transistor mos: tema 3 · tema 3.2 zaragoza, 4 de abril de 2011. Índice transistor mosfet tema 3.2...
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TRANSISTOR MOS:TEMA 3.2
Zaragoza, 4 de abril de 2011
ÍNDICE
TRANSISTOR MOSFETTema 3.2
• Problemas• El MOSFET en pequeña señal
TRANSISTOR MOSFETTema 3.2
• Problemas• El MOSFET en pequeña señal
4
PROBLEMA
Introducción
INVERSOR CON CARGA RESISTIVA
5
Corte para ⇒ 0 ⇒
primerosaturaciónydespuéscorteLímite
SATURACIÓN:
2LINEAL:
2 2
PROBLEMA
Introducción
6
1,17
Introducción
INVERSOR CON CARGA SATURADA
7Introducción
INVERSOR NMOS O CON MOS DE VACIAMIENTO
8Introducción
9Introducción
INVERSOR CMOS
10Introducción
TRANSISTOR MOSFETTema 3.2
• Problemas• El MOSFET en pequeña señal
12
En aplicaciones dinámicas Polarizado en saturación para aplicaciones de aplicación
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACIÓN A BAJAS FRECUENCIAS
Introducción
13
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.
Introducción
14Introducción
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.
15
2
Introducción
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.
16
Se deben incluir efectos capacitivos debidos a las uniones y al óxido depuerta.
El D/S con el sustrato forman dos uniones P‐N en inversa
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION EN ALTA FRECUENCIA
Introducción
17Introducción
EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION EN ALTA FRECUENCIA