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TRANSISTOR BJT
Prof. Marcelo de Oliveira Rosa
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BJT
Construção Transistor Bipolar de Junção (BJT) Construção análoga à do diodo.
No diodo, junta-se semicondutores do tipo P e N, com mesmo nível de dopagem.
Temos dois tipos de combinação para formar o BJT: Junção de materiais do tip P, N, e P Junção de materiais do tipo N, P e N
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BJT
Construção
-+
-+
-+
-+ -
+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+ -
+
-+ -
+-+ -
+
-+-
+
-+
-+
-+
-+
+-
+-
+-+
-P N P
-+
-+
-+
-++
-+-
+-+
-N P N
+-
+-
+-
+- +
-+-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-
+-
+-+
-+-
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BJT
Construção
-+
-+
-+
-+ -
+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+ -
+
-+ -
+-+ -
+
-+-
+
-+
-+
-+
-+
+-
+-
+-+
-P N P
-+
-+
-+
-++
-+-
+-+
-N P N
+-
+-
+-
+- +
-+-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-
+-
+-+
-+-
EMISSOR
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BJT
Construção
-+
-+
-+
-+ -
+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+ -
+
-+ -
+-+ -
+
-+-
+
-+
-+
-+
-+
+-
+-
+-+
-P N P
-+
-+
-+
-++
-+-
+-+
-N P N
+-
+-
+-
+- +
-+-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-
+-
+-+
-+-
BASE
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BJT
Construção
-+
-+
-+
-+ -
+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+ -
+
-+ -
+-+ -
+
-+-
+
-+
-+
-+
-+
+-
+-
+-+
-P N P
-+
-+
-+
-++
-+-
+-+
-N P N
+-
+-
+-
+- +
-+-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-+
-
+-
+-
+-
+-
+-+
-+-
COLETOR
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BJT
Construção Emissor
Material fortemente dopado. Base
Material levemente dopado (resistência alta). Largura 150 menor do que a largura do
transistor. Coletor
Material moderadamente dopado. Importante
Diferentes dopagens para os materiais do transistor.
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BJT
Operação (pnp)
Com tensão VEE aplicada na junção base-emissor, Polarização direta. Redução da zona de depleção na junção p-n. fluxo de portadores majoritários.
VEE
P N P
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BJT
Operação (pnp)
Com tensão VEE aplicada na junção base-emissor, Polarização direta. Redução da zona de depleção na junção p-n. fluxo de portadores majoritários.
P N P
VEE
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BJT
Operação (pnp)
Com tensão VCC aplicada na junção coletor-base, Polarização reversa. Aumento da zona de depleção na junção p-n. fluxo de portadores minoritários.
VCC
P N P
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BJT
Operação (pnp)
Com tensão VCC aplicada na junção coletor-base, Polarização reversa. Aumento da zona de depleção na junção p-n. fluxo de portadores minoritários.
Tal fluxo depende da temperatura.
VCC
P N P
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BJT
Operação (pnp)
Polarização: Direta na junção base-emissor Reversa na junção coletor-base
VCCVEE
P N P
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BJT
Operação (pnp)
iE corrente no emissor Induzida pela polarização direta
iB corrente na base Pela baixa dopagem, parte dos portadores
majoritários do emissor seguem pela base (ordem de μA)
N
VCCVEE
iE iB
P P
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BJT
Operação (pnp)
iC corrente no coletor Parcela devida aos portadores minoritários (iCO) Parcela devido aos portadores majoritários da
junção emissor-base, que se tornam “minoritários” para a junção base-coletor (iC-
majoritários).
VCCVEE
iE iCiB
P N P
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BJT
Operação (pnp)
iC corrente no coletor Injeção de “minoritários” no material de base. iC = iCO + iC-majoritários
Lei das correntes: iE = iC + iB
VCCVEE
iE iCiB
P N P
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BJT
Operação (npn)
iC = iCO + iC-majoritários
Lei das correntes: iE = iC + iB
VCCVEE
iE iCiB
N P N
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BJT
Os transistores BJT operam sempre que: Junção base-emissor é polarizada
diretamente. Junção coletor-base é polarizada
reversamente.
EBC 547A
C
B
CBC 557A
B
E
PNPNPN
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BJT
Configurações Analisaremos configurações-padrão com
BJT São circuitos cujo comportamento foi
analisado experimentalmente. Conceito de entrada e saída do transistor.
Entrada Seção do circuito na qual tensão e/ou corrente são
exigidos para ativação (ou não) do transistor. Saída
Seção do circuito na qual tensão e/ou corrente são obtidos a partir da ativação (ou não) do transistor.
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BJT
Configurações Base-comum Emissor-comum Coletor-comum
O termo “comum” refere-se a qual terminal do transistor é comum às suas seções de entrada e de saída.
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BJT
Base comum
0
BC 557A
VC CVEE VC C
BC 547A
VEE
0
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BJT
Base comum
0
BC 557A
VC CVEE VC C
BC 547A
VEE
0
Seção de excitação ou Seção de entrada ou Seção de ativação(lembre-se de que polarizamos diretamente a junção base-emissor)
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BJT
Base comum
0
BC 557A
VC CVEE VC C
BC 547A
VEE
0
Seção de Saída(lembre-se de que polarizamos reversamente a junção coletor-base)
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BJT
Base comum Corrente do emissor Tensão da junção base-
emissor.
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BJT
Base comum Tensões abaixo de um patamar não
polarizam diretamente a junção base-emissor (vBE). Semelhante ao diodo. Independente da tensão na junção coletor-
base. Desde que (vCB>0) veremos a seguir.
Corrente no emissor (iE) é forçada a zero.
A partir desse patamar, a corrente sofre leve influência da tensão na junção coletor-base (vCB).
“Geralmente”, podemos assumir vBE=0,7 como tensão para “ligar” o transistor.
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BJT
Base comum Corrente do emissor Tensão da junção base-
emissor.
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BJT
Base comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
base.
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BJT
Base comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada diretamente
(vBE>0) A junção coletor-base é polarizada diretamente
(vCB<0),
Então Qualquer pequena variação positiva de vBE
provoca aumento exponencial da corrente no coletor (iC)
Temos então a saturação do transistor. Resistência nula na junção “virtual” emissor-
coletor.
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BJT
Base comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
base.
Reg
ião d
e S
atu
ração
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BJT
Base comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada reversamente
(vBE≤0) A junção coletor-base é polarizada reversamente
(vCB≥0),
Então Não temos fluxo de portadores majoritários (iC-
majoritários=0) Apenas fluxo de portadores minoritários (iCBO =
iCO>0) Lembre-se... iCO é da ordem de μA iCBO corrente em “CB” quando “E” é aberto.
Temos então o corte do transistor. Resistência elevada na junção “virtual” coletor-
emissor.
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BJT
Base comum
BC 557A
VEE VC C
0
BC 547A
0
VC CVEE
iCBO iCBO
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BJT
Base comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
base.
Região de Corte
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BJT
Base comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada diretamente
(vBE>0) A junção coletor-base é polarizada reversamente
(vCB≥0),
Então Temos fluxo de portadores majoritários e
minoritários Temos então o transistor está operacional
Pode funcionar como amplificador.
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BJT
Base comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
base.Região de operação
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BJT
Na região de operação, notamos: Similaridade entre iC e iE. Na prática temos:
αDC = iC-majoritários/iE
O índice DC refere-se a valor de A definido em um ponto da curva na região de operação.
αAC = ΔiC-majoritários/ΔiE
O índice AC refere-se a variação de IC em relação a IE em um ponto da curva na região de operação (para um vCB específico).
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BJT
Na região de operação, notamos: Ou seja:
iC = αiE + iCO
Geralmente αDC = αAC = α
Lembrando que: Lei das correntes: iE = iC + iB
iE ≈ iC
Então: (para efeitos de análise): iB ≈ zero
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BJT
Emissor comum
0
BC 557A
VC C
VBBVBB
0
BC 547A VC C
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BJT
Emissor comum
0
BC 557A
VC C
VBBVBB
0
BC 547A VC C
Seção de excitação ou Seção de entrada ou Seção de ativação(lembre-se de que polarizamos diretamente a junção base-emissor)
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BJT
Emissor comum
0
BC 557A
VC C
VBBVBB
0
BC 547A VC C
Seção de Saída(lembre-se de que polarizamos reversamente a junção coletor-base
através da tensão coletor-emissor)
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BJT
Emissor comum Corrente da base Tensão da junção base-
emissor.
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BJT
Emissor comum Tensões abaixo de um patamar não polarizam
diretamente a junção base-emissor (vBE). Semelhante ao diodo. Independente da tensão na junção coletor-emissor.
Desde que (vCE>0) veremos a seguir.
Corrente na base (iB) é forçada a quase zero.
A partir desse patamar, a corrente sofre influência da tensão na junção coletor-emissor (vCE).
“Geralmente”, podemos assumir vBE=0,7 como tensão para “ligar” o transistor.
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BJT
Emissor comum Corrente da base Tensão da junção base-
emissor.
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BJT
Emissor comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
emissor.
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BJT
Emissor comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada diretamente
(vBE>0) A junção coletor-base é polarizada diretamente
(vCB<0),
Assim Alguma tensão resultante sobre vCE produz
polarização reversa na junção coletor-base (lei das tensões).
Tensão VCE-sat Tensão de saturação entre coletor e emissor.
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BJT
Emissor comum Situações observadas:
Então Qualquer pequena variação positiva de vBE
provoca aumento exponencial da corrente no coletor (iC)
Temos então a saturação do transistor. Resistência nula na junção “virtual” coletor-
emissor.
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BJT
Emissor comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
emissor.
Reg
ião d
e S
atu
ração
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BJT
Emissor comum Situações observadas:
Quando a corrente na base é zero, temos uma corrente não-nula no coletor.
Temos que iC = α iE + iCO = α (iC + iB) + iCO
Rearranjando: iC = [α iB / (1 - α)] + [iCO / (1 - α)] Para a situação de iB = zero: iC = iCO / (1 - α)
Considere um α = 0,996 iC = 250 iCO
Definiremos então a grandeza iCEO = iCO / (1 – α) ou iCEO = iC para iB = zero. iCEO depende da temperatura pois iCO comporta-se
assim.
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BJT
Emissor comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada reversamente
(vBE≤0) A junção coletor-base é polarizada reversamente
(vCB≥0),
Temos então o corte do transistor. Resistência elevada na junção “virtual” coletor-
emissor.
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BJT
Emissor comum
0
BC 557A
VC C
VBB
VC C
VBB
0
BC 547A
iCEO iCEO
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BJT
Emissor comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
emissor.
Região de Corte
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BJT
Emissor comum Situações observadas:
Quando A junção base-emissor é polarizada diretamente
(vBE>0) A junção coletor-base é polarizada reversamente
(vCB≥0),
Então Temos fluxo de portadores majoritários e
minoritários Temos então o transistor está operacional
Pode funcionar como amplificador.
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BJT
Emissor comum Corrente do coletor Tensão da junção coletor-
emissor. Região de operação
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BJT
Na região de operação, notamos: Há relação entre iC e iB. Na prática temos:
βDC = iC/iB
O índice DC refere-se a valor de A definido em um ponto da curva na região de operação.
βAC = ΔiC/ΔiB
O índice AC refere-se a variação de IC em relação a IE em um ponto da curva na região de operação (para um vCE específico).
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BJT
Na região de operação, notamos: βDC = hFE (em folha de dados) βAC = hfe (em folha de dados)
São “fatores de amplificação de corrente direta em emissor comum”.
Termo “h” vem do modelo híbrido do transistor (estudá-lo-emos depois).
Termos “fe” e “FE” são “forward current in common-emissor configuration”
hFE é obtido da curva a partir do ponto de operação Q.
hfe é obtido da curva a partir do intervalo de variação em torno de Q.
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BJT
Emissor comum Calcule hfe e hFE para iB = 25 μA e vCE = 7,5V.
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BJT
Na região de operação, notamos: βDC ≠ βAC por causa de iCEO ≠ zero
Se iCEO = zero βDC = βAC.
Considere que as curvas iC vCE para diversos iBs. Assumindo que na região de operação elas são
retas... Projetando essas retas na direção de vCE
negativos... Essas retas interceptarão a abscissa em um
ponto vA. Esse ponto é chamado tensão de Early
É um parâmetro do transistor (folha de dados) Da ordem de -50 a -100V.
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BJT
Na região de operação, notamos: As curvas iC vCE possuem uma inclinação
Resistência intrínseca na saída do emissor-comum.
ro = [∂iC / ∂vCE]-1 para um vBE específico.
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BJT
Na região de operação, notamos: Primeiramente, relacionando α e β
iE = iC + iB iC / α = iC + iC / β α = β / (β + 1) ou β = α / (1 – α)
Isso implica em: iCEO = (β + 1) iCBO
iE = (β + 1) iB
Essas são relações importantes para análise de circuitos com transistores.
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BJT
Coletor comum
BC 557A VEE
VBB
0
VEE
0
VBB
BC 547A
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BJT
Coletor comum
BC 557A VEE
VBB
0
VEE
0
VBB
BC 547A
Seção de excitação ou Seção de entrada ou Seção de ativação(lembre-se de que polarizamos diretamente a junção base-emissor
através da tensão emissor-coletor)
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BJT
Coletor comum
BC 557A VEE
VBB
0
VEE
0
VBB
BC 547A
Seção de Saída(lembre-se de que polarizamos reversamente a junção coletor-base)
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BJT
Coletor comum As curvas de comportamento são
aproximadamente as mesmas do emissor comum. Entrada: iB vBE para diferentes valores de vECs
vBE é determinado pela diferença entre vEE e vCC.
Saída: iE vEC para diferentes valores de iBs E não vCE. Como é iE e não iC, haverá pequena diferença
devido a α. iC = α iE. Se α fosse 1, as curvas de saída das
configurações emissor-comum e coletor-comum seriam iguais.
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BJT
Limites de operação Condições para o transistor não queimar:
Corrente máxima no coletor (iC-max) Tensão máxima coletor-emissor (vCE-max)
“breakdown” – v(br)CE
Potência máxima de dissipação (PC-max) PC-max = vCE iC
Contidas na folha de dados do transistor.