mosfet.pdf

Download mosfet.pdf

If you can't read please download the document

Upload: ivaldo-souza

Post on 03-Oct-2015

214 views

Category:

Documents


1 download

TRANSCRIPT

  • 1 / 36

    MOSFET

    Lucas Modesto da Costa

    Instituto de Fsica - DFGE - USP

    12 de dezembro de 2008

  • Introduc ao

    Introduc ao

    Transistores Descoberta Tipos de Transistores MOSFET

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    2 / 36

  • Transistores

    Introduc ao

    Transistores Descoberta Tipos de Transistores MOSFET

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    3 / 36

  • Descoberta

    Introduc ao

    Transistores Descoberta Tipos de Transistores MOSFET

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    4 / 36

    Princpio b asico proposto na d ecada de 30 por Lilienfeld e Heil; Bell Telephone em 1947 por Brattain e Bardeen; Propriedades de superfcie de germ anio com contatos met alicos

    reticadores; Em Dezembro do mesmo ano, anunciam o transistor, por em as

    primeiras vers oes eram bem fr ageis; W. Shockley em 1948 publica um trabalho te orico propondo o

    transistor de junc ao; Pr emio Nobel em 1956 para Shockley, Brattain e Bardeen.

  • Tipos de Transistores

    Introduc ao

    Transistores Descoberta Tipos de Transistores MOSFET

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    5 / 36

    Basicamente, os transistores est ao divididos em:

    1. Transistor bipolar de junc ao:controle a partir da corrente de entrada

    pnp; npn;

    2. Transistor de efeito de campo:controle a partir da tens ao de entrada

    junc ao; metal-semicondutor; porta isolada .

  • MOSFET

    Introduc ao

    Transistores Descoberta Tipos de Transistores MOSFET

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    6 / 36

    O que signica essa palavra?

    MOS - Metal-Oxide-Semicondutor; FET - Field Effect Transistor.

    Uso de terminais el etricos, sendo substitudo por polisilcio. Terminal porta isolado do semicondutor por uma camada de um

    oxido do pr oprio semicondutor (SiO2). A tens ao de entrada gera um campo num capacitor, formado

    pelo contato met alico da porta e pelo semicondutor do canal,separados por uma camada isolante.

    Alta imped ancia de entrada.

  • M etodos de Produc ao

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    7 / 36

  • M etodos de Produc ao

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    8 / 36

    Difus ao convencional; Fotoresit encia; Evaporac ao a v acuo.

    Fotolitograa; Implantac ao i onica; Corros ao; Epitaxia; Deposic ao; Oxidac ao T ermica.

  • Produc ao - Preparando o substrato

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    9 / 36

    Substrato p

  • Produc ao - Adic ao do isolante

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    10 / 36

    xido (SiO )2

    p

  • Produc ao - Fotolitograa

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    11 / 36

    ResinaFotoresistiva

    Mscara

    Luz Ultravioleta

    p

  • Produc ao - Difus ao de impurezas

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    12 / 36

    p

    n+

  • Produc ao - Contatos met alicos

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    13 / 36

    n+n+

    Fonte Ponte Dreno SiO2

    p Camada deinverso

  • Como Funciona?

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    14 / 36

  • Para VP < 0 e VF D = 0

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    15 / 36

    n+

    F P D

    p

    n+

    Acumulac ao

  • Para 0 < VP < VC e VF D = 0

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    16 / 36

    n+

    F P D

    p

    n+

    Deplec ao

  • Para VP > VC e VF D = 0

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    17 / 36

    n+

    F P D

    p

    n+

    Invers ao

  • Para VP > VC e VF D < VP VC

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    18 / 36

    n+

    F P D

    p

    n+

    Regi ao Trodo

    I d =oxWLTox

    (VP VC ) VF D

    V 2F D2

  • Para VP > VC e VF D = VP VC

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    19 / 36

    n+

    F P D

    p

    n+

    Transic ao trodo - saturac aopinch-off (pincamento)

  • Para VP > VC e VF D > VP VC

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    20 / 36

    F P D

    n+

    p

    n+

    Regi ao de Saturac ao

    I d =oxW2LTox

    (VP VC )2

  • Capacitor

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    21 / 36

    Queda do Potencial:

    no isolante (Vi ); no semicondutor (Vs).

    V = Vi + Vs

    Cargas no capacitor:

    na superfcie do metal (Qm ); na superfcie do semicondutor (Qs).

    Q = Qs = Qm > 0

  • Capacitor

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    22 / 36

    Vi =QCi

    ; Ci = iAd

    Qs = Q = eNaLA

    Comprimento da camada l

    l =

    2sVseNa

    1=2

    Tens ao em func ao de l

    V =eNad

    il +

    eNa2s

    l2

    Gerada a camada de deplec ao l . Quando V > Vc, teremoscrescimento da carga de invers ao.

  • Tens ao Crtica

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    23 / 36

    Tens ao Crtica no caso ideal:

    Vc =QdCi

    + 2 ` F

    Tens ao Crtica no caso geral:

    Vc =QdCi

    + 2 ` F + ` ms QoxCi

    Func ao trabalho ` ; Qd carga de deplec ao m axima; Para obter uma pequena tens ao crtica, deve-se fazer a

    capacit ancia Ci maior possvel.

  • Esquema de ligac ao

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    24 / 36

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaabbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbb

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

    aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaabbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbb

    L

    Z=0 Z=L

    DZZ

    L!

    IDRDID RS

  • Condutividade do el etron

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    25 / 36

    Eox =VG V (z)

    Tox

    c(z) = oxEox(z) =oxTox

    [VG V (z)]

    Condic ao de corrente:

    m (z) =oxTox

    f [VG V (z)] VP g; seVG V (z) > VP

    m (z) = 0 ; seVG V (z) VP

    Condut ancia:

    G(z) = m (z)W

    z

  • Condutividade do el etron

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    26 / 36

    Pela Lei de Ohm:

    I d = G(z) V = m (z)W V z

    Integrando sobre a largura do canal:

    I d

    Z L

    0=

    oxWLTox

    Z VD 0

    VS 0[VG V (z) VP ]dV

    Finalmente:

    I d =oxWLTox

    (VG VP ) (VD 0 VS0) 12

    V 2D 0 V

    2S0

  • Tipos de MOSFET

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona? Para VP < 0 eVF D = 0 Para0 < V P < V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D = 0 Para VP > V C eVF D < V P VC Para VP > V C eVF D = VP VC Para VP > V C eVF D > V P VC Capacitor Tens ao Crtica Esquema de ligac ao Condutividade doel etron Condutividade doel etron

    Tipos de MOSFET

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    27 / 36

  • Resultados Experimentais

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais ResultadosExperimentais

    Dispositivos

    Circuitos Integrados

    28 / 36

  • Resultados Experimentais

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais ResultadosExperimentais

    Dispositivos

    Circuitos Integrados

    29 / 36

    Comprimento L = 12; 7m ; Largura W = 127m ; Espessura Tox = 1000 A; Tens ao de pinch-off 2V . Dispositivo fabricado com 5ohm cm silcio tipo p.

  • Resultados Experimentais

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais ResultadosExperimentais

    Dispositivos

    Circuitos Integrados

    30 / 36

  • Dispositivos

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais ResultadosExperimentais

    Dispositivos

    Circuitos Integrados

    31 / 36

    2200 transistores por polegadaquadrada;

    Corrente ap os a saturac ao; Falha da condic ao de Shock-

    ley; Multiplicac ao dos Car-

    regadores de alto campo;

    Equilbrio t ermico entre os ter-minais.

  • Circuitos Integrados

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    Circuitos Integrados Transistores porprocessador

    Agradecimentos

    32 / 36

  • Circuitos Integrados

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    Circuitos Integrados Transistores porprocessador

    Agradecimentos

    33 / 36

    Formado por transistores, diodos, resistores e capacitores; Fabricados na mesma pastilha de semicondutor e interligados

    por lmes met alicos; 1958, Jack Kilby produz o primeiro circuito integrado ganhando o

    nobel de fsica no ano 2000. Lei de Moore.

    Tipos de CI:

    Anal ogicos: amplicadores, reguladores de voltagem e chaves. Digitais: microprocessadores e mem orias

    Sobre as mem orias

    Atualmente usa-se transistores do tipo MOSFET, no qual o capacitorcarregado representa o bit 1 e o descarregado representa o bit 0.

  • Circuitos Integrados

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    Circuitos Integrados Transistores porprocessador

    Agradecimentos

    34 / 36

    O mais novo processador da Intel usa um composto com h afniocomo elemento isolante.

  • Transistores por processador

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    Circuitos Integrados Transistores porprocessador

    Agradecimentos

    35 / 36

    Intel 4004 2 300 1971 IntelIntel 80286 134 000 1982 IntelIntel 80486 1 200 000 1989 IntelPentium III 9 500 000 1999 IntelAMD K7 22 000 000 1999 AMDCore 2 Duo 291 000 000 2006 IntelCell 241 000 000 2006 Sony/IBM/ToshibaGT200 1 400 000 000 2008 NVIDIA

  • Agradecimentos

    Introduc ao

    M etodos de Produc ao

    Como Funciona?

    ResultadosExperimentais

    Circuitos Integrados

    Circuitos Integrados Transistores porprocessador

    Agradecimentos

    36 / 36

    OBRIGADO A TODOS

    IntroduoTransistoresDescobertaTipos de TransistoresMOSFETMtodos de ProduoMtodos de ProduoProduo - Preparando o substratoProduo - Adio do isolanteProduo - FotolitografiaProduo - Difuso de impurezasProduo - Contatos metlicosComo Funciona?Para VP < 0 e VFD = 0 Para 0 < VP < VC e VFD = 0 Para VP > VC e VFD = 0 Para VP > VC e VFD < VP - VC Para VP > VC e VFD = VP - VC Para VP > VC e VFD > VP - VC CapacitorCapacitorTenso Crtica Esquema de ligaoCondutividade do eltronCondutividade do eltronTipos de MOSFETResultados ExperimentaisResultados ExperimentaisResultados ExperimentaisDispositivos