors.swf
Estrutura da bandas
4
Semicondutor
Pontos importantes:
Aumentar o número de buracos ou elétrons aumenta a condutividade do material
Mobilidade (facilidade de se mover no cristal) do elétron é maior do que a do buraco
PONTO IMPORTANTE!
As mobilidades do buraco e do elétron são diferentes, isto afeta o tamanho dos MOSFETs. NMOS são menores que PMOS para que eles tenham a mesma capacidade de corrente, Ids.
5
Tempo de vida do portador
Quando a temperatura aumenta, o semicondutor absorve calor. Elétrons na banda de valência ganham energia para serem ecitados pra banda de condução.
Note a importância de Eg no semicondutor!
Esta excitação de elétrons da banda de valência para a banda de condução é chamada de geração.
Quando o elétron volta da banda de condução para a banda de valência, isto é chamado de recombinação.
O tempo que o elétron passa na banda de condução antes de recombinar (voltar para a banda de valência) é aleatório. Ele é caracterizado pelo tempo de vida do portador tT. (valor rms do tempo que o elétron passa na banda de condução)
6
Concentração de portadoresÀ temperatura ambiente (~300K) em um Si intrínseco,
n – elétrons livresp – buracos
Pode parecer um número grande, mas é baixo se comparado ao número de átoms de Si no cristal (NSi = 50 x 1021 cm-3)
Só existe um par elétron/buraco a cada ~1012 átomos de Si
7
Dopagem
A dopagem aumenta a condutividade porque agora há mais portadores disponíveis para realziar a condução. No semicondutor tipo-n esse excesso é de elétrons. No semicondutor tipo-p esse excessor é de buracos.
É de se imaginar que, se o número de elétrons aumenta com a dopagem, o número de buracos no mesmo material diminua. Por que?
Essa relação entre elétrons, buracos e número de portadores intrínsecos é governada pela Lei de ação das massa
A dopagem é feita para alterar as propriedades elétricas do semicondutor.Dopante tipo p? – B (coluna III da tabela periódica)Dopante tipo n? – P (coluna V da tabela periódica)
8
Exemplo
Pouquíssimos buracos! Note que com ND = 1018, a aproximação de que
começa a não ser muito boa. Quando ND ~ NSi, o material é chamado de degenerado. Materiais degenerados não seguem mais a lei de ação das massas.
9
Junção pn - Energia de FermiApplets
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/levelAndDOS/
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/bandAndLevel/fermi.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pin/pin2/index.html#
Vários aplicativos em:http://jas.eng.buffalo.edu/index.html
10
Junção pn (diodo)
Para que exista o fluxo de corrente em um diodo, devemos aplicar uma tensão que se aproxima de Vbi.
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/biasedPN/index.html
Aplicativo:
Qual é o lado p e qual é o lado n da junção?
11
Energia de Fermi
A diferença de energia entre Ei e Ef é dada por
Percebemos com estas equações que a dopagem controla o nível de Fermi!
12
Energia de Fermi (Junção pn)
Ao criar uma junção pn, como fica a estrutura de banda da junção?
Junção pn
(Reveja eq. do slide 43)
13
Camada de depleção
Elétrons livres do lado n e buracos livres do lado p se recombinam na junção. Essa região livre de elétrons livres e buracos livres é chamada de região de depleção.
14
Camada de depleção
A região de depleção tem cargas fixas positivas no lado n e negativas no lado p.A movimentação de elétrons e buracos só para quando o campo elétrico gerado pelas cargas fixas contrabalanceia o fluxo de portadores.
15
Capacitância parasítica
Uma região de cargas fixas positivas e cargas fixas negativas pode ser analisada como placas de um capacitor! Essa capacitância parasítica é chamada de capacitância de depleção ou de junção.
16
Capacitância parasíticaA capacitância de depleção pode ser modelado pela equação
Cj0 – capacitância sem tensão aplicada na junçãoVD – Tensão no diodom – coeficiende de gradação (grading coefficient)Vbi – potencial intrínseco
17
Exemplo
Calcular o potencial intrínseco Vbi
Calcular a capacitância do fundo (como?)Calcular a capacitância da lateral Calcular a capacitância total
20
Exemplo
Calcular o potencial intrínseco Vbi
Calcular a capacitância do fundoCalcular a capacitância da lateral Calcular a capacitância total
21
Exemplo
Aqui apresentamos o resultado da capacitância apenas na polarização reversa (VD negativo).
Quando o diodo é polarizado diretamente, os portadores minoritários formam uma capacitância de difusão muito maior que a de depleção! Veremos isso na próxima aula… 28
Electric VLSI Design System
Software open-source para design de circuitos, leiautes e mais…
http://www.staticfreesoft.com/electric.html
Computer aided design – uso de computador para auxiliar a criação, modificação análise e optimização de um projeto
30
Electric VLSI Design System
Software open-source para design de circuitos, leiautes e mais…
http://www.staticfreesoft.com/electric.html
Computer aided design – uso de computador para auxiliar a criação, modificação análise e optimização de um projeto
Pode ser usado em conjunto com o LTSpice
http://www.linear.com/designtools/software/
31