practica # 8

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11"

+-

Experimento'"~

de laboratorio

8

Transistores de efecto de campo, metal-oxido-semiconductor

Entr N Vert

:r osc

'r'

2

.

I

~,

t=-

+0.5Ved. 0 d) Aumente el rango del YOM Y ajuste laFit. 8..6

figura 8 4. Marque esta curva como VGS

=

fuente de energia de manera que VG S = 1.0 volt.

Registre y marque la curva.28 24

0 b) Ajuste el voltaje de la fuente de drenaje de ca variable a 10 volts (nns). 0 c) .Use el rango de 0.5 volt cd en 'el YOM y ajuste la fuente variable de cd hata que VGS =-0.,2 volts. /'

0 d) En la figura 8-4, registre la curva q\le aparece en la pantalla del osciloscopio. A esta curva identifiquela como VGS = -0.2 volts cd. 0 e) lQue sucede ala corriente ID de drenaje al hacer neg-citivaa la compuerta?''''''''''''''''''''''''''''

< 20 .5 916';r

.

VGS=+1.5Vcd

i 12 .0 a 8 ,I ~ 4 0y

/

I .1 I VGS-+1Vcd I,ll VGS=+O.5Vcd'

!IT

I VGS

b

2

4

6

8

-j II 10 12 14 16 18 20VDS (volts)

VGS=-o.2Vcd

Voltaje de drenaje.fuente

0 f) l Con cu31 modo de la operacion del FET se relaciona oeste?'.n ' , , .......

Fig. 8-6CJ e) Ajuste la fuente. de energia para VG-S = + 1.5 volts.' Registre y marque la curva. 0 f) Compare su familia de curvas caraeteristic~ contra la figura 8-6. De margen para amplias variaciones entre los MOSFETs del mismo tipo.

El modo de empobrecimiento. 0 g) Lentamente aumente la polarizaci6n nee gativa de cd hasta q\1e la corriente de drenaje caiga a cero (ninguna deflexi6h'vertical en el osciloscopio). Tendri que aumentar el rango del YOM. Mida VGS .en el estrangulamiento:

0sitivo

g) lQue sucede cuando VG S se hace po\ "... ',"','-',"".",

v, (VQ~J:;:"''''0;'''''''''''':',':T!Y'/

Vccl0 h) lQue esto? modo de operacion

'~,'"

''';':.:~'~r

,',

~

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,":

ObjetivoC. 'MOs~ i"m~di;' las caracteristicas del modode~J'IIiqu~ciJlijento de un nansistor de cfecto de cani~ metaI-6xid9-scmiconductor."

repr.es~ta,

,",''-

0 3.a) Refi~~ase,. la:0"'fi~a.'8-5 e' invierta la . ,'.. polaridad delafuente,"'decden el circuito de , compuem del ()SFE!- Tambien invierta la po- 0laridad del VOM~""

i) lLos JFETs operan en el modo de::pri:. ",:~ /'

quecimiento?

44

w

I'Trtlnsi.tDreI d, ,tectO d, campo

Resumen

En este experimento de lab oratorio se familiarizo con el transistor de eJecto de campo metal-ox;do-semiconductor (MOSFET). Primero midio la corriente de drenaje con polarizacion cero de compuerta bajo condiciones dimimicas. Grafico una curva caracteristica y encontro que el MOSFET tiene una region ohmica y una I:egion de corriente constante semejante a un J}o'ET. Luego aplico un voltaje negativo a la compuerta. Vio q~e la corrie~ite de drenaje disminuye al aumentar VG S en direccion negativa. Detennino que eso se debe a que el canal se agpta de electrones. Uego

a la conclusion de que el MOSFET de canal N estaba funcionando en e1 modo de empobrecimiento bajo estas condiciones. Tambien midio el voltaje de estrangwamiento. Finalmente, aplico un voltaje positivo a la compuerta. Vio que 1a corriente de drenaje crece al aUlDentar VGS en la direccion positiva. Determino que la conduccion de canal se aumenta por elV Gs positivo y Uego a la conclusion de que el MOSFET de canal N funcionaba en el modo de enriquecimiento. Grafico una familia de c:urvas caracteristicas para los distintos valores de VGs. V~rific6 que debido a Ja compuerta aislada, se puede construir el MOSFET para que tenga caracteristicas por igual de modo de enriquecimiento yempobrecimiento.

'""

.

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