Silicon On Insulator (SOI)

transistor TEG の照射前後の測定 L=0.15

W=300

L=0.30

W=600

L=0.30

W=600

L=0.50

W=1000

L=0.50(um)

W=1000

gate0 gate3 gate6

Vg

Vd、 Id

VsVds

Vgs

Vds =Vd - Vs

Vgs = Vg - Vs

Vg の値が変化すると Vs の値も変化してしまう

Transistor のパラメータ

H06_6 float と B.T の違いPMOSgate0

PMOSgate3

<float> <B.T>

PMOS gate6

NMOS gate0

<float> <B.T>

PMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)nonirrad

sample

PMOS Low Vt L=0.30,W=600

PMOS High Vt L=0.15,W=300<float>

PMOS IO L=0.30,W=600

NMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)

NMOS High Vt L=0.15,W=300

NMOS IO L=0.30,W=600

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NMOS gate6

NMOS gate3