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Nombre:Grupo:Calificación: Fecha: 03/02/2011Profesor: Gerson Villa González Materia: Electrónica Digital
Conteste de manera correcta el siguiente cuestionario:
1.
2. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?
a. 1b. 4c. 18d. 29
3. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es:
a. 0b. +1c. -1d. +4
4. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga resultante vale:
a. 0b. +1c. -1d. +4
5. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de valencia de un átomo de cobre es:
a. Ningunab. Débilc. Fuerted. Imposible describir
6. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?
a. 0b. 1c. 2d. 4
7. El semiconductor más empleado es
a. Cobreb. Germanioc. Siliciod. Ninguno de los anteriores
8. ¿Qué número de protones posee un átomo de silicio?
a. 4b. 14c. 29d. 32
9. Los átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de
a. Enlace covalenteb. Cristalc. Semiconductord. Orbital de valencia
10. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por
a. El dopajeb. Electrones libresc. Energía térmicad. Electrones de valencia
11. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un
a. Enlace covalenteb. Electrón librec. Huecod. Recombinación
12. La unión de electrón libre con un hueco recibe el nombre de
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a. Enlace covalenteb. Tiempo de vidac. Recombinaciónd. Energía térmica
13. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:
a. Una bateríab. Un conductorc. Un aislanted. Un hilo de cobre
14. El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su desaparición se conoce como:
a. Dopajeb. Tiempo de vidac. Recombinaciónd. Valencia
15. Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por
a. Electrón ligadob. Electrón librec. Núcleod. Protón
16. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a. 1b. 2c. 3d. 4
17. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a. 1b. 2c. 3d. 4
18. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan
a. Distanciándose del potencial negativo
b. Hacia el potencial positivoc. En el circuito externod. Ninguna de las anteriores
19. ¿Cuántos huecos presenta un conductor?
a. Muchos b. Ningunoc. Solos los producidos por la
energía térmicad. El mismo número que de
electrones libres20. En un semiconductor intrínseco, el
número de electrones libres esa. Igual al número de huecosb. Mayor que el número de
huecosc. Menor que el número de
huecosd. Ninguna de las anteriores
21. La temperatura de cero absoluto es igual a
a. -273°Cb. 0°Cc. 25°Cd. 50°C
22. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta
a. Pocos electrones libresb. Muchos huecosc. Muchos electrones libresd. Ni huecos ni electrones libres
23. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene
a. Algunos electrones libres y huecos
b. Muchos huecosc. Muchos electrones libresd. Ningún hueco
24. El número de electrones libres y huecos en un semiconductor
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intrínseco aumenta cuando la temperatura
a. Disminuyeb. Aumentac. Se mantiene constanted. Ninguna de las anteriores
25. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia
a. La izquierdab. La derechac. En cualquier direcciónd. Ninguna de las anteriores
26. Los huecos se comportan comoa. Átomosb. Cristalesc. Cargas Negativasd. Cargas Positivas
27. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?
a. 1b. 3c. 4d. 5
28. ¿Qué número de electrones de valencia tiene un átomo donador?
a. 1b. 3c. 4d. 5
29. Si quisiera producir un semiconductor tipo p, ¿Qué emplearía?
a. Átomos aceptadoresb. Átomos donadoresc. Impurezas pentavalentesd. Silicio
30. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo
a. Extrínsecob. Intrínsecoc. Tipo n
d. Tipo p31. ¿Cuántos electrones libres contienen
un semiconductor tipo p?a. Muchos b. Ningunoc. Solo los producidos por la
energía térmicad. El mismo número que de
huecos32. La plata es el mejor conductor. ¿Cuál
es el número de electrones de valencia que tiene?
a. 1b. 4c. 18d. 29
33. Si un semiconductor intrínseco tiene un billón de electrones libres a la temperatura ambiente, ¿Cuántos pre4sentará a la temperatura de 75oC?
a. Menos de un billónb. Un billónc. Más de un billónd. Imposible de contestar
34. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los portadores mayoritarios?
35. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los otros tres?
a. Conductorb. Semiconductorc. Cuatro electrones de
valenciad. Estructura cristalina
36. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente?
a. 0oC
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b. 25oCc. 50oCd. 75oC
37. ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia de un átomo de silicio dentro de un cristal?
a. 1b. 4c. 8d. 14
38. Los iones positivos son átomos quea. Han ganado un protónb. Han perdido un protónc. Han ganado un electrónd. Han perdido un electrón
39. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?
a. Neutrob. Cargado positivamentec. Cargado negativamented. Tiene muchos huecos
40. Un semiconductor tipo p contiene huecos y
a. Iones positivosb. Iones negativosc. Átomos pentavalentesd. Átomos donadores
41. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?
a. Neutrob. Cargado positivamentec. Cargado negativamented. Tiene muchos electrones
libres42. ¿Cuál de los siguientes elementos no
se puede mover?a. Huecosb. Electrones libresc. Ionesd. Portadores mayoritarios
43. ¿A qué se debe la zona de deplexión?
a. Al dopajeb. A la recombinaciónc. A la barrera de potenciald. A los iones
44. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de
a. 0.3Vb. 0.7Vc. 1Vd. 2mV por oC
45. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensión aplicada debe de superar
a. 0Vb. 0.3Vc. 0.7Vd. 1V
46. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente
a. Muy pequeñab. Muy grandec. Cerod. En la región de ruptura
47. La corriente superficial de fuga es parte de
a. La corriente de polarización directa
b. La corriente de ruptura en polarización directa
c. La corriente inversad. La corriente de ruptura en
polarización inversa48. La tensión que provoca el fenómeno
de avalancha esa. La barrera de potencialb. La zona de deplexiónc. La tensión de codod. La tensión de ruptura
49. La difusión de electrones libres a través de la unión de diodo produce
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a. Polarización directab. Polarización inversac. Rupturad. La zona de deplexión
50. Cuando la tensión inversa crece de 5V a 10V, la zona de deplexión
a. Se reduceb. Crecec. No le ocurre nadad. Se rompe
51. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de electrones libres y huecos puede producir
a. Calorb. Luzc. Radiaciónd. Todas las anteriores
52. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la zona de deplexión será de
a. 0Vb. 0.7Vc. 20Vd. Ninguna de las anteriores
53. Cada grado de aumento de temperatura en la unión decrece la barrera de potencial en
a. 1 mVb. 2 mVc. 4 mVd. 10 mV
54. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la unión se incrementa
a. 1oCb. 2oCc. 4oCd. 10oC
55. La corriente superficial de fuga se duplica cuando la tensión inversa aumenta
a. 7 por 100b. 100 por 100c. 200 por 100d. 2 mV
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