Группа ЭОО

М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.Terms, definitions and letter symbols

MKC 01.040.31 31.080.10

ОКСТУ 6201

ГОСТ25529-82

Взамен ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75

Постановлением Государственного комитета СССР но стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 дата введения установлена

01.01.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документа­ции на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-сино­нимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп*.

Установленные определения можно. при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значе­нии термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизо­ванных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 2 приложения. I !риложение 1 содержит термины и определения общих поня­тии полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит водьт-амперные характеристики, диаграм­мы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы — кур­сивом.

(Измененная редакция. Изм. № 1).

Издание официальное *

Перепечатка воспрещена

9—25ft

Издание с Изменением Л$> /. утвержденный в октябре 1986 г. (ИУС 1—87).

93

болеро купить

С. 2 ГОСТ 25529-82

Т ерм инБуквенное о бозн ачен и е

О п редел ен и ерусское м еж дународное

О БЩ И Е ПОНЯТИЯ

I. Постоянное прямое* на­пряжение диодаD. Durchlassgleichspan-

nung der DiodeE. Forward continuous

voltageF. Tension dircctc

continue

" я р и . Постоянное значение прямою на­пряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

2 Импульсное прямое на­пряжение .диодаD. Spitzcndurchlassspan-

nung der DiodeE. Peak forward voltageF. Tension dircctc dc cretc

^FM Наибольшее мгновенное значение прямого напряж ения, обусловленное импульсным прямым током диода за­данного значения

3. Постоянное обратное на­пряжение .диодаD. Sperrglcichspan-

nung der DiodeE. Reverse continuous

voltageF. Tension inverse

continue

" к

4. Импульсное обратное на­пряжение .диодаD. Spitzcnspcrrspan- nung der DiodeE. Peak reverse voltageF. Tension inverse dc ercte

« л и Наибольшее мгновенное значение обратного напряжении диода

5. Среднее прямое напряже­ние диодаD. Mittlcrc Durchlassspan-

nung der DiodeE. Average forward voltageF. Tension dircctc moycn-

ne

^пр.ер «Р (AV) Среднее за период значение прямо­го напряж ения диода при заданном Среднем прямом токе

6 l Пробивное напряженке.диодаD. Durchbruchspannung

der DiodeE. Breakdown voltageF. Tension dc claquagc

" п р й ^(BR) Значение обратного напряж ения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

7. Постоянный прямой ток.диодаD. Durchlassglcichstrom

der DiodeE. Forward continuous

currentF. Courant direct continu

'пр А

* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод* или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».

94

ГОСТ 25529-82 С. 3

Термин Буквенное обозначение Определениерусское международное

& Импульсный прямой ГОК диодаD. Spitzendurchlassstrom

dcr DiodeE. Peak forward currentF. Courant direct de erSte

*np. и 4 м Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повто­ряющиеся и неповгориюшисся переход­ные ГОКИ

9. Средний прямой ток диодаD. Mittlercr Durchlass-

strom dcr DiodeE. Average forward currentF. Courant durcct moycn

4p.«* 4 <AV) Среднее за период значение прямо­го тока диода

10. Постоянный обратный ток диодаD. Spcrrglcichstrom dcr

Diode0. Reverse continuous

currentF. Courant inverse

continu

Ayip и

11. Импульсный обратный ток диодаD. Spitzensperrstrora dcr

DiodeE. Peak reverse currentF. Courant inverse dc crete

W и 4 м Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

12. Прямая рассеиваемаямошноегь днодаD. Durchlassvcrtustlci-

stung der DiodeE. Forward power dissi­

pationF. Dissipation de puis­

sance cn direct

P"P Ру Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

13. Обратная рассеиваемая мощность диодаE. Reverse power

dissipationF. Dissipation dc puis­

sance cn inverse

Л)0р Pr Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

14. Средняя рассеиваемая мощность диодаD. Mittlcrc Vcrlustlcistung

dcr DiodeE. Average power dissi­

pation

'cp Р Среднее за период значение мощно­сти. рассеиваемой диодом при проте­кании прямого и обратного токов

15. Импульсная рассеиваемая мощность диодаD. Spitzcnverlustlcistung

dcr DiodeL Peak power dissipation

p . РМ Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

16. Общая емкость диодаD. Gcsam tkapa/itat dcr

DiodeE. Terminal capacitanceF. Capasite aux homes

Ca Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

V 95

С. 4 ГОСТ 25529-82

Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е

О пределениерусское м еж дународное

17. Емкость перехода диодаD. Spcmchichtkapazitiit

dcr DiodeЕ Junction capacitance F. Capacity dc jonction

с'-пер с, Общая емкость диода бел емкости корпуса.

П р и м с ч а н и е. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускает­ся использовать термин «емкость струк­туры» и буквенное обозначение «Сс1р»

IS. Емкость корпуса диодаD. Gchuusekapa/iiit der

DiodeE Case capacitance

^Чор Значение емкости между вы ш лам и корпуса диода при отсутствии кристал­ла

19. Дифференциальное со­противление дио.таD. Diflcrentiellcr Widcr-

stand dcr Diode E Diftercntial resistance F. Resistance dilTeirnticllc

Гдиф г Отношение малого прирашения на­пряжения диода к малому прирашению тока в нем при заданном режиме

20. Последовательное сопро­тивление потерь диодаD. Serienwiderstand dcr

DiodeE Total series equivalent

resistanceF. Resistance sine totale

equivalent

гп Л Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21. Тепловое сопротивление диодаD. WSrmcwiderstand E Thermal resistance F. Resistance thermique

я» К Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся ре­жиме

22. Импульсное тепловое со­противление диода

^ и Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощ­ности диода

23. Тепловое сопротивление переход — окружающая среда дно да

^Воер-окр Тепловое сопротиатснис диода в слу­чае, когда температурой в контрольной точке является температура окружаю­щей или охлаждающей среды

24. Тепловое сопротивление переход — корпус диодаЕ Thermal resistance

junction to ease

^ В и р -ю р ^ h )t Тепловое сопротиатснис диода в слу­чае. когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

П р и м е ч а н и е . Если полупровод­никовый кристалл имеет многослой­ную структуру, может быть использо­ван термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда» или термин «тепловое сопротиатснис струк­тура — корпус»

25. Тепловая емкость диодаЕ Thermal capacitance

се Отношение тепловой энергии, на­копленной в диоде, к разности эффек­тивной температуры перехода и темпе­ратуры в контрольной точке

96

ГОСТ 25529-82 С. 5

Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е

О п ред ел ен и ерусское м еж дународное

26. Переходное тепловое со­противление л иолаЕ. Transient thermal

impedance

Отношение разности изменения тем- пературы перехода и температуры в кон- трольиой точке в конце заданного ин­тервала времени, вызывающего изме­нение температуры, к скачкообразно­му изменению рассеиваемой мощное - ти диода в начале этого интервала.

П р и м е ч а н и е . Непосредственно перед началом этого интервала време­ни распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во вре- мензг

27. Переходное тепловое со­противление переход — окружающая среда диодаЕ. Transient thermal im ­

pedance junction to ambient

^©лер-окр Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является темпера­тура окружающей или охлаждающей среды

28. Переходное тепловое со­противление переход — корпус диодаЕ. Transient thermal im ­

pedance junction to case

^)пср-кор ■^rhi)c Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является темпера­тура корпуса диода

29. Индуктивность диодаD. Induktvitat dcr DiodeE. Total scries equivalent

inductanceF. Inductance seric totalc

equivalent

Ln k П оследовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных ус­ловиях

30. Эффективное время жизни Т*ФФ 'и Величина, характеризующая ско-неравновесных носителей заряда диодаЕ. Effective excess minority

lifetime

рость убывания концентрации неравно­весных носителей заряда диода вслед­ствие рекозгбинации как в объеме, так гг на поверхности полупроводника

31. Накопленный заряд диодаE. Stored chargeF. Charge stockcc

<?, Заряд электронов или дырок в базе диода или /-области p-i-n структуры, накопленный при ггротсканшг прямого тока

32. Заряд восстановления ди­одаНдп. Заряд переключенияD. SpciTcrholladung dcr

DiodeE. Recovered chargeF. Charge rccouvrec

G.OC a Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на за­данное обратное напряжение.

П р и м с ч а н и я:1. Заряд восстановления включает

накопленный заряд зг заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

33. Время обратного восста­новления диодаНдп. Время восстановления

обратного сопротив­ления

D. Spcrrcrholungszeit dcr Diode

E. Reverse recovery timeF. Temps dc recouvremcni

inverse

*вое, обр 4r Время переключения диода с задан­ного прямого тока на заданное обрат­ное напряжение от момента прохожде­ния тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток. умень­шаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

97

С. 6 ГОСТ 25529-82

Т ерм и нБуквенное обозн ачение

О пределениерусское м еж дународное

34. Время прямого восстанов­ления диодаНдн. Время васапановяения

прямого сопротивле­ния

D. Durchlasserholungszeit dcr Diode

E. Forward recovery timeF. Temps dc recouvremcnt

direct

■ос. ар 4 Время, в течение которого проис­ходит включение диода и прямое напря­жение на нем устанавливается от зна­чения. равного нулю, до заданного ус­тановившегося значения

В Ы П РЯ М И ТЕЛЬН Ы Е ДИОДЫ

35. Рабочее импульсное об­ратное напряжение выпря­мительного диода0. Working peak reverse

voltage

'оОр.И-р "*WM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительно­го диода без учета повторяющихся и неповторяющнхея переходных напря­жений

36. Повторяющееся импуль­сное обратное напряжение выпрямительного диодаD. Pcriodische Spitzen-

sperrspannung dcr Dio­de

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse dc pointe repetitive

оОр. И. П ^RKM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительно­го диода, включая повторяющиеся пе­реходные напряж ения, но исключая неповгоряющиеся переходные напря­жения.

П р и м е ч а н и е . Повторяющееся напряжение обычно определяется схе­мой и параметрами диода

37. Псповторяющссся им­пульсное обратное на­пряжение вынрнмкгелыи)- го диодаD. Nichlpcriodische Spit-

zensperrspannung dcr Diode

E. Non-repelitivc (surge) reverse voltage

F. Tension inverse dc pointe non-repetitive

оСр. и. но ^RSM Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обрат­ного напряжения выпрямительного ди­ода.

П р и м е ч а н и е . Неповторяющее- ся переходное напряжение обусловли­вается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исче­зает полностью до появления следую­щего переходного напряжении

38. Пороговое напряжение выпрямительного диодаD. Schlcuscnspannung dcr

DiodeE. Tltreshold voltageF. Tension dc scuil

« и » Значение постоянного прямого на­пряж ения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой ли н и и , аппроксимирую щ ей волы-амиерную характеристику в об­ласти больших токов

39. Повторяющийся импуль­сный прямой ток выпря­мительного диодаD. Pcriodischcr Spitzen-

durchlassstrom der Dio­de

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct dc poin­te riptHitif

Ар II. II A r m Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяюшпе- ся переходные токи

98

ГОСТ 25529-82 С. 7

Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е Определение

русское международное

40. Ударным прямой ток вып­рямительного диода

A p .ja As mТок. при протекании которою пре­

вы ш ается м аксим ально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы вып­рямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необы чными условиями работы схемы

41. Действующий прямой ток выпрямительного диодаL RMS forward current

Aip.a A(RMSI Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42. Ток перегрузки выпрями­тельного диодаE. Overload forward cur­

rentF. Courant direct dc sur­

charge p Divisible

'n p i Aov» Значение прямого тока выпрями­тельного диода. длительное протекание которою вызвало бы превышение мак­симально допустимой температуры пе­рехода. но который так ограничен во времени, что эта температура не пре­вышается.

П р и м с ч а н и с. За время эксплу­атации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

43. Защитный показатель Srdt \rd t Значение интеграла от квадрата удар-выпрямительного диода \ / *’dt \ r - d i ного прямого тока выпрямительного

диода44. Повторяющийся импуль­

сный обратный ток вып­рямительною диодаE. Repetitive peak reverse

currentF. Courant inverse de

pointe repilitif

Лвр. И. n AlRM Значение обратною тока выпрями­тельною диода, обусловленного повто­ряющимся импульсным обратным на­пряжением

45. Средний обратный ток выпрямительного диодаD. Mittlercr Sperrstrom

dcr DiodeE. Average reverse currentF. Courant inverse moycn

W « p Al(AV) Среднее за период значение обрат­ною тока выпрямительного диода

46. Средний выпрямленныйток диодаD. Mittlercr Richtstrom

dcr DiodeE . Average output rectified

currentF. Courant moycn dc sortie

redress^

Ли. cp 10 Среднее за период значение прямо­го и обратною токов выпрями тельного диода

47. Средняя прямая рассеива­емая мощность выпрями­тельного диодаЕ. Average forward power

dissipation

pn p . c p

pr FfAVl Произведение мгновенных значений

прямого тока и прям ою напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48. Средняя обратная рассе­иваемая мощность вып­рямительного диодаЕ. Average reverse power

dissipation

POfp Cp Л«АУ> Произведение мгновенных значений

обратного тока и обратного напряже­ния выпрямительного диода, усреднен­ное по всему периоду

99

С. 8 ГОСТ 25529-82

Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е

О пределениерусское м еж дународное

49. Ударная обратная рассе­иваемая мощность лавин­ного выпрямительного ди­одаЕ. Surge (non-repetitive)

reverse power dissipa­tion

pCrfip. И . Н П Л и м Значение мощности, рассеиваемой

выпрямительным диодом, при воздей­ствии одиночных импульсов тока в ре­жиме пробоя

50. Повторяющаяся импуль­сная обратная рассеивае­мая мощность выпрями­тельной» диодаЕ. Repetitive peak reverse

power dissipation

pобр.и, a

pккм Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздей­ствии периодических импульсов

51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстанов­ленииE. Total instantaneous

turn-off dissipationF. Dissipation totale

instantaneea la coupure du courant

Лос.оep Л * М гновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямо­го тока на заданное обратное напряже­ние

52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительно­го диода при обратном восстановленииЕ Peak tum-otTdissipation F Dissipation dc pointc a

la coupure du courant

P' UX oflp, II ПМ)М Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямитель­ным диодом при переключении с задан­ного прямого тока на заданное обрат­ное напряжение

53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямитель­ного диода при обратном восстановленииЕ. Average turn-otT dis­

sipationF Dissipation moycne a la

coupure du courant

pво е . о б р . e p

Р1 КО (AV) Среднее за период значение мощно­сти выпрямительного диода при обрат­ном восстановлении

54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановле­нииE. Total instantaneous

tum -on dissipationF. Dissipation totale in-

stantance a F&tablis- sement du courant

p* ёос. up Л-1 М гновенное значение мощ ности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обрат­ного напряжения на заданный прямой ток

55. Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстаноелс- нинE. Peak turn-on dissipationF. Dissipation de pointc a

r^tablisscmcnt du cou­rant

p* noc. np. и Л тм Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямитель­ным диодом при переключении с задан­ного обратного напряжения на задан­ный прямой ток

100

ГОСТ 25529-82 С. 9

Термин Буквенное обозначениеО пределение

русское м еж дународное

56. Средняя рассеиваемая мощность выпрямитель­ного диода при прямом восстановленииЕ Average turn-on dissi­

pationF. Dissipation moyenne a

I'etabiisscmcnt du cou- rant

p‘ uot. np.cp ‘ F I (AV) Среднее за период значение мощно­сти выпрямительного диода при прямом ВОССПШОВЛСН1Ш

57. Энергия прямых потерь K , К Значение энергии потерь выпрями-выпрямительного диодаЕ Forward energy loss

f np тельного диода, обусловленной прямым током

58. Энергия обратных потерь Значение Энергии потерь выпрями-выпрямительного диодаЕ Reverse energy loss

F тельного диода, обусловленной обрат­ным током

59. Общая анергия потерь к К * Сумма средних значений энергийвыпрямительного диодаЕ Total energy loss

4 » прямых и обратных потерь выпрями­тельного диода

60. Энергия потерь при обрат- И'-с.оОр К Значение энергии потерь выпрями-ном воссгановлсннн дио­даЕ Reverse recovery ener­

gy loss

i«x.oCp тельного диода при переключении с за­данного прямого тока на заданное об­ратное напряжение

61. Динамическое сопротив­ление выпрямительного диодаD. Dynamise her

Widerstand dcr Diode E Slope resistance F. Resistance apparente

dircctc

Гаи и гт Сопротивление, определяемое на­клоном прям ой, аппроксимирующей прямую вольт-амиерную характеристи­ку выпрямительного диода

62. Заряд запаздывания вып­рямительного диода

0 » Ос Заряд, вытекающ ий из вы прями­тельного диода за время запаздывания обратного напряжения

63. Заряд спада выпрямитель­ного диода

0 , Заряд, вытекающий из вы прями­тельного диода за время спада обрат­ного тока

64. Время запаздывания обрат­ного напряжения выпря­мительного дио,та

К Интервал времени между момен­том, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от пря­мого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65. Время спада обратного тока выпрямительного диода

*cn

ТУННЕ

4

ЛЫ 1ЫК д и о д ы

Интервал времени между момен­том, когда ток. изменив направление от прямого на обратное и пройдя нуле­вое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания вре­мени обратного воссганоатения выпря­мительного диода

66. Пиковый ток туннельно­го диодаD. Hockcrstrom dcr Tun-

ncldiodcE Peak point current F. Courant de pic

>n 'у Значение прямого тока в точке максимума вольт-амиерной характери­стики туннельного диода, при кагором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

10- 256 101

С. 10 ГОСТ 25529-82

Т ерм и нБуквенное обозначение

О пределениерусское м еж дународное

67. Ток впадины туннельного диодаD. Talstrom der Tunnel-

diodeE. Valley point currentF. Courant de vallec

A A Значение прямого тока в точке ми­нимума вольт-амперной характеристи­ки туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

6S. Отношение токов тун­нельного диодаD. Hficker-Talstrom-Ver-

hdlthis der TunncldiodcE. Peak to valley point

current ratioF. Rapport de denivcl-

lation du courant

U K А/А Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

69. 1 laiipjuKctmc инка туннель­ного диодаD. Htfckcrspannung dcr

TunncldiodcE. Peak point voltageF. Tension de pic

К up Значение прямого напряжения, со­ответствующее пиковому току туннель­ного диода

70. Напряжение впадины туннельного диодаD. Talspannung dcr Tun-

ncldiodeE. Valley point voltageF. Tension de vallcc

«А 4 Значение прямого напряжения, со­ответствующее току впадины туннель­ного диода

71. Напряжение раствора туннельною диодаD. Projezierte Hftckcr-

spannugE. Projected peak point

voltageF. Tension isohypse

6‘pp Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амнер- иой характеристики туннельного дио­да, при котором ток ранен пиковому

72. Отрицательная проводи­мость туннельного диодаD. Ncgativcr Lcitwcrt dcr

TunncldiodcE. Negative conductance of

the intrinsic diodeF. Conductance negative

de la diode i n t r i n s i c

licp Щ Д ифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

73. Предельная решетивная частота туннельного дио­даD. Entd&mpfungs-Grenz-

frequenz dcr Tunnel- diode

E. Resistive cut-off fre­quency

F. Frequence de coupurc resistive

Л / , Значение частоты, на которой ак­тивная составляющая полного сопро­тивления туннельного диода на его вы­водах обращается в нуль

74. Шумовая постоянная туннельною диодаD. Rauschlaktor dcr

TunncldiodcE. Noise factorF. Facteur de bruit

Величина, определяемая соотноше­нием:

= 201g-^_ .

где /р — ток в рабочей точке туннель­ного диода,

gnjр — отрицательная проводимость туннельного диода

102

ГОСТ 25529-82 С. 11

Т ерм инБуквенное обозначение

О пределениерусское международное

75. Энергия импульсов тун­нельного диола

к

и

W

АРИКАПЫ

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

76. Добротность варикапаD. Giitcl'aktor tier Kapazi-

tatsdiodcE. Quality factor

0 . <?е« Отношение реактивною сопротив­ления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или образного напря­жения

77. Температурный коэффи­циент емкости варикапаD. Tcmpcraturkocffizicnt

dcr Kapazitat dcr Ka- pazitiitsdiode

E. Temperature coefficient o f capacitance

« с . Отношение относительного измене­ния емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружаюшей среды

78. Предельная частота вари­капаD. Giitcfrequcnz dcr Ka-

pazitStsdiodeE. Cut-oft' frequencyF. Frequence dc coupure

/|ред в / со Значение частоты, на которой ре­активная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

79. Гемпературный коэффи­циент доброгносги вари­капаD. Tcmpcraturkocffizicnt

dcs Gulcfdktors dcr Ka- pazitiitsdiode

E. Temperature coeffi­cient o f quality factor

“ г . “ УсПОтношение относительного измене­

ния добротности варикапа к вызвавше­му его абсолютному изменению темпе­ратуры окружающей среды

SfJ. Коэффициент перекрытая no емкости варикапа

СТА

К

БИ ЛИ ТРО Н Ы

Отношение общих емкостей варика­па при двух заданных значениях обрат­ного напряжения

SI. Напряжение стабнлиэа- цнн стабилитронаD. Z-Spannung dcr

Z-DiodeE. Working voltage (of

voltage regulator diode)F. Tens on dc regulation

V, Значение напряжения стабилитро­на при протекании тока стабилизации

82. Ток етабили raiwH стаби­литронаD. Z-Strom dcr Z-DiodeE. Continuous current

within the working voltage range

F. Courant continu in­verse pour la gamme dcs tensions dc re­gulation

ь /д Значение постоянного тока, проте­кающего через стабилитрон в режиме стабилизации

S3. Импульсный ток стаби­лизации етабилитрона

иг

4l. И (гм

103

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

С. 12 ГОСТ 25529-82

Термин Буквенное обозначение Определениерусское международное

S4. Дифференциальное со­противление стабилитронD. Z-W idcrstand der

Z-DiodeE. Differential resistance

within the working vol­tage range

F. Resistance differen- tiellc dans la zone des tensions dc regulation

Гст Дифференциальное сопротивление мри заданном значении тока стабили­зации стабилитрона

85. Температурный ко >ффи- ««_ «(/, Отношение относительного измене-циент напряжения ста­билизации стабилитронаD. Tcmpcraturkoeffizient

der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature cocflicicnt o f working voltage

F. Coefficient dc tempe­rature de la tension dc

regulation

сх Z иия напряжения стабилизации стаби­литрона к абсолю тному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилиза­ции

S6. Время включения стаби­литронаD. Einschaltzeit der

Z-DiodeE. Turn-on time

V I *оп Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

S7. Временная нестабиль­ность напряжения ста­билизации стабилитронаD. Zeitliche Instabilitat

der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long­term instability

F. Instability a long terme dc la tension dc regu­lation

ч . *0* Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитро­на к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал вре­мени

88. Время выхо.та стабнлитро- на на режимD. Stabilisicrungszcit der

Z-DiodcE. Transient time o f wor­

king voltage

'■U* Интервал времени от момента по­дачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напря­жение стабилизации нс выходит за пре­делы области, ограниченной 28„

X9. Несимметричность напря­жения стабилизации стаби­литрона

Нс, Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному зна­чению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

89а. Температурный уход на­пряжения стабилизации стабилитрона

лив Максимальное абсолютное измене­ние напряжения стабилизации стабилит­рона от изменения температуры в ус­тановленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

896. Нелинейность темпера­турной зависимости напря­жения стабили зации стаби­литрона

Рь Отношение наибольшего отклоне­ния напряжения стабилизации стаби­литрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к про­изведению абсолютного изменения на­пряжения стабили зации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилиза­ции

104

ГОСТ 25529-82 С. 13

Т ерм инБуквенное обозначение

О пределениерусское м еж дународное

89в. Раш ах низкочастотных шумов стабилизации ста­билитрона

Цвет Чы Разница наибольшего и наименьше­го напряжения стабилизации стабилит­рона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90. Спектральная плотность шума стабилитрона

■11 п* Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, из­меренное при заданном токе стабили­зации стабилитрона в оговоренном ди­апазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫ E ДИОДЫ

91. Выпрямительный ток СВЧ диода

L Ат П остоян ная составляю щ ая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92. Постоянный рабочий ток Л П Д

A>ЛПД Ат Значение постоянного тока лавин- но-иролетн ого диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93. Импульсный рабочий ток ЛПД

А>.р.Л1Д *WM Мгновенное значение тока лавинно- нролстного диода, при котором обес­печивается заданная импульсная выход­ная СВЧ мощность

94. Постоянный пусковой ток ЛПД

мтуск Avmin Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95. И м п у л ьс н ы й пу ско во й ток ЛПД

At. пуск AvMmui Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возни кает генерация СВЧ мощности

96. Пороговый ток диода Ган­на

Аюр А ГО) max Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт­ам мерной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97. Постоянный рабочий ток диода Ганна

К Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напря­жении

98. Импульсный рабочий ток диода Ганна

At. р i A m Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напря­жении

99. Постоянное пороговое напряжение .диода Ганна

^пор 1 Ч г О ) Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току ди­ода Ганна

100. Постоянное рабочее на­пряжение диода Ганна VP и * Значение постоянного напряжения

диода Ганна, при котором обеспечива­ется заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101. Импульсное рабочее на­пряжение диода Ганна

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102. Непрерывная рассеивае­мая мощность СВЧ диода

E. R. F. с. w. power dissi­pation

F. Dissipation dc puis­sance dans lc cas d'une ondc R. F. entretenue

Л) Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непре­рывном режиме работы

105

С. 14 ГОСТ 25529-82

Т ерм инБуквенное обо«ничейне

О пределениерусское м еж дународное

103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диодаЕ Pulse г. f. power dissi-

pfUL II Л ) Гм Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импуль­сном режиме работы

pa I ionF. Dissipation de puissan­

ce dans la cas de train d'ondcs R. F.

104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диодаЕ. Average г. f. power

pР*ч> ^AD Сумма средних значений рассеивае­мых СВЧ диодом мощностей от всехИСТОЧНИКОВ

F. Puissance К. F. moyen-nc

105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

P1 шик Л * Значение непрерывной СВЧ мощ­ности, отдаваемой диодом в согласо­ванную нагрузку в заданном режиме

106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода

p* ших. M * oulM Значение импульсной СВЧ мощно­сти. отдаваемой диодом в согласован­ную нагрузку в заданном режиме

107. Мощность ограничения СВЧ диодаЕ Clipping power

^orp Л . Уровень СВЧ мощности, подводи­мой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии пере­дачи. при которой выходная мощность достигает заданного значения

108. Тангенциальная чувстви­тельность СВЧ диодаЕ Tangential sensitivity

TSS Значение импульсной мощ ности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство — видеоусилитель* наблюдается совпаде­ние верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сиш ала с нижней гра­ницей полосы шумов мри его наличии

109. Граничная мощность детекторного диода

Ляс Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детек­торного диода от мощности сигнала отклоняется o r линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

ПО. Минимально ратличн- мая мощность сигнала детекторного диода

pл min N D S Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сиг­нал — шум равно единице

111. Время тепловой ре­лаксации СВЧ диода

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура пе­рехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

112. Энергия одиночного им- И.ОД К Значение анергии одного воздсйсгву-пульса СВЧ диодаЕ Single pulse energy F. Encrgic d 'unc im­

pulsion

Ци.аа К ющего на СВЧ диод короткого импуль­са.

П р и м е ч а й )1 с. Под коротким импульсом понимается импульс дли­тельностью нс более 10-8 с

ИЗ. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диодаЕ Repetitive pulse energy

К . иК .Ш

£**р|гср) Значение энергии серии воздейству­

ющих на СВЧ диод повторяющихся ко­ротких импульсов

F. Encrgic d 'unc impul­sion repetitive

106

ГОСТ 25529-82 С. 15

Т ерм инБуквенное обозначение

О пределениерусское м еж дународное

114. 'Энергия выгорания СВЧ К ш «"м Мшшмалыюс значение энергии оди-диода *м ночного короткого импульса СВЧ дно-Е. Bum-out energy Ет м да. после воздействия которою элскт-F. Encrgic dc claquage рические параметры СВЧ диода изме­

няются на заданные значения115. '.Энергия СВЧ импульсов

СВЧ диодаИ'еВЧи ^HFP Значение энергии воздействующих

на СВЧ диод СВЧ импульсов длитель­ностью менее 3-10"9 с

116. Полное входное сопро­тивление СВЧ диода

2 * З п Полное сопротивление, и змеренное на входе диодной камеры с СВЧ дио­дом в заданном режиме

117. Прямое сопротивление потерь переключательно­го диода

гпр Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, вклю­ченного в линию передачи, при задан­ном постоянном прямом токе

118. Обратное сопротивление потерь переключательно­го диода

го0р «к Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, вклю­ченного в линию передачи, при задан­ном постоянном обратном напряжении

119. Сопротивление ограничи­тельного диода при низ­ком значении СВЧ мощ­ности

Ги т я. Сопротивление потерь ограничи­тельного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на началь­ном участке ограничительной характе­ристики, при которых сопротивление диода нс изменяется

120. Сопротивление отраничн- тслыгаго диода при вы­соком значении СВЧ мощности

Лше я „ Сопротивление потерь ограничи­тельного диода. измеряемое при значе­ниях СВЧ мощности, больших мощно­сти ограничения, при которых сопро­тивление диода не изменяется

121. Сопротивление диода Ганна

Г1 Активное сопротивление диода Ган­на, измеряемое при напряжении зна­чительно меньшем порогового

122. Выходное сопротивление смесительного диода

гаих г * Активная составляю щ ая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном ре­жиме

123. Выходное сопротивление детекторного днода на видеочастоте

Гшял * Активная составляю щ ая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в -заданном режиме

124. Постоянная времени СВЧ диода

Т т Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125. Время выключения СВЧдиода

ЮМ 'off Интервал времени нарастания об­ратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состо­яния в закрытое, отсчитанное но уров­ню 0.1 и 0.9 установившегося значения обратного напряжения

126. Полоса частот СВЧ да- AL A fТ

Интервал частот, в котором СВЧода / диод, настроенный на заданную часто­

ту. обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабо­чем режиме

107

С. 16 ГОСТ 25529-82

Т ерм инБуквенное обозначение

О пределениерусское м еж дународное

127. Предельная частота ум- -/прел А Значение частоты, на которой доб-ножитслыюго диода ротность умножитсльною диода равна

единице.П р и м е ч а н и е . Предельная час­

тота определяется по формуле

г - 1

где Спс{> — емкость перехода:га — последовательное сопротив-

лен не потерь128. Критическая частота пе­

реключательного диодаи L Обобщенный параметр переключа­

тельного диода, определяемый по фор-муле

, 1А р 2 к С J r ■ г .ст» у яр сор

129. Добротность СВЧ диода Q <?с«Отношение реактивною сопротив­

лении СВЧ диода на ладанной частотек активному при ладанном значении обратного напряжения

130. Потери нреобра ювания “ прв Ас Отношение мощности СВЧ с и т а -смесительного диода да на входе диодной камеры к мощное-Е Conversion loss тн сигнала промежуточной частоты вF. Perte dc conversion нагрузке смесительного диода в рабо­

чем режиме131. Коэффициент полетного л л О тнош ение выходной мощ ности

действия СВЧ диода СВЧ диода к потребляемой им мощно-сти

132. Выходное шумовое отно- N . Отношение мощности шума СВЧшсиие СВЧ диода диода в рабочем режиме, отдаваемой вЕ Output noise ratio согласованную нагрузку, к мощностиF. Rapport de tcmp£ra- тепловых шумов согласованного актив-

turc dc bruit ною сопротивления при той же темпе­ратуре и одинаковой полосе частот

133. Нормированный котф- гв пор VI Рш Значение коэффициента шума при-ф иш киi шума смеси- г‘ «.(iiv) емного устройства со смесительнымтельного дио.та диодом на входе при коэффициентеЕ Standard overall avc- шума усилителя промежуточной часто-

rage noise figure F. Factcur dc bruit total

ты равном 1,5 дБ

moyen normal134. Коэффициент стоячей ^стО -Sv

Коэффициент стоячей волны но на-волны no напряжении) пряжению в линии передачи СВЧ. на-СВЧ диода груженной на определенную диоднуюКСВН камеру с СВЧ диодом в рабочем режи-Е Voltage standing wave мс

ratioV.S.W.P.

F. Taux d 'ondes station-naircs T.O.S (R.O.S.)

135. Чувствительность no р, Р.Отношение приращения выпрями-

току СВЧ диода тельного тока диода к вызвавшей этоE Total current sensitivity приращение СВЧ мощности на входеF. Sensibilite totalc cn диодной камеры с СВЧ диодом и рабо-

со u rant чем режиме при заданной нагрузке

108

ГОСТ 25529-82 С. 17

Т ерм инБуквенное о бозн ачен и е

О пределениерусское м еж дународное

136. Чувствительность по на­пряжению СВЧ диода

к Рп Отношение приращения напряже­ния на нагрузке СВЧ диода к вызвав­шей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137. Температурный коэффи­циент выходной мощно­сти СВЧ диода

‘Ч м , а р ои«Отношение относительною измене­

ния выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

13S. Температурный коэффи­циент частоты СВЧ дио­да

«3 «.• Отношение относительного измене­ния частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей сре­ды

Ш УМ ОВЫ Е ДИОДЫ

139. Спектральная плотность напряжения шумового диода

5 S

1*10. Спектральная плотность мощности шумового .ад- ода

О G

141. Неравномерность спект­ральной плотности на­пряжения (мощности) шумового диода

142. Температурный коэффн- %а , г

«ли- «лицие1гг спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

143. Граничная частота шумо­вого диода

/гр Апс

144. Диапазон частот шумово­го диода

•У f

145. Постоянный рабочий ток шумового диода

4

146. Постоянное напряжение шумового диода

Ош <4

Отношение среднего квадратическо­го значения напряжения шумового ди­ода к корню квадратному из заданного диапазона частот

Отношение среднего квадратическо­го значения мощности шумового дио­да к заданному диапазону частот

Отношение экстремального значе­ния спектральной плотности напряже­ния (мощности) ш умовою диода к их среднему значению, выраженное в де­цибелах

Отношение относительного измене­ния спектральной плотности напряже­ния (мощности) шумового диода к аб­солю тному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

Значение частоты, на которой спек­тральная плотность напряжения иди мощности шумового диода имеет мак­симальное отклонение от ее среднего значения

И нтервал частот, заклю ченны й между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шу­мового диода

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода

(Измененная редакция. Изм. .\е 1).

1 1 -3 5 6 109

С. 18 ГОСТ 25529-82

АЛФАВИТНЫ Й УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА РУССКОМ ЯЗЫ КЕ

Время восстановления обратного сопротивления 33Время восстановления пряного сопротивления 34Время включения стабилитрона 86Время выключения СВЧ диода 125Время выхода стабилитрона на режим 88Время житии неравновесных носителей та ряда диода эффективней.' 30Время запаздывания обратного напряжения выпрямительною диода 64Время обратного восстановления диода 33Время прямого восстановления диода 34Время спада обратного тока выпрямительного диода 65Время тепловой релаксации СВЧ диода 111Диапазон частот шумового диода 144Добротност ь СВЧ диода 129Добротность варикапа 76Емкость диода обитая 16Емкость диода тепловая 25Емкость корпуса диода 18Емкость перехода диода 17Заряд восстановления диода 32Заряд диода накопленный 31Заряд запаздывания выпрямительного диода 62Заряд переключения 32Заряд спада выпрямительною диода 63Индуктивность диода 29Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный 137Коэффициент добротности варикапа температурный 79Коэффициент емкости варикапа температурный 77Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный 85Коэффициент перекрытия по емкости варикапа 80Коэффициент полезного действия СВЧ диода 131Коэффициент спектральной плотности мощности шумовою диода температурный 142Коэффициент спектральный плотности напряжения шумовою диода температурный 142Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода 134Коэффициент частоты СВЧ диода температу рный 138Коэффициент шума смесительного диода нормированный 133КСВН 134Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся 50Мощность выпрямительною диода рассеиваемая обратная средняя 48Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя 47Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая 51Мощность выпрямительного .диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная 52Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя 53Мощность выпрямительного .диода при прямом восстановлении рассеиваемая 54Мощность выпрямительною диода при прямом восстановлении импульсная 55Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя 56Мощность детекторною диода граничная 109Мощность диода рассеиваемая импульсная 15Мощность диода рассеиваемая обратная 13Мощность диода рассеиваемая прямая 12Мощность диода рассеиваемая средняя 14Мощность лавинною выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная 49Мощность ограничения СВЧ диода 107Мощность СВЧ диода выходная импульсная 106Мощность СВЧ диода выходная непрерывная 105Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая 102Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная 103Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя 104Мощность сипзала детекторного диода минимально различимая 110Напряжение впадины туннельного .диода 70Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное неповторяющееся 37

110

ГОСТ 25529-82 С. 19

Напряжение выпрямительного липла обратное импульсное повторяющеесяНапряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочееНапряжение выпрямительного диода пороговоеНапряжение диода Ганна пороговое постоянноеНапряжение днола Ганна рабочее импульсноеНапряжение днола Ганна рабочее постоянноеНапряжение диода обратное импульсноеНапряжение диода обратное постоянноеНапряжение диода пробивноеНапряжение диода прямое импульсноеНапряжение диода прямое постоянноеНапряжение диода прямое среднееНапряжение ника ту ннельного диодаНапряжение раствора туннельного днолаНанряжсниие стабилизации стабилитронаНапряжение шумового днола постоянноеНелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитронаНесимметричность напряжения стабилизации стабилитронаНестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временнаяНеравномерность спектральной плотности мощносттз шумового диодаНеравномерность спектральной ззлотности напряжения шумовозо .днолаОтношение СВЧ диода шумовое выходноеОтношение токов туннельною диодаП лотность мощности шумового диода спектральнаяПлотность напряжения шумового диода спектральнаяПлотность шума стабилитрона спектральнаяПоказатель выпрямительного диода защитныйПолоса частот СВЧ диодаПостоянная времени СВЧ .диодаПостоянная туннельного диода шумоваяПотери преобра зования смесительного днолаПроводимость тунззельного .диода отрицательнаяРа змах низкочастотных шумов стабилизации стабилитронаСопротивление выпрямительного диода динамическоеСопротивление детекторного диода на видеочастоте выходноеСопротивление диода ГаннаСопротивление диода .дифференциальноеСопротивление диода тепловое импульсноеСопротивление диода тепловое переходноеСопротивление диода тепловоеСопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощностиСопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощностиСопротивление переход — корпус диода тепловоеСопротивление переход — корпус диода тепловое переходноеСопротивление переход — окружающая среда диода тепловоеСопротивление переход — окружающая среда .диода тепловое переходноеСопротивление потерь диода последовательноеСопротивление потерь переключательного диода обратноеСопротивление потерь переключательного диода прямоеСопротивление СВЧ .диода входное полноеСопротивление смесительного диода выходноеСопротивление стабилитрона дифференциальноеТок впадины туннельного диодаТок диода выпрямленный среднийТок выпрямительною диода обратный импульеззый повторяющийсяТок выпрямительною .диода обраттзый среднийТок выпрямительного диода прямой действующийТок выпрямигсльззозо диода прямой импульсный повторяющийсяТок выпрямительного диода прямой ударныйТок диода Ганна зюроговыйТок диода Ганна рабочий импульсныйТок диода Ганна рабочий постоянный

36353899101100

4362I

45697181

1468968987

14114113268

1401399043

12612474

13072

89i361

12312119222621

1201192428232720

1181171161228467464445413940969897

II* III

С. 20 ГОСТ 25529-82

Ток диода обратный импульсный 11Ток диода обратный постоянный 10Ток диода прямой импульсный 8Ток диода прямой постоянный 7Ток диода прямой средний 9Ток ЛПД пусковой импульсный 95Ток ЛПД пусковой постоянный 94Ток ЛПД рабочий импульсный 93Ток ЛПД рабочий постоянный 92Ток перегрузки выпрямительного диода 42Ток СВЧ диода выпрямленный 91Ток стабилизации стабилитрона 82Ток стабилизации стабилитрона импульсный 83Ток туннельного диода пиковый 66Ток шумового диода рабочий постоянный 145Частота варикапа предельная 78Частота переключательного диода критическая 128Частота туннельного диода резистивная предельная 73Частота умножнгсльного диода предельная 127Частота шумового диода граничная 143Чувствительность по напряжению СВЧ диода 136Чувствительность по току СВЧ диода 135Чувствительность СВЧ диода тангенциальная 108Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный 89аЭнергия выгорания СВЧ диода 114Энертмя импульсов туннельного диода 75Энергия обратных потерь выпрямительного диода 58Энертмя одиночного импульса СВЧ диода 112Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода 113Энертмя потерь выпрямительного диода общая 59Энергия потерь при обратном восстановлении диода 6<)Энертмя прямых потерь выпрямительного диода 57Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода 115

(Измененная редакция. Изм. .Yj 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ И Н О В НА НЕМ ЕЦКО М ЯЗЫ КЕ

Diftcrcntiellcr Widcrstand dcr Diode 19Durchbruchspannung dcr Diode 6Durchlavscrholungs/eit dcr Diode 34Durchlassglcichspannung dcr Diode IDurchlassglcichstrom dcr Diode 7Durchlassvcrlustleistung der Diode 12Dynamischcr Widcretand dcr Diode 61Einschaltzcit dcr Z-Diode 86Entddmpfungs Grcnzfrcquenz dcr Tunneldiodc 73Gchiiusckapazitiil der Diode 18Gcsamtkapazitiit der Diode 16Giitefaktor dcr KapazitHtsdiode 76Gtitefrequenz dcr Kapazitiitsdiodc 78Hdekerspannung dcr Tunneldiodc 69H6ckcrstrom der Tunneldiodc 66Hrtckcr-Talstrom-Verhaltnis dcr Tunneldiodc 68Impulsenergie dcr Tunneldiodc 75Induktivitit dcr Diode 29Miltlerc Durchlassspannung dcr Diode 5Mitllcre 4'erlustleistung dcr Diode 14Mittlcrcr Durchlassstrom dcr Diode 9Mittlcrcr Richistrom dcr Diode 46Mittlcrcr Spcnrslrom dcr Diode 45

112

ГОСТ 25529-82 С. 21

Ncgativer Leitwcrt dcr Tunncldiode Nichtpcriodischc Spitzcnsperrspannung dcr Diode Nichtpchodischer Spitzcndurchlassstrom dcr Diode Pcriodischc Spitzcnsperrspannung dcr Diode Pcriodischcr Spitzcndurchlassstrom der Diode Projezicrte Hdckerspannung Kauschiaktor dcr Tunncldiode Schleusenspannung dcr Diode Senenwiderxtand dcr Diode Spcrrcrholladung der Diode Sperrerholungszeit dcr Diode Sperrglcichspannung dcr Diode Sperrglcichstrom der Diode Spcrrschichtkapazitdt dcr Diode Spitzendurchlassspannung dcr Diode Spitzcndurchlassstrom der Diode Spitzcnsperrspannung der Diode Spitzensperrstrom dcr Diode Spitzenvcrlustleistung dcr Diode Stabilisicrungszcit der Z-Diode Talspannung der Tunneldiode Talstrom dcr TunncldiodeTemperaturkoeffizient dcr Kapazitat dcr Kapazitiitsdiode Temperaturkoeffizient dcr Z-Spannung dcr Z-Diode Temperaturkoeffizient dcs Giitcfaktors dcr Kapazit&tsdiodc Wirme wide rstandZcitlichc Instabilitat der Z-Spannung dcr Z-Diode Z-Spannung dcr Z-Diodc Z-Strom dcr Z-Diodc Z-Widerstand dcr Z-Diodc

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫ КЕ

Average forward current 9Average forward power dissipation 47Average forward voltage 5Average output rectified current 46Average power dissipation 14Average reverse current 45Average reverse power dissipation 48Average r. f. power KMAverage turn-off dissipation 53Average turn-on dissipation 56Breakdown voltage 6Burn-out energy 114Case capacitance 18Clipping power 107Continuous current within the working voltage range 82Conversion loss 130Cut-off frequency 78Differential resistance 19Differential resistance within the working voltage range 84Effective excess minority lifetime 30Forward continuous current 7Forward continuous voltage 1Forward energy loss 57Forward power dissipation 12Forward recovery time 34Junction capacitance 17Negative conductance o f the intrinsic diode 72Noise factor 74Non-repetitivc (surge) reverse voltage 37

113

7237 40 36 39 'I 7438 203233

3 10 17 2 84

II 15 88 70 67 77 85 79 -'I 87 81 82 84

С. 22 ГОСТ 25529-82

Output noise ratio 132Overload forward current 42Peak forward current 8Peak forward voltage 2Peak point current 66Peak point voltage 69Peak power dissipation 15Peak reverse current 11Peak reverse voltage 4Peak to valley point current ratio 68Peak tum-olT dissipation 52Peak turn-on dissipation 55Projected peak point voltage 71Pulse r.f. power dissipation 103Quality factor 76Recovered charge 32Repetitive peak forward current 39Repetitive peak reverse current 44Repetitive peak revers power dissipation 50Repetitive peak reverse voltage 86Repetitive pulse energy 113Resistive cul-olT frequency 73Reverse continuous current 10Reverse continuous voltage 3Reverse energy loss 58Reverse power dissipation 13Reverse recovery energy loss 60Reverse recovery time 33R.F c.w.power dissipation 102RMS forward current 41Single pulse energy 112Slope resistance 61Standard overall average noise figure 133Stored charge 31Surge (non-repetitive) reverse power dissipation 49Tangential sensitivity 108Temperature coefficient of capacitance 77Temperature coefficient o f quality factor 79Temperature coefficient o f working voltage 85Terminal capacitance 16Thermal capacitance 25Thermal resistance 21Thermal resistance junction to case 24Threshold voltage 38Total current sensitivity 135Total energy loss 59Total instantaneous turn-off dissipation 51Total instantaneous turn-on dissipation 54Total scries equivalent inductance 29Total scries equivalent resistance 20Transient thermal impedance 26Transient thermal impedance junction to ambient 27Transient thermal impedance junction to case 28Transient time o f working voltage 88Turn-on time 86Valley point current 67Valley point voltage 70Voltage standing wave ratio 134V.S.W.R. 134Working peak reverse voltage 35Working voltage long-term instability 87Working voltage (o f voltage regulator diode) 81

114

ГОСТ 25529-82 С. 23

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫ КЕ

Capacity aux bornes 16Capacity de jonction 17Charge rocouvrec 32Charge stockcc 31CoclTicieat de temperature de la tension de regulation 85Conductance negative de la diode intrinseque 72Courant continu inverse pour la gamme dcs tensions de regulation 82Courant de pic 66Courant de valine 67Courant direct continu 7Courant direct de cr6te 8Courant direct de pointc r6p6titif 39Courant direct de surcharge accidcntel 40Courant direct de surcharge previsiblc 42Courant direct moyen 9Courant inverse continu 10Courant inverse de Crete 11Courant inverse de pointc r6p6titif 44Courant inverse moyen 45Courant moyen de sortie redrcsse 46Dissipation totalc instantancc a la coupure du courant 51Dissipation de pointc i la coupure du courant 52Dissipation de pointc a I'ctabUsscmcnt du courant 55Dissipation de puissance dans le cas de train d 'ondcs R.F. 103Dissipation de puissance dans le cas d’unc onde R.F.cntrctcnuc 102Dissipation de puissance en direct 12Dissipation de puissance en inverse 13Dissipation moyenne a la coupure du courant 53Dissipation moyenne .i I'ctablissemcnt du courant 56Dissipation totale inslantancc & 1 'ctablissemcnt du courant 54Dissipation totalc instantanec a la coupure du courant 51Energie de claquage 114Energic d’unc impulsion 112Energie d 'unc impulsion repetitive 113Factcur de bruit 74Factcur de bruit total moyen normal 133Frequence de coupure 78Frequence de coupure resistive 73Inductance seric totale equivalente 29Instability 3 long terme de la tension de regulation 87Perte de conversion 130Puissance R. F. moyenne 104Rapport de denivcllation du courant 68Rapport de temperature de bruit 132Resistance apparentc directc 61Resistance dilVcrenticlk 19Resistance ditlerentiellc dans la zone des tensions de regulation 84Resistance seric equivalente 20Resistance thermique 21Sensibility totalc en courant 135Taux d’ondcs stationnaircsT.O.S.(R.O.Sl) 134Temps de recouvrcmcnt direct 34Temps de recouvrcmcnt inverse 33Tension de claquage 6Tension de pic 69Tension directc continue ITension de regulation 81Tension de seuil 38Tension de vailee 70Tension directe de cr6tc 2

115

С. 24 ГОСТ 25529-82

Tension dircctc moyenne 5Tension inverse continue 3Tension inverse dc erSte 4Tension inverse de pointc non-repetitive 37Tension inverse de pointc repetitive 36Tension isohvpse 71

ПРИЛОЖЕНИЕ IСправочное

Т ЕРМ И Н Ы , ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫ Е ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩ ИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫ Х ПРИБО РОВ

Т ерм и нБуквенное оботн ачеиие

О п редел ен и ерусское м еж дународное

1. Прямое напряжение л ноля - - Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

2. Обратное напряженке ди­ода

— — Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении

3. Прямой ток диода — — Ток. протекаюший через диод в пря­мом направлении

4. Обратный ток диода — — Ток. протекающий через диод, обус­ловленный обратным напряжением

5. Предельно допустимое шачение параметра полу­проводникового прибора

Значение парам етра, заданное в нормативно-технической документа­ции, ограни ченное возм ож ностям и данного типа прибора и обеспечиваю­щее заданную надежность.

П р и м с ч а н и я:1. Предельно допустимое значение

может быть максимально или мини­мально допустимым.

2. Если речь идет о предельно допус­тимом значении параметра, то к тер­мину следует добавить слова «макси­мально допустимый» или «минимально допустимый*, а к буквенному обозна­чению добавить индекс «птах» или ®пйп»

6. Нестабильность парамет­ра полупроводниковою прибора

Модуль разности значений парамет­ра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факто­ров

7. Эффективная температура перехода полупроводнико­вого прибора

Температура, которая устанавлива­ется на основе упрощенных представ­лений о тепловых и электрических свой­ствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе

S. Температура в контроль- Э м 1гЫ Температура, измеренная в задан-ной точке полунроводни- тв КОЙ ной точке на (в) корпусе прибора илинового прибора в среде, окружающей или охлаждающей

прибор, выбранной для контроля па­раметра прибора

116

ГОСТ 25529-82 С. 25

Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е

О п ред ел ен и ерусское м еж дународное

9. Температура корпуса по- Аир Температура в заданной конт-луироволникового прибо- ТКор рольной точке на (в) корпусе полупро-Ра « W 0 Х»С водниковою прибора

10. Температура окружающей Ажр А Температура воздуха или газа, измс-среды г,*р Англ репная вблизи полупроводникового при-

0 -Ч> amh0 штА

бора при условии естественной конвек­ции и при отсутствии влияния поверх­ностей. излучающих тепло

II. Температура охлаждаю- 'av, Af Температура в заданной конт-щей среды г'аVI Ъ рольной точке среды, охлаждающей

полупроводниковый прибор, или сто охладителя

12. Температура хранения 'хр

%

т*

к

13. Показатель идеальности волы-амперном характерис­тики полупроводникового приГюра

Параметр, характеризующий каче­ство полупроводникового прибора и определяемый но формуле

.. -и. )----------- Г " *к Т In у -

■ггде q — заряд электрона; к — постоянная Больцмана;Т — температура в градусах Кельвина;

/2, Vu U, — точки и соответствую­щие им напряжения на линейном уча­стке зависимости lg /т - / ( O f )

1 2 - 2 5 6 117

С. 26 ГОСТ 25529-82

ПРИЛОЖЕНИЕ 2Справочное

Нолы-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов

/ — п рям ая п олкт-ам перн ая характеристи ка; 2 — о б ­р атн ая п о л м -а м п е р н а я х ар актер и сти ка ; J — область пробои : V — п р ям о л и н ей н ая ап п р о к си м а ц и я прям ой в о л ы -а м п е р и о й х а р а к т е р и с т и к и . I / — п орогон ое ниприж смис: г — д и н а м и ч е ск о е c o n p o t моление.

б'П1Ю<1 — пробн ое нап ряж ени е

Черт.!

Вольт-амперная характеристика туннельного диода

1а — п и к овы й то к . / ж — ток впадины; Vt — н ап р яж е­ние ш тадины:

Un — нап ряж ен и е пика; £/>р — нап ряж ен и е раствора

Чсрг.2

118

ГОСТ 25529-82 С. 27

Вольт-ампсрная характеристика стабилитрона

В «л ы - ам мерная характеристика лнода Ганна

6 ворГ — п о сто ян н о е порогопое н ап ряж ен к е диода Г ан н а . / 1юр — пороговы й ток диода Г ан н а: Vp - п о сто ян н о е рабочее нап ряж ен и е диода Г анна:

/р — П остоянны й рабочий ток д и од а Ганна

Черт. 4

Диаграммы токов н напряжений кривые токов н напряжений при обратном и прямом восстановлении диода

Ч ерт. 6

12” 119

С. 28 ГОСТ 25529-82

Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода

От

С„ — параллельн ая ем к ое и.; #П1(1 — о три ц ател ьн ая п роводи м ое! ь; гп — сопроти вл ен и е потерь: l.f — п оследовательная и н дуктивность ;

С'П1р — ем к ость перехода

Черт. 7

ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Изм. .Ne 1).

120ГОСТ 25529-82