potencia en circuitos cmos
TRANSCRIPT
Análisis de un inversor◦ Longitud mínima
◦ Ancho NMOS mínimo◦ Resistencia de referencia: resistencia NMOS
◦ Diseño PMOS: simétrico
Observaciones◦ Sin capacidad
◦ Tiempo de referencia no depende de S
◦ Carga capacitiva incrementa directamente el tiempo de transición
◦ Aumento en S, tiempo transición escala en 1/S
◦ Aumento en S, área aumenta S veces !!!
Cadena inversores◦ Situación real: aumento de compuerta afecta a la anterior
◦ Relación entre capadidad de entrada y salida
◦ Tiempo:
◦ f es el fan-out efectivo
Cadena inversores◦ Suma de tiempos individuales
◦ Dimensionamiento óptimo:
◦ Resulta en: Mismo fan-out efectivo
Causas◦ Estática por corrientes de pérdida◦ Dinámica por carga y descarga de capacidades◦ Corriente circulando por PUP y PDN
Estática◦ Transistor en OFF: corriente de sub-umbral
◦ Junturas en inversa:
◦ Con M dispositivos prendidos:
◦ Potencia
Depende directamente del área del chip: Cl Depende directamente de la actividad del chip: f Depende con el cuadrado de Vdd
Corriente cortocircuito◦ Fuertemente dependiente tiempos relativos de entrada y salida
◦ Salida lenta: No hay corriente de cortocircuito Próxima compuerta tiene entrada lenta
◦ Entrada lenta Corriente de valor Ip Potencia mayor cuanto mas lenta la entrada
◦ Funcionamiento óptimo Ecualización tiempos entrada-salida