集積電子回路設計 - te.chiba-u.jpken/lecture/cir-2.pdf · 集積電子回路設計 part...
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集積電子回路設計Part 2:演算増幅器
千葉大学工学部電気電子工学科
橋本研也
平成27年9月10日版
演算増幅器(Operational Amplifier)
+
-eout
RaRb
einK
G eoutein+ -
K=Ra/(Ra+Rb)
•利得G無限大
•入力Z無限大
•出力Z零
理想オペアンプとは?非反転増幅回路
1)|GK(| 11
KGK
Gee
in
out
K
Gein+ -
1)|GJK(| 11
KGJK
GJeeH
in
out
eout J=1/(1+j/c)J
オペアンプの周波数特性
(G
JK) [
deg.
]
20lo
g|H
| [dB
]
-
0
logc cm
実線: K=0、破線: K0 cm=c(1+GK)
GJKGJH
1
GJH
ピークでの利得を低減した分、広帯域化-6dB/oct.
K
Gein+ - eout
en:増幅器Gによる波形歪+雑音+
en
ninout eGK
eGKGe
11
1 負帰還による低減
(G
JK) [
deg.
]
20lo
g|H
| [dB
]
-
0
logc1 c2
-
-6dB/oct.
-12dB/oct.
GJKGJ
eeH
in
out
1
J=1/(1+j/c1) (1+j/c2)の時
c2で位相がほぼ-= 正帰還
c2で|H|が大きいと不安定(発振)
極が3個有れば?
Ra
+
-
+
-eout
Rb
RcRa
Rb
eout
ein
ein
演算増幅器の解析法(Imaginary Short)負帰還で利得が無限 入力端子間の電位差零
Raeout/(Ra+Rb) 0
ein/Raein/Ra
a
b
in
out
RR
eeH 1
a
b
in
out
RR
eeH
非反転増幅回路 反転増幅回路
-Rbein/Ra
オフセット(無入力時の直流出力)とドリフト(温度によるオフセットの変化)
Ra
+
-
Rb
V-
eout
ein
反転増幅回路
I-
I+
Rc
V+V+=(Ra//Rb)I+V-=RcI-
I+=I-であれば(Ra//Rb)=Rcとすることによりオフセット消去可能(V+=V-)
+-
RbRb
RaRd
Rc
eoutein
高利得増幅器
]/)/(/[/ babinoutaindabin RRReeReRRRe
ein/Ra
-einRb/Ra
出力からの流入電流入力からの流入電流
d
b
a
b
in
out
RR
RR
ee 2 Rb>>Ra,Rdで大きな利得実現
+-
-+
-+
Rd
eout
e0+
eo-
ei+
ei-
RbRa
Rd
Rc
Rc
計測アンプ
(ei+-ei-)/Ra
eo-Rd/(Rc+Rd)
cdooout
aiiboi
aiiboi
RReeeReeReeReeRee
/)(/)(/)(
a
b
c
d
ii
out
a
b
ii
oo
ii
oo
RR
RR
eee
RR
eeeeeeee
21
21
1
-+
-+
eout
Ra
Ra
ei+ei-
計測アンプ
ooout eee
+5V +5V
-+
ein
eout
RaRb Rb
絶縁増幅器
入出力間を電気的に絶縁可能
inout ee
+-
Ra1 Rb
Ra2
Rc
eout
e1
e2
22
11
eRRe
RRe
a
b
a
bout
アナログ加算器
+-
R1 Rb
R2
eout
e1
e2
Rn-1
Rn
en-1
en
n
N
n n
bout e
RRe
1
nnR 2
NビットD/A変換器
とすれば
D0D1D2D3D4D5D6D7
-
+
Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7
R0R1R2R3R4R5R6R7
Rb
8bit D/A変換器の構成
デジタルデータ
アナログ出力
ラッチ:次のデータが入力されるまで、前のデータを保持
R RC
C
+
-eout
RaRb
ein
12 )/()/(1
QjGH
rr
GQ
31
CRr1
a
b
RRG 1
能動フィルタの例
インダクタを利用せずにQ>0.5を実現
集積化フィルタ
+-
+
-eout
Rc
ein eout
Rc
R
CC
R
Rd
ecnt
ein
積分回路微分回路
リセット回路
dtdeCRe in
out dteCR
e inout1
q=Cein
i=dq/dt
ein/R
+-
ein
RB
-24V
+24V
VL
RB
Ra
Rb
演算増幅器との組み合わせ
K
G1 eoutein
+ -
K=Ra/(Ra+Rb)
G2
オペアンプ:電圧増幅
プッシュプル回路:電力増幅
注:オペアンプの電源電圧以上の振幅は取れない。
+-
Vcc
Vz
Rc
Ra Rb
VL
RL
安定化電圧源
+-
Vcc
Ra RbIL
R0
安定化電流源
RL
Rc
VL=Vz(Rb/Ra+1)
Vz
IL=(Vcc-Vz)(Rb/Ra+1)-1
RLに依存せず
OPアンプに非線形素子を接続すると
+-ein
Rb
+- +
-
C
Ra
Rp
eineout
eout
+- +
-
Cein
eout
Rp
RG
アナログSW
Sampling & Hold回路
理想整流回路 ピーク保持回路
Rp:ダイオードoff時の利得限定用
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.5 1 1.5 2
信号
振幅
時間
標本化と保持(Sampling & Hold)後の波形
標本化周期(この時間の間に量子化(数値化)) アナログ/デジタル変換
+-
-
+ eout
Rbein Rb/2
Ra
Ra
Rb
絶対値回路
t
-ein
2ed
ed
eout
比較器(コンパレータ)
-
+eout
ein
Vs:飽和出力(≒電源電圧)
eout
ein
+Vs
-Vs
Vc
Vc
eout3ein
eout2
eout1
並列型AD変換器(2bit)
R
+-
+-
+-
R
R
Reref
逐次比較型AD変換器
+
-
e7
ein
DAC 10000000
e6e5e4e3e2e1e0
上位ビットを1に試行
比較器出力によってビットデータを固定
次のビットを1に試行(以下順次下位ビットへ)
変換開始
変換終了制御回路
積分型AD変換器
+
-ein カウンタ
変換開始
変換終了
clk
変換出力
0
ein +Vs
t 電圧→時間
長時間計測すれば高精度
標本化定理(Nyquistの定理)信号に含まれる も高い周波数成分fmaxの2
倍よりも高い周波数で信号を標本化すると、
取り込まれたデータ列から元の信号が忠実
に再現できる。
オーバーサンプリング
信号帯域wのM倍の周波数で標本化すれば、量子化雑音はM倍の周波数範囲に拡散⇒PNはM-1に減少
信号帯域内の量子化雑音実効値が-0.5に減少
量子化雑音のパワースペクトラムw
NP6
2
ダイナミックレンジ:入力正弦波の実効値と雑音実効値の比で定義した場合、6.02N+10logM+1.76 [dB]
オーバーサンプリングによる量子化雑音低減
F()
0 c c c c
F()
0 c c
通常の標本化
c c
量子化雑音
元の信号
量子化雑音
元の信号
オーバーサンプリング
量子化雑音の拡散
ei(t) BPF
0
F()
-2c -c +2c+c-w +w
帯域通過型AD変換器
アンダーサンプリング
AD変換器
標本化周波数の整数倍の特定帯域の信号のみを抽出
eo(t)
シグマ・デルタA/D変換器
1bitDAC
+-ei(t) eo(t)
標本化周波数増大による量子化誤差の低減
1bit A/D
パルス幅変調(PWM)
PWM波から元信号の再生は?
LPFei(t) eo(t)
大周波数までの低域通過フィルタを挿入!
世に言う1 bitオーディオ
1bitDAC
正帰還すると→ヒステリシスコンパレータ
-
+eout
RaRb
ein
))/(())/((
baaoutins
baaoutinsout RRReeV
RRReeVe
Vs:飽和出力(≒電源電圧)
eout
ein
ヒステリシスコンパレータの入出力特性
+Vs
-Vs
+Vc
-Vc
Vc=Vs/(1+Rb/Ra)
t
雑音を含む信号
ヒステリシスが無いと
ヒステリシスが有るとクリーンな応答
パルス数の誤り
2Vc
立ち上がり立下りのゆれ=ジッタの発生
31
高速ADCへのジッタの影響
高周波になるほどジッタの影響大
高周波クロック源ほど程ジッタ大
http://www.analog.com/jp/digital‐to‐analog‐converters/da‐converters/products/tutorials/CU_tutorials_MT‐007/resources/fca.html
32
信号雑音比(SNR)への周波数とジッタの影響
http://www.analog.com/jp/digital‐to‐analog‐converters/da‐converters/products/tutorials/CU_tutorials_MT‐007/resources/fca.html
正帰還になれば、自分自身を増幅し続けて発振
G()Ei() Eo()
K()K()Eo()
-+
正帰還であれば、雑音に含まれる周波数成分を増幅、振幅増大(入力不要)
増幅器が飽和して、実効的な利得Geff()減少
Geff()K()=-1の状態で発振持続
4. 発振持続状態では他の周波数の利得減少
安定条件
安定度の指数:
|G()K()|>1となる周波数範囲でarg[G()K()]180o
H()=G()/[1+G()K()]より
位相余裕
arg[G()K()]-180o @|G()K()|=1となる周波数
ゲイン余裕
-20log |G()K()| @arg[G()K()]=180oとなる周波数
+-R
RC
Ceout
RaRb
ウィーンブリッジ発振器
+-
R
RC
CRx
Rb
eo
ei
閉ループ回路
開ループ回路
K
G eout
G K eoei
小信号等価回路
発振振幅制限抵抗
伝達関数(H=eo/ei)
位相(周波数)条件 (GK: 実数)
振幅条件 (|GK|>1)r
)/(3)/(1)/(
2rr
r
jjGGKH
3G
発振条件
ここでr=1/CR、G:非反転増幅器の利得(=1+Rb/Rx)
•Gが大きいと ⇒ 発振波形の歪み
•Gが小さいと ⇒ 発振の立ち上り緩やか
C2
eout
C1
時計用発振回路
音叉型水晶振動子
eout
ein
インバータの入出力特性
反転増幅器と等価!
215 =32,768Hz を215分周すれば1Hz!
Z
RD
ei
発振回路の解析+5V
eout
RSC1 C2 RG
eo
RD
RS
Z
C1 C2 RG
閉ループ回路
開ループ回路
K
G eout
G K eoei
小信号等価回路
以下の解析ではRS,RG,RDを無視
伝達関数(H=eo/ei)
位相(周波数)条件 (H: 実数)
振幅条件 (H>1)
21
11)(CC
Z
21
212 11
1
CjCjZCC
gH m
1)()(
)( 21
ZZ
CCgm
発振条件
gm:FETの相互コンダクタンス
発振器の安定性• 長期安定度 (経年変化)• 中期安定度 (温度依存性)• 短期安定度 (熱雑音,1/f 雑音)
P()1/f noise (flicker)
Thermal noise(random walk)
•高信頼性技術
•優れた温度特性、高Qの共振器
•低雑音増幅器
圧電基板
+
-
C0
Mk-1
V F
i v
C0
L
R
C1
V ⇔ F、 I ⇔ vに対応させると
M ⇔ L、⇔ R、k ⇔ 1/C
(a) 電気+機械回路
圧電基板に電界を加えると
(b) 等価電気回路
VFvdtkvdtdvM
Frequency
Adm
ittan
ce
r a
B
G
共振特性
•共振周波数 r=1/ C1L•反共振周波数 a=1/ L(C1
-1+C0-1)-1
±10 ppmは高速通信には不充分
仕様の一例: -20oCから+80 oCで±1ppm
ppm20
10
-20
-10
20 40 60 Temp.-20-40-60 0
df/f
0
何故水晶振動子?
温度安定性(-40oCから+80oC の範囲で10 ppm)
C2
eout
C1
温度補償水晶発振器 (TCXO)
マイクロコントローラ
温度センサ
まだ現在の高速通信には不充分
-20oC to +70 oCの範囲で±1ppm
C2
eout
C1
オーブン安定化水晶発振器 (OCXO)
Oven Controller
Temp. Sensor
-20oCから +70oCの範囲で±10ppb欠点: パワー消費、初期安定化、寸法
オーブン2重化による更なる安定化
Global Positioning System (GPS)
2222 )()()( nnnn zzyyxxd xn, yn, zn : n番目の衛星の位置 (衛星から送信)dn: n番目の衛星からの距離 (遅れ時間から算出)
現在位置 (x, y, z)は次式の解
Nn ,,2,1
10 ppbの誤差 d では3 mの誤差!
Vcc
vcR
C
I
V
vc
t0
0
Vt
Vb
It Ib
負性抵抗による発振回路
)/exp(1 TtVV cc 青曲線を表す式(T=CR)
負性抵抗
Vt>Vcc-R ItVb<Vcc-R Ib
発振条件
増幅器による負性抵抗の実現
eoutein
R
G
iin
ininoutin eGReeRi )1()( 11
+-Z
R
eout
RaRb
0)1()( 11 GRz
0)( z
位相条件
振幅条件
発振条件
負性コンダクタンス
GZ
)1(/ iii GZieZ
負性抵抗(その2)
ei
ii
Zi
出力条件
振幅条件
0fi ZZ
0fi ZZ
01)(f
ffi
ZZ
ZGZZZZ
発振の時は (電流出力)
負性抵抗 (その3)
eo
Zf
Gei
ii i1
fio1
fi )1()( eGZeeZi
1f
i
ii )1( GZ
ieZ
Zi
周波数条件
振幅条件
01f
1 ZZ
01f
1 ZZ
01)(f
1f
11i
1
ZZZGZZZZ発振中は
(電圧出力)
Zo
周波数条件
振幅条件
01o Z
01o Z
eo
GZ
Zf-RR
io
ZZZG
RZZZZR
eiZ
ff
f1
o
o1o 1)(
01o Z発振中は
(電圧出力)
負性抵抗 (その4)
発振器の基本的な分類(バイアス回路省略)
クラップ型ハートレー型コルピッツ型
LC共振で電圧 大の場所から電圧を取り出し、電流大のところにTrからの電流を注入
コルピッツ発振回路の変形
コルピッツ型
コルピッツ発振回路のAC解析
出力インピーダンス特性
G<0
B=0
トランジェント解析
スペクトラム立ち上がり波形
トランジェント解析
Cv
+5V
RB2
ecnt C1
C2
YRB1
RE
eout
Cc
L
変形コルピッツ(クラップ)発振回路
バラクタダイオード(発振周波数可変)
RF遮断インダクタ
水晶振動子(誘導性の周波数で発振)
C2
DC遮断コンデンサ
電圧制御発振器(VCO)回路
M1 M2
I1
VDD
C1 C2
L I2
集積化可能なスパイラルインダクタ
gmv2 gmv1
v1
等価回路
C1 C2
L v2
見込んだアドミタンス
i1 i2
12222
21111
vgvCjivgvCji
m
m
mgCjvvii
21
21
2121 , mm ggCC の時
負性抵抗
LC/1 で共振
インダクタの抵抗成分が負性抵抗より十分小さいこと
Cross Coupled Oscillator
比較器+周波数制御→緩和発振器
-
+eout
RaRb
青曲線を表す式(T=CR)
ヒステリシスインバータの入出力特性
Vc=Vs/(1+Rb/Ra)
R
C 0-Vc
t
eout
+Vs
-Vs
+Vceinein
)/exp()( TtVVVV scs
ba
cscs
RRTVVVVT
/21log2 )/()(log2
+-
+-
R
C
Ra
eo1
Rb
eo2
緩和発振器(その2)
0+Vc
-Vc
+Vs
+Vs
t
eo1
eo2
積分回路ヒステリシスコンパレータ 青曲線を表す式(T=CR)
TtVVV sc /
basc RTRVTV /4/4
)()(
2
21
cos
coso VeV
VeVe
basc RRVV /
C2
R0
R0
L1 L1 R0
R0C1 C1
L2
ESES
3エレメントT型LPF 3エレメント型LPF
N段受動(LC)フィルタ
-3
-2
-1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4N=9N=7N=5N=3
Relative frequency
-100-80-60-40-20
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4N=9N=7N=5N=3
Relative frequency
H(d
B)
H(d
B)
うまく設計すると優れた特性
能動フィルタ
badcba
da
dcab
dcadcd
badcba
db
dcba
dcbdcd
ZZZZZZZZ
ZZZZZZZZZZK
ZZZZZZZZ
ZZZZZZZZZZH
))((})({})({)(
))((})({})({)(
111
1111
111
1111
K
G eoutein+ +
G=1GK
GHee
in
out
1
H
dabadcba
db
in
out
ZZZZZZZZZZ
GKGH
ee
))((1
帰還による誘導成分の実現
Za+-Zc
Zb
eoutein Zd
bd
dba
ac
ZZQ
sZZZ
ZZ
/2
//1
0
1)/()/(
1
012
0 sQse
e
in
outとすれば、
LRC回路と同様の特性(Q>0.5実現可能)
eoutein H1 H2 H3
多段縦続による所望の周波数特性の実現
+-
C2
C1
eoutein
iin(t)i2(t)
スイッチトキャパシタフィルタ
スイッチの高速切り替え
•スイッチ入力側の時C1上の電荷=einC1
•スイッチ出力側の時C2に流れ込む電荷=einC1
dteC
fCe inout 2
1 f:切り替え周波数
コンデンサが抵抗と同様な役割R=1/C1f
状態変数s-1の実現