pc ic ポータブルデバイス用ロードスイッチ...

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PC・デジタル情報機器用パワーマネージメントスイッチ IC シリーズ

ポータブルデバイス用ロードスイッチ IC BD6520F, BD6522F

概要

拡張モジュール用パワースイッチは N channel Power MOS FET を 1 回路内蔵したパワーマネージメントスイッチです。スイッチは 50mΩ(Typ.)の低オン抵抗を実現しています。スイッチは内蔵のチャージポンプにより緩やかにオンするためスイッチオン時の突入電流を緩和することができます。また外付け容量によるソフトスタート制御も可能です。また、スイッチオフ時に容量性の負荷からすばやく電荷を放電するための放電回路と低電圧誤動作防止回路、サーマルシャットダウンの保護回路を内蔵しています。

特長 1) 低オン抵抗(50mΩ,Typ.)の N-MOS スイッチを 1 回路内蔵 2) 最大出力電流 : 2A 3) 放電回路内蔵 4) ソフトスタート制御回路内蔵 5) 低電圧誤動作防止回路(UVLO)内蔵 6) サーマルシャットダウン(ラッチ動作) 7) スイッチオフ時の逆流を防止(BD6522F のみ)

用途ノート PC、PC 周辺機器など

ラインアップ

項目 BD6520F BD6522F 動作電圧 3 ～ 5.5V 3 ～ 5.5V スイッチ電流 2A 2A ON 抵抗 50mΩ 50mΩ OUT 立ち上り時間 2000µs 1000µs OUT 立ち下り時間 3µs 4µs パッケージ SOP8 SOP8 スイッチオフ時逆流防止無有

絶対最大定格

項目記号定格単位

電源電圧 VDD -0.3 ~ 6.0 V CTRL 端子電圧 VCTRL -0.3 ~ 6.0 V

出力端子電圧 VOUT -0.3 ~ VDD + 0.3 (BD6520F) V

-0.3 ~ 6.0 (BD6522F) V 保存温度範囲 TSTG -55 ~ 150 許容損失 Pd 560*1 mW *1 Ta = 25以上で使用する場合、1につき 4.48mW 減じる。 * 対放射線設計は行っておりません。

推奨動作条件

項目記号定格単位

動作電圧範囲 VDD 3.0 ~ 5.5 V スイッチ電流 IOUT 0 ~ 2 A 動作温度範囲 TOPR -25 ~ 85

No.11029JBT12

BD6520F, BD6522F Technical Note


電気的特性 BD6520F(特に指定のない限り Ta = 25, VDD = 5V とする。)

項目記号規格値

単位条件最小標準最大

ON 抵抗 RON1 - 50 70 mΩ VDD = 5V, VCTRL = 5V RON2 - 60 85 mΩ VDD = 3V, VCTRL = 3V

VDD 動作電流 IDD - 110 220 µA VCTRL = 5V, OUT = OPEN

IDDST - - 2 µA VCTRL = 0V, OUT = OPEN

CTRL 入力電圧 VCTRLL - - 0.7 V VCTRLL = Low Level VCTRLH 2.5 - - V VCTRLH = High Level

CTRL 入力電流 ICTRL -1 0 1 µA VCTRL = L, H

OUT 立ち上り遅延時間 Trd 200 1000 2000 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = L→H → OUT=50%

OUT 立ち上り時間 Tr 500 2000 7500 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = 10% → 90%

OUT 立ち下り遅延時間 Tfd - 3 20 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = H→L → OUT=50%

OUT 立ち下り時間 Tf - 1 20 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = 90% → 10%

スイッチ放電抵抗 RSWDC - 350 600 Ω VDD = 5V,VCTRL = 0V, VOUT = 5V

UVLO 検出電圧 VUVLOH 2.3 2.5 2.7 V VDD increasing VUVLOL 2.1 2.3 2.5 V VDD decreasing

UVLO ヒステリシス電圧 VHYS 100 200 300 mV VHYS = VUVLOH - VUVLOL

過温度検出レベル TTS - 135 - VCTRL = 5V

SSCTL 出力電圧 VSSCTL - 13.5 - V VCTRL = 5V

BD6522F(特に指定のない限り Ta = 25, VDD = 5V とする。)

項目記号規格値

単位条件最小標準最大

ON 抵抗 RON1 - 50 70 mΩ VDD = 5V, VCTRL = 5V RON2 - 60 85 mΩ VDD = 3.3V, VCTRL = 3.3V

VDD 動作電流 IDD - 110 220 µA VCTRL = 5V, OUT = OPEN

IDDST - - 2 µA VCTRL = 0V, OUT = OPEN

CTRL 入力電圧 VCTRLL - - 0.7 V VCTRLL = Low Level VCTRLH 2.5 - - V VCTRLH = High Level

CTRL 入力電流 ICTRL -1 0 1 µA VCTRL = L, H

OUT 立ち上り時間 TON - 1000 3500 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = H → OUT =90%

OUT 立ち下り時間 TOFF - 4 20 µs RL = 10Ω,SSCTL = OPEN CTRL = L → OUT = 10%

スイッチ放電抵抗 RSWDC - 350 600 Ω VDD = 5V,VCTRL = 0V

UVLO 検出電圧 VUVLOH 2.3 2.5 2.7 V VDD increasing VUVLOL 2.1 2.3 2.5 V VDD decreasing

UVLO ヒステリシス電圧 VHYS 100 200 300 mV VHYS = VUVLOH - VUVLOL

過温度検出レベル TTS - 135 - VCTRL = 5V

SSCTL 出力電圧 VSSCTL - 13.5 - V VCTRL = 5V



測定回路

タイミングダイヤグラム

VDD

VDD

VDD

SSCTL

CTRL

BD6520F

VSS

OUTC

OUTB

OUTA

RL CL IOUT

VCTRL CSS

VDD

VDD

SSCTL

CTRL

BD6522F

VSS

DISC

OUTB

OUTA

RL CL IOUT

VCTRLCSS

VDD

BD6520F BD6522F

Fig.1 測定回路

VOUT VOUT

VCTRL VCTRLVCTRLH VCTRLL VCTRLH VCTRLL

TONTON TOFF TOFF

TfdTrd

Tr Tf

10% 50%

90%

10%

90%

BD6520F BD6522F

10%50%

90%

Fig.2 タイミングダイヤグラム



参考データ BD6520F

Fig.3 ON 抵抗

0

10

20

30

40

50

60

70

80

2 3 4 5 6

SUPPLY VOLTAGE : VDD [V]

ON

RE

SIS

TAN

CE

: R

on [m

Ω]

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-40 -20 0 20 40 60 80 100

AMBITENT TEMPERATURE : Ta []

ON

RE

SIS

TAN

CE

: R

on [m

Ω]

VDD=3.0V

VDD=3.3VVDD=5.0V, 5.5V

Fig.4 ON 抵抗

0

20

40

60

80

100

120

2 3 4 5 6


OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

D [u

A]

Fig.5 VDD 動作電流

0

20

40

60

80

100

120

-40 -20 0 20 40 60 80 100

AMBIENT TEMPERATURE : Ta []

OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

D [u

A]


0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

2 3 4 5 6


CTR

L IN

PU

T V

OLT

AG

E :

V CTR

L [V

]

Low to High

High to Low

Fig.9 CTRL 入力電圧

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

-40 -20 0 20 40 60 80 100


CTR

L IN

PU

T V

OLT

AG

E :

V CTR

L [V

]

Fig.10 CTRL 入力電圧 H→L

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

-40 -20 0 20 40 60 80 100


CTR

L IN

PU

T V

OLT

AG

E :

V CTR

L [V

]

Fig.11 CTRL 入力電圧 L→H

0

1

2

3

4

5

2 3 4 5 6


TUR

N O

N T

IME

:Ton

[ms]

Fig.14 立ち上り時間

Trd

Tr

Ton

0

0.1

0.2

0.3

0.4

2 3 4 5 6

SUPPLY VOLTAGE : VDD[V]

CTR

L H

YS

TER

ES

IS :

V CTR

LHYS

[V]

Fig.12 CTRL ヒステリシス電圧

0

0.1

0.2

0.3

0.4

-40 -20 0 20 40 60 80 100


CTR

L H

YS

TER

ES

IS :

V CTR

LHY

S [V

]


0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

2 3 4 5 6


OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

DST

[uA

]

Fig.7 静止消費電流

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0 20 40 60 80 100


LEA

K C

UR

RE

NT

: ILE

AK [u

A]Fig.8 リーク電流

Ta = 25 Ta = 25

VDD = 5.0V Ta = 25 VDD = 5.0V

Ta = 25 VDD = 5.0V VDD = 5.0V

Ta = 25 VDD = 5.0V Ta = 25



0

1

2

3

4

5

-40 -20 0 20 40 60 80 100


TUR

N O

N T

IME

: Ton

[ms]

Trd

Tr

Ton

0

1

2

3

4

5

6

7

2 3 4 5 6


TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]

Tfd

Tf

Toff

Fig.15 立ち上り時間 Fig.16 立ち下り時間

0

1

2

3

4

5

6

7

-40 -20 0 20 40 60 80 100


TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]

Tfd

Tf

Toff

Fig.17 立ち下り時間

0

100

200

300

400

500

2 3 4 5 6


DIS

CH

AR

GE

RE

SIS

TAN

CE

: R S

WD

C [Ω

]

Fig.18 スイッチ放電抵抗

0

100

200

300

400

500

-40 -20 0 20 40 60 80 100


DIS

CH

AR

GE

RE

SIS

TAN

CE

: R S

WD

C [Ω

]


2.0

2.2

2.4

2.6

2.8

3.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100


UV

LO T

HR

ES

HO

LD :

V UV

LO [V

]

VDD decreasing

VDD increasing

Fig.20 UVLO 検出電圧

0

0.1

0.2

0.3

-40 -20 0 20 40 60 80 100


UV

LO H

YS

TER

ES

IS :

V UVL

OH

YS [V

]

Fig.21 UVLO ヒステリシス電圧

1

10

100

1 10 100 1000 10000

Css [pF]

TUR

N O

N T

IME

: To

n [m

s]

Fig.22 立ち上り時間(対 Css)

1

10

100

1 10 100 1000 10000

Css [pF]

TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]

Fig.23 立ち下り時間(対 Css)

0

2

4

6

8

10

12

14

16

2 3 4 5 6


SS

CTL

VO

LTA

GE

: V S

SC

TL [V

]

Fig.24 SSCTL 出力電圧

0

2

4

6

8

10

12

14

16

-40 -20 0 20 40 60 80 100


SS

CTL

VO

LTA

GE

: V S

SC

TL [V

]


VDD = 5.0V Ta = 25 VDD = 5.0V

Ta = 25 VDD = 5.0V VDD = 5.0V

VDD = 5.0V VDD = 5.0V, Ta = 25, RL = 10Ω VDD = 5.0V, Ta = 25, RL = 10Ω

Ta = 25 VDD = 5.0V



BD6522F

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-40 -20 0 20 40 60 80 100


ON

RE

SIS

TAN

CE

: R

on [m

Ω]

0

10

20

30

40

50

60

70

80

2 3 4 5 6


ON

RE

SIS

TAN

CE

: R

on [m

Ω]

Fig.26 ON 抵抗 Fig.27 ON 抵抗

VDD=5.0V

VDD=3.3V

0

20

40

60

80

100

120

2 3 4 5 6

SUPPLY CURRENT : VDD [V]

OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

D [u

A]


0

20

40

60

80

100

120

-40 -20 0 20 40 60 80 100


OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

D [u

A]


0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

2 3 4 5 6


CTR

L IN

PUT

VOLT

AGE

: VC

TRL [

V]

Low to High

High to Low


0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

-40 -20 0 20 40 60 80 100


CTR

L IN

PU

T V

OLT

AG

E :

V CTR

L [V

]

Low to High

High to Low


0

1

2

3

4

5

2 3 4 5 6

SUPPLY VOLTAGE :VDD [V]

TUR

N O

N T

IME

: To

n [m

s]


0

1

2

3

4

5

-40 -20 0 20 40 60 80 100


TUR

N O

N T

IME

: To

n [m

s]


0

0.1

0.2

0.3

0.4

2 3 4 5 6


CTR

L H

YS

TER

ES

IS :

V CTR

LHY

S [V

]


0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

-40 -20 0 20 40 60 80 100


CTR

L H

YS

TER

ES

IS :

V CTR

LHY

S [V

]


0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

2 3 4 5 6


OP

ER

ATI

NG

CU

RR

EN

T : I D

DS

T [uA

]

Fig.30 静止消費電流

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0 20 40 60 80 100


LEA

K C

UR

RE

NT

: ILE

AK [u

A]

Fig.31 リーク電流

Ta = 25

VDD = 5.0V

Ta = 25

Ta = 25 VDD = 5.0V

Ta = 25 VDD = 5.0V Ta = 25

VDD = 5.0V Ta = 25 VDD = 5.0V



0

1

2

3

4

5

6

7

-40 -20 0 20 40 60 80 100


TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]


0

1

2

3

4

5

6

7

2 3 4 5 6


TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]


0

100

200

300

400

500

2 3 4 5 6


DIS

CH

AR

GE

RE

SIS

TAN

CE

: R S

WD

C [Ω

]


0

100

200

300

400

500

-40 -20 0 20 40 60 80 100


DIS

CH

AR

GE

RE

SIS

TAN

CE

: R S

WD

C [Ω

]


2.0

2.2

2.4

2.6

2.8

3.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100


UV

LO T

HR

ES

HO

LD :

V UV

LO [V

]

VDD decreasing

VDD increasing

0

0.1

0.2

0.3

-40 -20 0 20 40 60 80 100


UVL

O H

YSTE

RES

IS :

V UV

LOH

YS

[V]

Fig.43 UVLO ヒステリシス電圧

1

10

100

1 10 100 1000 10000

Css [pF]

TUR

N O

N T

IME

: To

n [m

s]

Fig.44 立ち上り時間(対 Css)

1

10

100

1 10 100 1000 10000

Css [pF]

TUR

N O

FF T

IME

: To

ff [u

s]

Fig.45 立ち下り時間(対 Css)

0

2

4

6

8

10

12

14

16

2 3 4 5 6


SS

CTL

VO

LTA

GE

: V S

SC

TL [V

]


0

2

4

6

8

10

12

14

16

-40 -20 0 20 40 60 80 100


SS

CTL

VO

LTA

GE

: V S

SC

TL [V

]


Ta = 25 VDD = 5.0V Ta = 25

VDD = 5.0V Ta = 25 VDD = 5.0V

Ta = 25 VDD = 5.0V, Ta = 25, RL = 10Ω VDD = 5.0V, Ta = 25, RL = 10Ω

VDD = 5.0V

Fig.42 UVLO 検出電圧



波形データ特に指定のない限り VDD = 5V, CL = 47µF, RL = 47Ω

VCTRL (5V/div.)

VOUT (5V/div.)

IOUT (0.5A/div.)

Open

470pF

2200pF

Open

1000pF

4700pF

DISC 端子使用

DISC 端子未使用

サーマルシャットダウン

温度低下

ラッチ解除復帰

Fig.48 立ち上り波形(BD6520F) Fig.49 立ち下り波形(BD6520F) Fig.50 立ち上り波形(BD6522F)

Fig.51 立ち下り波形(BD6522F) Fig.52 ラッシュ電流対 Css(BD6520F)

Fig.53 ラッシュ電流対 Css(BD6522F)

Fig.54 放電波形 : CL = 47uF, RL = Open (BD6522F)

Fig.55 サーマルシャットダウン動作

Fig.56 UVLO 動作(VDD 上昇時) Fig.57 UVLO 動作(VDD 下降時)

VCTRL (5V/div.)

VOUT (5V/div.)

IOUT (0.5A/div.)

VCTRL (5V/div.)

VOUT (5V/div.)

IOUT (0.5A/div.)

VCTRL (5V/div.)

VOUT (5V/div.)

IOUT (0.5A/div.)

VCTRL (5V/div.)

IOUT (0.2A/div.)

VCTRL (5V/div.)

IOUT (0.5A/div.)

VCTRL (5V/div.)

VOUT (2V/div.)

VCTRL (5V/div.)

VOUT (2V/div.)

VDD (2V/div.)

VOUT (2V/div.)

VDD (2V/div.)

VOUT (2V/div.)

TIME (1ms/div.) TIME (5ms/div.)

TIME (5ms/div.) TIME (2ms/div.) TIME (2ms/div.)

TIME (20ms/div.) TIME (500ms/div.)

TIME (500ms/div) TIME (500ms/div)

CL=330uF CL=330uF

TIME (1ms/div.)



ブロック図・ピン配置図・端子説明 (BD6520F)

端子番号端子記号端子機能

1,2 VDDA, VDDB 電源端子使用時には各端子を外部で接続してください。

3 SSCTL ソフトスタート制御端子外部に容量を接続することにより、スイッチの On,Off 時間を遅らせることができます。

4 CTRL コントロール入力端子 “H”レベルでスイッチを On、“L”レベルでスイッチを Off します。

5 VSS グランド端子

6,7,8 OUTA, OUTB, OUTC スイッチ出力端子使用時には各端子を外部で接続してください。

1

Charge

Pump

Oscillator

5

Band

Gap

Thermal

Shutdown S Q

FF

R

3

4

7 2

8

VSS

＋

UVLO

－

VDDB

CTRL

SSCTL

VDDA

Fig.58 ブロック図(BD6520F)

OUTA

6

OUTB

OUTC

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

OUTC

VSS

1

2

3

4 5

6

7

8



(BD6522F)

端子番号端子記号端子機能

1,2 VDDA, VDDB 電源端子使用時には各端子を外部で接続してください。

3 SSCTL ソフトスタート制御端子外部に容量を接続することにより、スイッチの On,Off 時間を遅らせることができます。

4 CTRL コントロール入力端子 “H”レベルでスイッチを On、“L”レベルでスイッチを Off します。

5 VSS グランド端子

6 DISC ディスチャージ端子

7,8 OUTA, OUTB スイッチ出力端子(逆流防止) 使用時には各端子を外部で接続してください。

Fig.59 ブロック図(BD6522F)

1

Charge

Pump

Oscillator

5

Band

Gap

Thermal

Shutdown S Q

FF

R

3

4

7 2

8

VSS

＋

UVLO

－

VDDB

CTRL

SSCTL

VDDA

6

DISC

OUTB

OUTA

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

DISC

VSS

1

2

3

4 5

6

7

8



端子等価回路

端子名端子番号等価回路 BD6520F

等価回路 BD6522F

SSCTL 3

CTRL 4

DISC 6 (BD6522F)

OUT 6 (BD6520F), 7, 8

Fig.60 端子等価回路

CTRL

SSCTL

OUT

CTRL

CTRL

DISC

OUT



動作説明 1. スイッチ動作

VDD 端子、OUT 端子はそれぞれスイッチ用 MOSFET のドレイン、ソースに接続されています。また、VDD 端子は内部制御回路への電源入力としても使用されます。 CTRL 制御入力よりスイッチをオンにすると VDD 端子と OUT 端子の間が 50mΩのスイッチで接続されます。オン状態ではスイッチは双方向性を示します。したがって VDD 端子より OUT 端子の電位が高い場合、OUT 端子から VDD 端子へ電流が流れます。 BD6520F ではスイッチ用 MOSFET のドレインとソース間に寄生のダイオードがあります。そのためスイッチがオフの状態でも VDD 端子より OUT 端子の電位が高い場合には OUT 端子から VDD 端子へ電流が流れます。BD6522F はこの寄生ダイオードがないため OUT 端子から VDD 端子への電流の逆流を防ぐことができます。

2. サーマルシャットダウンサーマルシャットダウン回路はチップ内部のジャンクション温度が規定の値を超えるとスイッチのオフを行います。サーマルシャットダウンのスイッチオフ状態はラッチされます。したがってジャンクション温度が低下してもスイッチのオフを保ちます。ラッチを解除するためには CTRL 端子にスイッチオフとなる信号を入力するか UVLO 状態にすることが必要です。次にスイッチオン信号が入力されるか UVLO が解除されたときスイッチの出力が復帰します。サーマルシャットダウン回路は CTRL 信号がアクティブの時に動作します。

3. 低電圧誤動作防止回路(UVLO) UVLO 回路は CTRL 入力が High 状態にあるときに VDD 端子の電圧を監視します。UVLO 回路の働きにより、VDD の電圧が 2.5V 以上になるまではスイッチはオンになりません。また、VDD の電圧が 2.3V 以下になるとスイッチのオフを行います。

4. ソフトスタートコントロール

BD6520F/ BD6522F ではスイッチオン時の突入電流を緩和するためにソフトスタートを行っています。さらに突入電流を低減するためにソフトスタートコントロール端子(SSCTL 端子)を用意しています。 SSCTL 端子と GND 間に容量を接続することでスイッチの立ち上り時間をより緩やかにすることが可能です。スイッチがイネーブルの時、SSCTL 端子は約 13.5V の電圧を出力しています。 SSCTL 端子はハイインピーダンスが必要なため、リーク電流の発生がないよう実装時に注意してください。また SSCTL端子に外部より電圧印加を行いますと正常にスイッチのオン、オフが行えなくなります。

5. 放電回路放電回路はスイッチがオフの時に動作します。放電回路が動作すると約 350Ωの抵抗が OUT 端子と GND 間に接続され、OUT 端子にある容量性の負荷をすばやく放電することができます。 BD6522Fでは放電回路の入力がDISC端子として別途用意されています。放電回路を利用される場合はOUT端子とDISC端子を外部で接続してください。



タイミングダイヤグラム

Fig.61 通常動作

Fig.62 UVLO 動作

Fig.63 サーマルシャットダウン動作

Release

VDD

VCTRL

VOUT

放電回路 ON OFF ON

VDD

VCTRL

VOUT

ON OFF

VUVLOL VUVLOH

過温度検出温度低下過温度検出温度低下

VDD

VCTRL

VOUT

Latch

放電回路

Set Set Release Release Release

OFF OFF OFF ON

放電回路



0

100

200

300

400

500

600

0 25 50 75 100 125 150

AMBIENT TEMPERATURE: Ta []

PO

WE

R D

ISS

IPA

TIO

N: P

d[m

W]

応用回路例

Fig.64 電源スイッチ回路(BD6520F) Fig.65 電源スイッチ回路(BD6522F)

Fig.66 2 電源の切り換えスイッチ回路(BD6522F) 熱軽減特性

(SOP8)

Fig. 67 パッケージ熱軽減特性

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

OUTC

VSS

Load

BD6520F

Css

On/Off

Power Supply

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

DISC

VSS

BD6522F Power Supply

Load

Css

On/Off

Power Supply A BD6522F

Css

On/Off

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

DISC

VSS

LoadPower Supply B

BD6522F

Css

On/Off

VDDA

VDDB

SSCTL

CTRL

OUTA

OUTB

DISC

VSS

1uF 1uF



使用上の注意 (1)絶対最大定格について印加電圧(VDD,VIN)、及び動作温度範囲(Topr)などの絶対最大定格を越えた場合、破壊する恐れがあり、ショートもしくはオープンなどの破壊モードが特定できませんので、絶対最大定格を越えるような特殊モードが想定される場合には、ヒューズなどの物理的な安全対策を施すよう検討お願いします。

(2)推奨動作範囲についてこの範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることができる範囲です。電気特性については各項目の条件下において保証されるものです。推奨動作範囲内であっても電圧、温度特性を示します。

(3)電源コネクタの逆接続について

電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れる等の対策を施してください。

(4)電源ラインについて基板パターンの設計においては、電源/GND ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジタル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してください。GND ラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。また、LSI のすべての電源端子について電源－GND 端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ使用の際は、低温で容量ぬけが起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

(5)GND 電圧について

GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を含め GND以下の電位になっている端子がないかご確認ください。

(6)端子間ショートと誤装着についてセット基板に取り付ける際、LSI の向きや位置ずれに十分ご注意ください。誤って取り付けた場合、LSI が破壊する恐れがあります。また、端子間や端子と電源、GND 間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

(7)強電磁界中の動作について強電磁界中でのご使用は、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。

(8)セット基板での検査についてセット基板での検査時に、インピーダンスの低い LSI 端子にコンデンサを接続する場合は、LSI にストレスがかかる恐れがあるので、工程毎に必ず放電を行ってください。また、検査工程での治具への着脱時には、必ず電源をオフにしてから接続し、検査を行い、電源をオフにしてから取り外してください。さらに、静電気対策として、組み立て工程には、アースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。

(9)各入力端子について

LSI の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的に形成されます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因となり得ます。したがって、入力端子に GND より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分注意してください。また、LSI に電源電圧を印加していない時、入力端子に電圧を印加しないでください。さらに、電源電圧を印加している場合にも、各入力端子は電源電圧以下の電圧もしくは電気的特性の保証値内としてください。

(10)アース配線パターンについて

小信号 GND と大電流 GND がある場合、大電流 GND パターンと小信号 GND パターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で 1 点アースすることを推奨します。外付け部品の GND の配線パターンも変動しないように注意してください。

(11)外付けコンデンサについて

外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、および温度などによる容量の変化を考慮の上定数を決定してください。

(12)サーマルシャットダウン回路(TSD)について

ジャンクション温度が 135(typ)以上になるとサーマルシャットダウン回路が動作し LSI の一部または全部を OFF します。サーマルシャットダウン回路はあくまでも熱的暴走から LSI を遮断することを目的とした回路であり、LSI の保護、および保証を目的とはしておりません。よって、この回路を動作させての連続使用、および動作を前提とした使用はしないでください。

(13)熱設計について

実際の使用状態での許容損失(Pd)を考えて十分なマージンを持った熱設計を行ってください。



発注形名セレクション

B D 6 5 2 0 F - E 2

ローム形名品番 6520 6522

パッケージF: SOP8

包装、フォーミング仕様 E2: リール状エンボステーピング (SOP8)

(Unit : mm)

SOP8

0.9±

0.15

0.3M

IN

4°+6°−4°

0.17 +0.1-0.05

0.595

6

43

8

2

5

1

7

5.0±0.2

6.2±

0.3

4.4±

0.2

(MAX 5.35 include BURR)

1.27

0.11

0.42±0.1

1.5±

0.1

S

0.1 S

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ご注意

本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。ローム製品が故障した際、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。

ローム製品のご検討ありがとうございます。より詳しい資料やカタログなどご用意しておりますので、お問合せください。

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R1120A

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