leroy l. chang, klaus ploog (hrsg.), molecular beam epitaxy and heterostructures. nato asi series...

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I Crv8t.Res. Technol. 1 21 1 1986 I 8 I 1054 1 Book Review LEROY L. CHANG, KLAUS PLOOG (Hrsg.) Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures NATO AS1 Series E-No. 87 Martiniua Nijhoff Publ. Dordrecht, Boston, Lancaster; 1985, VII + 718 Seiten, zlthlreiche Abbildungtm und Literatumitatc, Preis Dfl. 250.00/US $ 90.00, ISBN 90-247-3118-6. Das Buch enthalt 18 Beitrage einer internationalen Konferenz, gehalten in Erice (Italien) im Marz 1983. Die fruchtbare Verbindung zwischen einer Darstellungsmethode (Molekular- strahlepitaxie - MBE) und den damit hergestellten Bauelementen (Heterostrukturen - superlattices, quantum wells) bzw. zwisclien entsprechenden wissenschaftlichen For- schungen und technologischen Anwendungen kommt hierbei sehr gut zum Ausdruck. Nach einer instruktiven Einfuhrung von LEO ESAKI uber die Entwicklung der MBE und der Heterostrukturen werden im zweiten Teil des Buches Grundlagen des MBE- Prozesses (Thermodynamik, Oberflilchen, Dotierungseinbau u. a.) beliandelt. Der Zuch- tung und den Eigenschaften der verschiedenen angewandten Halbleiter (bes. 111-V, aber auch Si, 11-VI, IV-VI) ist der folgende Abschnitt gewidmet. Die Teile IV bis VI des Buches enthalten Arbeiten speziell zu den Heterostrukturen. Dabei wird nach der Behandlung grundlegender theoretischer Aspekte und der Beschrei- bung von elektronischen Eigenschaften (einschlieBlich des Quantenhalleffektes) auf spezielle Bauelementaspekte von Lasern, Fotodetektoren und Feldeffekttransistoren eingegangen. Der letzte Beitrag umfal3t E:etrachtungen zur metallorganischen Gas- phasenepitaxie im Vergleich zur Molekularstrahlepitaxie. Jedem Kapitel des Buches ist ein ausfiihrliches Literaturverzeichnis nachgextellt. Die Ausfiihrung des Buches lafit einige Wiinsche offen. Besonders ist die Verwendung eines leicht durchscheinenden Papiers oft stiirend. Bei den Halbtonbildern sind Details nicht zu erkennen (z. B. S. 323, 324). Die Abbildungen wurden nicht auf eine einheit- liche Form gebracht und untcrscheiden sich darin manchmal inncrhalb eines Beitrages. Vektorpfeile reichen z. T. in die dariiberliegeiide Zeile. So gesehen hatte man sich bei der geringen redaktionellen Bearbeitung (u. a. keine Register) ein schnelleres Erscheinen des Buches auf diesem sich so rasch entwickelnden Facligebiet gewunscht. Die Beitrage des Bandes sind von holier Qualitiit und von fiihrenden Fachleuten ge- schrieben. Sie reprasentieren den Wissensstand von 1982 bzw. Anfang 1983. Das vor- liegende Buch gibt somit einen sehr guten Uberblick zur Molekularstrahlepitaxie und den damit hergestellten Heterostrukturen. Es ist allen auf diesen und den angrenzende Gebieten Arbeitenden sehr zu empfelilen. B. SCEUMANN

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Page 1: Leroy L. Chang, Klaus Ploog (Hrsg.), Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures. NATO ASI Series E-No. 87. Martinius Nijhoff Publ. Dordrecht, Boston, Lancaster; 1985, VII + 718 Seiten,

I Crv8t.Res. Technol. 1 21 1 1986 I 8 I 1054 1

Book Review

LEROY L. CHANG, KLAUS PLOOG (Hrsg.)

Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

NATO AS1 Series E-No. 87

Martiniua Nijhoff Publ. Dordrecht, Boston, Lancaster; 1985, VII + 718 Seiten, zlthlreiche Abbildungtm und Literatumitatc, Preis Dfl. 250.00/US $ 90.00, ISBN 90-247-3118-6.

Das Buch enthalt 18 Beitrage einer internationalen Konferenz, gehalten in Erice (Italien) im Marz 1983. Die fruchtbare Verbindung zwischen einer Darstellungsmethode (Molekular- strahlepitaxie - MBE) und den damit hergestellten Bauelementen (Heterostrukturen - superlattices, quantum wells) bzw. zwisclien entsprechenden wissenschaftlichen For- schungen und technologischen Anwendungen kommt hierbei sehr gut zum Ausdruck.

Nach einer instruktiven Einfuhrung von LEO ESAKI uber die Entwicklung der MBE und der Heterostrukturen werden im zweiten Teil des Buches Grundlagen des MBE- Prozesses (Thermodynamik, Oberflilchen, Dotierungseinbau u. a.) beliandelt. Der Zuch- tung und den Eigenschaften der verschiedenen angewandten Halbleiter (bes. 111-V, aber auch Si, 11-VI, IV-VI) ist der folgende Abschnitt gewidmet.

Die Teile IV bis VI des Buches enthalten Arbeiten speziell zu den Heterostrukturen. Dabei wird nach der Behandlung grundlegender theoretischer Aspekte und der Beschrei- bung von elektronischen Eigenschaften (einschlieBlich des Quantenhalleffektes) auf spezielle Bauelementaspekte von Lasern, Fotodetektoren und Feldeffekttransistoren eingegangen. Der letzte Beitrag umfal3t E:etrachtungen zur metallorganischen Gas- phasenepitaxie im Vergleich zur Molekularstrahlepitaxie. Jedem Kapitel des Buches ist ein ausfiihrliches Literaturverzeichnis nachgextellt.

Die Ausfiihrung des Buches lafit einige Wiinsche offen. Besonders ist die Verwendung eines leicht durchscheinenden Papiers oft stiirend. Bei den Halbtonbildern sind Details nicht zu erkennen (z. B. S. 323, 324). Die Abbildungen wurden nicht auf eine einheit- liche Form gebracht und untcrscheiden sich darin manchmal inncrhalb eines Beitrages. Vektorpfeile reichen z. T. in die dariiberliegeiide Zeile. So gesehen hatte man sich bei der geringen redaktionellen Bearbeitung (u. a. keine Register) ein schnelleres Erscheinen des Buches auf diesem sich so rasch entwickelnden Facligebiet gewunscht.

Die Beitrage des Bandes sind von holier Qualitiit und von fiihrenden Fachleuten ge- schrieben. Sie reprasentieren den Wissensstand von 1982 bzw. Anfang 1983. Das vor- liegende Buch gibt somit einen sehr guten Uberblick zur Molekularstrahlepitaxie und den damit hergestellten Heterostrukturen. Es ist allen auf diesen und den angrenzende Gebieten Arbeitenden sehr zu empfelilen.

B. SCEUMANN