PROBLEMARIO DE ELECTRÓNICA I

1. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplique a un dispositivo o sistema.

2. Defina los términos semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia de contacto óhmico.

3. Defina material intrínseco, coeficiente de temperatura negativo y enlace covalente.

4. Consulte y localice tres materiales que posean coeficientes de temperatura negativos y tres con coeficientes de temperatura positivos.

5. ¿Cuánta energía medida en Joules se requiere para mover una carga de 6 Coul a través de una diferencia de potencial de 3 V?

6. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una diferencia de potencial de 12 V, determine la carga involucrada.

7. Describa las diferencias entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p.8. Describa con sus propias palabras las condiciones que se establecen a causa

de condiciones de polarización directa e inversa sobre una unión p-n de un diodo y como se ve afectada la corriente resultante.

9. Utilizando la ecuación ID = IS(eKVD/Tk – 1) determine la corriente de diodo a 20 °C para el caso de un diodo de silicio con IS = 50 nA y una polarización directa aplicada de 0,6 V.

10. Repita el problema anterior para T = 100 °C. Asuma que Is se incrementó a 5 A.

11. Utilizando la ecuación del problema N° 9, determine la corriente del diodo a 20 °C para un diodo de silicio con IS = 0.1 A bajo un potencial de polarización inversa de - 10 V.

12. En la región de polarización inversa, la corriente de saturación de un diodo de silicio es cercana a 0.1 A (T = 20 °C). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa a 40 °C.

13. Compare las características de un diodo de silicio con uno de germanio y determine cuál preferiría utilizar para la mayoría de las aplicaciones prácticas. Proporcione algunos detalles. Consulte un listado de especificaciones del fabricante y compare las características del diodo de silicio y de germanio con valores nominales máximos similares.

14. Determine la resistencia estática del diodo de la figura 1.19 para una corriente en polarización directa de 2 mA.

15. Determine la resistencia estática del diodo de la figura 1.19 para un voltaje inverso de – 10 V.

16. Calcule la resistencia de ac y de dc para el diodo de la figura 1.34 bajo una corriente de polarización directa de 10 mA.

17. Empleando las características de la figura 2.149 (a y b), determine ID, VD y VR.

18. Empleando las características de la figura 2.149 (b), determine ID, VD y VR

para el circuito de la figura 2.150.19. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.153.20. Determine el nivel de VO para cada red de la figura 2.154.21. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.155.22. Determine VO1 y VO2 para las redes de la figura 2.156.23. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.157.24. ¿Qué nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la

construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios de cada uno. Dibuje el símbolo gráfico de cada uno.

25. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?

26. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor?

27. ¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?

28. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8 mA e IB es 1/100 de IC, determine los niveles de IC e IB.

29. Dibuje un transistor y señale en él lo siguiente: a) definición, b) tipo de transistor que dibujó, c) nombre de los terminales, d) nombre de las uniones, e) voltaje de los terminales, f) corriente de los terminales, g) voltaje de las uniones.

30. Dibuje las configuraciones básicas del transistor y diga para que se utilizan.31. La configuración de colector común se utiliza principalmente como acoplador

de impedancia. Diga cuál es la razón para ese uso.32. Mencione las zonas de operación del transistor y explique cada una de ellas.33. En la región activa del transistor, ¿cómo se encuentran polarizadas las

uniones?34. Si a usted le piden diseñar un amplificador de voltaje, corriente o potencia,

¿cuál configuración básica emplearía usted y porqué?35. Si a usted le piden que diseñe un amplificador lineal, ¿en cuál zona debería

operar el transistor y porqué?