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CURRICULUM VITAE

Dr. Álvaro Miranda Durán

E-mail:

Teléfono:

[email protected]

555624-2000, ext. 73032

Formación académica

Posgrado: Sección de Estudios de Posgrado e Investigación (SEPI) Escuela Superior de

Ingeniería Mecánica y Eléctrica (ESIME) Culhuacán, Instituto Politécnico Nacional,

México.

Grado académico: Doctorado en Comunicaciones y Electrónica.

Tema de tesis: Estudio de las propiedades electrónicas y dieléctricas de nanoestructuras tipo

zinc-blenda.

Periodo: Enero 2007 - Septiembre 2010

Cédula Profesional: 7452592

Posgrado: SEPI - ESIME Culhuacán, Instituto Politécnico Nacional, México.

Grado académico: Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica.

Tema de tesis: Densidad de estados electrónicos de nanoestructuras de germanio.

Periodo: Enero 2004 - Septiembre 2006


Licenciatura: ESIME, Instituto Politécnico Nacional, México.

Título: Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica, Especialidad en Control.

Tema de tesis: Diseño de un controlador digital PID para controlar la velocidad de un motor

de CD.

Periodo: Agosto 1999 - Diciembre 2003


Actividades y/o experiencia de carácter científico

Estancia de investigación: Universidad Autónoma de Barcelona

Proyecto: Dopaje molecular en nanoalambres de silicio

Periodo: Marzo 2009- Diciembre 2009

Estancia Posdoctoral: Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona

Proyecto: Modelado teórico de las propiedades estructurales, electrónicas y de transporte de nano-alambres semiconductores con métodos de estructura electrónica de primeros principios

Periodo: Abril 2011- Marzo 2013

mailto:[email protected]

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Estancia Posdoctoral: Instituto de Física - UNAM

Proyecto: Efecto de la saturación superficial sobre las propiedades estructurales, energéticas y

electrónicas de nanoestructuras semiconductoras

Periodo: Septiembre 2013- Agosto 2015

RETENCIONES – CONACyT, Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional

de Grupos de Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN

Proyecto: Dopaje y detección molecular en nanoestructuras semiconductoras

Periodo: Septiembre 2015- Agosto 2016

PICPAE, Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional de Grupos de

Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN

Proyecto: Nanoestructuras semiconductoras aplicadas a sensores y almacenamiento de energía

Periodo: Septiembre 2016- Diciembre 2017

Becas

Beca de Estudios de Maestría, otorgado por el Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología

(CONACYT-México), Febrero 2004 - Diciembre 2005.

Beca de Estudios de Doctorado, otorgado por el CONACYT-México, Febrero 2007 - Enero 2010.

Beca Telmex para estudios de doctorado, otorgado por fundación Telmex, Octubre 2007 - Marzo 2010

Beca Tesis de Estudios de Doctorado, otorgado por el CONACYT-México, Febrero - Julio 2010.

Beca de Proyecto por el Programa Institucional de Formación e Investigadores (PIFI) del Instituto

Politécnico Nacional (IPN), Proyectos: 20070455, 20080929, 20090652, 20101142, (Enero 2007 -

Junio 2010).

Beca para estancia posdoctoral en el Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona, otorgada por el

CONACYT-México (Abril 2011- Marzo 2013).

Beca para estancia posdoctoral en el Instituto de Física, otorgada por el Consejo de la Investigación

Científica de la UNAM (Septiembre 2013- Agosto 2015).

Estímulo académico para RETENCIONES – CONACyT, Apoyos Complementarios para la

Consolidación Institucional de Grupos de Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN (Septiembre

2015- Agosto 2016).

Diplomas, Distinciones

Diploma, por haber obtenido el Mejor Desempeño Académico de Alumnos de Posgrado 2007-2008,

en el programa de Doctorado en Comunicaciones y Electrónica de la Sección de Estudios de

Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica - Unidad Culhuacán

del IPN. Otorgado por el Dr. José Enrique Villa Rivera, ex-Director General del Instituto Politécnico

Nacional.

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Mención Honorífica en el Examen de Grado del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica, de la

Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y

Eléctrica - Unidad Culhuacán del IPN.

Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 del Instituto Politécnico Nacional, para el nivel de doctorado

en el área de Ingeniería y Ciencias Físico Matemáticas. Otorgado por la Secretaría de Investigación y

Posgrado del I.P.N.

Nombramiento de Investigador Nacional Nivel I, otorgado por el Sistema Nacional de Investigadores

(SNI)-CONACYT, por los periodos del 1 de enero de 2012 al 31 de diciembre de 2014 y 1 de enero

de 2015 al 31 de diciembre de 2018.

Docencia

ESIME Culhuacán, IPN

Departamento en Ingeniería en Computación

Física Clásica, Semestre I, 2016-1, Grupo 1CX27

Cálculo Diferencial e Integral, Semestre II, 2017-1, Grupo 1CM31

Fundamentos de Álgebra, Semestre I, 2017-2, Grupo 1CM22

Fundamentos de Álgebra, Semestre I, 2018-1, Grupo 1CM42

Sección de Estudios de Posgrado e Investigación

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica

Temas Selectos de Matemáticas, enero - julio 2016

Propiedades Electrónicas de Semiconductores, enero - julio 2016

Temas Selectos de Matemáticas, agosto - diciembre 2016

Temas Selectos de Electrónica, enero - julio 2017

Temas Selectos de Matemáticas, enero - julio 2017

Propiedades electrónicas de semiconductores, agosto - diciembre 2017

Temas Selectos de Matemáticas, agosto - diciembre 2017

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos

Curso propedéutico para ingreso a la Maestría, Noviembre 2015.

Energética avanzada, agosto - diciembre 2016

Seminario departamental III, agosto - diciembre 2017

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica

Electrónica Cuántica, enero - julio 2016

Temas selectos de electrónica, agosto - diciembre 2016

Electrónica Cuántica, enero - julio 2017

Temas selectos de electrónica, agosto - diciembre 2017

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Publicaciones

A. Trabajos originales de investigación publicados en revistas internacionales

con arbitraje, indizadas en el Journal Citation Reports (JCR)

1. P. Alfaro, A. Miranda, A.E. Ramos, and M. Cruz-Irisson

Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size

Brazilian Journal of Physics 36 (2A) 375-378 (2006)

ISSN: 0103-9733, Factor de impacto: 1.042 (2016)

http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038

2. A. Miranda, D. Guzmán, L. Niño de R., R. Vázquez y M. Cruz-Irisson

Densidad de Estados Electrónicos de Nanoalambres de Germanio

Revista Mexicana de Física S 53 (5) 78-82 (2007)

ISSN: 0035-001X, Factor de impacto: 0.406 (2016)

http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/5/53_5_078.pdf

3. A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Peréz-Meana, and M. Cruz-Irisson

Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Electronic and Optical

Properties of Si Quantum Wires

Revista Mexicana de Física S 53 (7) 220-224 (2007)



4. A. Miranda, M. Cruz-Irisson, C. Wang

Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures

Microelectronics Journal 40 (3) 439-441 (2009)


http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.009

5. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson

Optical Matrix Elements in Tight-binding Approach of Hydrogenated Si Nanowires




6. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson

Quantum Confinement Effects on Electronic Properties of Hydrogenated 3C-SiC Nanowires




http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038






5

7. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson

Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated Silicon Carbide

Nanowires

Journal of Nano Research 5 161-167 (2009),


http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/JNanoR.5.161

8. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson

Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical Approach

International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448-2454 (2010)


http://dx.doi.org/10.1002/qua.22753

9. A. Miranda, X. Cartoixa, M. Cruz-Irisson and R. Rurali

Molecular doping and subsurface dopant reactivation in Si nanowires

Nano Letters 10, 3590-3595 (2010)


http://dx.doi.org/10.1021/nl101894q

10. A. Trejo, A. Miranda, L. Niño de Rivera, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson

Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires

Microelectronic Engineering 90, 92-95 (2012)


http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.052

11. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali and M. Cruz-Irisson

Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-

empirical approach

Physica E 44 (7-8), 1230-1235(2012)


http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.01.017

12. A. Miranda, X. Cartoixa, E. Canadell and R. Rurali

NH3 molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111]

orientations

Nanoscale Research Letters 7, 308 (2012)


http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308

13. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and Luis A. Pérez

Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by fluorination

International Journal of Nanotechnology 15, 218-225 (2015),


http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2015.067207




http://www.sciencedirect.com/science?_ob=RedirectURL&_method=outwardLink&_partnerName=27983&_origin=article&_zone=art_page&_linkType=scopusAuthorDocuments&_targetURL=http%3A%2F%2Fwww.scopus.com%2Fscopus%2Finward%2Fauthor.url%3FpartnerID%3D10%26rel%3D3.0.0%26sortField%3Dcited%26sortOrder%3Dasc%26author%3DNino%2520de%2520Rivera,%2520L.%26authorID%3D6602447504%26md5%3Dc54a9c856c9dfb76835e4218c8f4476f&_acct=C000048559&_version=1&_userid=4222374&md5=b34f782fcd9b0fee16102accade39bec

http://www.sciencedirect.com/science?_ob=RedirectURL&_method=outwardLink&_partnerName=27983&_origin=article&_zone=art_page&_linkType=scopusAuthorDocuments&_targetURL=http%3A%2F%2Fwww.scopus.com%2Fscopus%2Finward%2Fauthor.url%3FpartnerID%3D10%26rel%3D3.0.0%26sortField%3Dcited%26sortOrder%3Dasc%26author%3DDiaz-Mendez,%2520A.%26authorID%3D15042219900%26md5%3Dd5adf4cd4441331bc1838474b245d74e&_acct=C000048559&_version=1&_userid=4222374&md5=c53972cd0bb1cd1f7c1c7961f8ee9571

http://www.sciencedirect.com/science/journal/01679317




http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308


6

14. A. Trejo, M. Ojeda, J.L. Cuevas, A. Miranda, Luis A. Pérez and M. Cruz-Irisson

Electronic structure and optical vibrational modes of 3C-SiC nanowires

International Journal of Nanotechnology 15, 275-284 (2015),



15. A. Miranda and Luis A. Pérez

Electronic properties of fluorinated silicon carbide nanowires

Computational Materials Science, 111, 294-300 (2016)


http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2015.09.028

16. A. Trejo, A. Miranda, L.K. Toscano-Medina, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson

Optical vibrational modes of Ge nanowires: A computational approach

Microelectronic Engineering 159, 215-220 (2016),


http://dx.doi.org/ 10.1016/j.mee.2016.04.024

17. J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson

Perovskite Type Thin Slabs: A First Principles Study on Their Magnetic and Electronic

Properties

IEEE Magnetics Letters 7, 4106403 (2016),


http://dx.doi.org/10.1109/LMAG.2016.2604216

18. A. Miranda, F. de Santiago, L.A. Pérez and M. Cruz-Irisson

Silicon nanowires as potential gas sensors: A density functional study

Sensors and Actuators B: Chemical, 242, 1346-1250 (2017),


http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2016.09.085


http://dx.doi.org/10.1109/LMAG.2016.2604216

7

B. Trabajos originales de investigación publicados en revistas internacionales

con arbitraje

1. A. Miranda, A.E. Ramos, L. Niño de Rivera, M. Cruz-Irisson

Quantum Confinement Effects in Ge Nanocrystals

Functional Materials 12 (4) 674-679 (2005).

http://www.isc.kharkov.com/journal/contents/12-4/fm124-12.pdf

2. A. Miranda, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson

Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires

Materials Science Forum 600-603 575-578 (2009).

http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.575

C. Trabajos originales in extenso con refereo, en memorias de congresos

internacionales

1. U. Corona, M. Cruz-Irisson, and A. Miranda

Estructura de bandas electrónicas de nanoalambres de germanio

XXVI Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica

Chihuahua, México del 21al 23 de Octubre del 2004

ISSN: 1405-2172

2. A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Pérez-Meana, and M. Cruz-Irisson

Computational modeling of electronic density of states of silicon nanowires

2nd International Conference on Electronic Design

Veracruz, México del 21al 23 de Octubre del 2006

ISBN: 968-9085-01-8

3. A. Miranda, V. Ponomaryov, L.N. de Rivera, R. Vazquez, M. Cruz-Irisson

Dielectric Function in Semi-empirical Tight-binding Theory Applied

to Crystalline Diamond

12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, 2008.

MMET 2008.

Odesa, Ucrania del 29 de Junio al 2 de Julio del 2008

ISBN: 978-1-4244-2284-5

http://dx.doi.org/10.1109/MMET.2008.4580958

4. A. Miranda, F. A. Serrano, R. Vázquez-Medina, and M. Cruz-Irisson

Nanoelectronic properties of Si and Ge: A semi-empirical approximation

52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems

Cancún, México del 2 al 5 de Agosto del 2009

ISBN: 978-1-4244-4479-3

http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2009.5235902

http://www.isc.kharkov.com/journal/contents/12-4/fm124-12.pdf


http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?disp=cit&queryText=(%20ponomaryov%20%20v.%3cIN%3eau)&valnm=+Ponomaryov%2C+V.&reqloc%20=others&history=yes

http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?disp=cit&queryText=(%20de%20rivera%20%20l.%20n.%3cIN%3eau)&valnm=+de+Rivera%2C+L.N.&reqloc%20=others&history=yes

http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?disp=cit&queryText=(%20vazquez%20%20r.%3cIN%3eau)&valnm=+Vazquez%2C+R.&reqloc%20=others&history=yes

http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?disp=cit&queryText=(%20cruz%20irisson%20%20m.%3cIN%3eau)&valnm=+Cruz-Irisson%2C+M.&reqloc%20=others&history=yes

http://dx.doi.org/10.1109/MMET.2008.4580958

http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2009.5235902

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D. Citas externas globales

1. P. Alfaro, A. Miranda, A.E. Ramos, and M. Cruz-Irisson

Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size

Brazilian Journal of Physics 36 (2A) 375-378 (2006)


http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038

1) Autores: L. Pan, Z. Sun, C. Sun

Artículo: Coordination imperfection enhanced electron-phonon interaction and band-gap expansion in Si

and Ge nanocrystals

Revista: Scripta Materialia 60 (12), 1105-1108 (2009)

Factor de impacto: 3.305

http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2009.02.046

2) Autores: Goh, E.S.M., Chen, T.P., Yang, H.Y., Liu, Y., Sun, C.Q

Artículo: Coordination Size-suppressed dielectrics of Ge nanocrystals: Skin-deep quantum entrapment

Revista: Nanoscale 4 (4), 1308-1311 (2012)


http://dx.doi.org/10.1039/c2nr11154c

3) Autores: Eric Gasparo Barbagiovanni

Título: Influence of Quantum dot Structure on the Optical Properties of Group IV Materials Fabricated by

Ion Implantation

Tesis Doctoral (2012), The University of Western Ontario, Canada

http://ir.lib.uwo.ca/cgi/viewcontent.cgi?article=1999&context=etd

4) Autores: E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson and L.V. Goncharova

Artículo: Quantum confinement in Si and Ge nanostructures: Theory and experiment

Revista: Applied Physics Reviews 1, 011302 (2014)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095

5) Autores: B.L. Oliva-Chatelain and A.R. Barron

Artículo: Experiments towards size and dopant control of germanium quantum dots for solar applications

Revista: AIMS Materials Science 3, 1 (2016)

http://dx.doi.org/10.3934/matersci.2016.1.1

6) Autores: D. Banerjee, C. Trudeau, L.F. Gerlein and S.G. Cloutier

Artículo: Phonon processes in vertically aligned silicon nanowire arrays produced by low-cost all-solution

galvanic displacement method

Revista: Applied Physics Letters 108, 113109 (2016)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4944334

2. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson

Optical Matrix Elements in Tight-binding Approach of Hydrogenated Si

Nanowires




http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038

http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2009.02.046

http://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7405540443&eid=2-s2.0-84857202735


http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095

http://dx.doi.org/10.1063/1.4944334


9

7) Autores: Vidur Parkash, and Anand K. Kulkarni

Artículo: Coordination Optical Absorption Characteristics of Silicon Nanowires for Photovoltaic

Applications

Revista: IEEE Transactions on Nanotechnology 10 (6) 1293-1297 (2011)


http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2011.2136383

8) Autores: Nicolas Tancogne-Dejean, Bernardo S. Mendoza, and Valérie Véniard

Artículo: Effect of material properties on the accuracy of antiresonant approximation:Linear and second-

order optical responses

Revista: Physical Review B 90, 035212 (2014)


http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.035212

9) Autores: Nicolas Tancogne-Dejean, Bernardo S. Mendoza, and Valérie Véniard

Título: Ab initio description of second-harmonic generation from crystal surfaces

Tesis Doctoral: (2015) Ecole Polytecnique, Université París-Saclayt, Francia

https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/tel-01235611/document

10) Autores: Worasak Sukkabot

Artículo: The electron-hole interactions in Si hydrogenate nanocrystals: tight-binding theory

Revista: Advanced Materials Research 1131, 110 (2016)

http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1131.110

11) Autores: F. Gasparyan, H. Khondkaryan, A. Arakelyan, I. Zadorozhnyi, S. Pud and S. Vitusevich

Artículo: Double-gated Si NW FET sensors: Low-frequency noise and photoelectric properties

Revista: Journal of Applied Physics 120, 064902 (2016)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4960704

3. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson

Quantum Confinement Effects on Electronic Properties of Hydrogenated 3C–SiC

Nanowires




12) Autores: E. Bekaroglu, M. Topsakal, S. Cahangirov, and S. Ciraci

Artículo: First-principles Study of Defects and Adatoms in Silicon Carbide Honeycomb Structures

Revista: Physical Review B 81, 075433 (2010)



13) Autores: X. He, T. He, Z. Wang, M. Zhao

Artículo: Neutral vacancy-defect-induced magnetism in SiC monolayer

Revista: Physica E 49, 2451-2454 (2010)


http://dx.doi:10.1016/j.physe.2010.06.010

14) Autores: He Huang

Título: Moving to Sustainability: Improving Material Flows in the Iron Casting Industry

Tesis Doctoral (2010), The Pennsylvania State University, USA

https://etda.libraries.psu.edu/paper/10626/6456

http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2011.2136383





https://etda.libraries.psu.edu/paper/10626/6456

10

15) Autores: Y. Zhao,T. Hou, L. Wu, Y. Li, S.T. Lee

Artículo: Density Functional Calculations on Silicon Carbide Nanostructures

Revista: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 9 (11), 1980-1998 (2012)


http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2012.2604

16) Autores: N. Naderi, M.R. Hashim, K.M.A Saron and J. Rouhi

Artículo: Enhanced optical performance of electrochemically etched porous silicon carbide

Revista: Semiconductor Science and Technology 1 (2), 025011 (2013)


http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/2/025011

17) Autores: E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson and L.V. Goncharova

Artículo: Quantum confinement in Si and Ge nanostructures: Theory and Experiment

Revista: Applied Physics Reviews 1, 011302 (2014)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095

4. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson

Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated

Silicon Carbide Nanowires

Journal Nano Research 5 161-167 (2009)



18) Autores: A. Setoodeh, H. Attariani, M. Jahanshahi

Artículo: Mechanical Properties of Silicon-Germanium Nanotubes under Tensile and Compressive Loadings

Revista: Journal of Nano Research 15, 105-114 (2011)



19) Autores: F. Salazar and Luis A. Pérez

Artículo: Theoretical study of electronic and mechanical properties of GeC nanowires

Revista: Computational Materials Science 63, 47-51 (2012)



20) Autores: Xiaoyan Peng, Boqian Yang, Jin Chu and Peter Feng

Artículo: Effects of nitrogen pressure during pulsed laser deposition on morphology and optical properties

of N-doped ZnO nanostructures

Revista: Surface Science 609, 48-52 (2013)


http://dx.doi.org/ 10.1016/j.susc.2012.11.002

5. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson

Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical Approach

International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448 (2010)



http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2012.2604

http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/2/025011

http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095


http://www.scientific.net/author/A_Setoodeh

http://www.scientific.net/author/H_Attariani

http://www.scientific.net/author/M_Jahanshahi


http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025612003473









11

21) Autores: Jin Fang and Laurent Pilon

Artículo: Tuning thermal conductivity of nanoporous crystalline silicon by surface passivation: A molecular

dynamics study

Revista: Applied Physics Letters 101, 011909 (2012)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4733352

22) Autores: Jin Fang and Laurent Pilon

Artículo: Effect of Hydrogen Passivation on the Thermal Conductivity of Nanoporous Crystalline Silicon:

A Molecular Dynamics Study

Revista: ASME Proceedings | Micro/Nanoscale Interfacial Transport Phenomena 2012, 291-296 (2012)

http://dx.doi.org/10.1115/MNHMT2012-75153

23) Autor: Jin Fang

Título: Thermal Transport in Nanoporous Materials for Energy Applications

Tesis Doctoral (2012), University of California, Los Angeles, USA

http://escholarship.org/uc/item/35f4p035

6. A. Miranda-Durán, X. Cartoixa, M. Cruz-Irisson and R. Rurali

Molecular doping and subsurface dopant reactivation in Si nanowires

Nano Letters 10, 3590-3595 (2010)



24) Autores: Shu, H., Chen, X., Ding, Z., Dong, R., Lu, W.

Artículo: First-principles study of the doping of InAs nanowires: Role of surface dangling bonds

Revista: The Journal of Physical Chemistry C 115 (30), 14449-14454 (2011)


http://dx.doi.org/10.1021/jp112002n

25) Autores: Collins, G., Holmes, J.D

Artículo: Chemical functionalisation of silicon and germanium nanowires

Revista: Journal of Materials Chemistry 21 (30), 11052-11069 (2011)


http://dx.doi.org/10.1039/c1jm11028d

26) Autores: Luo, L.-B., et al.

Artículo: Surface defects-induced p-type conduction of silicon nanowires

Revista: Journal of Physical Chemistry C 115 (38), 18453-18458 (2011)


http://dx.doi.org/10.1021/jp205171j

27) Autores: Luo, L.-B., Yang, X.-B., Liang, F.-X., Jie, J.-S., Wu, C.-Y., Wang, L., Yu, Y.-Q.a, Zhu, Z.-F.

Artículo: Surface dangling bond-mediated molecules doping of germanium nanowires



http://dx.doi.org/10.1021/jp208708e

28) Autores: Shu, H., Cao, D., Liang, P., Jin, S., Chen, X., Lu, W.

Artículo: Effect of molecular passivation on the doping of InAs nanowires



http://dx.doi.org/10.1021/jp304350f

http://dx.doi.org/10.1063/1.4733352







http://dx.doi.org/10.1021/jp112002n



http://www.scopus.com/source/sourceInfo.url?sourceId=24641&origin=recordpage



http://dx.doi.org/10.1021/jp205171j

















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29) Autores: Hazut, O., Agarwala, A., Amit, I., Subramani, T., Zaidiner, S., Rosenwaks, Y., Yerushalmi, R.

Artículo: Contact doping of silicon wafers and nanostructures with phosphine oxide monolayers

Revista: ACS Nano 6 (11), 10311-10318 (2012)


http://dx.doi.org/10.1021/nn304199w

30) Autores: Kumar Bhaskar, U., Pardoen, T., Passi, V., Raskin, J.-P.

Artículo: Surface states and conductivity of silicon nano-wires

Revista: Journal of Applied Physics 113 (13), 134502 (2013)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4798611

31) Autores: L.M. Wheeler, N.R. Neale, T. Chen and U.R. Kortshagen

Artículo: Hypervalent surface interactions for colloidal stability and doping of silicon nanocrystals

Revista: Nature Communications 4, 2197 (2013)


http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3197

32) Autores: Kausar, S., Joshi, S.

Artículo: Band gap of silicon nanowires along [111] direction doped with Al atoms

Revista: International Journal of Nanoparticles 6 (4), 275-281 (2013)

http://dx.doi.org/10.1504/IJNP.2013.057168

33) Autores: Li, C., Zhang, C., Fobelets, K., Zheng, J., Xue, C., Zuo, Y., Cheng, B., Wang, Q.

Artículo: Impact of ammonia on the electrical properties of p-type Si nanowire arrays

Revista: Journal of Applied Physics 114 (17), 173702 (2013)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4827184

34) Autores: Jian-gong Cui, Xia Zhang, Yong-qing Huang and Xiao-min Ren

Artículo: Effect of Surface Dangling Bonds and Molecular Passivation on Doped GaAs Nanowires

Revista: Chinese Journal of Chemical Physics 27, 685 (2014)


http://dx.doi.org/10.1063/1674-0068/27/06/685-689

35) Autores: Michael J. Sailor

Artículo: Chemical Reactivity and Surface Chemistry of Porous Silicon

Revista: Handbook of Porous Silicon 1-24 (2014)

http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04508-5_37-1

36) Autores: K.K. Sossoe, et al.

Artículo: Tunneling spectroscopy of p-type doping in silicon from boron-containing molecular monolayer

Revista: Microelectronic Engineering 149, 125 (2016)



37) Autores: F.A. Ptashchenko

Artículo: Appearance of Additional Electronic Conductivity Silicon Structures in the Atmosphere of Wet

Ammonia: ab Initio Calculations

Revista: Journal of Nano and Electronics Physics 8, 02409 (2016)

http://dx.doi.org/ 10.21272/jnep.8(2).02049














http://www.nature.com/ncomms/2013/130729/ncomms3197/full/ncomms3197.html?WT.ec_id=NCOMMS-20130731#auth-4














http://dx.doi.org/10.1063/1.4827184

http://scitation.aip.org/content/contributor/AU1033536;jsessionid=3ojj0stjpc8av.x-aip-live-06



http://dx.doi.org/10.1063/1674-0068/27/06/685-689

http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04508-5_37-1


http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04508-5_37-1

http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04508-5_37-1

13

38) Autores: Shadi A. Dayeh, Renjie Chen, Yun Goo Ro, Joonseop Sim

Artículo: Progress in doping semiconductor nanowires during growth

Revista: Materials Science in Semiconductor Processing 62, 135 (2017)


http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.10.016

39) Autores: Shadi A. Dayeha, Renjie Chen, Yun Goo Ro, Joonseop Sim

Artículo: Applications of Monolayer-Functionalized H-Terminated Silicon Surfaces: A Review

Revista: Small Methods 1, 1700072 (2017)



7. A. Trejo, A. Miranda, L. Niño de Rivera, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson

Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires

Microelectronic Engineering 90, 92-95 (2012)



40) Autores: Y.Yu, L. Wu and J. Zhi

Artículo: Diamond Nanowires: Fabrication, Structure, Properties, and Applications

Revista: Angewandte Chemie International Edition 53 (12), 14326 (2014)


http://dx.doi.org/10.1002/anie.201310803

41) Autores: Y.Yu, L. Wu and J. Zhi

Artículo: Diamond Nanowires: Fabrication, Structure, Properties, and Applications

Revista: Novel Aspects of Diamond Topics in Applied Physics 121, 123 2015

http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-09834-0_5

8. A. Miranda, X. Cartoixa, E. Canadell and R. Rurali

NH3 molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111]

orientations

Nanoscale Research Letters 7, 308 (2012)


http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308

42) Autores: L.M. Wheeler, N.R. Neale, T. Chen and U.R. Kortshagen

Artículo: Hypervalent surface interactions for colloidal stability and doping of silicon nanocrystals

Revista: Nature Communications 4, 2197 (2013)



43) Autores: Sana Kausar and Shirish Joshi

Artículo: Band gap of silicon nanowires along [111] direction doped with Al atoms

Revista: International Journal of Nanoparticles 6 (4), 275-281 (2013)


44) Autores: Sana Kausar, Shirish Joshi and Syed Mujahid Husain

Artículo: Effect of Al atom Doping on Band Gap of Rectangular Cross Section Si nanowire

Revista: Advances in Physics Theories and Applications 19, 113-117 (2013)

http://iiste.org/Journals/index.php/APTA/article/view/5973/6141



http://www.sciencedirect.com/science?_ob=RedirectURL&_method=outwardLink&_partnerName=27983&_origin=article&_zone=art_page&_linkType=scopusAuthorDocuments&_targetURL=http%3A%2F%2Fwww.scopus.com%2Fscopus%2Finward%2Fauthor.url%3FpartnerID%3D10%26rel%3D3.0.0%26sortField%3Dcited%26sortOrder%3Dasc%26author%3DNino%2520de%2520Rivera,%2520L.%26authorID%3D6602447504%26md5%3Dc54a9c856c9dfb76835e4218c8f4476f&_acct=C000048559&_version=1&_userid=4222374&md5=b34f782fcd9b0fee16102accade39bec

http://www.sciencedirect.com/science?_ob=RedirectURL&_method=outwardLink&_partnerName=27983&_origin=article&_zone=art_page&_linkType=scopusAuthorDocuments&_targetURL=http%3A%2F%2Fwww.scopus.com%2Fscopus%2Finward%2Fauthor.url%3FpartnerID%3D10%26rel%3D3.0.0%26sortField%3Dcited%26sortOrder%3Dasc%26author%3DDiaz-Mendez,%2520A.%26authorID%3D15042219900%26md5%3Dd5adf4cd4441331bc1838474b245d74e&_acct=C000048559&_version=1&_userid=4222374&md5=c53972cd0bb1cd1f7c1c7961f8ee9571

http://www.sciencedirect.com/science/journal/01679317



http://dx.doi.org/10.1002/anie.201310803

http://link.springer.com/bookseries/560

http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-09834-0_5


http://www.nature.com/ncomms/2013/130729/ncomms3197/full/ncomms3197.html?WT.ec_id=NCOMMS-20130731#auth-4


14


Artículo: Size Dependence of H-SiNW on Band Gap along [111] Direction

Revista: African Journal of Basic & Applied Sciences 5 (4), 200-204 (2013)

http://dx.doi.org/10.5829/idosi.ajbas.2013.5.4.11190

46) Autores: M. Lorke; A. Domínguez; A. L. da Rosa; T. Frauenheim

Artículo: Theoretical investigations of the electronic properties of functionalized zinc-oxide nanowires

Revista: SPIE Proceedings 8987, 89870S1-89870S6 (2014)

http://dx.doi.org/10.1117/12.2037560


Artículo: Effect of Al doping on band gap of pentagonal cross section SiNWs

Revista: International Journal of Nanoparticles 7 (1): 49-56 (2014)


48) Autores: A. Dominguez, M. Lorke, A. L. Schoenhalz, A. L. Rosa, Th. Frauenheim, A. R. Rocha and G. M.

Dalpian

Artículo: First principles investigations on the electronic structure of anchor groups on ZnO nanowires and

surfaces

Revista: Journal of Applied Physics 115, 203720 (2014)


http://dx.doi.org/10.1063/1.4879676

49) Autores: F.A. Ptashchenko

Artículo: Appearance of Additional Electronic Conductivity Silicon Structures in the Atmosphere of Wet

Ammonia: ab Initio Calculations

Revista: Journal of Nano and Electronics Physics 8, 02409 (2016)

http://dx.doi.org/ 10.21272/jnep.8(2).02049

9. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali, M. Cruz-Irisson

Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A

semi-empirical approach

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 1230 (2012)


http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308

50) Autores: D. Cavalcoli, G. Impellizzeri, L. Romano, M. Miritello, M.G. Grimaldi, and B. Fraboni

Artículo: Optical Properties of Nanoporous Germanium Thin Films

Revista: ACS Applied Mateials Interfaces 7, 16992 (2015)



10. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and Luis A. Pérez

Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by

fluorination

International Journal of Nanotechnology 15, 218-225 (2015)

ISSN: 1475-7435, Factor de impacto: 0.502 (2016) http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2015.067207

http://inderscience.metapress.com/content/b0703608jp56553q/?p=e6aba4a63af14925a990ee2be47c1db8&pi=3


http://dx.doi.org/10.1063/1.4879676




15

51) Autores: Z. Shi, A. Kutana, G. Yu, W. Chen, B.I. Yakobson, U. Schwingenschlogl, X. Huang

Artículo: Tailoring the Electronic and Magnetic Properties of Two-Dimensional Silicon Carbide Sheets and

Ribbons by Fluorination

Revista: The Journal of Physical Chemestry C 120, 15407-15414 (2016)


http://dx.doi.org/ 10.1021/acs.jpcc.6b01706

11. A. Miranda and Luis A. Pérez

Electronic properties of fluorinated silicon carbide nanowires

Computational Materials Science, 111, 294-300 (2016)



52) Autores: M. Rashid, A.K. Tiwari, J.P. Goss, M.J. Rayson, P. R. Briddon, A.B. Horsfall

Artículo: Surface-state dependent optical properties of OH-, F-, and H-terminated 4H-SiC quantum dots

Revista: Physical Chemistry Chemical Physics, (2016)


http://dx.doi.org/10.1039/C6CP03775E

12. A. Miranda, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson

Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires

Materials Science Forum 600-603 575-578 (2009)



53) Autores: F. Fabbria, A. Cavallinia, G. Attolinib, F. Rossib, G. Salviatib, B. Dierrec, N. Fukatad and T.

Sekiguchic

Artículo: Cathodoluminescence characterization of β-SiC nanowires and surface-related silicon dioxide

Revista: Materials Science in Semiconductor Processing 11, 179-181 (2008)



54) Autores: Fashtami, T.N. and Ziabari, S.A.S.

Artículo: Performance investigation of gate-all-around nanowire FETs for logic applications

Revista: Indian Journal of Science and Technology 8 (3), 231-236 (2015)









16

Resúmenes presentados y publicados en congresos internacionales

1. U. Corona, M. Cruz, A. Miranda

“Estructura de bandas electrónicas de nanoalambres de germanio”

ELECTRO 2004

Chihuahua, Chihuahua, México, 21-25 octubre 2004

2. P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson

“Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increazing Size”

12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics

Sao Paulo, Brasil, 4-8 abril 2005

3. A. Miranda, A.E. Ramos, L. Niño de Rivera, M. Cruz-Irisson

“Quantum confinement effects in Ge nanocrystals”

International Conference “Crystals Materials’ 2005” (ICCM’ 2005)

Kharkov, Ucrania, 30 mayo - 2 junio 2005

4. A. Miranda, P. Alfaro, G. Logvinov, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson

“Tight-binding calculations of the electronic properties of silicon nanocrystals”

12 º CLACSA 2005

Río de Janeiro, Brasil, 5-9 diciembre 2005

5. D. Guzmán, P. Alfaro, A. Miranda, M. Cruz-Irisson

“Densidad de estados electrónicos de nanoestructuras de Germanio”

Mexican Workshop on Nanoestructured Materials 2007

Puebla, Puebla, México, 2-4 mayo 2006

6. A. Miranda, M. Cruz-Irisson

“Density of States of Germanium Quantum Wells”

XV International Materials Research Materials

Cancún, Quintana Roo, México, 20-24 agosto 2006

7. D. Guzmán, A. Miranda, M. Cruz-Irisson

“Semiempirical supercell approach to calculate the electronic and optical properties of Si quantum wires”

XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics 2006

Puebla, Puebla, México, 20-24 noviembre 2006

8. A. Miranda, D. Guzmán, H. P. Meana, M. Cruz-Irisson

“Computational Modeling of Electronic Density of States of SiNW´s”

2nd Internacional Conference on Electronic Design

Veracruz, Veracruz, México, 21-23 noviembre 2006

9. Guzmán, A. Miranda, P. Alfaro, and M. Cruz-Irisson

“One-Dimensional Electronic States on the Silicon Carbide Nanocrystals”

AMN-3 Advanced Materials and Nanotechnology

Wellington, Nueva Zelanda, 11-16 febrero 2007

10. A. Miranda, J. L. Cuevas, and M. Cruz-Irisson

“Effects of morphology on the electronic properties of hydrogenated silicon carbide nanowires”

Second Mexican Workshop on Nanoestructured Materials 2007

Puebla, México, 15-18 mayo 2007

17


“Electronic band structure of silicon carbide nanowires”

Pan-American Advanced Study Institute

Zacatecas, México, 11-22 junio 2007

12. J. L. Cuevas, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“-SiC Nanoestrcutures: evolution band gap with incgreazing size”

International Congress “Materia 2007”

Morelia, México, 7-12 octubre 2007

13. A. Miranda and M. Cruz-Irisson

“Theoretical study of optical transition in Ge nanoestructures”

International Congress “Materia 2007”

Morelia, México, 7-12 octubre 2007


“Band gap evolution of hydrogenated porous silicon carbide”

XVI International Materials Research Materials

Cancún, México, 28 octubre - 1 noviembre 2007

15. A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“Semi-empirical calculations of the optical matrix elements: An application to Ge nanowires”

XIII CLACSA 2007

Santa Martha, Colombia,3-7 diciembre 2007

16. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and C. Wang

“Electronic and optical properties of Ge nanostructures: An ab-initio study”

XVII International Materials Research Materials

Cancún, México, 17-21 agosto 2008

17. L.A. Boisson, P. Alfaro, A. Miranda and M. Cruz-Irisson

“Quantum confinement effects on the electronic and phonon states in diamond nanowires” 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides

Sitges, España, 7-11 septiembre 2008

18. A.J. García, A. Miranda, I. Loboda, and M. Cruz-Irisson

“A comparative study of ab-initio and semiempirical methods of electronic states of nanodiamond”

XXVIII Annual Meeting International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum

Veracruz, México, 29 septiembre - 3 octubre 2008

19. A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali

“Molecular doping in Silicon Nanowires: an ab-initio study”

Trends and Nanotechnology 2009

Barcelona, España, 7-11 septiembre de 2009

20. A. Trejo, F.A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“Interconnection effects on the dielectric function of Ge nanostructures: A tight-binding approach”

Sixth International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechbology 2009

Nuevo Guaymas, México, septiembre de 2009

21. M. Cruz-Irisson, F.A. Serrano and A. Miranda

“Hydrogen surface passivation of Si and Ge Nanowires: A semi-empirical approach”

XXXV Congreso de Químicos Teóricos de Expresión Latina

San Andrés, Colombia, septiembre de 2009

18

22. F. A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“Theoretical study of the vibrational and electronic properties in diamond nanostructures”

International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechnology

León, Guanajuato, 16-19 mayo de 2010

23. A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali “Effects of the Molecular Doping and Quantum Confinement on the Electronic Properties of Silicon Nanowires”

XV International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters

Oaxaca, Oaxaca, 19-24 septiembre de 2010

24. A. Miranda, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson “Interconntection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-empirical

approach”

5th International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials

Reims, Francia, 18-21 octubre de 2010

25. A. Trejo, A. Miranda, A. Díaz-Mendez, and M. Cruz-Irisson

“Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires”

4th International Conference Micro&Nano 2010

Atenas, Grecia, 12-15 diciembre de 2010

26. A. Miranda, X. Cartoixà, E. Canadell, and R. Rurali

“NH3 Molecular doping in Silicon Nanowires in the [112], [110], [100] and [111] directions”

Trends and Nanotechnology 20011

Tenérife, Islas Canarias, España, 21-25 Noviembre de 2011

27. A. Miranda, X. Cartoixà, E. Canadell, and R. Rurali

“Quantum Confinement Effect in the NH3 Molecular Doping of Silicon Nanowires”

Workshop on "Computational Condensed Matter Physics, Materials Science and Nanoscience from First

Principles

Barcelona, España, 12-14 enero de 2012

28. A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson, E. Canadell, and R. Rurali

“Tuning Electronic and Energetic Properties of β-silicon Carbide Nanowires by Chemical Control”

4th Mexican Workshop on Nanostructured Materials

Puebla, México, 19-22 marzo de 2013

29. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali and X. Cartoixà

“First-principles Calculations of the Structural and Energetic Properties of Hydrogen, Methyl and Ethyl-

terminated Silicon Nanowires”


Puebla, México, 19-22 marzo de 2013

30. R. Rurali, G. Amato, A. Cultrera, L. Boarino, C. Lamberti, S. Bordiga, F. Mercuri, A. Miranda, X.

Cartoixà

“Molecular Doping and Sensing in Silicon Nanowires”

Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST) and related Conferences, PSST 2014

Alicante, España, 9-14 marzo 2014

31. A. Miranda, Luis A. Pérez

“Tuning the Electronic Band-Gap of 3C-Silicon Carbide Nanowires by Passivating with Different

Chemical Species”

Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy

From Materials to Devices to System Architecture

Phoenix, Arizona, USA 10-14 marzo 2014

19

32. A. Trejo, A. Miranda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“First principles simulation of phonon confinement effects in Ge [111] nanowires”

8th International conference on energy, materials and nanotechnology

Orlando, Florida, USA, 22-25 noviembre 2014

33. A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson, Luis A. Pérez

“DFT study of Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens”

Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014)

Koala Coast, Hawaii, USA, 7 -11 diciembre 2014

34. A. Miranda, F. de Santiago, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson,

“Electronic properties of silicon nanowires for sensing of toxic gases”

22nd Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 2015)

Puerto Varas, Chile, 30 noviembre - 4 diciembre 2015

35. A. Miranda, M. Ojeda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens: an Ab-initio Study”

22nd Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 2015)

Puerto Varas, Chile, 30 noviembre - 4 diciembre 2015

36. F. de Santiago, A. Miranda, J.L. Cuevas, A. Trejo, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Chemisorption of adenine-alkili doped Si nanowires: ab initio study”

IX International Conference in Surfaces, Materials and Vacuum

Mazatlán, Sinaloa, México, 26-30 septiembre 2016

37. F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

“Efectos de los enlances sueltos y el boro en la mediometalicidad de nanoalambres de Si y Ge”

LIX Congreso Nacional de Física

León, Guanajuato, México, 2-7 octubre 2016

38. A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Dopaje molecular en nanoalambres de Si: efectos de los halogénos en la superficie”



39. J. Pilo, A. Torres, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

“Sistemas multicapa derivados del compuesto Sr2FeMoO6”



40. F. De Santiago, A. Trejo, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“Electronic properties of Ga and As doped silicon nanowires with surface dangling bonds”


Puebla, Puebla, México, 12-14 octubre 2016

41. A.N. Sosa, I. González, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson

“Band gap engineering of porous Ge for applications to lithium batteries”


Puebla, Puebla, México, 12-14 octubre 2016

42. F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K”

MicroEchem 2016 / Energy Storage Discussions

Amealco, Queretaro, México, 6-9 noviembre 2016

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43. A. Miranda, F. de Santiago, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez

“Chemical sensing in silicon nanowires: quantum confinement effects”

QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression

Montevideo, Uruguay, 20-25 noviembre 2016

44. A. Miranda, I. González, A. Trejo, F.A. Perdomo-Hurtado, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Chemical band-gap engineering in fluorinated silicon nanowires”



45. J. Pilo, M.C. Crisóstomo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

“Bi-dimensional perovskite systems for spintronics applications”



46. J. Ramírez, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez

“Electronic properties of Diamond nanowires with X-vacancy (X=N,B) defects: a theoretical approach”



47. F. de Santiago, J.E. Santana, A. Trejo. A. Miranda, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Toxic gases sensing based on silicon nanostructures: an ab-initio study”

European Materials Research Society, Spring Meeting 2017

Estrasburgo, Francia, 22-26 mayo 2017

48. J. Pilo, A. Torres, A. Miranda, E. Carvajal

“Phisycal properties of perovskite nanolayared systmes: a comparative study by varying the Hubbard

parameter”

ISMANAM 2017, 24th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured

Materials

San Sebastian, España, 18-23 junio 2017

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Formación de Recursos Humanos

Tesis dirigidas de Licenciatura

1. “Espintrónica en nanoalambres, un nuevo paradigma en las comunicaciones y electrónica”

Francisco de Santiago Varela,

ESIME-Culhuacan, IPN

Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica

Fecha examen: 28 de septiembre de 2015

Tesis dirigidas de Maestría

2. “Medio-metalicidad en nanoalambres semiconductores no polares”

Ing. Francisco de Santiago Varela,

Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica

Fecha examen: 23 de junio de 2016

Tesis en Proceso

Tesis de maestría en proceso

3. Ing. José Antonio Santiago Galicia

Tema tentativo: Almacenamiento de hidrógeno en siligene


Registro: B160491

4. Ing. Lucia Guadalupe Arellano Sartorius

Tema tentativo: Monocapas de SiC para almacenamiento de hidrógeno


Registro: A170448

5. Fisico Lorenzo Antonio López Hernández

Tema tentativo: Monocapas de germanio para almacenamiento de hidrógeno


Registro: B17

6. Ing. Ángel Daniel de la Merced Puga

Tema tentativo: Propiedades energéticas y ópticas en la detección de ADN con

nanoalambres de silicio


Registro: B17

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Proyectos de investigación

Proyectos con Financiamiento Institucional

Director de Proyectos de Investigación

1. Título: Nanoalambres de silicio como sensores de gases moléculares

Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías

Modalidad: Proyecto Individual

Duración: 1 año (septiembre 2015 - agosto 2016)

Participación en Proyectos de Investigación

1. Título: Dopaje y detección molecular en nanoestructuras semiconductoras


Modalidad: Programa de “Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional de

Grupos de Investigación, Convocatoria para Retenciones 2015

Duración: 1 año (septiembre 2015 - agosto 2016)

Director: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan-IPN

2. Título: Modelado y simulación computacional de las propiedades físicas y químicas de

nanoestructuras con aplicaciones a espintrónica y a energías alternativas


Modalidad: Convocatoria de Apoyo al Fortalecimiento y Desarrollo de la Infraestructura

Científica y Tecnológica 2015 del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología

Duración: 1 año (2015)

Director: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan-IPN

3. Título: Estudio de las propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras porosas aplicadas

a celdas solares y baterías de Litio

Área: Ingeniería y Tecnología

Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios de

Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional

Duración: 2 años (2016-2017)

Director de módulo: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan

Registro Módulo SIP: 20160184, Registro Multidisciplinario SIP: 1770

4. Título: Propiedades vibracionales y transporte térmico en nanoalambres semiconductores


Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios de

Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional


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Director de módulo: Dr. Fernando Salazar Posadas, SEPI-ESIME Culhuacan


5. Título: Modelado y simulación computacional de las espectroscopías Raman e infrarroja en

nanoestructuras semiconductoras


Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios

de Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional


Director de módulo: Dr. Alejandro Trejo Baños, SEPI-ESIME Culhuacan


Proyectos con Financiamiento Externo

Participación en Proyectos de Investigación

1. Título: Propiedades de sistemas de baja dimensionalidad


Modalidad: Proyectos de Investigación del Programa del Apoyo a Proyectos de Investigación e

Innovación Tecnológica 2017 de la Universidad Nacional Autónoma de México


Director: Dr. Luis Antonio Pérez López, Instituto de Física, UNAM

2. Título: Propiedades estructurales y electrónicas de sistemas de baja dimensionalidad


Modalidad: Proyectos de investigación del Programa del Apoyo a Proyectos de Investigación e

Innovación Tecnológica 2014 de la Universidad Nacional Autónoma de México


Director: Dr. Luis Antonio Pérez López, Instituto de Física, UNAM

Actividades de Vinculación e Innovación

Programas de Computo

“Simulación computacional de la estructura de bandas electrónicas, densidad de estados y absorción óptica

de semiconductores tipo zinc blenda”,

Autores: Miguel Cruz Irisson, Álvaro Miranda Durán, Alejandro Trejo Baños, Instituto Politécnico

Nacional,

Registro de software ante el Registro Público del Derecho de Autor. No. 03-2014-082910483200-01.

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Conocimientos Informáticos

Lenguajes de programación: Fortran90. Sistemas operativos: Linux, MS-DOS, Windows a nivel de

usuario.

Experiencia en cálculos basados pseudopotenciales empíricos tight-binding y teoría de funcionales de

la densidad (usando los códigos CASTEP, SIESTA, QUANTUM ESPRESSO).

Idiomas

Español: Lengua materna

Inglés: Hablar 85 %, Escuchar 85 %, Escribir 90%, Leer 85 %