rms rs485/rs422 µmoduleトランシーバ＋電源2885 ta01a twisted-pair cable a vcc2 5v out ro vl...

LTM2885

12885f

詳細： www.linear-tech.co.jp/LTM2885

標準的応用例

概要

6500VRMS 、絶縁型RS485/RS422 µModuleトランシーバ＋電源

LTM®2885は、電気的に絶縁された完全な全二重RS485/RS422 μModule®（マイクロモジュール）トランシーバです。外付け部品は必要ありません。単一電源により、一体化された低ノイズの絶縁型高効率5V出力DC/DCコンバータを介してインタフェースの両側に電力を供給します。

結合インダクタと絶縁パワー・トランスにより、入力トランシーバとロジック・インタフェースの間で6500VRMSの絶縁を実現します。このデバイスは、グランド・ループが切断されているシステムに最適であり、同相電圧変動を大きくすることができます。同相トランジェントが50kV/μsまでの場合、通信が遮断されないことが保証されています。

スルーレート制限モードでの最大データレートは、20Mbpsまたは250kbpsです。送信データ（DI）および受信データ（RO）は、イベント駆動型の低ジッタの処理で実装されています。レシーバは、1/8ユニット負荷を備え、1つのバスにつき最大256ノードをサポートします。ロジック電源ピンを使用して、主電源とは無関係に1.62V～5.5Vのさまざまなロジック・レベルで簡単にインタフェースをとることができます。

強化されたESD保護機能により、トランシーバのインタフェース・ピンは、絶縁された電源に対して最大±15kV（人体モデル）のESD、絶縁障壁を介したロジック電源に対して±25kVのESDに耐えることが可能であり、ラッチアップや損傷が発生することはありません。

絶縁型半二重RS485 μModuleトランシーバ

特長

アプリケーション

n RS485/RS422トランシーバ：6500VRMS（1分間）n 強化された絶縁n 絶縁型DC電力：5V（150mA時）n 外付け部品は不要n データレート：20Mbpsまたは低EMIの250kbpsn 高いESD耐電圧：トランシーバ・インタフェースで±15kV（人体モデル）

n 同相トランジェント耐性が高い：50kV/μsn 選択可能な120Ωの終端を内蔵n 拡張された沿面距離および間隔：約14.6mmn 柔軟なデジタル・インタフェースを実現する

1.62V～5.5Vのロジック電源ピンn 連続動作時の最大電圧：690VRMSn 入力インピーダンスの高いフェイルセーフRS485レシーバn 電流制限ドライバおよびサーマル･シャットダウンn TIA/EIA-485-AおよびPROFIBUSと互換n 内部フォルト状態の間の高インピーダンス出力n 低電流シャットダウン・モード（

LTM2885

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ピン配置

絶対最大定格

VCC - GND間 ............................................................ –0.3V～6VVCC2 - GND2間 .........................................................–0.3V～6VVL - GND間 .............................................................. –0.3V～6Vインタフェース電圧

（A、B、Y、Z） - GND2間 ..............................VCC2 –15V～15V 終端がイネーブルされた（A-B） ..................................... ±6V

信号電圧ON、RO、DI、DE、 RE、TE、DOUT - GND間 ..................................–0.3V～VL＋0.3V

（Note 1）

発注情報

信号電圧SLO、 DIN - GND2間 ..............................................–0.3V～VCC2 +0.3V動作温度範囲（Note 4）

LTM2885C ........................................................... 0°C～70°C LTM2885I......................................................... –40°C～85°C LTM2885H ..................................................... –40°C～105°C

最大内部動作温度 ...........................................................125°C保存温度範囲.................................................... –55°C～125°Cピーク・ボディ・リフロー温度 ...........................................245°C

ON

VL

RO

RE

DE

DI

TE

VCC

DOUT NC NC DIN SLO

GND2 Y

Z

B

A

VCC2

A B P R S TC D E F G H J K L M N

1

2

3

4

5

6

7

GND

BGA PACKAGE42-PIN (22mm × 9mm × 5.2mm)

TJMAX = 125°C, θJA = 35°C/W, θJC(BOTTOM) = 23.9°C/W, θJC(TOP) = 29.6°C/W, θJBOARD = 22.7°C/Wθ VALUES DETERMINED PER JESD51-9, WEIGHT = 1.9g

TOP VIEW

製品番号パッド/ボール仕上げ製品マーキングパッケージ・

タイプMSL

レーティング温度範囲デバイス仕上げコードLTM2885CY#PBF

SAC305（RoHS） LTM2885Y e1 42-BGA 30°C to 70°C

LTM2885IY#PBF –40°C to 85°CLTM2885HY#PBF –40°C to 105°C• デバイスの温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで示してあります。• パッドまたはボールの仕上げコードは IPC/JEDEC J-STD-609に準拠しています。• 端子仕上げの製品マーキングの参照先：www.linear-tech.co.jp/leadfree• この製品では、第2面のリフローは推奨していません。

詳細についての参照先：www.linear-tech.co.jp/BGA-assy

• 推奨のBGA PCBアセンブリ手順および製造手順についての参照先： www.linear-tech.co.jp/BGA-assy

• BGAパッケージおよびトレイの図面の参照先：www.linear-tech.co.jp/packaging• この製品は水分の影響を受けやすくなっています。詳細についての参照先：

www.linear-tech.co.jp/BGA-assy

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LTM2885

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電気的特性

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

電源VCC VCC Supply Voltage l 4.5 5.0 5.5 V

VL VL Supply Voltage l 1.62 5.5 V

ICCPOFF VCC Supply Current in Off Mode ON = 0V l 0 10 µA

ICCS VCC Supply Current in On Mode DE = 0V, RE = VL, No Load l 38 50 mA

VCC2 Regulated VCC2 Output Voltage, Loaded

DE = 0V, RE = VL, ILOAD = 150mA l 4.75 5.0 V

VCC2NOLOAD Regulated VCC2 Output Voltage, No Load

DE = 0V, RE = VL, No Load 4.8 5.0 5.35 V

Efficiency ICC2 = 100mA (Note 2) 50 %

ICC2S VCC2 Short-Circuit Current DE = 0V, RE = VL, VCC2 = 0V 200 mA

ドライバ|VOD| Differential Driver Output Voltage R = ∞ (Figure 1)

R = 27Ω (RS485) (Figure 1) R = 50Ω (RS422) (Figure 1)

l

l

l

2.1 2.1

VCC2 VCC2 VCC2

V V V

∆|VOD| Difference in Magnitude of Driver Differential Output Voltage for Complementary Output States

R = 27Ω or R = 50Ω (Figure 1) l 0.2 V

VOC Driver Common Mode Output Voltage

R = 27Ω or R = 50Ω (Figure 1) l 3 V

∆|VOC| Difference in Magnitude of Driver Common Mode Output Voltage for Complementary Output States

R = 27Ω or R = 50Ω (Figure 1) l 0.2 V

IOZD Driver Three-State (High Impedance) Output Current on Y and Z

DE = 0V, (Y or Z) = –7V, +12V DE = 0V, (Y or Z) = –7V, +12V, H-Grade

l

l

±10 ±50

µA µA

IOSD Maximum Driver Short-Circuit Current

–7V ≤ (Y or Z) ≤ 12V (Figure 2) l –250 250 mA

レシーバRIN Receiver Input Resistance RE = 0V or VL, VIN = –7V, –3V, 3V, 7V, 12V (Figure 3)

RE = 0V or VL, VIN = –7V, –3V, 3V, 7V, 12V (Figure 3), H-Grade

l

l

96 48

125 125

kΩ kΩ

RTE Receiver Termination Resistance Enabled

TE = VL, VAB = 2V, VB = –7V, 0V, 10V (Figure 8) l 105 120 156 Ω

IIN Receiver Input Current (A, B) ON = 0V VCC2 = 0V or 5V, VIN = 12V (Figure 3) ON = 0V VCC2 = 0V or 5V, VIN = 12V (Figure 3), H-Grade

l

l

125 250

µA µA

ON = 0V VCC2 = 0V or 5V, VIN = –7V (Figure 3) ON = 0V VCC2 = 0V or 5V, VIN = –7V (Figure 3), H-Grade

l

l

–100 –145

µA µA

VTH Receiver Differential Input Threshold Voltage (A-B)

–7V ≤ B ≤ 12V l –0.2 0.2 V

∆VTH Receiver Input Failsafe Hysteresis B = 0V 25 mV

Receiver Input Failsafe Threshold B = 0V –0.2 –0.05 0 V

l は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 5.0V、VL = 3.3V、GND = GND2 = 0V、ON = VL。

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LTM2885

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ロジックVIL Logic Input Low Voltage 1.62V ≤ VL ≤ 5.5V l 0.4 V

VIH Logic Input High Voltage DIN SLO DI, TE, DE, ON, RE: VL ≥ 2.35V 1.62V ≤ VL < 2.35V

l

l

l

l

0.67•VCC2 2

0.67•VL 0.75•VL

V V

V V

IINL Logic Input Current l 0 ±1 µAVHYS Logic Input Hysteresis (Note 2) 150 mV

VOH Output High Voltage Output High, ILOAD = –4mA (Sourcing), 5.5V ≥ VL ≥ 3V Output High, ILOAD = –1mA (Sourcing), 1.62V ≤ VL < 3V

l

l

VL –0.4

VL –0.4

V

V

VOL Output Low Voltage Output Low, ILOAD = 4mA (Sinking), 5.5V ≥ VL ≥ 3V Output High, ILOAD = 1mA (Sinking), 1.62V ≤ VL < 3V

l

l

0.4

0.4

V

V

IOZR Three-State (High Impedance) Output Current on RO

RE = VL, 0V ≤ RO ≤ VL l ±1 µA

IOSR Short-Circuit Current 0V ≤ (RO or DOUT) ≤ VL l ±85 mAESD（HBM）（Note 2）

RS485 Driver and Receiver Protection

(Y, Z, A, B) to (GND, GND2) ±15 kV

Isolation Boundary (VCC2, GND2) to (VCC, VL, GND) ±25 kV

電気的特性l は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 5.0V、VL = 3.3V、GND = GND2 = 0V、ON = VL。


LTM2885

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スイッチング特性l は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 5.0V、VL = 3.3V、GND = GND2 = 0V、ON = VL。


ドライバSLO = VCC2fMAX Maximum Data Rate (Note 3) 20 Mbps

tPLHD tPHLD

Driver Input to Output RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

l 60 85 ns

∆tPD Driver Input to Output Difference |tPLHD – tPHLD|

RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

l 1 8 ns

tSKEWD Driver Output Y to Output Z RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

l 1 ±8 ns

tRD tFD

Driver Rise or Fall Time RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

l 4 12.5 ns

tZLD, tZHD, tLZD, tHZD

Driver Output Enable or Disable Time

RL = 500Ω, CL = 50pF (Figure 5)

l 170 ns

ドライバSLO = GND2fMAX Maximum Data Rate (Note 3) 250 kbps

tPLHD tPHLD

Driver Input to Output RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

1 1.55 µs

∆tPD Driver Input to Output Difference |tPLHD – tPHLD|

RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

50 500 ns

tSKEWD Driver Output Y to Output Z RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

±200 ±750 ns

tRD tFD

Driver Rise or Fall Time RDIFF = 54Ω, CL = 100pF (Figure 4)

l 0.9 1.5 µs

tZLD, tZHD, tLZD, tHZD

Driver Output Enable or Disable Time

RL = 500Ω, CL = 50pF (Figure 5)

l 400 ns

レシーバtPLHR tPHLR

Receiver Input to Output CL = 15pF, VCM = 2.5V, |VAB| = 1.4V, tR and tF < 4ns, (Figure 6)

l 100 140 ns

tSKEWR Differential Receiver Skew |tPLHR – tPHLR|

CL = 15pF (Figure 6)

l 1 8 ns

tRR tFR

Receiver Output Rise or Fall Time CL = 15pF (Figure 6)

l 3 12.5 ns

tZLR, tZHR, tLZR, tHZR

Receiver Output Enable Time RL =1kΩ, CL = 15pF (Figure 7)

l 50 ns

tRTEN, tRTZ Termination Enable or Disable Time RE = 0V, DE = 0V, VAB = 2V, VB = 0V (Figure 8) l 100 µs

汎用ロジック入力tPLHL1 tPHLL1

DIN to DOUT Input to Output CL = 15pF, tR and tF < 4ns

l 60 100 ns

電源ジェネレータVCC2 – GND2 Supply Start-Up Time (0V to 4.5V)

ON VL, No Load l 200 500 µs


LTM2885

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絶縁特性 TA = 25°CSYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

VISO Rated Dielectric Insulation Voltage 1 Minute (Derived from 1 Second Test) 6500 VRMS1 Second (Notes 5, 6, 7) 7800 VRMS

Common Mode Transient Immunity VCC = 5V, VL = ON = 3.3V, ∆VCM = 1kV, ∆T = 20ns (Note 2)

50 kV/µs

VIORM Maximum Working Insulation Voltage (Note 2) 1000 690

VPEAK, VDC VRMS

Partial Discharge VPR = 1300VRMS (Notes 2, 5) 5 pC

CTI Comparative Tracking Index IEC 60112 (Note 2) 600 VRMSDepth of Erosion IEC 60112 (Note 2) 0.017 mm

DTI Distance Through Insulation (Note 2) 0.2 mm

Input to Output Resistance (Notes 2, 5) 1 5 TΩ

Input to Output Capacitance (Notes 2, 5) 6 pF

Creepage Distance (Notes 2, 5) 14.6 mmNote 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに回復不可能な損傷を与える可能性がある。また、長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与えるおそれがある。Note 2：設計によって保証されており、製造時のテストは行われない。Note 3：最大データレートは他の測定されたパラメータによって保証されており、直接にはテストされていない。Note 4：このµModuleトランシーバには瞬時の過負荷状態の間デバイスを保護するための過熱保護回路が内蔵されている。過熱保護機能が動作しているとき接合部温度は125°Cを超える。規定された最大動作接合部温度を超えた動作が継続すると、デバイスの劣化または故障が生じる恐れがある。

Note 5：デバイスは2端子のデバイスとみなされる。A1からC7までのピン・グループを互いに接続し、R1からT7までのピン・グループを互いに接続する。Note 6：誘電体絶縁定格電圧は連続定格電圧と解釈してはならない。Note 7：各デバイスは、等価RMS電圧に加速係数1.2を乗じた値の電圧を1秒間印加することにより、UL1577に従って1分間RMS定格の保証テストが行われる。


LTM2885

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TEMPERATURE (°C)

RECE

IVER

SKE

W (n

s)

2.0

0

0.5

1.5

1.0

–0.5

–1.0

2885 G01

1251007550250–25–50

レシーバ・スキューと温度ドライバ・スキューと温度ドライバの伝播遅延と温度

TEMPERATURE (°C)

DRIV

ER S

KEW

(ns)

2.0

0

0.5

1.5

1.0

–0.5

–1.0

2885 G02

1251007550250–25–50TEMPERATURE (°C)

DRIV

ER P

ROP

DELA

Y (n

s)

80

50

70

65

60

55

75

2885 G03

1251007550250–25–50

標準的性能特性

レシーバの出力電圧と出力電流（ソースおよびシンク）レシーバの伝播遅延と温度

RTERMと温度ドライバの出力“L”/“H”電圧と出力電流ドライバの差動出力電圧と温度

TEMPERATURE (°C)

RESI

STAN

CE (Ω

)

130

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

2885 G04

1251007550250–25–50OUTPUT CURRENT (mA)

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

5.0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

2885 G05

706050403020100

OUTPUT HIGH

OUTPUT LOW

TEMPERATURE (°C)

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

6

1

0

2

4

3

5

2885 G06

1251007550250–25–50

R = ∞

R = 100Ω

R = 54Ω

注記がない限り、TA = 25°C、VCC = 5.0V、VL = 3.3V。

OUTPUT CURRENT (mA)

OUTP

UT V

OLTA

GE (V

)

4

1

0

2

3

2885 G07

543210

SINK

SOURCE

TEMPERATURE (°C)

RECE

IVER

PRO

P DE

LAY

(ns)

120

115

110

105

100

95

90

2885 G08

1251007550250–25–50DATA RATE (Mbps)

0.1 1 10 2050

60

70

80

90

100

110

120

130

140

150

SUPP

LY C

URRE

NT (m

A)

Supply Current vs Data Rate

2885 G09

R = 100Ω

R = 54Ω

電源電流とデータレート


LTM2885

82885f


標準的性能特性注記がない限り、TA = 25°C、VCC = 5.0V、VL = 3.3V。

VCC電源電流とVCC2で ILOAD = 100mAでの温度使用可能なVCC2電流と温度 VCC2と負荷電流

VCC2200mV/DIV

ILOAD50mA/DIV

2885 G14

100µs/DIV

10mV/DIV

2885 G15

200µs/DIV

VCC2 の負荷ステップ（100mA）VCC2の効率および電力損失と負荷電流 VCC2のノイズ

TEMPERATURE (°C)–50 –25 0 25 50 75 100 125

50

75

100

125

150

175

200

225

250

275

300

I CC2

CUR

RENT

(mA)

vs TemperatureAvailable VCC2 Current

2885 G11

R485 = OPEN, C485 = 0pF, 0Mbps, VCM = 0VR485 = 54Ω, C485 = 500pF, 10Mbps, VCM = –7V

VCC = 5.0V, VCC2 ≥ 4.75V

LOAD CURRENT (mA)0 50 100 150 200 250

4.0

4.1

4.2

4.3

4.4

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

VOLT

AGE

(V)

VCC2 vs Load Current

2885 G12

VCC= 4.5VVCC= 5.0VVCC= 5.5V

LOAD CURRENT (mA)0 50 100 150 200 250

0

10

20

30

40

50

60

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

EFFI

CIEN

CY (%

)

POWER LOSS (W

)

vs Load CurrentVCC2 Efficiency and Power Loss

2885 G13

VCC = 4.5VVCC = 5.0VVCC = 5.5V

EFFICIENCY

POWER LOSS

RS485 ENABLED AND TERMINATED

NO LOAD

VCC = 4.5VVCC = 5.0VVCC = 5.5V

TEMPERATURE (°C)–50 –25 0 25 50 75 100 125

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

I CC

CURR

ENT

(mA)

vs Temperature

2885 G10


LTM2885

92885f


ロジック・サイドTE（ピンA1）：終端抵抗のイネーブル。ロジック“H”にすると、ピンAとBの間の終端抵抗（標準で120Ω）がイネーブルされます。フロート状態にしないでください。

DI（ピンA2）：ドライバの入力。ドライバの出力がイネーブルされている状態で（DEが“H”）、DIを“L”にすると、ドライバの非反転出力（Y）が“L”に、反転出力（Z）が“H”に強制されます。ドライバの出力がイネーブルされている状態でDIを“H”にすると、ドライバの非反転出力（Y）が“H”に、反転出力（Z）が“L”に強制されます。フロート状態にしないでください。

DE（ピン A3）：ドライバのイネーブル。ロジック“L”にすると、ドライバがディスエーブルされ、出力YおよびZが高インピーダンス状態のままになります。ロジック“H”にすると、ドライバがイネーブルされます。フロート状態にしないでください。

RE （ピンA4）：レシーバのイネーブル。ロジック“L”によって、レシーバ出力をイネーブルします。ロジック“H”にすると、ROがディスエーブルされて、高インピーダンス状態になります。フロート状態にしないでください。

RO（ピン A5）：レシーバの出力。レシーバの出力がイネーブルされて（REが“L”）、A – Bが200mVを超えた場合、ROはロジック“H”になり、A – Bが200mVを下回った場合、ROはロジック“L”になります。レシーバの入力が開放、短絡、または終端され、約3μを超える間有効な信号がない場合、ROはロジック“H”になります。絶縁通信障害の状態では、ROは高インピーダンス状態になります。

VL（ピンA6）：ロジック電源ピン。RO、RE、TE、DI、DE、DOUT、ONピンのインタフェース電源電圧。推奨される動作電圧は1.62V～5.5Vです。2.2μFのコンデンサにより、内部でGNDにバイパスされています。

ON（ピンA7）：イネーブル・ピン。絶縁障壁を介して電源供給およびデータ通信をイネーブルします。ONピンが“H”になるとデバイスがイネーブルされ、電源および通信が絶縁サイドで動作可能になります。ONを“L”にすると、ロジック・サイドはリセット状態に維持され、絶縁サイドには電力が供給されなくなります。フロート状態にしないでください。

DOUT （ピンB1）：汎用ロジック出力。絶縁経路を介してDINに接続されるロジック出力。絶縁通信障害の状態では、DOUTは高インピーダンス状態になります。

ピン機能GND（ピンB2～B5）：回路のグランド。

VCC （ピンB6～B7）：電源電圧。推奨される動作電圧は4.5V～5.5Vです。2.2μFのコンデンサにより、内部でGNDにバイパスされています。

NC（ピンC1～C7）：接続なし。内部接続のないピン。

絶縁サイド

NC（ピンR1～R7）：接続なし。内部接続のないピン。

DIN （ピンS1）：絶縁された汎用ロジック入力。VCC2およびGND2を基準にした絶縁サイドでのロジック入力。DINをロジック“H”にすると、DOUTでロジック“H”が生成されます。DINをロジック“L”にすると、DOUTでロジック“L”が生成されます。フロート状態にしないでください。

GND2（ピンS2～S7）：絶縁サイドの回路のグランド。各パッドを、絶縁されたグランドまたはケーブルのシールド（あるいはその両方）に接続する必要があります。

SLO （ピンT1）：ドライバのスルーレート制御。GND2を基準にした“L”を入力すると、ドライバが強制的に減少スルーレート・モードになり、低いEMIを実現します。GND2を基準にした“H”を入力すると、ドライバは、最大データレートをサポートするためのFull speedモードになります。フロート状態にしないでください。

Y（ピンT2）：非反転ドライバ出力。ドライバがディスエーブルされると、高インピーダンスになります。

Z（ピンT3）：反転ドライバ出力。ドライバがディスエーブルされると、高インピーダンスになります。

B（ピンT4）：反転レシーバ入力。全てのモード（給電時および無給電時）で、インピーダンスは96kΩを超えます。

A（ピンT5）：非反転レシーバ入力。全てのモード（給電時および無給電時）で、インピーダンスは96kΩを超えます。

VCC2（ピンT6～T7）：絶縁された電源電圧。絶縁型DC/DCコンバータによってVCCを基に内部で生成され、5Vに安定化されます。2.2μFのコンデンサにより、内部でGND2にバイパスされています。


LTM2885

102885f


ブロック図

120Ω

A

Y

TE

RE

RO

2.2µF

2.2µF

2.2µF

VCC

VL

GND

DOUT

Z

SLO

DIN

B

2885 BD

VCC2

ISOLATEDDC/DC

CONVERTER

ON

DI

DE

= LOGIC SIDE COMMON = ISOLATED SIDE COMMON

GND2

ISOLATEDCOMM

INTERFACE

ISOLATEDCOMM

INTERFACE

5VREG

RX

DX


LTM2885

112885f


テスト回路

–+

DRIVERDIGND

ORVL

R

2885 F01

Y

Z

R

VOC

–

+VOD DRIVER

DIGNDORVL

2885 F02

Y

Z

+–

IOSD

–7V TO 12V

+–RECEIVER

2885 F03

A OR B

VIN

IIN

B OR A

VINIIN

RIN =

図1.ドライバのDC特性図2．ドライバの出力短絡電流

図3．レシーバの入力電流と入力抵抗


LTM2885

122885f


A

BVCM

±VAB/2

±VAB/2

RO

CL

2885 F06a

RECEIVERtPLHR tPHLR

90%

090%

10%

tR

90%

10%

tF

90%1/2 VL 1/2 VL

tRR tFR

10%2885 F06b

10%

VAB

VL

0

–VAB

RO

A-B

図6．レシーバの伝播遅延測定

DRIVERDIVL

ORGND

GNDORVCC2

VCC2ORGND

RL

RL

CL

2885 F05a

Y

ZDE

CL

tZLD

tZHD tHZD

tLZD

1/2 VL

1/2 VCC2

1/2 VCC2

DE

Y OR Z

Z OR Y

VL

VCC2

0V

0V

0.5V

0.5V

2885 F05b

図5．ドライバのイネーブルとディスエーブルのタイミング測定

テスト回路

DRIVERDI

RDIFF

CL

CL

2885 F04a

Y

Z

1/2 VOD

90% 90%0 010%

2885 F04b

10%

VOD

VL

Y, Z

DI

(Y-Z)

0V

tSKEWD

tPLHD

tRD tFD

tPHLD

図4．ドライバのタイミング測定


LTM2885

132885f


テスト回路

A

B

0V OR VCC2

VCC2 OR 0V

RO

RECL

RL VLORGND

2885 F07a

RECEIVER

tZLR

tZHR tHZR

tLZR

1/2 VL

1/2 VL

1/2 VL

RE

RO

RO

VL

VL

VOL

VOH

0V

0V

0.5V

0.5V

2885 F07b

図7．レシーバのイネーブル /ディスエーブルのタイミング測定

tRTEN tRTZ

VL

B

A

IA

TE

2885 F08

RECEIVER

90%

10%

0V

TE

+–

+–

VAB

VB

RTE =IA

VAB

1/2 VLRO

IA

図8．終端抵抗およびタイミング測定

機能表

ロジック入力モード A、B Y、Z RO

DC/DC コンバータ終端抵抗ON RE TE DE

1 0 0 0 ReceiveRIN

Hi-Z

Enabled

On

Off

1 0 0 1 Transceive Driven

1 0 1 0 Receive + Term OnRTE

Hi-ZOn

1 0 1 1 Transceive + Term On Driven

1 1 0 0 Power OnRIN

Hi-Z

Hi-Z

Off1 1 0 1 Transmit Driven

1 1 1 0 Term OnRTE

Hi-ZOn

1 1 1 1 Transmit + Term On Driven

0 X X X Off RIN Hi-Z Off Off


LTM2885

142885f


概要LTM2885 μModuleトランシーバは、電気的に絶縁された堅牢なRS485/RS422インタフェースを実現します。このインタフェースは、内蔵の安定化DC/DCコンバータによって電力が供給され、デカップリング・コンデンサを備えています。切り替え可能な終端抵抗がレシーバの入力に内蔵されており、RS485バスに適切な終端を提供します。LTM2885は、グランドがさまざまな電圧になる可能性のあるネットワークで使用するのに最適です。LTM2885内部での絶縁により、高い電圧差が遮断され、グランド・ループが取り除かれます。また、グランド電位間での同相トランジェントに対する耐性がきわめて高くなります。50kV/μsより大きい同相事象が発生しても誤りのない動作が維持されるので、優れたノイズ絶縁性能を実現します。

µModule技術LTM2885は、アイソレータμModule技術を使用して、絶縁障壁を越えて信号および電力を変換します。障壁のどちらの側の信号もパルスに符号化され、μModule基板内に形成された空芯型トランスにより、絶縁境界を越えて変換されます。このシステムは、データ・リフレッシュ機能、障害発生時の安全なシャットダウン機能、きわめて高い同相信号除去特性を備えているので、信号を双方向で絶縁するための堅牢なソリューションを実現します。μModule技術により、絶縁された信号処理と、RS485トランシーバおよび強力な絶縁型DC/DCコンバータを1つの小型パッケージに集約する手段が得られます。

DC/DCコンバータLTM2885は、完全に集積化された絶縁型DC/DCコンバータをトランスを含めて内蔵しているので、外付け部品は必要ありません。ロジック・サイドには、約2MHzで動作するフルブリッジ・ドライバがあり、1個のトランスの1次側にAC結合されています。直列のDC阻止コンデンサにより、ドライバのデューティ・サイクルに偏りが生じてもトランスは飽和しません。1次側の電圧はトランスによって調整され、その後、電圧ダブラによって整流されます。この構成によって、2次側の不均衡によって生じるトランスの飽和をなくします。

DC/DCコンバータは低ドロップアウト・レギュレータ（LDO）に接続され、安定化された低ノイズの5V出力を供給します。

アプリケーション情報内部電源ソリューションは、規定された最大負荷およびデータレートでトランシーバのインタフェースをサポートするのに十分です。μModuleパッケージ内のロジック電源VCCおよびVLには、GNDへの2.2μFのデカップリング容量があり、絶縁された電源VCC2 には、GND2への2.2μFのデカップリング容量があります。

VCC2出力内蔵DC/DCコンバータは、絶縁された5V電力を出力VCC2に供給します。VCC2は、最大1Wの電力を5Vで供給できます。この余剰電流は外部アプリケーションで使用できます。余剰電流の量は、実装およびRS485ドライバとライン負荷に供給される電流によって決まります。使用可能な余剰電流の例を、「標準的性能特性」のグラフ「VCC2の余剰電流と温度」に示しています。図21に、VCC2出力を直接使用する方法を、絶縁型RS485データ・チャネルによって制御されるスイッチ付き電源経路と共に示します。

ドライバこのドライバは完全にRS485およびRS422互換です。イネーブルされているときにDIが“H”だと、Y-Zは正になります。ドライバがディスエーブルされると、両方の出力が高インピーダンスになり、GND2を基準にした–7V～12Vの同相範囲全体にわたって、リーク電流が10μA未満になります。

ドライバの過電圧および過電流保護ドライバの出力は、（VCC2 –15V）～（GND2＋15V）レベルの絶対最大範囲内のどの電圧への短絡からも保護されています。この条件における最大VCC2電流は、250mAです。ピンの電圧が約±10Vを越えると、電流制限がピーク値の約半分にフォールドバックして、全体的な電力損失を削減し、デバイスの損傷を防ぎます。

デバイスはサーマル・シャットダウン保護機能も備えており、過度の電力損失が生じた場合にドライバとレシーバの出力をディスエーブルします（「電気的特性」セクションのNote 4を参照）。

SLOモードLTM2885は、ロジック選択可能な減少スルーレート・モード（SLOモード）を備えています。このモードでは、ドライバ出力のエッジが弱まり、機器およびデータ・ケーブルからのEMI放射が減少します。SLOピンをGND2に接続して“L”にすると、減少スルーレート・モードに移行します。このモードでは、データレートが約250kbpsに制限されます。スルーレート制限は、


LTM2885

152885f


スタブまたは一致しないケーブルによって生じる不完全な伝送線路の終端の悪影響も緩和します。

図9aおよび9bに、LTM2885ドライバ出力の周波数スペクトルを、250kbpsでの通常モード動作およびSLOモード動作で示します。SLOモードでは、高周波高調波が大幅に減少します。

レシーバおよびフェイルセーフレシーバがイネーブルされた状態で、AピンとBピンの間の差動電圧の絶対値が200mVより大きい場合、ROの状態に（A-B）の極性が反映されます。データ通信中に、レシーバは、約0Vに対して対称なしきい値で入力の状態を検出します。対称なしきい値は、大容量バスまたは長いケーブル上で、遅い遷移レートで減衰された信号のデューティ・サイクルを維持します。レシーバはフェイルセーフ機能を備えており、入力が短絡している、開放されている、または終端されていても約3μs以上駆動されないとき、バスがアイドル状態である間、レシーバの出力がロジック“H”になることが保証されています。フェイルセーフ機能は、バスがアイドルの状態で、ROでロジック“H”を保証することによって、ネットワークのプリバイアスのシステム・レベルの統合を不要にします。さらに、LTM2885の同相トランジェント除去特性のため、アイドル状態でのトランジェント・ノイズを調整するために構成されるネットワークのバイアスが不要になります。フェイルセーフ検出器は、レシーバと並列に接続されてAおよびBをモニタして、約3μsより長い間、A-Bが25mVのヒステリシス付きの入力フェイルセーフしきい値を超えたときに、バスの状態を検出します。このフェイルセーフ機能は、–7V～12Vの全同相範囲にわたる入力で動作することが保証されています。

アプリケーション情報

図9a．SLOモードの125kHz入力の周波数スペクトル図9b．通常モードの125kHz入力の周波数スペクトル

FREQUENCY (MHz)

Y-Z

10dB

/DIV

2885 F09a

12.56.250FREQUENCY (MHz)

Y-Z

10dB

/DIV

2885 F09b

12.56.250

レシーバの出力は内部で“H”（VL）または“L”（GND）に駆動され、外部のプルアップは不要です。レシーバがディスエーブルされると、ROピンが高インピーダンスになり、電源電圧範囲内の電圧に対する漏れ電流が±1μA以下になります。

レシーバの入力抵抗AまたはBからGND2へのレシーバの入力抵抗は96kより大きいので、RS485レシーバの負荷仕様を超えることなく、1システム当たり合計256個までのレシーバを許容できます。高温Hグレード動作では、入力抵抗が48kに減少し、バス上で最大128個のレシーバを許容できます。レシーバの入力抵抗は、レシーバのイネーブル /ディスエーブルによる影響や、デバイスへの給電 /無給電による影響を受けません。AおよびBから見た等価入力抵抗を図10に示します。

図10．AとBから見た等価入力抵抗

60Ω

60Ω

A

TE

B2885 F10>96k

>96k


LTM2885

162885f


アプリケーション情報切り替え可能な終端忠実度の高い信号を得るには、ケーブルを適切に終端することが極めて重要です。ケーブルがその特性インピーダンスで終端されていないと、反射によって信号波形が歪みます。

内蔵された切り替え可能な終端抵抗は、ライン終端のロジック制御を提供し、トランシーバ・ネットワークを構成する場合に最適な性能を実現します。

TEピンが“H”の場合、終端抵抗がイネーブルされ、AとBの間の差動抵抗が120Ωになります。図11に、終端抵抗をイネーブルした場合とディスエーブルした場合とで、ピンAとピンBの間のI/V特性を示します。図12に示すように、抵抗はRS485の–7V～12Vの全同相範囲にわたって維持されます。内蔵された終端抵抗は、規定された最大データレートでの性能を制限しない高い周波数応答を備えています。図13に、終端インピーダンスの大きさおよび位相と周波数を示します。デバイ

図13．終端の大きさおよび位相と周波数

図12．終端抵抗と同相電圧

図11．終端をイネーブルおよびディスエーブルした場合のAとBの間の曲線トレース

COMMON MODE VOLTAGE (V)

RESI

STAN

CE (Ω

)

130

128

126

124

122

120

118

116

114

112

110

2885 F12

15105–5 0–10

FREQUENCY (MHz)

MAG

NITU

DE (Ω

)

PHASE (DEGREES)

150

140

130

120

110

100

10

0

–10

–20

–30

–40

2885 F13

1010.1

PHASE

MAGNITUDE

図14．電源電流とデータ・レート

スに電力が供給されていない場合、ONが“L”の場合、またはLTM2885がサーマル・シャットダウン状態にある場合、TEによって終端抵抗をイネーブルすることはできません。

電源電流静的電源電流は、終端抵抗に供給される電力によって左右されます。電源電流は、容量性負荷のため、データレートの増加とともに増加します。図14に、図4の回路構成について、3種類の負荷に対する電源電流とデータレートを示します。電源電流は、VCC2から電流を取り込む追加の外部アプリケーションによって増加します。

DATA RATE (Mbps)0.1 1 10 20

100

110

120

130

140

150

160

170

180

190

200

SUPP

LY C

URRE

NT (m

A)

2885 F14

R = 54Ω CL = 0R = 54Ω CL =100pR = 54Ω CL = 1000p


LTM2885

172885f


PROFIBUSアプリケーションLTM2885は、絶縁が必要なPROFIBUS-DPネットワークで使用することができます。標準的なPROFIBUSの終端は、RS485の終端と異なっており、図15に示しています。この方法で使用する場合、内部終端をディスエーブルされたまま（TEを“L”）にする必要があります。図15における390Ωの抵抗は、バスをプリバイアスし、ラインが駆動されないときに、レシーバの出力が“H”になるようにします。

VCC2は、図15に示すように、外部終端抵抗用の絶縁された電源を提供します。LTM2885をPROFIBUSアプリケーションで使用する場合、規定されたドライバ出力振幅を維持するために、追加負荷をVCC2に接続しないことを推奨します。

• 入力および出力のデカップリング用部品は、パッケージ内部に組み込まれているので必要ありません。追加する場合は値が6.8μF～22μFの大容量コンデンサを推奨します。このコンデンサはESRが大きいので、基板の共振が減少し、電源電圧の活線挿入による電圧スパイクが最小限に抑えられます。EMIの影響を受けやすいアプリケーションでは、1μF～4.7μFの低ESLセラミック・コンデンサを追加することを推奨します。これらはできるだけ電源端子およびグランド端子の近くに配置してください。代わりに、値の小さいコンデンサをいくつか並列に配置してESLを減少させ、正味の容量を同じにすることもできます。

• パッドの内側の列の間のプリント回路基板上には銅領域を配置しないでください。定格の絶縁電圧に耐えるため、この領域は空けたままにしておく必要があります。

• EMIの影響を受けにくいアプリケーションでは、GNDおよびGND2に切れ目のないグランド・プレーンを使用して、信号の忠実度および熱性能を最適化し、結合していないプリント回路基板配線の導通によるRF放射を最小限に抑えます。EMIが問題となるグランド・プレーンを使用すると、ダイポール・アンテナ構造が形成され、GNDとGND2の間に生じる差動電圧が放射される可能性があるという弱点があります。グランド・プレーンを使用する場合は、その面積を最小限に抑え、連続した面を使用することを推奨します。開口部や切れ目があるとRF放射の悪影響が増す可能性があるからです。

• グランド・プレーンが広くなる場合は、ディスクリートのコンデンサを接続するか基板内に容量を埋め込むことによってGNDとGND2の間に小さい容量（330pF以下）を追加すると、モジュールの寄生容量に対する低インピーダンスの電流帰還経路ができるので、高周波の差動電圧が最小限に抑えられ、放射ノイズを大きく減少させることができます。ディスクリート・コンデンサによる容量の場合は、寄生ESLがあるので、埋め込み容量ほどは効果がありません。さらに、部品を選択するときは、電圧定格、漏れ電流、および隙間を考慮する必要があります。プリント回路基板内部に容量を埋め込むと、理想に近いコンデンサが形成され、部品選択の問題が解消されますが、プリント回路基板は4層にする必要があります。どちらの技法を採用する場合でも、絶縁障壁の電圧定格が低下しないように注意する必要があります。


図15．終端とのPROFIBUS-DPの接続

PCBレイアウトLTM2885は集積密度が高いので、プリント回路基板のレイアウトは非常に簡単です。ただし、電気的絶縁特性、EMI性能、熱性能を最適化するには、レイアウトについていくつか検討することが必要です。

• 負荷が重い条件では、VCCおよびGNDを流れる電流が300mAを超えることがあります。プリント回路基板上の銅の量を十分確保し、抵抗に起因する損失によって電源電圧が許容最小レベルより低くならないようにしてください。同様に、VCC2とGND2の導体パターンも、どのような外部負荷電流もサポートできるように大きさを決める必要があります。こうした厚い銅配線領域は、熱ストレスの軽減や熱伝導率の向上にも役立ちます。

A390Ω

5V

220Ω

390Ω SHIELD

PROFIBUS CABLETYPE A

VL

DE

RO

DI

GND

VCC VCC2

2885 F15

B

Y

ZTE

PWR

GND2 LTM2885

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R


LTM2885

182885f



図16aおよび16bのプリント回路基板レイアウトは、LTM2885のデモ基板を示しています。このデモ基板には、絶縁境界をまたがる2つの直列ディスクリート・コンデンサ（C3およびC4）を

最上層

最下層

図16bLTM2885デモ基板のレイアウト（DC1794A）

図16a．LTM2885デモ基板のレイアウト

追加するための準備が含まれています。安全な定格を持つクラスX1またはY1コンデンサが推奨され、VishayのVY1またはWKPシリーズが適切です。


LTM2885

192885f


EMI性能を図17に示します。これは、GTEM（Gigahertz Transverse Electromagnetic：ギガヘルツ横方向電磁界）セルと、IEC 61000-4-20（Testing and Measurement Techniques – Emission and Immunity Testing in Transverse Electromagnetic

Waveguides：試験および測定技術 - 横方向電磁界導波管のエミッションおよびイミュニティ試験）に詳細が記載されている方法を使用して測定しました。


図18．ケーブル長とデータレート

RF、磁界に対する耐性LTM2885内部は単独で評価されており、以下の試験規格に従って、欧州規格EN 55024に準拠したRFおよび磁界の耐性試験の要求基準に合格しました。

EN 61000-4-3 Radiated, Radio-Frequency, Electromagnetic

Field Immunity

（放射無線周波数電磁界での耐性）

EN 61000-4-8 Power Frequency Magnetic Field Immunity

（電源周波数磁界での耐性）

EN 61000-4-9 Pulsed Magnetic Field Immunity

（パルス磁界での耐性）

試験は、データシートのプリント回路基板レイアウトの推奨事項に従って設計されたシールドなしのテスト・カードを使用して行われました。試験に従う具体的制限が表1に詳細に示されています。

表1TEST 周波数電界 /磁界強度

EN 61000-4-3, Annex D 80MHz to 1GHz 10V/m

1.4MHz to 2GHz 3V/m

2GHz to 2.7GHz 1V/m

EN61000-4-8, Level 4 50Hz and 60Hz 30A/m

EN61000-4-8, Level 5 60Hz 100A/m*

EN61000-4-9, Level 5 Pulse 1000A/m*IEC以外の方法

図17．LTM2885デモ回路の1794A放射

ケーブル長とデータレート特定のデータレートでは、最大送信距離がケーブルの特性によって制限されます。ケーブル長とRS485規格に準拠するデータレートの標準的な曲線を図18に示します。この曲線の3つの領域は、データ伝送の性能を制限する異なった要因を反映しています。曲線のフラットな領域では、最大距離は、ケーブル内の抵抗性損失によって決定されます。下向きに傾斜している領域は、ケーブル内のAC損失に起因する距離およびレートにおける制限を表しています。垂直の実線はRS485標準規格で規定されている最大データレートを表わしています。250kbpsでの点線は、SLOが“L”の場合の最大データレートを示しています。20Mbpsでの点線は、SLOが“H”の場合の最大データレートを示しています。

2885 F18DATA RATE (bps)

CABL

E LE

NGTH

(FT)

10k 1M 10M100k 100M

100

1k

10

10k

LOW-EMI MODEMAX DATA RATE

RS485 MAXDATA RATE

NORMAL MODE MAXDATA RATE

DETECTOR = QPEAKRBW = 120kHzVBW = 300kHzSWEEP TIME = 17s# OF POINTS = 501

CISPR 22 CLASS B LIMITNO BRIDGE CAPS2x100pF BRIDGE CAPS

FREQUENCY (MHz)0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

–30

–20

–10

0

10

20

30

40

50

60

(dBµ

V/m

)

2885 F17


LTM2885

202885f


標準的応用例

図21．低電圧インタフェースとの絶縁されたCMOSロジック接続を使用するスイッチ付き5V電源

図22．シールドされないCAT5接続用の4線式全二重自己バイアス

図19．絶縁型システムのフォルト検出図20．全二重RS485接続

AVL

RE

DETE

RO

DI

DOUT DINGNDFAULT

VCC

VCC

B

Y

Z

GND2

330k

2885 F19

LTM2885IS

OLAT

ION

BARR

IER

PWRA

VL

RE

DE

TE

RO

DI

GND

VCC

VCC

2885 F20

B

Y

Z

PWR

GND2

LTM2885

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R

2885 F21

A

VCC2

ROVL

TE

RE

DE

DI

DOUTGND GND2

VCC

VCC

CMOS INPUTCMOS OUTPUT

B

Z

1.8V

DIN

PWR

ONOFF

REGULATED 5VSWITCHED 5V

IRLML6402

330kLTM2885

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R

AVL

RE

DE

RO

DI

GND

VCC

VCC

B

Y

Z

PWR

GND2

LTM2885

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R

Y

VL

RE

RO

DE

DI

GND

VCC

VCCB

2885 F22

Z

A

B

PWR

GND2

BUS INHERITED

LTM2885

10nF

51Ω

51Ω

51Ω

51Ω 10nF

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R

B


LTM2885

212885f

リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

パッケージの寸法

PACKAGE TOP VIEW

4

PIN “A1”CORNER

YX

aaa Z

aaa Z

BGA Package42-Lead (22mm × 9mm × 5.16mm)

(Reference LTC DWG# 05-08-1960 Rev A)

注記：1. 寸法と許容誤差はASME Y14. 5M-1994による

2. 全ての寸法はミリメートル

ボールの指定はJESD MS-028およびJEP95による

4

3

ピン#1の識別マークの詳細はオプションだが、示された領域内になければならない。ピン#1の識別マークはモールドまたはマーキングにすることができる

DETAIL A

Øb (42 PLACES)

DETAIL B

SUBSTRATE

A

A1

b1

ccc Z

DETAIL BPACKAGE SIDE VIEW

MOLDCAP

Z

M X YZdddM Zeee

SYMBOLA

A1A2b

b1DEeFG

H1H2aaabbbcccdddeee

MIN4.910.504.410.600.60

0.463.95

NOM5.160.604.560.750.6322.09.01.2720.327.620.564.00

MAX5.410.704.710.900.66

0.664.050.150.100.150.150.08

NOTES

DIMENSIONS

TOTAL NUMBER OF BALLS: 42

A2

D

E

SUGGESTED PCB LAYOUTTOP VIEW

0.00

8.89

10.16

7.62

2.54

1.27

2.54

3.81

3.81

1.27

0.00

10.16

8.89

7.62

9.84

10.48

// b

bb Z Z

H2H1

5. 主データム -Z- はシーティングプレーン6. 半田ボールは、元素構成比がスズ（Sn）96. 5%、銀（Ag）3. 0%、銅（Cu）0.5%の合金とする

0.63 ±0.025 Ø 42x

4.13

3.49

BGA 42 0314 REV A

TRAY PIN 1BEVEL

PACKAGE IN TRAY LOADING ORIENTATION

COMPONENTPIN “A1”

LTMXXXXXXµModule

7 パッケージの行と列のラベルは、µModule製品間で異なります。各パッケージのレイアウトを十分にご確認ください

!

PACKAGE BOTTOM VIEW

T

S

R

P

N

M

L

K

J

H

G

F

E

D

C

B

A

1234567

DETAIL A

3

SEE NOTESPIN 1

e

e

F

Gb

7

SEE NOTES

b

最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/product/LTM2885#packagingを参照してください。

http://www.linear-tech.co.jp/product/LTM2885#packaging

LTM2885

222885f

LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2016

LT1016 • PRINTED IN JAPANリニアテクノロジー株式会社〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp/LTM2885

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標準的応用例

製品番号説明注釈LTM2881 電源付き絶縁型RS485/RS422 μModuleトランシーバ 20Mbps、±15kV ESD、電源の2500VRMSの絶縁特性LTM2882 電源付きデュアル絶縁型RS232 μModuleトランシーバ 1Mbps、±10kV ESD、電源の2500VRMSの絶縁特性LTM2883 SPI/デジタルまたはI2C対応の電源付きμModuleアイソレータ 2500VRMSの絶縁特性を備え、調整可能な±12.5Vおよび5V電源を

BGAパッケージに収容LTM2884 電源を備えた絶縁型USBトランシーバ 2500VRMS、自動速度選択、1W～2.5W絶縁型電源LTM2886 5Vおよび±5Vの可変安定化電源を備えたSPIまたは

I2C対応のμModuleアイソレータ表面実装BGAでの絶縁耐圧：2500VRMS

LTM2889 完全な4Mbps CAN FD μModuleアイソレータ＋電源表面実装BGAでの絶縁耐圧：2500VRMSLTM2892 SPI/デジタルまたはI2C対応の絶縁型μModule 3500VRMSの絶縁特性を備え、電源なしで9mm×6.25mm BGAパッケージに収容LTM2893 完全な100MHz SPI ADC μModuleアイソレータ表面実装BGAでの絶縁耐圧：6000VRMSLTM2894 完全な絶縁型USB μModuleトランシーバ表面実装BGAでの絶縁耐圧：7500VRMSLTC®1535 絶縁型RS485トランシーバ表面実装パッケージでの絶縁耐圧：2500VRMSLT®1785 ±60Vフォルト保護付きトランシーバ半二重LT1791 ±60Vフォルト保護付きトランシーバ全二重LTC2861 切替え可能な終端を内蔵した20Mbps RS485トランシーバ全二重、15kV ESDLTC2862-5 20Mbps RS485トランシーバ、±60Vフォルト保護機能付き ±25Vの同相範囲、15kV ESD

AVL

VCC1

RE

DE

TE

RO

DI

GND

VCC

VCCA

2885 TA02

B

Y

Z

A

PWR

GND2

AVL

RE

DE

TE

RO

DI

GND

VCC

VCCC

B

Y

Z

PWR

GND2A

V L RE DETERO DI

GND

V CC

V CCB

B Y Z

PWR

GND2

LTM2885

LTM2885LTM2885

VCC2

C

B

CABLE SHIELD OR GROUND RETURN

ISOL

ATIO

N BA

RRIE

R ISOLATION BARRIER

ISOLATION BARRIER

B

終端を備えるマルチノード・ネットワークおよび絶縁バス上の単一グランド接続

http://www.linear-tech.co.jp/LTM2885http://www.linear-tech.co.jp/LTM2881http://www.linear-tech.co.jp/LTM2882http://www.linear-tech.co.jp/LTM2883http://www.linear-tech.co.jp/LTM2884http://www.linear-tech.co.jp/LTM2886http://www.linear-tech.co.jp/LTM2889http://www.linear-tech.co.jp/LTM2892http://www.linear.com/LTM2893http://www.linear-tech.co.jp/LTM2894http://www.linear-tech.co.jp/LTC1535http://www.linear-tech.co.jp/LT1785http://www.linear-tech.co.jp/LT1791http://www.linear-tech.co.jp/LTC2861http://www.linear-tech.co.jp/LTC2862

FeaturesApplicationsDescriptionTypical ApplicationAbsolute Maximum RatingsPin ConfigurationOrder InformationElectrical CharacteristicsSwitching CharacteristicsIsolation CharacteristicsTypical Performance CharacteristicsPin FunctionsBlock DiagramTest CircuitsFunctional TableApplications InformationRelated Parts

rms rs485/rs422 µmoduleトランシーバ＋電源2885 ta01a twisted-pair cable a vcc2 5v out ro vl...

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