semiconductores
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SEMICONDUCTORES
INTRINSECO Y EXTRINSECO
Ary Jared Zarate Farías
IV CICLO
Ingeniería de Sistemas e Informática
En un semiconductor intrínseco(puro), basado en GE o Si, la conductividad se obtiene con un campo eléctrico suficientemente fuerte como para sacar un e-, pasa de banda de valencia a la conducción.
Se produce por : Movilidad del e- libre y Movilidad del hueco positivo(por el método de vacancias electrónicas)
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS Indica un material semiconductor
extremadamente puro contiene una cantidad insignificante de átomos de impurezas. Se cumple
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Modelo de bandas de energía : conducción intrínseca
Estructura de un metal
Estructura de un semiconductor
Practicamente nos interesa controlar la concentracion de portadores en un semiconductor N o P.
Para esto se procede con el proceso de DOPADO. Esto funciona tomando atomos de SC intrinseco
se sustituye por atomos de otro elemento (impurezas o dopantes).
De este modo podemos favorecer la aparcicion de electrones (semiconductores Tipo N: donde n>p), y huecos(semiconductores Tipo P: donde p>n).
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Ejemplo de Material Extrínseco TIPO N:
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Se agregaron elementos con 5 e-, e su ultima capa : IMPUREZA DONADORA
Cuando se forma la estructura cristalina, el ultimo electrón no estará liga a ningún enlace covalente, con muy poca energía, el electrón se separa del átomo y pasa a la banda de conducción
La impureza fija en todo el espacio queda IONIZADA (CARGA POSITIVA)
En un semiconductor tipo N: los dopantes contribuyen a la existencia “EXTRA” de electrones, lo cual aumenta enormemente la conductividad de los electrones
ELEMENTO SILICIO
Ejemplo de Material Extrínseco TIPO P:
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Cuando se sustituye un átomo por otro, que contenga 3 e- en su ultima capa : IMPUREZA ACEPTADORA
Al formarse el cristal, los 3e-, forman un enlace covalente con los átomos del elemento, pero esto deja un hueco (enlace vacante). A ese hueco se pueden mover otros e-, dejaran a su ves otros huecos en la banda de valencia.
La impureza fija en el espacio quedara cargada negativamente.
En un semiconductor tipo P: los dopantes contribuyen a la existencia “EXTRA” de Huecos, esto causa que la banda de conducción no tenga electrones.
Donadores y aceptadores del silicio
DONADORESACEPTADORES