x ıúınının enerjisi ilgili enerji seviyelerinin ... · soğutmalı sisteme bağlanarak...
TRANSCRIPT
Terminoloji
X ışınının enerjisi ilgili enerji seviyelerinin enerjilerinin arasındaki farka karşılık gelir. K ışıması
K kabuğu doldurulduğu zaman oluşan ışımaya verilen terimdir ve L ışıması L kabuğunun
yeniden doldurulması sırasında oluşan ışımanın terimidir(şekil 2).
Aynı zamanda yayımlanan x ışınları çizgilerinin tam terimleşmesi için gereken bilgi boşluğu
doldurulması gereken kabuktan alınır. Farklı kabuklar ve alt seviyeler arasındaki farklılıkta
1,2,3,…. numaralandırılması ile yunan harfleri kullanılır.
X ışını hatlarının
gösterimi
Karakteristik Işımanın
Oluşturulması
X ışını flouresansın amacı elementlerin karakteristik ışımalarının
ölçümü ile kalitatif ve kantitatif tayinlerdir. Bunu yapmada örnekteki
kimyasal elementlerin x ışını yayımlanması kullanılır. Karakteristik x
ışınları sadece atomun boş enerji seviyelerine daha düşük enerjili
kabuklardan elektronların geçişi ile ortaya çıkar. Bu metodun uygulana
bilmesi atomun en iç kabuğundaki elektronların salınması işleminin
kararlı şekilde yapılması gerekir. Bu atoma bağlı olan elektronların
enerjisinden daha yüksek düzeyde enerjinin bu iç kabuk elektronlarına
eklenmesiyle sağlanabilir.
Bunu yapmanın birkaç yolu vardır;
• Çarpışma prosesi sırasında atomik kabuk elektronlarının
salınması için gerekli olan enerjiyi aktarmada yeterli enerjiye sahip
elementsel parçacıkların(elektronlar,protonlar,α-parçacıkları ,gibi)
kullanıldığı ışımalar.
• Radyo çekirdeklerden gelen x veya gama ışınlarının kullanıldığı
ışıma .
• Bir x ışını tüpünden gelen x ışınlarının kullanıldığı ışıma.
Burada x ışını tüpünün kullanımı çok düzgün bir teknik olmasının,
radyasyondan korunmanın bakış açısından çok güvenilir bir çözüm
sağlar. (bir x ışını tüpü kapatıla bilir, ama radyo çekirdek kapatılamaz).
X-Işınları Absorpsiyon Spektroskopisi
X-ışınları bölgesinde yapılan absorpsiyon ölçümlerini temel ilkesi, ultraviyole ve görünür bölgede yapılan ölçümler ile aynıdır. Bir X-ışını kaynağından yayılan ışıma, örnek içinden geçirilir ve örnektençıkan ışımanın şiddeti ölçülür. Absorpsiyon sırasında örneğe ulaşanX-ışınları, örnek atomunun iç kabuk elektronunu uzaklaştırır ve içkabuk boşluğu olan bir iyon oluşturur. Örneğe gönderilen X-ışınınınenerjisi, fırlatılan elektronun kinetik enerjisi ile oluşan iyonunpotansiyel enerjisi toplamına eşittir. Bu açıdan X-ışınlarınınabsorpsiyonu ultraviyole ve görünür bölge ışınlarınınabsorpsiyonundan farklıdır. Ultraviyole ve görünür bölgeabsorpsiyon spektrumları düşük ve yüksek enerjili düzeylerarasındaki farklara karşı gelen çok dar hatlar içerirken, X-ışnlarıabsorpsiyon spektrumunda geniş bantlar gözlenir. Çünkü elektronuatomdan uzaklaştırmak gerekli enerjiden daha büyük enerjiye sahipolan fotonlar da absorplanırlar
X-ışınlarının bir atom tarafından absorplanma olasılığı, örneğegönderilen X-ışını fotonu enerjisinin, absorpsiyon yapan atomdanelektronun uzaklaştırılması için gereken enerjiye tam eşit olduğudurumda, yani fırlatılan elektronun kinetik enerjisinin sıfır olduğudurumda, maksimumdur. Şekil _‟de, tipik bir X-ışını absorpsiyonspektrumu görülmektedir. Şekilde görülen absorpsiyonkatsayısındaki herbir keskin düşüş, belirli bir iç kabukltan elektronunuzaklaştırılması için gerekli minimum enerjiye karşı gelendalgaboyunda gözlenir. Herbir keskin düşüşün gözlendiğidagaboyuna “absorpsiyon kenarı” adı verilir.
Burada µm kütle absorpsiyon katsayısı ve ρ ise g/cm3 cinsinden örneğin
yoğunluğudur. µ = µm x ρ eşitliğinin kullanılmasının üstünlüğü, kütle absorpsiyon
kaysayısının her element için belirli bir dalgaboyunda, elementin fiziksel ve
kimyasal halinden bağımsız ve sabit oluşudur. Kütle absorsiyon katsayıları, belirli
bir dalgaboyunda absorpsiyon yapan elementin atom numarasının dördüncü
kuvveti ile orantılıdır. Belirli bir element için kütle absorpsiyon kaysayısı,
absorpsiyon kenarı değerine ulaşıncaya kadar, dalgaboyu arttıkça artış gösterir
• Belirli bir dalgaboyunda X-ışınları absorpsiyonunun ölçümü, Beer
yasasına uyar :
xµP
P0ln
• Bu eşitlikte Po ve P, ışının örnekle etkileşmeden önceki ve sonraki şiddetleri,
x ışının örnek içinde yol aldığı uzaklık, µ ise doğrusal absorpsiyon
katsayısıdır. Doğrusal absorpsiyon katsayısı, absorpsiyon yapan elementin
derişimine ve cinsine bağlı bir niceliktir. Bu nedenle, aşağıdaki tanım
yapılarak daha yararlı bir ilişki türetilir :
µµm
X-Işınları Absorpsiyon Spektrometreleri
Şekil _.‟de, bir X-ışını absorpsiyon spektrometresinin temel
bileşenleri görülmektedir. Absorpsiyon ölçümleri için kullanılan
bileşenler, diğer X-ışınları spektroskopisi yöntemlerinde de
kullanılırlar. Yani, bu başlık altında incelenecek olan bileşenlerin
birçoğu, X-ışınlşarı fluoresansı ve X-ışınları difraksiyon
yöntemlerinde kullanılanların aynısıdır
Şekil _. X-ışınları absorpsiyon spektrometresinin şematik görünümü
X ışını oluşturmada çeşitli yollar kullanılır;
• X ışını tüpleri
• Radyo izotoplar
• İkincil flouresans kaynakları
• Sinklotron kaynaklar
X ışını Tüpleri Brems Spekturumu
Bir x ışını tüpünde elektronlar elektrik alanında hızlandırılırlar ve hedef materyale
çarptırıldıklarında durdurulurlar. Teknik manada bunun başarılması için ısıtılmış
katot (flament) ve kararlı anot materyali arasında uygulanan yüksek voltajla
sağlanabilir. Elektronlar ısıtılmış katot materyalinden çıkarlar ve uygulanan yüksek
voltajla anoda doğru hızlandırılırlar. Burada elektronlar anot materyali ile çarpışırlar
ve durdurulduklarında enerjilerini kaybederler. Sadece çok küçük miktarda enerjiyi
x ışınları yapısında yayımlarlar (anot materyaline bağlı olarak %1-2). Büyük
miktarda enerji anot materyalinin ısınmasına harcanır. Bu durumda anot su
soğutmalı sisteme bağlanarak soğutma sağlanır. Elektronun kaybettiği enerjinin
yayılan x ışınının enerjisine dönüşme oranını elektrik alanının hızlandırması
sonucu olarak elde edilen elektronun maksimum enerjisi ile sıfır değeri arasındadır.
Eğer anot ve katot arasına 30 kV uygulanırsa bu voltaj doğrultusunda elde edilen
elektronlar 30 keV tan aşağıya doğru düşen değerlerde enerjilere sahiptirler
(tanım: 1eV=1 voltluk voltaj altında elektronun enerjisi).
30 keV‟luk maksimum x ışını enerjisi anot materyalindeki durdurmadan çıkarılabilir,
mesela x ışınlarının enerjisinin dağılımı sıfır ile maksimum enerji arasındadır. Eğer
bu tipik x ışınının yoğunluğu uygulanan enerjiye bağlıysa sonuç tüpün
Bremsspekturumu (sürekli spekturum) dur.
Bremsspekturumuna ek olarak x ışını flouresans analizleri için ana önemde olan
şey karakteristik x ışınları yayan ant materyalinin bulunduğu x ışını tüpüdü
X IŞINI
TÜPLERİYandan Camlı Tüpler
Yandan camlı tüplerde katoda
negatif yüksek voltaj uygulanır,
ısıtılmış katottan çıkan elektronlar
anoda doğru hızlandırılırlar. Anot
sıfır voltaja ayarlanır ve böylece
kaplama materyalinin
çevresindeki potansiyel farkı yok
edilir ve yanlamasına takılmış
berilyum camdan çıkış yaparlar.
Fiziksel sonuç çıkarmak için elektronların oranı çoğunlukla anodun yüzeyinde
taranan kısımdır. Geri salınmaya uğrayan bu elektronların büyüklüğü anot
materyaline ve diğer faktörlere ve diğer faktörlere bağlıdır ve %40 tan fazla
olabilmektedir. Yan camlı tüplerde geri salınmaya uğrayan bu elektronlar
kaplama materyalinin, özellikle çıkış camı bölgesinde, ısınmasına katkıda
bulunur.
Sonuç olarak çıkış camı yüksek termal gerilmeye dayanmalıdır ve herhangi
bir kalınlıkta seçilemez. Yandan camlı tüpler için minimum kalınlığı 300μm
berilyum camlar kullanılabilir. Bu cam anot materyalinin düşük enerjili
karakteristik L ışımasının çıkış camında aşırı yüksek absorpsiyonu oluşturur
ve böylece örnekteki hafif elementlerin uyarılmasını kısıtlar.
X ışınları için filtreler
Bir çok uygulamada dalga boyu sınırlandırılmış bir x ışını demeti gerekir.
Bu amaçla görünür bölgedeki gibi hem filtreler hemde monokromatörler (kollimatörler)
kullanılır. Kullanılan filtreler belirli kalınlıkta metal folyolar veya plakalardır.
Metal kendi absorpsiyon kenanından daha düşük dalga boylarını soğurur. Diğerlerini geçirir.
Bir Kristal Örgüsünde X Işınının Kırınımı Brag Eşitliği
Kristaller kristalin örgü yapısında periyodik olarak yerleşmiş atom yada moleküllerden
oluşmuştur. Atomların bu şekilde düzenlenmelerinden genel olarak sadece yatay ve
dikey olmayan üstelik köşegenlerde bulunan örgü noktalarını (atom veya molekülün)
farklı yönler doğrultusunda ilerleyen sıralı düzlemlerde buluruz. Bu düzlemlere örgü
düzlemleri denir. Örgü düzlemine paralel düzlemlerin hepsi örgü düzlemidir ve her
birinin diğerinden uzaklığı eşittir. Bu uzaklığa örgü düzlem uzaklığı “d” denir.
Paralel x ışınları paralel örgü düzlemlerinin bir çifti ile çarpıştığında düzlem içindeki her
bir atom saçılma merkezi olarak görev yaparlar ve ikincil bir dalga yayar.
Tüm ikincil dalgalar yansıyan dalga formunda birleşirler. X ışınlarının çok küçük bir
kısmı paralel örgü düzleminde oluşana benzer şekilde örgü düzlem uzaklığı “d” içinde
absorplanır. Tüm bu yansıtılan dalgalar diğerleri ile girişim yapar. Eğer bindirme
sırasında “faz farkı =dalganın tam katları ise “ (Δλ=nλ) önemli bir kayıp olmaz.
Yansıyan dalga sönümlenme oluşurken girişim olacaktır. Önceden bahsedildiği gibi
büyütme şartlarında dalga boylarının hepsinin korunması gerekir. Tanımlanan dalga
boyları ve tanımlanan düzlemler arası uzaklık için sadece özel bir açı verilir, buna
Bragg açısı denir
Yükseltme şartları altında paralel
uyumlu x ışını ışığı (1,2 ışınları) örgü
düzlem uzaklığı “d” olan bir kristale
düşer ve Θ açısıyla geriye yansıtılır(ışın
1ı, 2ı ışınları). İkinci düzlemde saçılan
ışının oranı birincil düzlemden saçılan
ışının oranına “ABC”kadar bir faz farkına
sahiptir. Aşağıdaki eşitlik sinüsle tanımlanır.
“AC”/d =sinΘ veya “AC” = d sinΘ
„ABC‟ faz farkı bunun iki katıdır.
Yükseltme şartı „ACB‟ = 2dsinΘ
Faz farkı dalga boyunun λ tam katları
olduğu zaman karşılanır.
„ACB‟ = nλ Bragg kanunu sonucudur.
nλ=2dsinΘ Bragg eşitliği
n=1,2,3……
Bragg kanunu temelinde Θ açısı ölçülerek
dalga boyu λ‟nın belirleye bilir ve böylece
elementi belirleye biliriz. Eğer örgü
düzlem uzaklığı d biliniyorsa, eğer dalga
boyu λ biliniyorsa kristalin yapısı
belirlenebilir.
Bu kimyasal elementlerin ve kristal
yapıların kalitatif ve kantitatif tayini için iki
ölçüm tekniği için temel sağlar, ister dalga
boyu λ‟ya ister 2d değerine bağlı olarak Θ
açısının ölçümüyle tanımlanır.
Kollimatörler
Detektörler
Gaz Oran Sayıcılar
Gaz oransal sayıcılar ortasında ince bir tel (iletken tel) takılmış silindirik preslenmiş bir
metal tüptür. Bu tüp kararlı bir gazla doludur (mesela Ar+%10 CH4). Tele pozitif yüksek
voltaj uygulanmıştır. Tüp X ışını kuantını geçirebilen bir materyalle kapatılmış yanal
açıklık veya cama sahiptir. Karşıt gaz odası içine x ışını kuantlarının geçmesine izin
veren cam bulundurur, buradan gelen ışınlar iyonlaşmayla gaz atomları ve molekülleri
ile absorplanırlar. Oluşan pozitif iyonlar katoda doğru hareket ederler (metalik tüp
yüzeyine ) ve serbest elektronlar anoda (tele) doğru hareket ederler. Oluşan elektron
iyon çiftinin sayısı x ışını kuantumunun enerjisi ile orantılıdır. Bir elektron iyon çifti
oluşturmada yaklaşık 0,03 keV zorunludur, mesela bor elementinin radyasyonu
(0,185keV) yaklaşık olarak 6 çift oluşturur ve molibdenin Kα ışıması yaklaşık
(17,5keV) 583 çift oluşturur. Silindirik geometrik düzenlenme ile bizim bakış açımızda
oluşturulan birincil elektronlar telde yol alırken elektrik alanını artırırlar.
Sayma tüpündeki yüksek voltaj, durmadan iyonlaşan gaz parçacıklarını telin
civarındaki elektrik alanından yeterince uzakta tutabilecek seviyede yüksek
elektron akışını sağlayacak şekilde ayarlanır. Böylece her bir elektron ikinci
elektron-iyon çifti başına 10.000 derecesinde oluşturulabilirler.
İkincil iyonlar ölçüle bilir bir sinyal oluşturmak üzere katoda doğru hareket ederler.
Gaz genişletilmesi prosesi olmaksızın mesela bromdan gelen sinyaller 6 veya
molibdenden gelen sinyallerin 583 çift ile değişmesi ölçülemez ve bunlar
elektronik gürültülerden başarılı bir şekilde ayrılamaz. Gaz yükseltilmesi sayma
tüpüne uygulana yüksek voltaj ile ayarlana bilir ve borun ölçümünde molibdenin
ölçümünden daha yüksek voltaja ayarlanır. Daha sonraki sinyal elektroniği voltaj
sinyali ile sağlanır, bunun yüksekliği x ışını kuantının enerjisine ve diğer faktörlere
bağlıdır.
Gaz oransal sayıcıların iki modeli vardır. Akış sayıcılar (FC) ve mühürlü oransal
sayıcılardır. Akış sayıcılar sayma gazını sürekli sağlanmasına
bağlıdır(Ar+%10CH4) ve çok ince (<0,6μm) pencereli yapıldıklarından avantajlıdır.
FC bu yüzden çok hafif elementlerin ölçümüne uygun ve çok kararlıdır. Bir diğer
yandan oransal sayıcılar kapalı bir hacme sahiptirler ve pencereleri normal
kalınlıkta berilyumdan yapılması gerekir. Berilyum pencerenin bu kalınlığındaki
absorpsiyon çok hafif elementlerin (Be‟dan Na‟ya) akışlı sayıcılar gibi oransal
sayıcıların geliştirilmesiyle başarılmaktadır.
Sintilasyon Sayıcıları
XRF‟da kullanılan sintilasyon sayıcıları “SC” NaI kristali içine
homojen olarak dağıtılmış Tl elementinden yapılan preslenmiş
paletler kullanılır. Kristalin yoğunluğu tüm yüksek enerjili XRF
kuantlarını iyi derecede absorplamada başarılıdır. İçeriye dalan x
ışını kuantlarının adım-adım kristal atomlarına aktarılır sonra ışık
yayımlanır ve birikmiş bir flaş oluşturur. Bir sintilasyon flaşındaki
ışığın miktarı kıristalin maruz kaldığı x ışını kuantlarının enerjisiyle
orantılıdır. Oluşan ışık çok kolay harekete geçebilecek elektronların
bulunduğu foto katoda çarptırılır. Bu elektronlar foto çoğaltıcıda
hızlandırılır ve bir dinot düzenlemesi içinde oluşturulan ikincil
elektronlar gerçek bir çığ haline gelmiş şekilde ölçülebilir bir sinyal
oluştururlar. (şekil 9). Oluşturulan voltaj sinyalinin yüksekliği, gaz
oranlı sayıcılarda olduğu gibi ölçülen x ışını kuantının enerjisiyle
orantılıdır.
Dolgulu disk yarı iletken detektörler
Sinyal Yükseklik Analizi
Sinyal Yükseklik Dağılımı
Eğer ölçülen sinyalin sayısı (yoğunluğu) grafikte görülen sinyal yüksekliğine bağlı ise
bir sinyal yükseklik spekturumuna sahibiz demektir. Sinyal yükseklik analizi veya sinyal
yükseklik dağılımı eş anlamlı terimlerdir. Voltaj sinyalinin yüksekliği x ışını kuantının
enerjisi ile orantılı olduğu için bu spekturum karşımıza enerji spekturumu olarak
çıkabilir. (şekil ve ). Sinyal yüksekliği %skalasında volt biriminde verilir (ve uygun
kalibrasyon sonrası keV halinde olabilir). % skalasında %100 değerinin görüldüğü
analiz piki (spektral puls) yoluyla tanımlanır.
ALETLER
•DALGA BOYU AYIRMAL
•ENERJİ AYIRMALI
•AYIRMASIZ
Enerji Ayırmalı X Işını Flouresansı (ED XRF)
Enerji ayırmalı x ışını flouresans (EDXRF) elemental analiz uygulamaları için kullanılan x
ışını flouresansının genel iki tipinden biridir. EDXRF spektrofotometrelerinde, örnekteki
elementlerin tümü eş zamanlı olarak uyarılır ve bir çok kanallı analizör ile birleştirilmiş
enerji ayrımlı detektörler örnekten yayılan flouresans radyasyonunu eş zamanlı olarak
toplamada kullanılır ve sonra farklı örnek elementlerinden her birinden gelen
karakteristik radyasyonun farklı enerjilerine ayrılır. EDXRF sisteminin çözünürlüğü
detektöre bağlıdır ve tipik olarak 150-600eV aralığındadır. EDXRF sisteminin temel
avantajı basitliğidir, hızlı çalışması, parçalarının sökülüp takılabilmesi ve yüksek kaynak
verimliliğidir.
X ışını optikleri EDXRF enstürimanının güçlendirilmesinde kullanılabilir. Bilinen XRF
aletleri için tipik odak beneği birkaç yüz mikrometreden birkaç milimetre çapta örnek
yüzey aralığındaki büyüklüktedir. Polikapiler odaklama optikleri x ışını kaynağından
gelen x ışınlarını toplarlar ve birkaç on mikro metre örnek yüzeyinde ışını küçük şekilde
odalamak için bunları iletir. Sonuçta küçük adak beneğindeki örneğe ulaşmış ışının
yoğunluğu artırılmıştır. Mikro EDXRF uygulamaları için eser elementlerin ölçümünde az
örmek özelliklerinin çözünürlüğün artırılmasına ve ölçüm performansının artırılmasına
izin verir.Mono kromatik dalga boyu ayırmalı x-ışını floresans (MWD XRF)
Bilindik Dalga boyu ayırmalı XRF aletlerinde kuvvetlendirme için çift yarıklı kristaller
kullanıla bilmektedir. Bu kırınım düşük güçlü, hava soğutmalı X-ray tüpleri kullanılan
monokromatik x-ray ışınının yüksek düzeyde sağlanmasını temel alan optik elemanları
temel alır. Bu üç boyutsal şekillendirilmiş aletler Bragg kırınım yasaları doğrultusunda
örnek uyarılması için x-ray dalga boyunun çok yakın bantlarını seçici olarak yansıtan
optik elemanlardır.
Mono kromatik dalga boyu ayırmalı x-ray floresans analizörü(MWD XRF) çift yarıklı optik
kristaller kullanırlar. Tipik olarak alet düşük güçlü x-ray tüpler, uyarma için nokta-nokta
optik odaklamalı, bir örnek hücresi, floresans toplaması için ikinci optik odaklama ve bir
x-ray detektör içerirler. İlk optik odaklama kaynaktan çıkan x-ray‟in yakın bant genişliğini
yakalar ve örneğe küçük oranda bu monokromatik ışığı odaklarlar. Monokromatik birincil
ışık örneği uyarır ve ikincil karakteristik x-ray floresans yayılır. İkinci DCC optik
toplayıcısı sadece ilgilenilen yakın bant genişliğinin karakteristik x-ray dalga boylarını
seçer ve toplarlar.
Bu konfigürasyon bilindik WDXRF sistemi üzerine birkaç avantaj sunar.
Zemin sinyali x-ray kaynağının karakteristik çizgisinin monokromatik
uyarmasını kullanarak düzeltilmiştir. İkinci olarak toplayıcı optik aletin
odaklama özelliği küçük alanlı x-ray karşıt detektörü sonuçtaki gürültüyü
azaltır ve tekrarlanabilirliği artırır. Monokromatik uyarma basitleştirilmiş
kuantizasyonu ve matriks etkisini düzeltir. Bu teknik sağlam, düşük onarım,
dramatik olarak düşük tayin sınırı vehızlı yanıt verme zamanı ile çevrimiçi
analizler yapabilir.
Çift küvetli kristal optik alet kullanan mono kromatik WDXRF ilgilenilen elementlerin
özel örnekleri için çok yüksek seçicilik avantajına sahiptir. Bu teknik petrol
ürünlerinde kükürdün düşük seviyelerinin tayini için başarılı şekilde kullanılmaktadır.
Örnek
Hazırlama
X ışını flouresans analizleri hızlı, parçalayıcı olmayan, çok yüksek doğruluk ve kesinlik
ile çevreye dort analiz metodudur. Berilyumdan Kalifornyuma periyodik tablodaki tüm
elementler; toz, katı ve sıvı halde kalitatif, yarı-kantitatif ve kantitatif olarak ölçülebilir.
%100‟ye yakın konsantrasyonlar %±0,1 tekrarlanabilirlikten daha iyi değerlerle
herhangi bir seyreltme olmadan, direkt olarak analiz edilir. Tipik olarak tayin sınırları
0,1ppm den 10ppm‟e kadardır. Modern x ışını spektrometreleri modüler örnek
değiştiriciler ile hızlı, esnek örnek taşıma ve tüketicinin özel otomasyon proseslerine
adapte olacak şekildedir.
XRF örnekleri cam, seramik, metal, kayaç, kömür veya plastikler gibi katılar olabilir.
Üstelik; petrol, yağ, boya, çözeltiler, kan veya şarap gibi sıvılarda olabilir. XRF
spektrometreler ile ppm gibi çok küçük konsantrasyonlar ve %100‟e yakın yüksek
konsantrasyonların her ikisi her hangi bir seyreltme prosesi olmaksızın direkt olarak
analiz edilebilir. Basit ve hızlı örnek hazırlama gerekliliğinin gerisinde XRF analizleri
evrensel analiz metodudur. Bu metot araştırma ve endüstriyel proses kontrol
alanlarında geniş olarak kabul edilen türdedir. XRF özellikle kompleks çevresel
analizler için ve üretimde ara ve son ürün kontrolü ile kalite kontrolü için özellikle
etkindir.
İdeal bir örnek şu şekilde hazırlanmış olmalıdır.
•Materyal tekrar oluşturula bilmelidir.
•Homojen olmalıdır.
•Sonsuz örnek kalınlığının gerektirdiği kadar yeterli olmalıdır.
•Yüzey düzensizlikleri olmamalıdır.
•Ölçülecek dalga boyu için yeterince küçük parçacık boyutunda olmalıdır.
XRF ile yaş kimyasal metotlarda olduğu gibi katı örneğin çözelti haline
getirilmesi ve çözelti artıklarının atılması zorunlu değildir.
Tam ve tekrarlanabilir analiz için ana gereklilik yalın, homojen ve temiz analiz
yüzeyidir. Berilyum, bor ve karbon gibi çok hafif elementlerin analizi için bir
tabakadan kaynaklanan analiz edilebilecek flouresans ışıması birkaç on
mikro metreye karşılık gelen sadece birkaç atom tabakası kalınlığındadır ve
bu kuvvetli şekilde örnek materyale bağlıdır. Dikkatli örnek hazırlama hafif
elementlerin analizi için bu yüzden aşırı şekilde önemlidir.
Metaller
Metal örneklerinin hazırlanması basit, hızlı ve tekrarlanabilir olmalıdır. Genellikle
metal örnekler makineden geçirme, kırma, ezme ve cilalamanın bilindik metotları
ile katı diskler olarak hazırlanır. Öğütme sert alaşımlar ve seramik gibi kolay kırılır
materyallerin olması durumunda kullanılır.
En iyi parlatma işlemleri çoğu analiz için gerekli olan çiziksiz yüzeyleri
oluşturmada ve eğer örnek hafif elementler için analiz ediliyorsa ayna benzeri
yüzeyleri oluşturmada iyi bir aşındırma işlemi gereklidir. Yüzey tesviyesi öncelikle
önemlidir çünkü parlatma çizikleri flouresans yoğunluğunda düşmelerin sonucu
olarak kalkanlama etkisi olarak isimlendirilen etkiyi doğurur. Beklendiği gibi
yoğunluktaki düşme hafif elementler için çok önemlidir. Birincil ışımalar çiziklere
dikey olarak gelir ve bu ışınları zayıf olanları ona paralel olur. Modern
spektrometreler yeniden oluşturula bilir standartlar ve örnekte görülen
yoğunluğun sonucu olarak örneğin yöneliminin etkisini kolaylaştırmada döne bilen
örnek tutucusuyla donatılmışlardır.
Ancak parlama hala varken, örneğin çevrimi bu etkinin değeri örnek ve standart için
benzer değere ulaşana kadar telafi edilecektir. Çizgili yapı bu yüzden değerde olmalıdır
ve standart ile örneğin birleşimi benzer olmalıdır.(benzer etkin dalga boyu).
Uygulamada 100μm çizgi derinliği kısa dalga boylu karakteristik ışınlar ile elementler için
kabul edilebilir, ama birkaç μm den daha derin çizgiler Si, Al ve Mg ölçümlerinin
doğruluğunu önemli derecede bozabilir.
Al2O3, SiC ve B6C (80 den 120 yarığa kadar) çok güzel zımparalar çoğu metal için (Fe,
Ni ve Co temelli) istenen yüzey parlatmada kullanılabilir.
Mekanik cilalama, yumuşak, dövülebilir, çok tabakalı alaşımlar için uygun olmayabilir
çünkü yumuşak birleşenler kolayca kirlenebilir. Yumuşak fazlardaki elementlerin
yoğunluğu artarken sert fazlarınki düşer. Bu gibi durumlarda Pb,Cu,Al,Zn veya Sn
temelliler ile metallerin ezilmesi ve parlatılması sırasında alınmalıdır.
Parlatmada ticari alaşımlarda çoğunlukla bulunan iki element olan SiC ve Al2O3
aşındırıcı olarak kullanılırsa, bazen kontaminasyon kaynağı olabilir. Temiz örnek yüzeyi
gresler ve taşıma atıkları gibi kontaminasyonları gidermek zorunludur.
Preslenmiş Paletler
Tozlar parçacık büyüklüğü sınırlamasından etkilenmediği için örnek hazırlamanın hızlı ve
basit yolu bağlayıcılar kullanılsın yada kullanılmasın eşit yoğunluktaki paletler içine
tozların direkt preslenmesidir. Genelde sağlanan toz parçacıkları 50 μm çapından daha
küçüktür, örnek 10 ila 30 t de polarize edilebilir. Tozların kendiliğinden bağlanma
özellikleri zayıf olduğu zaman yüksek basınçlar çalışmada kullanıla bilir veya aşırı
durumlarda bağlayıcı kullanılabilir. Bazen paletleme yapmadan önce bağlayıcı eklemek
zorunludur ve bu durumda eklenen bağlayıcının seçimine dikkat edilmelidir. Bağlayıcı
önemli kontaminasyon elementlerinden bağımsız olmalıdır ve düşük absorpsiyona sahip
olmalıdır. Üstelik vakum ve soğurma şartlarında kararlı olmalıdır ve girişim yapan
elementlerin önemli girişimlerine öncelik etmemelidir. Büyük düzeyde bağlayıcı maddeler
başarılı şekilde çalışır, belki daha kullanışlı olanı mum ve etil selülozdur.
Tozların analizi metal örneklerin analizinden daha değişmeyecek şekilde komplekstir.
Çünkü elemet girişimleri ve makro skaladaki homojeniteye ek olarak parçacık büyüklüğü
tozlaştırılarak minimize edilebilir çünkü özel matrikslerde bulunan sert bileşikler kırılmaz.
Bu etkiler curuflar, kalıplanmışlar ve bazı minerallerde bulunan silisli bileşikler gibi
spesifik materyallerin analizinde sistematik hatalara neden olacaktır.
Uzun dalga boyları için analitik bilgi iyi tozlaştırılmış tozlar yüksek basınçta
bastırıldığında oluşacaktır.(30t ye kadar). Bir 40tonluk baskı eğer hafif elementlerin
analizi preslenmiş toz örnekleri gerektirirse göz önüne alına bilir. Bu ayarlama ile iyi
kalitede preslenmiş örneklerin oluşturulmasında gereklidir. Tozlar alüminyum kaplar ve
çelik daireler içinde preslenebilir. Alternatif olarak borik asit bağlayıcısı veya sert
presleme bağlayıcısı kullanılabilir.
Bağlanma maddesi Moviol kullanımı ile örnek hazırlama
Sıvı Örneklerin Hazırlanması
Verilen sıvı örnekler analiz edilebilmek için tek bir fazda olmalıdır ve ucuz olmalıdır, bu
yapılar x ışını spektrometreye örneği sunmak için en ideal formlardır. Özel örnek kapları
(sıvı örnek tutucular) ve helyum yollu aletler ölçüm için kullanılmalıdır. Sıvı faz özellikle
uygundur, çünkü standartların hazırlanması kolaylaşır ve çoğu interferans matriks örnek
sıvı çözeltiye girdiğinde başarılı şekilde etkisiz hale getirilebilir. Temel matriksler çözme
teknikleri ile başarılı şekilde bertaraf edilmesine karşın katı yerine sıvılarla uğraşılan
proseslerde tekniğin kullanışlılığının sınırlamaları gibi kendiliğinden çıkan özel
problemler vardır.
Mesela bir çözelti içine bir maddenin alınması kaçınılmaz şekilde seyrelmeye neden
olacaktır ve bu örnek hücredeki destek camı için ihtiyaç duyulan ile birleşimin düşük
atom numaralı matriksler tarafından saçılma ile piklerde ekstra zemin artışına neden olur
ve özellikle uzun dalga boyları için (2,5Ao‟dan büyük) seçicilik kayıplarına neden olur.
Problem örnek destek filminin kalınlığı ve/veya birleşimindeki değişmelerden de çıkabilir.
Çok genel kullanılan film tipi 4 ila 6 μm Mylar‟dır.
Çözeltiye alınan bir örneğin başlangıç prosesi analiz sırasında maddenin çökme
eğiliminde olması yüzünden bazen can sıkıcı ve zor olan durumlarla karşılaşa biliriz. Bu
doğrudan maddenin kendi çözünürlüğü ile ilgili olabilir veya yeniden birleşme
durumunda x ışınının fotokimyasal hareketi farklı olabilir. Üstelik yoğunluktaki sistematik
değişmeler örneğin bölgesel ısıtılması ile hücre penceresindeki hava kabarcıklarının
oluşumuna neden olur. Bu probleme karşın sıvı örnekleme tekniği her hangi özel x ışını
spektrometrenin en son kesinliğe yaklaştığı çözelti metotlarında görüldüğü şekilde,
görüldüğü doğrulukta tüm matriks etkilerini neredeyse giderecek şekilde örnek
taşınmasının çok yönlü metodunu sunar.
Filtre Örneklerin Hazırlanması
Örnekteki elementin konsantasyonu önceden tanımlanan metotlardan biriyle
analize izin verecek kadar çok düşük olduğu durumlarda, çalışma tekniği
spektrometrenin tayin sınırları içinde konsantrasyonu kullanılabilir seviyeler
içine getirmek gerekir. Yoğunlaştırma metotları yeterince büyük miktarda
örnek bulunduğu zaman kullanılabilir. Mesela gazlar, hava veya su, katı
parçacıklarla kirlenmiş halde iken bu örnekler vakum ortamında, sonrasında
analize müsait filtre diskinden geçirilerek gazlar, hava veya suyun
emilmesiyle basitçe hazırlanabilir. Yoğunlaştırma destek filtre kağıdına
hapsedilmiş örnek basitçe uçacaklardan kolayca etkilene bilir.
ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FENBİLİMLERİ ENTÜTÜSÜ
ATOMİK SPEKTROSKOPİ
X IŞINLAI SPEKTROSKOPİSİ
ZAFER BAYHAN
2008
KAYNAKLAR
•ŞENOL KARTAL X IŞINLARI SPEKTROSKOPİSİ DERS NOTLARI
•BRUKER ADVANCED X-RAY SOLUTIONS
•Science Education Resource Center (SERC)
•Unisantis Holding Company Limited