_prÁctica 2.docx
TRANSCRIPT
PRÁCTICA # 2
1. TEMA.El transistor BJT como Amplificador
2. OBJETIVOS.
Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes amplificadores con el transistor BJT.
a. Amplificador a Emisor común (ganancia de tensión total
AVT=50; f c=100 hz).
b. Amplificador de colector común ( f c=100 hz ).c. Amplificador de base común ( f c=100 hz ).
→ Verificar el comportamiento de los siguientes amplificadores anteriores el momento en el que se quita el condensador.→Punto de trabajo al centro de la recta de carga.
3. MARCO TEÓRICO.
LÍNEA DE CARGA DE CA.
Excursión máxima de salida de CA al voltaje de CA Pico a Pico máximo, sin recortes, que puede proporcionar un amplificador. La línea de carga de CA es una ayuda visual para entender la operación con señales grandes.
Figura 4.3 Línea de carga de CA y su relación con la línea de carga de CD.
Relación de fase
La relación de fase entre las señales senoidales de entrada y salida es importante por una variedad de razones prácticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor típico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las señales de entrada y salida están ya sea en fase o desfasadas por 180°.
Nota: Los parámetros de principal importancia para un amplificador; la impedancia de entrada Z i, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje AV, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los límites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarán algunos de estos parámetros.
FUNCIONAMIENTO
EMISOR COMÚNCircuito y recta de carga
Para que una señal esa amplificada tenga que ser una señal de corriente alterna. No tiene
sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no
lleva ninguna información. En un amplificador de transistores
están involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y
continua).
La señal alterna es la señal a amplificar y la continua
sirve para establecer el punto de operación del amplificador.
Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea
distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores (R1 y
R2). Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base del
transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la base.
El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada en la familia de curvas del transistor.Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran.
Hay dos casos extremos:
- Cuando el transistor está en saturación (Ic max.),
que significa que Vce es prácticamente 0 voltios.
- Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que
significa que Vce es prácticamente igual a Vcc.
Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operación se modificará para arriba o para abajo
en la curva pudiendo haber distorsión
Si la señal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarán los picos positivos y negativos
de la señal en la salida (Vout).
Capacitor de bloqueo (C1)
Este capacitor (condensador) se utiliza para bloquear la corriente continua que pudiera
venir de Vin. Este capacitor actúa como un circuito abierto para la corriente continua y un corto
circuito para la corriente alterna (la que se desea amplificar).
Estos capacitores no se comportan tan perfectamente en la realidad, pero se acercan
bastante, pudiendo suponerse como ideales.
Capacitor de derivación (Ce)
El resistor Re aumenta la estabilidad de el amplificador, pero que tiene el gran
inconveniente que es muy sensible a las variaciones de temperatura (causará cambios en la
corriente de base, lo que causará variaciones en la corriente de emisor (Ic = β Ib)).
Esto causará una disminución en la ganancia de corriente alterna, lo que no es deseable.
Para resolver el problema se pone en paralelo con Re un capacitor que funcionará como un
corto circuito para la corriente alterna y un circuito abierto para corriente continua.
- El voltaje de salida estará dada por la siguiente fórmula:
Vout = Ic x Rc = β x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc
- La ganancia de voltaje es:
ΔV - Vout / Vin = - Rc / Zin. (El signo menos indica que Vout está 180° fuera de fase con la
entrada Vin)
- La ganancia de corriente es:
ΔI = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc
- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente =
ΔP = ΔV x ΔI
- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor alto (contrario a
lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) = Rc
- La salida está 180° desfasada con respecto a la entrada (es invertida)
Notas:
- β = hfe son parámetros propios de cada transistor
- hie = impedancia de entrada del transistor dada por el fabricante.
- // significa "en paralelo"
COLECTOR COMÚN.
El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil pues
tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una característica
deseable en un amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo
alimenta no tiene que entregarle mucha corriente, cuando le pasa la
señal que se desea amplificar.
Este circuito no tiene resistencia en el colector y la salida
está conectada a la resistencia del emisor. El voltaje se salida "sigue" al voltaje en el emisor,
sólo que es de un valor ligeramente menor (0.6 voltios aproximadamente)
Ve = Vb - 0.6 Voltios
La ganancia de tensión es:
Av = Vout / Vin = Ve / Vb.
Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre será menor a 1.
La impedancia de entrada se obtiene con la siguiente fórmula: Zin = (β + 1) x Re
Donde: β es la ganancia de corriente del transistor (dato del fabricante)
Del gráfico anterior. Si Re = 2.2 Kilohmios (2.2 K) y β = 150
Zin = (β + 1) x Re = (150 + 1) x 2200 Ohmios = 332,000 Ohmios (332 K)
Este amplificador aparenta una impedancia de entrada de 332,000 Ohmios a la fuente de
la señal que se desea amplificar. Este tipo de circuito es muy utilizado como circuitos
separadores y como adaptadores de impedancia entre las fuentes de señal y las etapas
amplificadoras
BASE COMÚN
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector.
La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.
En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que
parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de
emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al
realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada siguiente:
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
4.4 Modelo re del BJT.
El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente
controlada por corriente es aquella donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. En general: Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por
corriente.
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
En la figura 4.14a se ha insertado un transistor PNP de base común dentro de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusión de las recientes secciones. En la figura 4.14b se ha colocado el modelo re para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observó en la sección 4.2, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una aproximación del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la región de operación de interés. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberían estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Hay que recordar que una de las uniones de un transistor en operación en la región activa se polariza en forma directa mientras que la otra se polariza inversamente. La unión directamente polarizada se comportará de manera muy parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verificó mediante las curvas de la figura 2.7. Para la unión de base-emisor del transistor de la figura 4.14a, el diodo equivalente de la figura 4.14b entre las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recuérdese que las curvas horizontales de la figura 2.8 revelaban que IC = IE (como se dedujo de IC = IE) para el intervalo de valores de VCE. La fuente de corriente de la figura 4.14b establece el hecho de que IC = IE con la corriente de control IE que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 4.14a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la fuente controlada por corriente, proporcionando un vínculo entre las dos (una revisión inicial sugeriría que el modelo de la figura 4.14b es un modelo válido del dispositivo real).
Figura 4.14 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración de la figura 4.14a.
Recuérdese del capítulo 1, que la resistencia de CA de un diodo puede determinarse mediante la ecuación rCA = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de CD a través del diodo en el punto Q (estático). Esta misma ecuación puede utilizarse para encontrar la resistencia de CA del diodo de la figura 4.14b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a continuación:
re = 26 mV / IE
El subíndice e de re se eligió para enfatizar que es el nivel CD de la corriente de emisor que determina el nivel CA de la resistencia del diodo de la figura 4.14b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 4.14b se obtendrá el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 4.15:
Figura 4.15 Circuito equivalente re de base común.
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 4.15, debería ser bastante obvio que la impedancia de entrada Z i para la configuración de base común de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = rePara la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 .Para la impedancia de salida, si establecemos la señal a cero, entonces IE = O A e IC = IE = (0 A) = O A, resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el modelo de la figura 4.15,
Zo En realidad:Para la configuración de base común, los valores típicos de Zo se hallan en el orden de los Megaohms.La resistencia de salida de la configuración de base común se determina por medio de la pendiente de las líneas características de las características de salida, como se muestran en la figura 4.16. Suponiendo que las líneas sean perfectamente horizontales (una excelente aproximación) resultaría en la conclusión de la ecuación (7.13). Si se tuviera el cuidado de medir Zo gráfica o experimentalmente, se obtendrían los niveles típicos en el intervalo de 1 a 2 M .
Figura 4.16 Definición de Zo.
En general, para la configuración de base común, la impedancia de entrada es relativamente pequeña mientras que la impedancia de salida es bastante alta.La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 4.17.
Vo = -IoRL = -(-IC) RL = IERL
Vi = IEZi = IEre
AV = Vo / Vi = IERL / IEre
AV = RL / re RL/re Ecuación 4.12
Para la ganancia de corriente
Ai = Io / Ii = -IC / IE = IE / IE
Ai = - -1 Ecuación 4.13
4.17 Definición de Av para la configuración de base común.
El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la corriente IC sea la misma que se define mediante la figura 4.17 (o sea, el extremo negativo está al potencial de referencia, o tierra) revela que Vo y Vi están en fase para la configuración de base común. El equivalente para un transistor NPN en la configuración de base común aparecería como se ilustra en la figura 4.18.
Figura 4.18 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base común.
CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
Para la configuración de emisor común de la figura 4.19a, las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor NPN dará por resultado la configuración de la figura 4.19b.Adviértase que la fuente controlada por corriente aún está conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuración, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aún es IC. Recuerde, del capítulo 2, que las corrientes de base y de colector están relacionadas por la siguiente ecuación:
IC = IB Ecuación 4.14
La corriente a través del diodo se determina por lo tanto mediante:
Ie = ( + 1)Ib Ecuación 4.15
Sin embargo, ya que la beta de CA es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la
siguiente aproximación para el análisis de corriente:
Ie Ib Ecuación 4.16
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relación:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib Ecuación 4.17
El voltaje Vbe se halla a través de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 4.19. El
nivel de re todavía se determina por la corriente de CD: IE. El uso de la ley de Ohm conduce a:
Vi = Vbe = Ie re Ibre Ecuación 4.18
Figura 4.19 (a) Transistor BJT de emisor común (b) Modelo re aproximado para la configuración de
la figura 4.18a
Figura 4.20 Determinación de Zi empleando el modelo aproximado.
La sustitución nos lleva a:
Zi re Ecuación 4.19
En esencia, la ecuación (4.19) establece que la impedancia de entrada para una situación tal como la mostrada en la figura 4.20 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo . Por ejemplo, si re = 6.5 Ohms y = 160 (situación bastante común), entonces la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de:
Zi re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 Kohms Ecuación 4.20
Figura 4.21 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.
Para la configuración de emisor común, los valores típicos de Z i que se definen mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de Ohms hasta el orden los Kohms, con valores máximos de entre 6 y 7 Kohms.Para la impedancia de salida las características de interés son el conjunto de salida de la figura 4.22, Obsérvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la corriente de colector. Cuanto más elevada sea la pendiente, menor será el nivel de la impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura 4.19 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla disponible a partir de un análisis gráfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en la figura 4.23.
Figura 4.22 Definición de ro para la configuración de emisor común.
Figura 4.23 Inserción de ro en el circuito equivalente de transistor.
Para la configuración de emisor común, valores típicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los 40 a los 50 Kohms.Para el modelo de la figura 4.23, si se establece a cero la señal aplicada, la corriente es de OA y la impedancia de salida es:
Zo = ro Ecuación 4.21
Por supuesto, si la contribución debida a ro se ignora como en el caso del modelo ro la impedancia de salida se define por Zo = . La ganancia de voltaje para la configuración de emisor común se determinará ahora por la configuración de la figura 4.24 haciendo uso de la suposición que Zo = . Para la dirección definida por Io y polaridad de Vo:
Vo = -IoRL Ecuación 4.22
Figura 4.24 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de transistor de
emisor común.
El signo menos refleja simplemente el hecho de que la dirección de Io en la figura 4.24 establecerá un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a:
Vo = -IoRL = -IcRL = - IbRL Ecuación 4.23
Vi = IiZi = Ibre Ecuación 4.24
Av = Vo / Vi = - IbRL / Ibre Ecuación 4.25
Av = -RL /re Ecuación 4.26
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida se encuentran desfasados en 180°. La ganancia de corriente para la configuración de la figura 4.24:
Ai = Io / Ii = Ic / Ib = Ib / Ib Ecuación 4.27
Ai = Ecuación 4.27
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es re, que la corriente de colector es Ib y que la impedancia de salida es ro,el modelo equivalente de la figura 4.25 puede ser una herramienta efectiva para el análisis que sigue a continuación.
Para valores de parámetros típicos la configuración de emisor común puede considerarse como aquella que disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el análisis de la red.
Figura 4.25 Modelo re para la configuración de transistor de emisor común.
CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la configuración de emisor común de la figura 4.25, en vez de definir un modelo propio para la configuración de colector común. En capítulos subsecuentes se investigarán varias configuraciones de colector común y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.
4.5 El modelo equivalente híbrido.En la sección 4.4 se señaló que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operación de cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variará en el punto de operación de cd. Para el modelo equivalente híbrido que se describirá en esta sección se definen los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar 1as condiciones de operación reales del amplificador. Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los parámetros para un circuito equivalente para todo punto de operación posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operación que creen que reflejarán las características generales del dispositivo.
Figura 4.26 Circuito equivalente híbrido de entrada.
Figura 4.27 Circuito equivalente híbrido de salida.
Figura 4.28 Circuito equivalente híbrido completo.
4. LISTADO DE MATERIALES / PRESUPUESTO
# Equipo o Material
1 Resistencias
1 Transistores BJT (2N3904)
1 Condensadores
1 Proto-board
1 Banco de Trabajo
1Fuente de alimentación
Variable
1 Multímetro digital
1 Generador de funciones
1 Osciloscopio
1 Sondas
1 Cables de conexión
1 Elvis (opcional)
$ 2.50
5. DESARROLLO.
Amplificador a Emisor común + condensador
Rc400Ω
Re100Ω
R2132kΩ
R1132kΩ
Cs
VCC20V
V1RL
Ce
0
5
4
21
VCC
CiR3
50Ω
3
6
Q1
2N3904
Cálculos de la polarización.DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA β=175 V eq=10 VV ce max=V CC
V ce=20 vproceso
HFE=β=175
HFE=IcI B
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
IC
=8V20mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
AvTOTAL=50hie=2 kΩ1
hoe=40 kΩ
AV =Hfe×( 11+hoe× Rpc )( Rpc
hie )AV =−17.32
∝ing=AVT
AV
∝ing=2.88
∝ing=Zi
Z i+RS
Zi=−Rs∝ing∝ing−1
Zi=−50 ×∝ing
∝ing−1Zi=−37.11
Zi=Req /¿ Zi´
Zi=Req ×Zi ´
Req+Zi´
Zi´=Req× Zi
Req−Zi
Zi´=37.13 Ω
Rpc=RL /¿ Rc
Rpc=199 Ω
Zo´=40 KΩ
Zo=Zo ´ /¿ Rc
Zo=396.04 Ω
Zo ≈ RL
Ai=174.134
Máxima dinámica
ℜ=ℜ/¿ Rs/¿ Req+hiehfe
V CEP=Ic×RpcV CEP=20mA×199ΩV CEP=3 . 98 vV CEPP=3 .98V×2V CEPP=7 .96 v
es=7 .96V50
es=159 mV
Condensadores:
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=123 uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=4 uf
Ce= 12 π × f C ×(ℜ)
Ce= 12 π ∙ 100 Hz ∙(ℜ)
Ce=240uf
Amplificador a Emisor común - condensador
Rc400Ω
Re100Ω
R2132kΩ
R1132kΩ
Cs
VCC20V
V1RL
4
21
VCC
CiR3
50Ω
3
6
Q1
2N3904
5
0
Cálculos de la polarización.
DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA
β=175 V eq=10 VV ce max=V CC
V ce=20 v
proceso
HFE=β=175
HFE=IcIB
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2 V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
I C
=8V20 mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
AvTOTAL=50hie=2 kΩ1
hoe=40 kΩ
AV =Hfe×( 11+hoe× Rpc )( Rpc
hie )AV =−17.32
∝ing=AVT
AV
∝ing=2.88
∝ing=Zi
Z i+RS
Zi=−Rs∝ing∝ing−1
Zi=−50 ×∝ing
∝ing−1Zi=−37.11
Zi=Req /¿ Zi´
Zi=Req ×Zi ´
Req+Zi´
Zi´=Req× Zi
Req−ZiZi´=37.13 Ω
Rpc=RL /¿ Rc
Rpc=199 Ω
Zo´=40 KΩ
Zo=Zo ´ /¿ Rc
Zo=396.04 Ω
Zo ≈ RL
Ai=174.134
Máxima dinámica
ℜ=ℜ/¿ Rs/¿ Req+hiehfe
V CEP=Ic×RpcV CEP=20mA×199ΩV CEP=3 . 98 vV CEPP=3 . 98 V×2V CEPP=7 . 96 v
es=7 .96V50
es=159 mV
Condensadores:
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=123 uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=4 uf
Amplificador a Colector común + condensador
RE
R1
R2
RC
VCC20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50Ω
2
6
Cc
VCC
3
Cálculos de la polarización.
DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA β=175 V eq=10 VV ce max=V CC
V ce=20 vproceso
HFE=β=175
HFE=IcI B
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2 V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
I C
=8V20 mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
hoe=25 u1
hoe
=40 K
Zo'=40 K ΩZo=Zo' /¿RCZo=99.7 ΩZo=≈ RL
Zi´=hie+(ℜ/¿ RL)
Zi´=1k+(100Ω /¿99.7 Ω)Zi´=1049.95ΩZi´ ≈ 1 K Ω
Rpe=ℜ/¿ RL
Rpe=100 × 99.7100+99.7
Rpe=49.924 Ω
Zi=Req /¿Zi
Zi=1.033 K ΩZi≈ 1 K Ω
α ing= ZiZi+Rs
α ing=0.952
Av=1
Av tot=α ing+ AvAv tot=0.952Av tot ≈−1
Aitot=−Av tot ×Rs+Zi
RL
Aitot=1 ×50+1 k Ω
100 ΩAitot=500
Máxima dinámica
V CEP=Ic×RpeV CEP=20mA×49 . 92ΩV CEP=0 . 99 v
V CEPP=V CEP×2V CEPP=0 . 99 V×2V CEPP=1 . 98 v≈2 v
V CEPmáx=V CE+V CEP
V CEPmáx=7 .5 v+0 .99=8 . 49vV CEPmin=V CE−V CEP
V CEPmin=7 .5v−0 .99=6 .51v
eS=V CEPP
A tot
es=2v1
es=2v
Rc=RC /¿ Rs /¿Req+hiehfe
Condensadores:
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=1.469 uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=7.98uf
Ce= 12 π × f C ×(Rc)
Cc= 12 π ∙100 Hz ∙(Rc)
Cc=5833.8 uf
Amplificador a Colector común - condensador
RE
R1
R2
RC
VCC20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50Ω
2
6
VCC
3
Cálculos de la polarización.
DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA β=175 V eq=10 VV ce max=V CC
V ce=20 vproceso
HFE=β=175
HFE=IcIB
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2 V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
I C
=8V20 mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
hoe=25 u1
hoe
=40 K Zo'=40 K ΩZo=Zo' /¿RC
Zo=99.7 ΩZo=≈ RL
Zi´=hie+(ℜ/¿ RL)Zi´=1k+(100 Ω /¿99.7 Ω)Zi´=1049.95ΩZi´ ≈ 1 K Ω
Rpe=ℜ/¿ RL
Rpe=100 × 99.7100+99.7
Rpe=49.924 Ω
Zi=Req /¿ZiZi=1.033 K Ω
Zi≈ 1 K Ω
α ing= ZiZi+Rs
α ing=0.952
Av=1Av tot=α ing+ AvAv tot=0.952Av tot ≈−1
Aitot=−Av tot ×Rs+Zi
RL
Aitot=1 ×50+1k Ω
100 ΩAitot=500
Máxima dinámica
V CEP=Ic×RpeV CEP=20mA×49 . 92ΩV CEP=0 . 99 v
V CEPP=V CEP×2V CEPP=0 . 99 V×2V CEPP=1 . 98 v≈2 v
V CEPmáx=V CE+V CEP
V CEPmáx=7 .5 v+0 .99=8 .49vV CEPmin=V CE−V CEP
V CEPmin=7 . 5v−0 .99=6 .51v
eS=V CEPP
A tot
es=2v1
es=2 v
Condensadores:
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=1.469 uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=7.98uf
Amplificador a Base común + condensador
RC
RE
R1
R2
VCC20V
C1Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
0
2
3
Q1
2N3904rs 45
Cálculos de la polarización.
DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA β=175 V eq=10 VV ce max=V CC
V ce=20 vproceso
HFE=β=175
HFE=IcIB
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
IC
=8V20mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
re=26 mv
I E
re=26 mv
20.11mA=1.29 Ω
Zo'=40 K Ω
Zi=ℜ/¿ re=1.22Ω
Zo=RC /¿ ro
Zo=396 Ω≈ RL
Rpc=RL /¿ Rc=199 Ω
α ing=Zi
RS+Z i
=0.0238
Av=−(Rpc /¿ ro)
r e
Av=−159.7
Av tot=α ing× Av=−3.8
Av tot=Zi
Zi+Rs× Av
Av tot=−3.3
Av tot=0.952 ≈−1
Aitot=−avtot∗Rs+Zi
RL
Aitot=0.5
Máxima dinámica.V CEP=Ic×RpcV CEP=20mA×199ΩV CEP=3 . 98 v
V CEPP=3 . 98 V×2V CEPP=7 . 96 V
V CEPmáx=V CE+V CEP
V CEPmáx=10 v+3 . 98 v=13. 98 vV CEPmin=V CE−V CEP
V CEPmin=10 v−3 .98 v=6 .02 v
eS=V CEPP
A tot
es=7 . 96V3 . 3
es=2 . 4 v
Rb=R 2/¿ Rs/¿ Req+hiehfe
Condensadores
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=31uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=4 uf
Cb=1
2π × f C ×(Rb)
Cb=1
2π ∙100 Hz ∙(Rb)Cb=139.14 uf
Amplificador a Base común – condensador
RC
RE
R1
R2
VCC20V
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
2
3
Q1
2N3904rs 45
0
Cálculos de la polarización.
DatosV CC=20 V V CE=7 . 5 V
V RE=V CC
10=2V
I C=20 mA
β=175 V eq=10VV ce max=V CC
V ce=20v
proceso
HFE=β=175
HFE=IcI B
I B=Ic / HFE
I b=20 mA175
=0 .11mA
I e=I C+ I b=20 mA+0 .11mA=20 .11 mA
V B=V RE+V BE
V B=2V +0 .7=2 .7 V
V RC=V CC−V RE−V CE
V RC=20 V −2V −10 V=8 V
RE=V RE
I E
=2V20 .11 mA
=99 . 45 .Ω≈100Ω
RC=V RC
IC
=8V20mA
=400Ω
Req=V eq−V BE−V E
I B
=10V−0 .7 V−2 V0 .11 mA
=66. 36k
R1=2 Req=R2=132.72k
I Cmáx=V CC
RC
= 20 v400 Ω
=50 mA
Proceso en Dinámica.
Circuito equivalente.
re=26 mv
I E
re=26 mv
20.11mA=1.29 Ω
Zo'=40 K Ω
Zi=ℜ/¿ re=1.22Ω
Zo=RC /¿ ro
Zo=396 Ω≈ RL
Rpc=RL /¿ Rc=199 Ω
α ing=Zi
RS+Z i
=0.0238
Av=−(Rpc /¿ ro)
r e
Av=−159.7
Av tot=α ing× Av=−3.8
Av tot=Zi
Zi+Rs× Av
Av tot=−3.3
Av tot=0.952 ≈−1
Aitot=−avtot∗Rs+Zi
RL
Aitot=0.5
Máxima dinámica.
V CEP=Ic×RpcV CEP=20mA×199ΩV CEP=3 . 98 v
V CEPP=3 . 98 V×2V CEPP=7 . 96 V
V CEPmáx=V CE+V CEP
V CEPmáx=10 v+3 . 98 v=13. 98 vV CEPmin=V CE−V CEP
V CEPmin=10 v−3 .98 v=6 .02 v
eS=V CEPP
A tot
es=7 . 96V3 . 3
es=2 . 4 v
Condensadores
Ci= 12 π × f C ×(Rs+ZI )
Ci= 12 π ∙100 Hz ∙(Rs+ZI )
Ci=31uf
Cs= 12 π× f C ×(RL+Zo)
Cs= 12 π ∙ 100 Hz ∙(RL+Zo)
Cs=4 uf
VERIFICACIÓN DE LOS CIRCUITOS AMPLIFICADORES
Amplificador a Emisor común + condensador
Rc400Ω
Re100Ω
R2132kΩ
R1132kΩ
Cs
VCC20V
V1RL
Ce
0
5
4
21
VCC
CiR3
50Ω
3
6
Q1
2N3904
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=100 mV /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿2v /¿(V spp)¿Timebase=2ms a10 us
V i
V s
Tabla de mediciones.
time /¿ 2ms 2ms 1ms 1ms 1ms 0.5ms 0.1ms
10us 10us 10us 10us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M
V ipp (V ) 0.8 0.18 0.18 0.18 0.16 0.18 0.18 0.18 0.18 0.18 0.18
V spp (V ) 2.4 4.6 6.4 7.8 8 12 14.8 15 15 12 2.8
Av3 25.55 35.55 43.33 50 67 82 83.33 83.33 66.66 15.55
AvdB9.54 27.95 30.8 33 33.97 36.5 38 38.4 38.4 36.4 23.52t (ms) 1.8 0.8 1.2 1.1 1 1 0.2 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 16.2 14.4 32.41 35.64 36 72 72 0 0 0 0°
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
θ= tT
×360°
θ=1.8 ms40 ms
×360°
θ=16.2°
Av=V s
V i
Av=2.40.8
=3 v
AvdB=20 logαAvdB=20 log3AvdB=9.54
Amplificador a Emisor común – condensador
Rc400Ω
Re100Ω
R2132kΩ
R1132kΩ
Cs
VCC20V
V1RL
4
21
VCC
CiR3
50Ω
3
6
Q1
2N3904
5
0
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=50 mV /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿50 mV /¿ (V spp)¿Timebase=2ms a10 us
V i
V s
Tabla de mediciones.
time /¿ 2ms 2ms 1ms 1ms 1ms 0.5ms
0.1ms 10us 10us 10us 10us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K
1M 7M
V ipp (V ) 0.18 0.18 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
V spp (V ) 0.65 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
Av3.61 4.4 4 4 4 4 4 4 4 4 4
AvdB11.2 12.8 12 12 12 12 12 12 12 12 12t (ms) 1.8 0.8 1.2 1.2 1.2 1 0.2 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.3
311.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 16 14 32 38.8 43.2 72 72 0 0 0 0°
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
Av=V s
V i
Av=0.650.18
=3.61 v
θ= tT
×360°
θ=1.8 ms40 ms
×360°
θ=16 °
AvdB=20 logαAvdB=20 log3 .61
AvdB=11.2
Amplificador a Colector común + condensador
RE
R1
R2
RC
VCC20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50Ω
2
6
Cc
VCC
3
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=250 mV /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿250/¿(V spp)¿Timebase=5ms a 0.1us
V i
V s
Tabla de mediciones.
time /¿ 5ms 5ms 5ms 5ms 2ms 2ms 1ms 10us 10us 0.1us 0.1us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K
1M 7M
V ipp (V ) 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
V spp (V ) 1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
Av0.83 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
AvdB-1.62 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0t (ms) 6 1.9 1 0.5 0.2 0 0 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.33 11.1
110 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 54 34.2
27 16.2 7.2 0 ° 0 ° 0 ° 0 ° 0 ° 0 °
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
Av=V s
V i
Av=1
1.2=0.83 v
AvdB=20 logα
AvdB=20 log0.83AvdB=−1.62
θ= tT
×360°
θ= 6 ms40 ms
×360°
θ=54 °
Amplificador a Colector común – condensador
RE
R1
R2
RC
VCC20V
Ci
Cs
RL
V1
1
5
0
4
Q1
2N3904
R3
50Ω
2
6
VCC
3
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=250 mV /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿250/¿(V spp)¿Timebase=5ms a 0.1us
V i
V s
Tabla de mediciones.
time /¿ 5ms 5ms 5ms 5ms 2ms 2ms 1ms 10us 10us 0.1us 0.1us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M
V ipp (V ) 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
V spp (V ) 1 1 1 1.1 1.1 1 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
Av0.83 0.83 0.83 0.92 0.92 0.83 1 1 1 1 1
AvdB-1.62 -1.62 -1.62 -0.72 -0.72 -
1.620 0 0 0 0t (ms) 6 0.15 0.1 0.05 0.05 0 0 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.33 11.1
110 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 54 2.7 2.7 1.62 1.8 0 ° 0 ° 0 ° 0 ° 0 ° 0 °
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
Av=V s
V i
Av=1
1.2=0.83 v
AvdB=20 logαAvdB=20 log0.83AvdB=−1.62
θ= tT
×360°
θ= 6 ms40 ms
×360°
θ=54 °Amplificador a Base común + condensador
RC
RE
R1
R2
VCC20V
C1Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
0
2
3
Q1
2N3904rs 45
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=1V /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿1V /¿ (V spp)¿Timebase=5ms a5 us
V i
V s
Tabla de mediciones.
time /¿ 5ms 5ms
5ms 5ms 5ms 2ms 0.5ms 50us 5us 0.1us 0.1us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K
1M 7M
V ipp (V ) 2.6 2.4 2.2 2.1 2 1.3 0.8 0.6 0.6 0.6 0.6
V spp (V ) 1.6 4 5.2 6.8 7.4 8.8 9 9.4 9.4 9.4 9.4
Av0.62 1.7 2.4 3.24 3.7 6.8 11.25 15.6 15.6 15.6 15.7
AvdB-4.15 4.6 7.6 10.2 11.4 16.
721.02 23.9 23.9 23.9 23.9t (ms) 4 3 2.8 2.2 2.1 3 3.1 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.33 11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 36 54 75.6 71.3 75.6 216 1116 0 0 0 0
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
Av=V s
V i
Av=1.62.6
=0.62 v
AvdB=20 logαAvdB=20 log0.62AvdB=−4.15
θ= tT
×360°
θ= 4 ms40 ms
×360°
θ=36 °
Amplificador a Base común – condensador
RC
RE
R1
R2
VCC20V
Ci
Cs
V1
Rcarga
VCC
1
6
2
3
Q1
2N3904rs 45
0
FORMAS DE ONDA OBTENIDAS CON EL OSCILOSCOPIO
Escalas: CH1, CH2
Volt /¿=0.5 V /¿ (V ipp)
Volt /¿=¿0.5 V /¿(V spp)¿Timebase=5ms a 0.5us
V i
V s
Tabla de mediciones.time /¿ 5ms 5ms 5ms 5ms 5ms 1m
s0.2ms 20us 5us 0.5us 0.5us
fcF (Hz) 25 50 75 90 100 200 1K 10K 100K 1M 7M
V ipp (V ) 2.8 2.4 2.4 2.4 2 2 2 2 2 2 1.8
V spp (V ) 0.4 0.5 0.8 1 1.1 1.2 1.6 1.2 1.2 2 1.8
Av0.14 0.21 0.33 0.42 0.55 0.6 0.8 0.6 0.6 1 1
AvdB-17.1 -13.55 -9.63 -7.5 -5.2 -4.4 -1.9 -4.43 -4.43 0 0
t (ms) 4.5 5 4 3.5 3.2 10 11.5 0 0 0 0T(ms) 40 20 13.33
11.11 10 5 1 0.1 0.01 0.001 0.000143
θ ° 40.5 90 108 113 115.2 720 4140 0 0 0 0
T=1f
T= 125 Hz
=40 ms
Av=V s
V i
Av=0.42.8
=0.14 v
AvdB=20 logαAvdB=20 log0.14AvdB=−17.1
θ= tT
×360°
θ=4.5 ms40 ms
×360°
θ=40.5 °
Graficas y valores obtenidos de las polarizaciones. (Medidas y Calculadas)
Puntos de trabajo y rectas de carga: estática, dinámica,
Amplificador a Emisor común
Vcc Vce Ic IbCalculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20.1v 10.38v 20.4mA 0.11mASimulados 20.2v 10.2v 20.1mA 0.10mA
Amplificador a Colector común
Vcc Vce Ic IbCalculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20v 10.3v 20.7mA 0.12mASimulados 20v 10v 20.2mA 0.11mA
Amplificador a Base común
Vcc Vce Ic IbCalculados 20v 10v 20mA 0.11mA
Medidos 20.1v 10.1v 20mA 0.11mASimulados 20v 10v 20.2mA 0.11mA
DIAGRAMAS DE BODE
DDB Calculados:
Amplificador a Emisor común + condensador
Amplificador a Base común – condensador
Diagramas De Bode medidos:
Amplificador a Emisor común + condensador
Amplificador a Base común - condensador
SIMULACIÓN DE LOS CIRCUITOS
Diagramas de Bode.Formas de onda: Ingreso y Salida.
Amplificador a Emisor común + condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
C1
123µF
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
R5
50Ω
C2
4µF
C3240µF
R6470Ω
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
XBP1
IN OUT
U2DC 10MOhm
10.767 V+
-
Onda ingreso
Amplificador a Emisor común - condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
C1
123µF
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
R5
50Ω
C2
4µF
R6470Ω
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
XBP1
IN OUT
U2DC 10MOhm
10.767 V+
-
Amplificador a Colector común + condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
C1
1.469µF
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
R5
50Ω
C2
7.98µF R61kΩ
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
U2DC 10MOhm10.319 V
+
-
C35833.8µF
XBP1
IN OUT
Amplificador a Colector común - condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
C1
1.469µF
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
R5
50Ω
C2
7.98µF R61kΩ
XFG1
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
U2DC 10MOhm10.319 V
+
-
XBP1
IN OUT
Amplificador a Base común + condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
U2DC 10MOhm9.773 V
+
-
R5
50Ω
C3
4µF
R6390Ω
C2
31.1µF
C1139.4µF
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
XFG1
XBP1
IN OUT
Amplificador a Base común - condensador
R1133kΩ
U1
2N3904
V120 V
R2133kΩ
R3400Ω
R4100Ω
U2DC 10MOhm9.773 V
+
-
R5
50Ω
C3
4µF
R6390Ω
C2
31.1µF
XSC1
A B
Ext Trig+
+
_
_ + _
XFG1
XBP1
IN OUT
6. CONCLUSIONES
Observaciones y Recomendaciones
Revisar el circuito antes de alimentar. Para obtener valores más aproximados es necesario utilizar un multímetro de gran
precisión y los materiales. Para un correcto funcionamiento de cualquier circuito tener en cuenta los terminales
del transistor BJT y sobretodo debe ser bien calculada la polarización. Se comprobó el amplificador a colector común con o sin condensador de colector.
Se vio que la señal de salida era prácticamente la misma que ingresa y por lo tanto la ganancia de voltaje es aproximadamente a 1, no existe ángulo de desfase nos ayuda a amplificar corriente y al quitar el condensador de colector la variación en la ganancia era insignificante por lo que podemos decir que ambos modelos son equivalentes.
En el emisor común se noto que tiene una ganancia (voltaje como corriente) grande cuando se encuentra conectado el condensador de desvío mientras que sin este la ganancia se reduce considerablemente.
Y en la base común se observo que conforme la frecuencia aumentaba, la amplitud del voltaje de ingreso disminuía, y el ángulo de desfase entre la onda de ingreso y la salida disminuía, tiene baja impedancia de ingreso no nos ayuda con una ganancia de corriente pero si tenemos ganancia de voltaje
summations and recommendations
" To revise the circuit before feeding. " To obtain more approximate securities it is necessary to use a multímetro of great precision and the materials. " For a correct operation of any circuit to keep in mind the terminals of the transistor BJT and overalls should be very calculated the polarization. " He/she was proven the amplifier to collector common with or without collector condenser. It was seen that the output signal was practically the same one that enters and therefore the voltage gain is approximately at 1, lag time angle doesn't exist he/she helps us to amplify current and when removing the collector condenser the variation in the gain it was insignificant for what we can say that both models are equivalent. " In the common originator one notices that he/she has a gain (voltage like current) big when it is connected the deviation condenser while without this the gain decreases considerably. " And in the common base one observes that it conforms the frequency it increased, the width of the entrance voltage diminished, and the lag time angle between the entrance wave and the exit diminished, he/she has low entrance impedance he/she doesn't help us with a current gain but if we have voltage gain
7. BIBLIOGRAFÍA
Libro Robert L. Boylestad.http://materias.fi.uba.arhttp://www.senatieee.netfirms.com