main memory 516(1)

33
หน่วยความจำาหลัก (Main Memory)

Upload: chettapong

Post on 01-Jul-2015

2.461 views

Category:

Entertainment & Humor


0 download

DESCRIPTION

Main Memory

TRANSCRIPT

Page 1: Main Memory 516(1)

หนวยความจำาหลก (Main Memory)

Page 2: Main Memory 516(1)

หนวยความจำาหลกประสทธภาพของโปรเซสเซอร หรอซพย

นนถกวดจากจำานวนคำาสง (Instruction) ทซพยสามารถเรยกใชงานไดใน 1 วนาท และความเรวดงกลาวนกมการเพมขนเปน 2 เทา ทก ๆ 18 เดอน หนวยความจำาของคอมพวเตอรเองกมการพฒนาเพมขนเชนเดยวกนแตในทศทางทแตกตาง คอ

หนวยความจำานนจะมการเพมขนาดเปน 4 เทาในทก ๆ 36 เดอน ในขณะทราคาคงท แตความเรวของหนวยความจำามการเพมขนประมาณ 10% ตอป

เทานน ดวยเหตทการเพมความเรวของโปรเซสเซอรทมอตราสงกวาการเพมความเรวของหนวยความจำา ทำาใหชองวางระหวางความเรวของโปรเซสเซอรและความเรวของหนวยความจำาเพม

มากขน การออกแบบสถาปตยกรรมคอมพวเตอรจงตองพจารณาการลดชองวางน

Page 3: Main Memory 516(1)

การทำางานของหนวยความจำาการทำางานของหนวยความจำาหนวยความจำาหลกหนวยความจำาหลก เปนศนยกลางของการ เปนศนยกลางของการ

ทำางานตาง ๆ ของระบบคอมพวเตอรในปจจบน หนวยทำางานตาง ๆ ของระบบคอมพวเตอรในปจจบน หนวยความจำาหลก คอพนทเกบขอมลขนาดใหญทประกอบไปความจำาหลก คอพนทเกบขอมลขนาดใหญทประกอบไปดวย พนทเกบขอมลยอยทมขนาดเปน ไบต ดวย พนทเกบขอมลยอยทมขนาดเปน ไบต (Byte) (Byte) โดยโดยแตละไบตจะมแอดเดรส แตละไบตจะมแอดเดรส (Address) (Address) บอกตำาแหนงของตวบอกตำาแหนงของตวเองดวย ซงการทำางานของระบบคอมพวเตอรนนจะเรมตนเองดวย ซงการทำางานของระบบคอมพวเตอรนนจะเรมตน

จากการดงหรอเฟตชคำาสง จากการดงหรอเฟตชคำาสง (Fetch) (Fetch) ออกมาจากหนวยออกมาจากหนวยความจำาแลวเอกซควต ความจำาแลวเอกซควต (Execute) (Execute) คำาสงเหลานนทละคำาคำาสงเหลานนทละคำา

สงสง

Page 4: Main Memory 516(1)
Page 5: Main Memory 516(1)

รจสเตอร รจสเตอร (Register)(Register)

• เมมโมรบพเฟอรรจสเตอรเมมโมรบพเฟอรรจสเตอร (MBR : Memory buffer (MBR : Memory buffer register) : register) : เปนหนวยเกบขอมลทจะสงออกไปเกบ หรอทเปนหนวยเกบขอมลทจะสงออกไปเกบ หรอทดงมาจากหนวยความจำา ดงมาจากหนวยความจำา

• เมมโมรแอดเดรสรจสเตอรเมมโมรแอดเดรสรจสเตอร (MAR : Memory address (MAR : Memory address register) : register) : เปนตวกำาหนดทอยของหนวยความจำาท เปนตวกำาหนดทอยของหนวยความจำาท MBR MBR จะจะทำาการอาน หรอ เกบขอมลทำาการอาน หรอ เกบขอมล

• อนสตรคชนรจสเตอรอนสตรคชนรจสเตอร (IR : Instruction register) : (IR : Instruction register) : เปนเปนสวนทเกบคำาสง สวนทเกบคำาสง (Opcode) (Opcode) ทจะถกเรยกใชงานทจะถกเรยกใชงาน

• โปรแกรมเคานเตอรโปรแกรมเคานเตอร (PC : Program counter) : (PC : Program counter) : เปนสวนเปนสวนทเกบทอยของคำาสงถดไปทจะถกดงออกมาจากหนวยความทเกบทอยของคำาสงถดไปทจะถกดงออกมาจากหนวยความจำาหลกจำาหลก

• แอกควมเลเตอร แอกควมเลเตอร (AC : Accumulator) : (AC : Accumulator) : จะใชในเกบคาจะใชในเกบคาชวคราวของชวคราวของโอเปอแรนดโอเปอแรนด (Operands) (Operands) และผลลพธของการและผลลพธของการคำานวณในสวน คำานวณในสวน ALUALU

Page 6: Main Memory 516(1)

การทำางานของระบบคอมพวเตอร

ระบบคอมพวเตอรจะทำางานโดยการเรยกใชคำาสงจากหนวยความจำาหลกเขามาทำางาน หรอทเราเรยกวา “วง

รอบคำาสง” (Instruction Cycle) ซงในแตละวงรอบจะประกอบไปดวย 2 วงรอบการทำางานยอย คอ “วงรอบเฟตช”

(Fetch Cycle) และวงรอบเอกซควต (Execute Cycle)

Page 7: Main Memory 516(1)

วงรอบเฟตช

• การเคลอนยายขอมลระหวางโปรเซสเซอรกบหนวยความจำาหลก (Processor-memory)

• การเคลอนยายขอมลระหวางโปรเซสเซอรกบอปกรณอนพต/เอาตพต (Processor-I/O)

• การประมวลผลขอมล (Data Processing) • การควบคมการทำางาน (Control)

เรมทำางานโดยการโหลดคำาสงเขาไปในรจสเตอร IR และสวนของแอดเดรสของหนวยความจำาจะถกโหลดเขาไปใน รจสเตอร MAR ซงคำาสงดงกลาวนอาจจะมาจากรจสเตอร IBR หรออาจจะมาจากหนวยความจำาหลกทถกโหลดเขาไปในรจสเตอร MBR และสงผาน

ไปยงรจสเตอร IBR อกทกได

Page 8: Main Memory 516(1)

วงรอบเอกซควต

เมอคำาสงถกโหลดเขามาใน รจสเตอร IR วงรอบเฟตชจะเรมทำางาน โดยแผงวงจรอเลกทรอนกสในโปรเซสเซอรจะทำาการอาน

คำาสงทใหทำางาน และเรยกใชโดยการสงสญญาณไปยงสวนควบคม (Control) เพอ

เคลอนยายขอมล หรอทำาการคำานวณในสวน ALU โดยการเรยกใชคำาสงนนจะทำางานตลอดเวลา และจะหยดกตอเมอเครอง

คอมพวเตอรถกปด หรอเกดขอผดพลาดทไมสามารถกคนได หรอมคำาสงในโปรแกรมให

หยดการทำางานของเครอง (Halt)

Page 9: Main Memory 516(1)
Page 10: Main Memory 516(1)

คณลกษณะของหนวยความจำา

• ตำาแหนง (Location)• ความจ (Capacity)• หนวยของการถายโอนขอมล (Unit of Transfer)

– เวรด (word) – หนวยทใชในการอางถงตำาแหนงขอมล

• วธการเขาถงขอมล (Access method)– การเขาถงขอมลแบบลำาดบ (Sequential

access)– การเขาถงขอมลแบบโดยตรง (Direct

access)– การเขาถงขอมลแบบสม (Random access)

Page 11: Main Memory 516(1)

คณลกษณะของหนวยความจำา

ประสทธภาพของหนวยความจำา (Performance)

ชนดของสอทใชบนทก (Physical Type)

ชอ หนวย คำาอธบายAccess time วนาท เวลาทใชในการเขาถงเวรดในหนวยความจำาCycle time วนาท เวลาทใชเรมนบจากหนวยความจำาอานขอมลจน ถงจดเรมของคำาสงถดไปBlock size เวรด จำานวนของเวรดใน 1บลอกขอมล

อตราการถายโอน เวรด/วนาท อตาการถายโอนขอมลLatency วนาท เวลาทใชในการเขาถงเวรดแรกของขอมลBlock access time วนาท เวลาทใชในการเขาถงบลอกของเวรดทงหมด

Page 12: Main Memory 516(1)

การแบงหนวยความจำาออกเปนลำาดบชน

Page 13: Main Memory 516(1)

การเชอมตอระหวางซพยกบหนวยความจำา

Page 14: Main Memory 516(1)
Page 15: Main Memory 516(1)

หนวยความจำา RAM

หนวยความจำา RAM มการทำางานเหมอนกบเกต D-ฟลบฟลอบ (D flip-flop) และมตวควบคมทจะอนญาตใหเซลนนถกเลอก, อาน,

หรอเขยนลงไปได ในเซลนนจะมสายสญญาณนำาขอมลเขาและออก และเมอเรากลาวถงชปของ RAM เราจะนำาเซลของหนวยความจำาทคลายกบในรปมาใช อยางไรกตามเซลของ

หนวยความจำาจรง ๆ นนไมจำาเปนตองเหมอนดงในรปกได

Page 16: Main Memory 516(1)

หนวยความจำา RAM

Page 17: Main Memory 516(1)

SRAM

เซลของหนวยความจำา SRAM นนจะประกอบไปดวยตวกลบสญญาณ (Inverter) 2 ตวทเชอมตอกนแบบกลบไปกลบมาเปนวงแหวน เมอคาเซลของหนวยความจำาถกกำาหนดคา โครงสรางการเชอมตอดงกลาวของตวกลบสญญาณจะเปนตวรกษาคาทถกบนทกไว เพราะสญญาณไฟนำาเขาของตวกลบสญญาณจะมาจากตวกลบสญญาณทอยตรงขามกน และสงสญญาณสลบกนไปมา และดวยเหตน SRAM จงถกเรยกวาเปนหนวยความจำาท

เปนแบบสถต (Static RAM) ซงคาทบรรจอยในแรมจะคงทตราบเทาทยงมกระแสไฟฟาหลอเลยง

ระบบ

Page 18: Main Memory 516(1)
Page 19: Main Memory 516(1)
Page 20: Main Memory 516(1)

DRAM

เซลของ DRAM นนสามารถแสดงได ซงเราจะเหนวา DRAM มการใชตวเกบประจ (capacitor) แทนตวกลบสญญาณ

(inverter) ทใชในเซลทเกบขอมล เมอสายสญญาณเวรดถกจองสทธเรยกใชงาน ตว

เกบประจกจะถกเชอมตอเขากบสายสญญาณบต ทำาใหคาทเกบไวในเซลถก

อานออกมาโดยเราสามารถเชคคาทเกบไวในตวเกบประจไดวามคาบตเปนเทาไหร หรอเราจะทำาการเขยนขอมลโดยประจคา

ตางศกยใหมใหกบตวเกบประจกได

Page 21: Main Memory 516(1)
Page 22: Main Memory 516(1)

D R AM

Page 23: Main Memory 516(1)

การจดโครงสรางภายในชบ R AM

Page 24: Main Memory 516(1)

หนวยความจำาแบบ 4 เวรด (แตละเวรดม 4 บต)

Page 25: Main Memory 516(1)

การจดโครงสรางภายในชบ RAM

การจดแบบรปแบบ 2-1/2D ของ 64 เวรด x 1 บตแรม

Page 26: Main Memory 516(1)

การสรางแรมขนาดใหญจากแรมขนาดเลก

แรมแบบ 4 เวรด x 8 บต ทเกดจากแรม 4 บต x 4 บต เชอมตอกน

Page 27: Main Memory 516(1)

แรมแบบ 8 เวรด x 4 บต ทเกดจากแรม 4 บต x 4 บต จำานวน 2 ตวเชอมตอกน

Page 28: Main Memory 516(1)

โมดลของแรมทมขายตามทองตลาด

Page 29: Main Memory 516(1)

หนวยความจำารอม (ROM : Read Only Memory)

เมอมความตองการทจะบรรจขอมลทถาวรลงไปในหนวยความจำา เชน คาตดตงตาง ๆ ของตวเครองหรอเมนบอรด หนวยความจำาชนดอานอยางเดยวหรอ ROM จะ

ถกนำามาใช ROM นนเปนหนวยความจำาแบบไมลบเลอน (non-volatile) ซงจะคงคาของ

ขอมลถงแมวาไมมกระแสไฟฟาหลอเลยงกตาม เรานยมใช ROM เพอเกบขอมลทไมตองการการปรบปรงขอมลมากนก เชน ใช

สำาหรบเกบคาตางๆทใชในการควบคมเครองยนต หรอใชเกบบนทกคาการทำางาน

ของเครองยนต

Page 30: Main Memory 516(1)

ชบ ROM แบบ 2-D CMOS

Page 31: Main Memory 516(1)

ประเภทของหนวยความจำารอม

• PROM (Programmable Read Only Memory)• EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)• Flash EPROM • EEPROM (Electrically Erasable PROM)

Page 32: Main Memory 516(1)

คณสมบตรอมประเภทตาง ๆ

Page 33: Main Memory 516(1)

จดทำาโดยจดทำาโดย

นายจรายนายจราย สรยศธำารง สรยศธำารงเลขท เลขท 11

นายสทธเชษฐนายสทธเชษฐ วรยะสนทรา วรยะสนทราพรพร เลขท เลขท 77

นายพงศภคนายพงศภค มหาเศรษฐสร มหาเศรษฐสรเลขท เลขท 1010

นายธนกรนายธนกร เตชะอบล เตชะอบล เลขท เลขท 1313

นายเชษฐพงศนายเชษฐพงศ มณรตน มณรตนโรจนโรจน เลขท เลขท 1717

นายกฤตมธนายกฤตมธ จงชาณสทโธ จงชาณสทโธเลขท เลขท 3737

นางสาวชนาการตนางสาวชนาการต วงศพฒน วงศพฒนเลศเลศ เลขท เลขท 2727

นางสาวพรรณพชรนางสาวพรรณพชร สรอยสวรรณ สรอยสวรรณเลขท เลขท 3030

นางสาวพรสรวงนางสาวพรสรวง แสวงเจรญ แสวงเจรญเลขท เลขท 3131

นางสาวชตมานางสาวชตมา วชญาเตชะ วชญาเตชะกลกล เลขท เลขท 4343

นางสาววยะนณทนางสาววยะนณท พทกษสนสช พทกษสนสชเลขท เลขท 5656