電子システム工学セミナーii 電子機器工学講座...

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電子システム工学セミナーII - 電子機器工学講座 野田 実、山下 ・卒研する大学生とは? ・研究室に所属して研究する意義 ・社会に出る前一歩手前ということ ・「電子機器工学」研究室の紹介 2017.6.8 電子システム工学課程3回生対象

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Page 1: 電子システム工学セミナーII 電子機器工学講座 野田実、山下馨led/downloads/seminar II.pdf電子システム工学セミナーII - 電子機器工学講座–

電子システム工学セミナーII- 電子機器工学講座 –

野田 実、山下 馨

・卒研する大学生とは?

・研究室に所属して研究する意義

・社会に出る前一歩手前ということ

・「電子機器工学」研究室の紹介

2017.6.8 電子システム工学課程3回生対象

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卒研する大学生の意義

• やっと大学での自分の居場所を確保・認識

• 興味ある具体的な学術研究対象への接触

• 卒研内容は余程普段から考えてないと分からないのが普通: それぐらいの難易度でないと研究の価値無し

• 研究を自分でやってみて仕事というものに慣れる→

成果を出す練習:出すことで湧き上がるものがある! とても自信つく: 重要!!

• 同じ研究室での先生、先輩、同期との人間関係(人数関係なし)をつくる

• 身近なお互いの相互関係を構築する練習

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卒研する大学生の意義

• 〇君(さん)、〇〇うまいなあ。見習おう。

• 〇君(さん) 、〇〇でしんどいかもしれない。少し手伝ってやろう。

• 研究室の先輩方と一緒に、研究室の活動を前に進めてほしい。自発的、積極的に

・・・ 組織の発展に寄与。 実社会と同じ!

• ほんと、社会に出たら全く一緒です。

*但し学生と社会人は根本的に全く異なります

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卒研活動

• ラクすぎる所・・・ほとんど自分に何も残らず

それでは卒研する意味がないし、むなしい。

• ハードすぎる所・・・まずない ∵社会のブラック感度大

→でも実社会がずっとハード ∵自己責任発生

• 少しハードな所・・・じわじわ教訓が残る

(将来の精神的財産になる可能性大)

・自分の目で確かめる。他言/流言に流されない。

後で後悔しない。

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卒研活動

• できるだけ、大学院進学を見越した修士M0になる姿勢で臨んでほしい。

• 卒研で研究成果はすぐには出ないから心配は不要。自分がどれだけ納得して進めれたかがあなた方には本質的。

☆自分自身が納得できる成長

・学会活動、学外活動に興味が出てきたらとても良い・・自己表現の場 さらに成長。

卒研中はあまり無理しなくてもよい。修士研究への準備と位置づける

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電子機器工学研究室主な研究内容

Ⅰ.社会のどのような問題解決を目指す?

安心・安全社会の構築1.センサ・臨床医学・医療診断解析支援・移動体交通等の空間制御・ロボットの触覚2.エネルギー変換・環境エネルギー創出3.新機能知能電子材料による新デバイスを創出・IT, AI 進化用ユニバーサルメモリの実現へ・新規デバイス動作のための新しい物理現象

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電子機器工学研究室主な研究内容

センサ工学、センシング工学・ナノバイオセンサによるアルツハイマー病原因物質高感度検出・物理センシング技術によるナノバイオ分子測定・圧電体(強誘電体)を超音波センサ、同触覚センサ・圧電体(強誘電体)を用いた環境発電

電子デバイス工学・・ 設計、シミュレーション解析含む・MEMSセンサ、Lab-On a Chip、NEMSセンサ・強誘電体を用いた不揮発性メモリ素子、薄膜型FET・センサアレイ・・同信号処理

電子材料工学・・ 薄膜工学・強誘電体薄膜、圧電体薄膜・機能性酸化物薄膜・知能性材料:生体モデル膜(人工細胞膜):脳細胞模擬膜

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電子機器工学研究室研究内容と専門科目の対応

センサ工学、センシング工学・電気回路、電磁気学・計算モデル論、電子デバイス・電子材料工学、アナログ電子回路・センサ工学、集積化プロセス・デバイス工学

電子デバイス工学・・ 設計、シミュレーション解析含む・電気回路、電磁気学・計算モデル論、電子デバイス、アナログ電子回路・センサ工学、集積化プロセス・デバイス工学

電子材料工学・・ 薄膜工学・電磁気学・電子材料工学、電子デバイス・センサ工学、集積化プロセス・デバイス工学

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どんなセンサ?

物理 化学

バイオ

超音波:力

触覚:力 カンチレバー:応力QCM: 質量

蛍光:膜透過ボロメータ:熱

LSPR:ラマン散乱

漏れ電流:電気化学

赤外:熱

力:発電

今まで研究室で作ったセンサ:

君はどんなセンサに興味ありますか?

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センサ材料

超音波:力

触覚:力

赤外:熱

酸化物強誘電体・半導体

誘電体

圧電体

焦電体

強誘電体

リン脂質二分子膜・リポソーム:人工細胞膜

IT, AI用強誘電体デバイス

強誘電体メモリ:種々メカニズム

抵抗変化メモリ:ニューロンシナプス素子

MOSFET革新改良!

重要バイオ分子(特にタンパク質)と特異的相互作用

ナノ物性、ナノ特性を利用!!

IT, AI用センサ

高感度・小型早期診断用バイオセンサ

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センシングシステム- 現在使用中 -

微小抵抗変化測定系:LabView 9桁デジマル制御(バイオ、触覚センサ)

バイオ用液滴保持構造測定系:各バイオセンサ

光学測定系:・蛍光顕微鏡検出・blu-LED励起CMOSイメージャ検出

超音波測定系:超音波発生器、超音波アレイセンサ

微細形状・動態測定系:レーザードップラー測定三次元レーザ計測

赤外線測定系:

黒体光チョッピング同期検波測定、近赤外LD, LED光使用、赤外イメージャ検出

電気化学インピーダンス測定系:漏れイオン電流測定

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作る道具- 設計・試作設備-

設計・解析シミュレーター:・レイアウト: L-Edit etc.・回路:P/BSPICE, Qucs・電磁界:HFSS, MMIC・有限要素解析:Ansys

MEMSセンサ、デバイス作製(研究室内):簡易CR: イエロールーム有り・試料前処理、化学処理設備・写真製版装置・製膜装置:メタル: 蒸着、スパッタ強誘電体:MOD, スパッタ脂質膜:専用化学調製設備・熱処理装置:RTA, 専用炉・ドライエッチング:RIE

同作製、評価(8-B1F CR)・写真製版装置2台・スパッタ装置1台・Deep RIE装置・元素分析:XRD, XPS、EDX・膜厚測定:DekTak・顕微観察:AFM, SEM

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試作装置例

マスクアライナリアクティブ

イオン・エッチング装置 X線回折装置

ユニオン光学PEM-800

サムコRIE-400iPB

ブルカーAXSD8 Discover

写真製版技術により設計通りの微細なパターンを形成する

ガスやプラズマの反応を利用してデバイス材料を精密加工する

デバイス材料の微細構造を原子スケールで解析する

電子機器工学研究室では潤沢な実験装置を駆使して研究しています。

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Ⅱ.ユニークな未来研究アプローチ例 (詳細は後述)

バイオセンサ (文科省日本学術振興会科研)

・リポソーム超分子を利用:生体細胞膜模擬

・今まで数多くの電子光手法を導入検討した

・アルツハイマー病原因マーカーAβ分子凝集に着目

・同患者血中濃度検出はクリア→MCI レベルへ!

触覚センサ (文科省日本学術振興会科研)

・単一構造体で3D力・振動モード検出が可能

MLCC/ニューロンチップ用ナノ厚強誘電体 (村田製作所)

・ナノ厚強誘電体の分極、抵抗制御

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電子機器工学研究室研究内容: 野田 実

センサ工学、センシング工学・ナノバイオセンサによるアルツハイマー病原因物質高感度検出・物理センシング技術によるナノバイオ分子測定・圧電体(強誘電体)を超音波センサ、同触覚センサ・圧電体(強誘電体)を用いた環境発電

電子デバイス工学・・ 設計、シミュレーション解析含む・MEMSセンサ、Lab-On a Chip、NEMSセンサ・強誘電体を用いた不揮発性メモリ素子、薄膜型FET・センサアレイ・・同信号処理

電子材料工学・・ 薄膜工学・強誘電体薄膜、圧電体薄膜・機能性酸化物薄膜・知能性材料:生体モデル膜(人工細胞膜):脳細胞模擬膜

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電子システム用集積回路デバイス

縮小、微細化(More

Moore)

出典: 半導体ロードマップ2016

機能分散 (More than Moore)

機能性能受動素子→ 知能的ナノ材料

センサ

バイオエレクトロニクス

人間や環境との関わり高付加価値システムへ !

電子システムデバイスはこうなる !

不揮発性メモリReRAM/FeRAM

3 4

2 1

ニューロンチップ→ AI

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電子計測センシングセンサ

信号処理手法

生体分子検出医療応用

バイオセンサシステム

ナノバイオテクノロジー先端エレクトロニクス

ナノ材料新機能酸化物薄膜デバイス

不揮発性ULSIメモリ高集積化FeRAM / ReRAM

これからの電子機器デバイスは?

3 4

2

エレのバイオ医療分野への波及効果は絶大!!疾患診断、生体状態分析の高速化・高精度化→ 将来医療電子技術への貢献: 命を守る!

AI 用ニューロンシナプスデバイス1

脳型機械学習のハードウェア化!現状CMOS構成学習回路集積化限界→ より脳神経に近い構成:薄膜

≦100 nmHfOx

モデル生体脂質膜

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・脳回路は多入力の積和演算、メモ リアレイ(クロスバー)構造に相当

メモリ素子がシナプス、列方向に配列さ れた回路(ニューロン)が読出と同時に積和演算する

・学習・記憶を担うシナプスは書換え可能な不揮発性メモリである。・2014 IBM TrueNorth チップはSRAM を用い 256M シナプ ス、1M ニューロンを実現・理想:3Dクロスポイントメモリ

酸化物抵抗変化学習によるAI指向ニューロンシナプス素子

生化学イオン → 酸素欠陥

1

村田製作所との共同基礎研究

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R大R中

R小

フィラメントOr酸素欠陥

印加バイアス

金属酸化膜MOx

アナログメモリ・薄膜物性・薄膜工学

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BaTiO3薄膜ダイオード作製工程

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HRSLRS

Curr

ent

[mA

]

Cycle

at + 2V

メモリ疲労特性

N2 0.5 L/minでより安定に109回のメモリ耐性維持

N2 0.5 L/min > N2 0.1 L/min (109回のON/OFF比)

界面型動作で109回のメモリ耐性が得られた!

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HRSLRS

Curr

en

t [m

A]

Cycle

at + 2V

BaTiO3薄膜 120 nm

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N2 0.1 L/min N2 0.5 L/min

デジタルメモリReRAM(我々の成果)

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超低消費電力負性容量MOSFET/高集積FeRAM用薄膜強誘電体

SiO2→HfO2基材料

今までの強誘電体は薄くすると強誘電性なくなる約100 nm以下で強誘電性発現!

S ∝ 1+Cs/Cfe

2

約100 nm以下で準安定相である直(斜)方晶系が強誘電性発現 → 超高集積FeRAM応用

MOSFETの革新的な改良

傾きは1/S

国内では産総研、東大

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100 nm程度以下の膜厚では基板ストレスの影大!・・・この影響の知見、制御検討 ユニーク!

・MOx 系でまだたくさん、準安定相で強誘電体になる材料があるのではないか??

・HfO2 以外に、ZrO2は最近、 SiO2 でも昔強誘電体特性が示されている

超高集積FeRAMの可能性→ユニバーサルメモリ!

負性容量MOSFET

・FET動作計算解析・等価回路解析、同回路試作・Si MOSFET、薄膜半導体MISFET の試作検討

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センシング主体バイオ分子3 4

リン脂質

細胞膜の基本構造

リポソーム(人工細胞膜)

検討対象脂質で構成され、モデル細胞膜として用いられる

糖鎖

膜タンパク質

親水部

疎水部

親水部

親水基

疎水基

・ リン脂質二分子膜からなる閉鎖系小胞構造

・ 水溶液中でにて表面に水和水構造 を有する

・ 外来バイオ分子(タンパク質等)と相互作用を生じる

リポソーム

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アルツハイマー病原因物質Aβ3 4

アミロイドβ(Aβ)

脳神経

全反射蛍光顕微鏡画像[3]

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ナノバイオ分子を用いた知能性電子・光センサデバイス3カンチレバー型リポソームバイオセンサ

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カンチレバー型リポソームバイオセンサ

ナノバイオ分子を用いた知能性電子・光センサデバイス3

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液滴保持用アレイをPDMS(シリコン系ゴム)で作製

各セルに蛍光リポソーム0.5μLとターゲット溶液0.5μLを導入して計測

アレイによる9値同時測定

ナノバイオ分子を用いた知能性電子・光センサデバイス3

PDMSアレイ 蛍光測定画像

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局在表面プラズモン共鳴LSPRセンサ

リポソーム新規固定化

1 fM オーダーのAβ高感度検出!

大阪大学との共同基礎研究

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統計情報処理

3×3アレイの長時間・自動経時変化測定を実現

・ 3×3=9セル同時計測

・セルごとのRGB強度別

ヒストグラム解析

・RGB強度値の自動保存

・測定画像の自動保存

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Liposome

1

Liposome

2

Liposome

n

リポソームの種類

例え

ば、リポ

ソー

ムの

濃度

検知セル:①アンメータダイオード or

②ボロメータブリッジ

Si 基板

上部電極パッド群

下部電極パッド群Liposome

1

Liposome

2

Liposome

n

リポソームの種類

例え

ば、リポ

ソー

ムの

濃度

検知セル:①アンメータダイオード or

②ボロメータブリッジ

Si 基板

上部電極パッド群

下部電極パッド群

アレイセンサチップ&ポストプロセッサの構成例

生体親和性フレキシブル基板上内, 樹脂内マイクロ流路構造

親指サイズ基板上集積化生体タンパク質バイオ分子電子・光検出センサの実現

ー マイクロTAS (m-Total Analysis System) -

対象タンパク質の状態、変化挙動を検出、統計情報処理します

4 ヘルスケア診断チップ化基礎技術の開発

島津製作所と関係:

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最近の競争的外部研究助成プログラム: 研究代表者 野田 実

文部科学省日本学術振興会科学研究助成(科研):

・基盤B(一般) リポソームバイオセンサ 2007-2009

・基盤B(一般) リポソームバイオ集積センサ 2010-2012

・基盤A(一般) リポソームセンサ診断チップ化基礎技術 2013-2017

・挑戦的萌芽研究 アミロイドベータ検出リポソーム物理センサ 2014-2015

・挑戦的萌芽研究 アミロイドベータ オリゴマーセンサ 2016-2017

マツダ財団研究助成事業:・チタン酸バリウム(BaTiO3)薄膜のReRAM用抵抗ヒステリシス特性の

解明と向上 2013-2015

㈱村田製作所共同研究 2016-2018:・酸化物強誘電体薄膜の電界誘起抵抗変化特性とデバイス電極構造

KIT4大学連携関係:・ヘルスケアセンサ開発 2014- ・・京都府立医科大と共同研究

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教育研究協力関係: 時々伺います。1.バイオセンサ

・大阪大学(吹田) 民谷先生(バイオ化学)・岡山大学 島内先生(リポソーム)・京都大学(吉田、桂) 横川先生、瀬戸研究員(バイオ微小溶液供給構造作製)・新潟大学 寒川先生(MEMSセンサ)・京都府立医科大学 徳田先生、成本先生、松岡先生(医学との共同研究)・スイス連邦工科大学(Zurich) J. Voros 先生(バイオエレクトロニクス)

2.酸化物強誘電体薄膜・東京工業大学(横浜) 舟窪先生(各種結晶膜作製)・名古屋大学(名古屋) 山田先生(高周波用結晶膜作製)・上智大学(東京) 内田先生(結晶膜作製)・兵庫県立大学(姫路) 清水先生、藤澤先生、中嶋先生(結晶膜作製)・スイス連邦工科大学(Lausanne) N. Setter 先生(結晶膜物理)

3.薄膜新機能デバイス・大阪大学(豊中) 奥山先生、金島先生(強誘電体デバイス)・大阪府立大学(堺) 藤村先生(圧電デバイス)・大阪府立産業技術総合研究所(和泉) 村上主任研究員(集積デバイス)・スイス連邦工科大学(Lausanne) P. Muraut 先生(集積センサデバイス)

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電子機器工学研究室研究内容: 山下 馨

センサ工学、センシング工学・ナノバイオセンサによるアルツハイマー病原因物質高感度検出・物理センシング技術によるナノバイオ分子測定・圧電体(強誘電体)を超音波センサ、同触覚センサ・圧電体(強誘電体)を用いた環境発電

電子デバイス工学・・ 設計、シミュレーション解析含む・MEMSセンサ、Lab-On a Chip、NEMSセンサ・強誘電体を用いた不揮発性メモリ素子、薄膜型FET・センサアレイ・・同信号処理

電子材料工学・・ 薄膜工学・強誘電体薄膜、圧電体薄膜・機能性酸化物薄膜・知能性材料:生体モデル膜(人工細胞膜):脳細胞模擬膜

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電子機器工学研究室 山下馨1.超音波センシングと空間認識・立体感覚イメージング2.振動・音響発電型環境エネルギー・ハーベスタ3.ヒューマンフレンドリシステムのためのベクトル触覚センシング4.圧電体・強誘電体を用いた

マイクロスケール情報・エネルギー変換デバイス

力を加えると→電圧を生じる 電圧を加えると→力を生じる

圧電効果 逆圧電効果

圧電体 圧電体

〜 キーワードは「圧電体」 〜

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電子デバイス工学研究室 山下馨

圧電体

4. マイクロスケール情報・エネルギー変換デバイス

最先端三次元微細加工技術

材料力学

エレクトロニクス薄膜デバイス

技術

1. 超音波センサ・離れた対象物を三次元計測

3. 触覚センサ・接触した対象物を三次元計測

2. エネルギーハーベスタ・その場発電:環境中に拡散した

エネルギーを「収穫」する・バッテリ不要化(Battery-less)

・ワイアレスセンサネットワーク

情報を変換→センシング 発電←エネルギーを変換

力学量 ⇆ 電気量

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1. 超音波で「三次元計測」ってなに?たとえば…「手」の立体三次元情報(手の形や手の位置)がリアルタイムで測れるようになると,こんなことができる!?

縦入射角q

横入射角f

到達時間→距離r

( r, q, f )

三次元の位置

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1. 超音波で「三次元計測」ってなに?

縦入射角q

横入射角f

到達時間→距離r

( r, q, f )

三次元の位置

他にも応用:・手話認識 ・ロボットの視覚 ・自動搬送車の制御・乗用車の精密制御:低速時にぶつからない・安全・安心

など

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・乗用車の低速走行時の精密制御・安全・安心

1. 超音波で「三次元計測」ってなに?

フォルクスワーゲン Park Assist

<http://car.watch.impress.co.jp/docs/news/20120927_562664.html> <http://minkara.carview.co.jp/userid/268745/blog/27768221/>

現状の超音波センサ1個のセンサで物体の「存在」を検知

「どこ」に「何個」「大きさ」「高さ」は分からない!

アレイセンサ〔多数のセンサの配列〕で三次元立体感覚イメージングを!

空いてる場所を探して、

見つけたら自動で駐車。

コーナーセンサ 3個

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1. 三次元計測用超音波センサの開発お手本として「耳」を参考に

音を捉える鼓膜

周波数分析する蝸牛

196素子アレイセンサ

1個の大きさは0.8mm

プリ

アン

プ32

ch

A/D

コン

バー

タ32

ch

FP

GA三次

元空

間立

体感

覚セ

ンシ

ング

ユニ

ット

18mm

三次元計測の実例

圧電体(PZT)

超音波アレイセンサチップ

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★高度に電子化されている現代の輸送機器搭載されている全てのセンサへ電力を供給する電線の総延長

乗用車: ~ 3 km 航空機: > 100 km !!

2. 環境に拡散したエネルギーを収穫?

エコ・メンテナンスフリー化の要求

・エネルギーは環境から・情報は無線で送信

完全ワイアレス&メンテナンスフリー

ボタン電池に代表される小型電池:年間生産数20億個超

要交換/充電

ハーベスト (Harvest)

配線を無くしたい!

環境振動からエネルギーを得てその場で発電

どこにでもある環境振動

←発電←圧電体振動電子回路

駆動

エネルギーハーベスタ

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2. 振動発電型エネルギーハーベスタお手本として「耳」と「耳の中」を参考に★「音響」発電(音力発電)バージョン:超音波センサの変形版

★「振動」で発電するバージョン:人間の耳の中にある「加速度センサ」をお手本に

耳石

有毛細胞

おもり

身体

加速度センサ

単純な構造

身体が急に動くと

おもり

圧電体 振動

ハーベスタの基本構造:圧電体を曲げて発電

交流電流出力整流・蓄電

電子回路駆動

加速

取り残される

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3. 触覚で「三次元計測」ってなに?

・産業用ロボットを賢く

・人と接するロボット(介護など)人を傷つけないように

・服飾「手触り」の定量化

・内視鏡で「触診」を実現

…などへの応用

垂直に押す力だけでなく,平行に滑る力も重要⇒三次元触覚押す力Z

滑る力X

滑る力Y

滑り感覚が無いと力んで潰してしまう! 「手触り」の認識には三次元力が必要素手 手袋

滑り認識の無いロボットは「コネクタをはめる」ことができない!

ロボットを導入した生産現場でも

最後は人間がコネクタをはめ込んでいる

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3. 三次元計測用触覚センサの開発お手本として「皮膚」を参考に

二重湾曲カンチレバー形触覚センサ

表皮

触覚受容器

太さは髪の毛の半分

圧電体に交流印加→振動

圧電体(PZT)3種類の振動モードで

3次元の力を測定 先端だけ振動

根元だけ振動先端と根元が両方とも振動

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★基本的に,原理や構造はそれほど複雑でない・難しくない

→いかに「より良いデバイス」を実現するか・感度が高いセンサ

・分解能が高いセンサ・発電効率が高い発電器

電子機器工学(山下馨) テーマのポイント

アイデア勝負

★センサや発電器であれば「圧電効果」〔力→電気〕を使えば良いというのが普通の考え

★じつは「逆圧電効果」〔電気→力〕を上手に併用すると飛躍的に性能を上げられる!(詳細は配属後に…)

・ものづくり:デバイスを実際に作り上げて動作することを示す・圧電薄膜の作製と評価:材料面でより良い特性を追究・デバイス構造や作製方法の工夫で性能向上・計測・制御アルゴリズムの工夫で性能向上・測定系・評価系の構築:回路作製,ソフトウェア開発など・その他

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ものづくりは愉し

課程ホームページwww.es.kit.jp

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ものづくりに使う装置の一例

マスクアライナリアクティブ

イオン・エッチング装置 X線回折装置

ユニオン光学PEM-800

サムコRIE-400iPB

ブルカーAXSD8 Discover

写真製版技術により設計通りの微細なパターンを形成する

ガスやプラズマの反応を利用してデバイス材料を精密加工する

デバイス材料の微細構造を原子スケールで解析する

電子デバイス工学研究室では潤沢な実験装置を駆使して研究しています。

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国際会議は愉し2007年発足 電子デバイス工学研究室の国際会議発表歴。毎年どこかしら海外へ...

2017年 京都,パリ(フランス),グラスゴー(英国),サバンナ(米国)…[予定]2016年 松島,京都,ヨーテボリ(スウェーデン),金沢,ダルムシュタット(ドイツ),ブダペスト(ハンガリー),ダブリン(アイルランド)オーランド(米国)2015年 京都,シンガポール(シンガポール),フライブルク(ドイツ),慶州(韓国),釜山(韓国)2014年 京都,テグ(韓国),ブレシア(イタリア),筑波,サンアントニオ(米国),バレンシア(スペイン)2013年 吹田,プラハ(チェコ),フライブルク(ドイツ),ボルチモア(米国)2012年 バンコク(タイ),吹田,プエルトバヤルタ(メキシコ),南京(中国),クラクフ(ポーランド),台北(台湾),姫路2011年 吹田,バンクーバー(カナダ),アテネ(ギリシャ),リムリック(アイルランド)2010年 吹田,サンフアン(プエルトリコ),パース(オーストラリア),姫路,リンツ(オーストリア),神戸,フローニンゲン(オランダ),ハワイ(米国)2009年 吹田,デンバー(米国),西安(中国),ローザンヌ(スイス),クライストチャーチ(ニュージーランド),チェジュ(韓国),京都2008年 大阪,シンガポール(シンガポール),台南(台湾),チェジュ(韓国),筑波,ハワイ(米国),レッチェ(イタリア)2007年 リヨン(フランス),ボストン(米国)

「国際会議発表が初めての海外!」という院生でも立派に講演できるよう指導しています。

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2014年〜2017年はスイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)やチューリッヒ校(ETH)へ

ウチの学生

ウチの学生達

スイスEPFLP. Muralt 先生

スイスEPFL PDR. Nigon さん

スイスEPFLN. Setter 先生

アフリカからの留学生

2017年までの4年間で7名が留学⇒そのうち2名が「トビタテ!留学JAPAN」の奨学金を獲得!

留学も愉し

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研究室学生の海外留学 ・・興味があればどうぞ

2014 スイス連邦工科大学(Lausanne) M1 1名1)強誘電体極薄膜特性評価2015 スイス連邦工科大学(Lausanne) M1 2名1)レーザーアブレーション法強誘電体薄膜形成と評価2)圧電集積デバイスの作製2016 スイス連邦工科大学(Zurich) M1 2名1)バイオエレクトロニクス2)バイオナノデバイス

スイス連邦工科大学(Lausanne) M1 1名1)強誘電体・圧電体薄膜集積デバイス2017 スイス連邦工科大学(Lausanne) M1 1名1)強誘電体・圧電体薄膜集積デバイス

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社会との接点自分を磨く機会にしてほしい

1.基礎段階だが、「つくる」こと を体験できる。・メーカー系でつくるような仕事と精神面で同じ

2.共同研究が多く、学外・企業の先生・研究者と討議、一緒に自分の研究を進めれる。

・学外者の考え方、進め方、姿勢を吸収できる・学外に学生だけで出張していいです(好きなら)

3.学会発表の機会かなり多い。・関連する世の中の最新状況を肌で感じてほしい

(他学生と自分との違い)

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電子機器工学研究室卒業生の主な就職先(、他学時の進学先)

2009 オムロン [M2] ,三菱電機 [M2] ,大日本印刷 [B4] ,北陸先端大 [B4] 2010 ソニー [M2] , Panasonic (Bangkok) [M2] ,関西電力 [M2] ,

住友電工 [M2] ,2011 大阪大学 [B4] ,リコー [M2] ,三菱電機 [M2] , パナソニック [M2] ,

JR東海 [M2] ,北陸先端大 [B4] 2012 九州大学 [B4] 2名 , 豊田自動織機 [M2] 2013 ダイキン [B4] ,日東電工 [B4] ,

ダイハツ [M2] 2014 デンソー [M2] ,村田製作所 [M2] ,

東京大学 [B4] ,豊橋技科大 [B4]2015 村田製作所[M2] ,関西電力[M2]2016 京都市役所[M2] , デンソー [M2]

2017 研究室各位 就活中・・これからのあなた方の世の中は本当にグローバル です。その前評価と実力が得られる博士課程 への進学もおすすめします

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電子機器工学研究室

6号館5階からの眺望!

大文字山 左大文字

京都タワー

高野川の桜

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お待ちしています。。

春季応用物理学会 於東工大 駅前近く2016. 3月

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本日説明ファイル

本日説明ファイルのURL:

なのでコピーして見てください。

興味ある学生さんの見学歓迎します。メールください。 [email protected]

http://www.cis.kit.ac.jp/~led/downloads/seminar II.pdf

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レポート:6/8 電子機器工学

1.まず自己分析として、卒研内容ではなく、将来自分はどのようになりたいか?、進んでいきたいか?

2.もしうちで卒研するとしたら、今日説明したことを参考にどういう研究に興味があり、やってみたいか?

3.説明した研究内容の社会的な意義はどういうところにあると自分としては考えるか?

(以上、1はまとめて少しだけ、2,3を多めに、A4表裏1枚でまとめてください)6/16 金 17:00まで 電情事務室提出