practica diodo si

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Practica N⁰ Elementos No Óhmicos No lineal Determinación de las características del diodo en un circuito eléctrico. Objetivos: *Reconocer los valores de polarización directa del diodo. *Determinar las condiciones de polarización inversa Considerar las características y graficas como su comportamiento en un circuito conectado. Fundamentación: En este práctico se tomarán los valores de los medidores conectados en el circuito que monitorearán los valores de las magnitudes físicas involucradas, tabulándolas convenientemente y graficándolas para reconocer el funcionamiento del dispositivo, en este caso el diodo de silicio.

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Page 1: Practica diodo si

Practica N⁰

Elementos No Óhmicos

No lineal

Determinación de las características del diodo en un circuito eléctrico.

Objetivos:

*Reconocer los valores de polarización directa del diodo.

*Determinar las condiciones de polarización inversa

Considerar las características y graficas como su comportamiento en un circuito conectado.

Fundamentación:

En este práctico se tomarán los valores de los medidores conectados en el circuito que monitorearán los valores de las magnitudes físicas involucradas, tabulándolas convenientemente y graficándolas para reconocer el funcionamiento del dispositivo, en este caso el diodo de silicio.

El diodo de silicio

El diodo de silicio, comúnmente usado como rectificador, para modificar las tensiones y corrientes alternadas en corriente continua, es un dispositivo semiconductor que permite hacer fluir la electricidad en un sentido. A esta propiedad se le denomina conducción directa y asu polarización para lograr esto a polarización directa.

Page 2: Practica diodo si

Polarización directa

La polarización o tensión directa utiliza una pequeña cantidad de energía para poder pasar a través del diodo. Hay un pequeño voltaje a su través que lo hace conductor, siendo de unos 0.7v en los de silicio, pudiendo variar este valor en los de otro tipo de material (silicio, germanio, arseniuro de galio, tipo schottky, etc ).

Este voltaje de tensión directa es constante para todas las corrientes que pasen en este sentido desde cátodo al ánodo.

La resistencia dinámica para las barreras de potencial directa está relacionada con la constante de schottky para los semiconductores siendo esta relación:

*rd = KT/(q*id) =25mV/id (mA) , (Ω)

Tomando estos valores para una temperatura ambiente de 300⁰ K.-

Dependiendo de su geometría y de la temperatura, la corriente máxima a manipular por la juntura del diodo semiconductor I0, se obtiene así una corriente directa de : id = I0εqvd/KT , (A).

Circuito del práctico (diodo de silicio)

Elementos no óhmicos (elemento no lineal)

Fig 1. (valores tomados en el ensayo, ver tabla)

Page 3: Practica diodo si

Símbolo del diodo

Ánodo cátodo

Materiales

1 diodo rectificador de silicio, Texas o Motorola 1N4007

1 Resistor de carbón depositado Leybold de 470Ω,10% tolerancia o mejor por 2 W.(Amarillo, violeta, marrón, dorado)

1 Multímetro digital, para usarlo como voltímetro, multirango.

1 Multímetro analógico para usarlo como amperímetro multirango.

1 Fuente de corriente continua variable de corriente continua con los siguientes rangos de corriente y de tensión (0-2A) y (0 – 30V)

1 soporte base Leybold para montaje del circuito.

4 postes para soportar los componentes electrónicos a la base Leybold.

5 cables de colores distintos con fichas bananas en los extremos para conexiones.

1 chapa de cobre chica para conexión entre los postes de conexión en el soporte.

Page 4: Practica diodo si

Procedimiento

Se arma el circuito como se muestra en la figura 1, compuesto por la fuente de corriente continua, el amperímetro conectado en serie con el diodo, al que se le conecta entre sus terminales el voltímetro, y en serie con estos elementos se conecta por último también en serie la resistencia, cuyo último extremo va al terminal de la fuente, que debe ser el terminal negativo, para comenzar así a tabular las tensiones y corrientes directas en el diodo.

Se empieza con la fuente en cero volts, El amperímetro en el rango más bajo (unos 5 mA.), y el voltímetro en un rango de 20 volts, para ir gradualmente y por pasos, a medida que aparece la primer corriente ir aumentando el voltaje de salida de la fuente (obs. el valor que indica la fuente no lo llevamos en cuenta). Nos interesa el valor medido por el amperímetro y el voltímetro sobre el diodo

Cada subida de corriente medida por el amperímetro, le corresponde una subida de tensión medida en el voltímetro sobre el diodo, la que se anotará en la tabla de polarización directa del diodo.

Se hará así hasta llegar al límite de la tensión de salida de la fuente y que el diodo sea capaz soportar, sin quemarse.

Luego de terminada la tabla directa se comenzará con el experimento de tensión- corriente inversa, y se hará la tabla con sus valores inversos.

Para esto se invierten los cables de la fuente, es decir se conectan al revés, y se empieza anotando con signo menos en la tabla, para darle la referencia de valores inversos.

Luego de hecha la última medida se da por finalizado este práctico.

Page 5: Practica diodo si

Tablas del práctico

TABLA 1

experimento, polarización de elementos no óhmicos tabla del comportamiento del diodo de silicio 1n4007 directa inversa V(voltios) A(miliAmp.) V(voltios) A(miliAmp.)

0 0 0 0 0.6 1.9 -2 0

0.65 10 -4 0 0.68 14 -6 0 0.69 17 -8 0 0.71 25 -12 0 0.72 29 -16 0

0.725 32 -18 0 0.73 36 -20 0

0.735 40 -22 0 0.74 43

0.745 47 0.75 50

Page 6: Practica diodo si

Grafica

Y=corriente miliamperes

X= voltios

Page 7: Practica diodo si

Conclusión

La curva obtenida de polarización directa muestra claramente que el voltaje directo llega a menos de un voltio entre los electrodos ánodo y cátodo del semiconductor. Significa que la caída de tensión es insignificante comparada con la corriente directa que pasa por él.

Este tipo de componente es un buen regulador de tensión, y un buen dispositivo de corriente, y su comportamiento es exponencial con loa acrecimos de tensión; siendo para potenciales negativos dicha corriente muy pequeña o insignificante. Uno de los factores que afectan su comportamiento es la temperatura, por lo que deben mantenerse dentro de un margen seguro de utilización.

La temperatura afecta la juntura semiconductora y si entra en avalancha térmica la corriente se hace exponencial, llevando al dispositivo a su destrucción o quedar en cortocircuito.

Bibliografía.

*Circuitos electrónicos, discretos e integrados, Schilling-Belove, 3ra.edición, 1989, edit. Mc. Graw-Hill.

*Electricidad y magnetismo, Raymond A. Serway,

Tomo II, 4ta.edición, 1997, editorial McGRAW-HILL.

*Física Universitaria, Sears Zemansky, 12 ed.

Volumen 2, Editorial Pearson 2010.

*Pdf, “Diodos”

Autor .Ildefonso Imperial F.

Ing. tecnológico