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réalisation et caractérisation de transistors mos à base

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HAL Id: tel-01261513 https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01261513v3 Submitted on 13 Oct 2016 HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers. L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés. Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux en silicium Youssouf Guerfi To cite this version: Youssouf Guerfi. Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux en silicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2015. Français. NNT : 2015TOU30253. tel-01261513v3

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Page 1: Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base

HAL Id: tel-01261513https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01261513v3

Submitted on 13 Oct 2016

HAL is a multi-disciplinary open accessarchive for the deposit and dissemination of sci-entific research documents, whether they are pub-lished or not. The documents may come fromteaching and research institutions in France orabroad, or from public or private research centers.

L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, estdestinée au dépôt et à la diffusion de documentsscientifiques de niveau recherche, publiés ou non,émanant des établissements d’enseignement et derecherche français ou étrangers, des laboratoirespublics ou privés.

Réalisation et caractérisation de transistors MOS à basede nanofils verticaux en silicium

Youssouf Guerfi

To cite this version:Youssouf Guerfi. Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux ensilicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2015.Français. �NNT : 2015TOU30253�. �tel-01261513v3�

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01261513v3
https://hal.archives-ouvertes.fr
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THESETHESE

En vue de l’obtention du

DOCTORAT DE L’UNIVERSITE DE TOULOUSE

Delivre par : l’Universite Toulouse 3 Paul Sabatier

Presentee et soutenue le jeudi 10 decembre 2015 par :

Youssouf GUERFI

Realisation et caracterisation de transistors MOS a base de nanofils

verticaux en silicium

JURY

Sylvain BOLLAERT Professeur d’Universite Rapporteur

Laurent PICHON Professeur d’Universite Rapporteur

Alain CAZARRE Professeur d’Universite President

Bassem SALEM Charge de recherche Examinateur

Ecole doctorale et specialite :

GEET : Micro et Nanosystemes

Unite de Recherche :

Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systemes (UPR 8001)

Directeur(s) de These :

Guilhem LARRIEU et Filadelfo CRISTIANO

Rapporteurs :

Sylvain BOLLAERT et Laurent PICHON

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