transistores
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PRESENTADO POR: HANCCO QUISPE ELAR EDGAR
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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGINIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA
TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor
utilizado para entregar una
señal de salida en respuesta
a una señal de entrada.1
Cumple funciones de
amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El
término «transistor» es la
contracción en inglés de
transfer resistor («resistor de
transferencia»).
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Que son los Transistores
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1FICHA TÉCNICA TRANSISTOR
JFET
Este componente está formado por una delgada capa de material
semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos
regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del
canal se sitúa un terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del
inglés source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta
o graduador (gate).
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Transistor JFET
En las siguientes figuras, se
muestra un ejemplo de la
familia de curvas
características de surtidor
común de un transistor JFET
de canal N y el circuito
correspondiente con el que
se han obtenido dichas
curvas.
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Curvas características de drenador de un JFET
Este gráfico muestra que al aumentar el
voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un
Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente
aumenta rápidamente (se comporta como una
resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje
de estricción), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un
punto B (entra en la región de disrupción o
ruptura), desde donde la corriente aumenta
rápidamente hasta que el transistor se
destruye.
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Curva característica del transistor FET
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2FICHA TÉCNICA
TRANSISTORES BIPOLARES (NPN)
Los transistores son semiconductores que constan de 3
terminales: emisor, colector y base. Aquí tienes imágenes de
transistores.
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Transistores Bipolares. PNP y NPN
En una de ellas, puedes ver a qué patilla
corresponde cada terminal. Hay diferentes tipos de
transistores, pero en este curso sólo estudiaremos
los bipolares. Dentro de ellos, según como sea la
conexión de sus componentes, hay dos tipos, los
NPN y los PNP. Se simbolizan de la siguiente
manera:
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Transistores Bipolares (NPN)
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Transistores Bipolares (PNP)
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3FICHA TÉCNICA TRANSISTOR
DE POTENCIA 2N3055
El 2N3055 es un transistor NPN de potencia
diseñado para aplicaciones de propósito
general. Fue introducido en la década de
1960 por la firma estadounidense RCA
usando el proceso hometaxial para
transistores de potencia, que luego paso a
una base epitaxial en la década de 1970.
Su numeración sigue el estándar JEDEC. Es
un transistor de potencia muy utilizado en
una gran variedad de aplicaciones.
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Transistor de Potencia 2n3055
Transistor muy usado en fuentes de
alimentación y amplificadores de audio.
Corriente máxima de colector (Ic) 15 Amperios.
Tensión de colector a base (CBO) 100 Voltios.
Tensión de colector a emisor (CEO) 60 Voltios.
Tensión de emisor a base (EBO) 7 Voltios.
Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45.
Frecuencia de transición (Ft) 2.5 MHZ.
Máxima disipación de potencia en colector (Pd)
115 W.
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Características
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Transistor de Potencia 2n3055
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Es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de propósito
general. Fue introducido en la década de 1960 por la firma estadounidense
RCA usando el proceso hometaxial para transistores de potencia, que luego
paso a una base epitaxial en la década de 1970. Su numeración sigue el
estándar JEDEC. Es un transistor de potencia muy utilizado en una gran
variedad de aplicaciones
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4FICHA TÉCNICA TRANSISTOR
MOFET
Número de Parte: IRF840 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 125 Tensión drenaje-fuente (Uds): 500 Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20 Corriente continua de drenaje (Id): 8 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tiempo de elevación (tr): Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF:
1500 Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm:
0.85 Empaquetado / Estuche: TO220
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Transistor Mofet
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TRANSISTOR MOFET
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores
pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion
(deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en
desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación
también conocidos como de enriquecimiento.
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Transistores MOSFET
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Transistores MOS
Transistores NMOS
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5FICHA TÉCNICA
TRANSISTORES HEMT
Los HEMT, acrónimo del inglés
High electron mobility transistor
(Transistor de alta movilidad de
electrones), también conocidos
como HFET, acrónimo de
Heterostructure FET (FET de
Heteroestructura, que a su vez es
el acrónimo de Field Effect
Trasistor, transistor de efecto de
campo) o también MODFET,
Modulation-doped FET (Transistor
FET de dopado modulado)
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TRANSISTORES HEMT
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TRANSISTORES HEMT
Diagrama de las
estructuras de banda de
dos InAlAs y InGaAs en el
equilibrio.
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Electron Mobility Transistors (HEMT)
Semiconductors in contact at the
equilibrium. A 2DEG is formed at
the interface.
http://
recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincena
4/4q2_contenidos_5a.htm
http://www.steren.com.mx/catalogo/prod.asp?p=510
http://electronica-teoriaypractica.com/transistor-2n3055/
http://juliodelgado.galeon.com/
http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp
http://
rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
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