5 ко

п.

БЗ

5—

88/4

20

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т

С О Ю З А С С Р

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 17021— 88

1СТ СЭВ 1623— 791

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

М о с к и

накидка на платье

УДК 001.4 : 621.3.049.75— 101.4 : 006.354 Группа ЭОО

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т С О Ю З А С С Р

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины и определении

Integrated circuits.Terms and definitions

ОКСТУ 6201

ГОСТ

17021— 88

(CT СЭВ 1623— 79J

Дата введения 01.01.90

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятии интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, вхо­дящих в сферу деятельности по стандартизации или использую­щих результаты этой деятельности.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термицы- синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначе­ны пометой «Ндп».

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разре шастся применять в случаях, исключающих возможность их раз­личного толкования.

2 2. Приведенные определения можно, при необходимости, из­менять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объ­ем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2.3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), французском (F) языках.

3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.Издание официальное Перепечатка воспрещена

★© Издательство стандартов, 1988

ГОСТ 17021—М С. 2

4. Стандартизованные термины набраны полужирным шриф­том, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

J Т а б л и ц а !

Термин Определяй*

1. Интегральная микро­схемаD. Integrierter

SchaltkreisE. Integrated microcir­

cuitF. Microcircuit integre

2 Элемент интегральной микросхемыЭлементD. Element des integ-

rierten SchaltkreisesE. Circuit elementF. Element dc circuit

3 Компонент интеграль­ной микросхемыКомпонентD. Bauclement des In-

tegrierten Schaltkrei­ses

E. Circuit componentF. Composant dc circuit

4 Полупроводниковая ин­тегральная микросхема Полупроводниковая микросхемаНдл. Твердая схема D. Integrierter

Halblcitcrschaltkreis Е- Semiconductor

integrated circuit F. Circuit Integra Й

semiconducteurs 5. Пленочная интеграль­

ная микросхема Пленочная микросхема D. Integrierter

Filmschaltkrcis

Микросхема, ряд элементов которой нераздель­но выполнен и электрически соединен между со­бой таким образом, что с точки зрения техничес­ких требований, испытаний, торговли и эксплуа­тации устройство оассмагриэается как целое

П р и м е ч а н и е Под микросхемой пони­мают микроэлектронное устройство, рассматри­ваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обыч­ной схемыЧасгь интегральной микросхемы, реализующая

фунхцию какого-либо электрорадиоэлемента, ко­торая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и нс может быть выделена как само­стоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

П р и м е ч а н и е . Под электрорадиоэдсмен- том понимают транзистор, диод, резистор, кон­денсатор и др.Часть интегральной микросхемы, реализующая

функцию какого-либо электрорадиоадеменга. ко­торая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытани­ям, приемке, поставке и эксплуатации

Интегральная микросхема, все элементы и межэлемектные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводнико­вого материала

Интегральная микросхема, все элементы к меж- эдементные соединения которой выполнены в ви­де пленок.

П р и м е ч а н и е . Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными н тонкопленочными.

С. 3 ГОСТ 17021— S8

Продолжение табл. /

Up щи Определение

Е Film integrated circuit

F. Circuit inttigre i couches

6 . Гибридная интеграль­ная микросхемаГибридная микросхемаD Integrierter

HybridschaltkrrtsE. Hybrid integrated

circuitF. Circuit integre

hvbride

Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы

7. Аналоговая интеграль­ная микросхемаАналоговая микросхема

D. Analoger integrierter Schaltkreis

E. Analogue integratedcircuit

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изме­няющихся по закону непрерывной функции

F. Circuit iniegrt analogique

8. Цифровая интеграль­ная микросхемаЦифровая микросхема Ндп, Логическая ник-

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования н обработки сигналов, изме­няющихся по захону дискретной функции

росхемаD. Digitaler integrierter

SchaltkreisE. Digital integrated

circuitF. Circuit intfgrc

digitaux9. Корпус интегральной

микросхемыКорпус

D. schaltkreisgehauseE. PackageF. Dottier

Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воз­действий и дтя соединения с внешними электри­ческими цепями посредством выводов

10. Подложка интеграль­ной микросхемыПодложкаD Substrat fur Hybrid

und Fiimschaltkreise E. Substrate F Substrat

Заготовка из диэлектрического материала, пред­назначенная для нанесения на нее элементов гиб­ридных интегральных микросхем, межэлементиых и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок

И- Полупроводниковая пластинаПластинаD. Ilalbleitersclieibe

Заготовка нз полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупровод­никовых интегральных микросхем

ГОСТ 1>И1-М С. 4

Продолжение табл. I

Термин О з редел си не

12 Кристалл интеграль­ной микросхемыКристаллD Chip ties inlegrlcrtcn

SchaltkrciscsE. ChipF. Pastille

13 Базовый кристалл ин­тегральной микросхе­мыБазовый кристалл

14 Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы БМК

15. Баюкая ячейка крис­талла интегральной микросхемыБззовзя ячейка

16 Функциональная ячей­ка базового кристал­ла интегральной мик­росхемыФункциональная ячей­ка

17. Библиотека функцио­нальных ячеек базо­вого кристалла инте­гральной микросхемыБиблиотека функцио­нальных ячеек

18. Контактная площадка интегральной микро­схемыКонтактная площадка D. Kontnktflachc dcs

inlegrlerten Schalt­krciscs

Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности хоторой сформированы элемен­ты полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлеыенгные соединения н контахтные пло­щадки

Часть полупроводниковой пластины с опреде­ленным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для со­здания интегральных микросхем путем изготов­ления межэлемеитных соединений

Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением ба­зовых ячеек

Совокупность нссосдинснных и (кди) соеди­ненных между собой элементов, являющаяся ос­новой для построения базового кристалла интег­ральной микросхемы.

П р и м е ч а н и е . Базовую ячейху, выполня­ющую простейшие логячесхне функции И—НЕ (ИЛИ —НЕ), называют базовым вентилем ин­тегральной микросхемыСовокупность элементов базового кристалла

интегральной микросхемы, электрически соеди­ненных з пределах одной или нескольких базо­вых ячеек для реализации одной или нескольких самостоятельных функций

Совокупность документов, содержащих пере­чень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, нх основаые электри­ческие параметры, топологическое описание и ло­гические модели.

П р и м е ч а н и е . Информация о функцио­нальных ячейках может содержаться на ма­шинных носителяхМеталлизированный участок на подложке, крис­

талле илн корпусе интегральной микросхемы, слу­жащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, з также для контроля ее элехгрнчесхих параметров и режимов

С. 5 ГОСТ 17011—М

Лродеихение 1абл. /

Термин Определение

19. Бсекорпусиая интег­ральная микросхемаБескорлусвая микро-

Кристалл нмегральной микросхемы, предна­значенный для монтажа в гибридную интеграль­ную микросхему или микросборку

схема1) Gchiiuseloser inte-

Rricrter Schaltkreis 20 Вывод бес корпусной

интегральной микро­схемы ВыводD Anschluss Je$ «в-

hausclosen integ- rierten Schaltkreises

E- Terminal

Прозол, соединенный с контактной площадкой бсскорпусиой интегральной микросхемы и пред­назначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями

F. Borne21. Свободный вывод ин­

тегральной микросхе­мыСвободный вывод Е- Blank terminal F. Borne non connec-

Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может исполь­зоваться з качестве опорного контакта для внеш­него монтажа, не влияя на работу интегральной схемы

tec22, Неиспользуемый вы­

вод интегральной мик­росхемыНеиспользуемый вы­водЕ. Non-usable terminal F Borne non utilisee

Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации инте­гральной микросхемы н может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла

23 Плотность упаковки интегральной микро­схемыПлотность упаковки D. Packungsdichtc den

integrierten Schaltkreises

24. Степень интеграции интегральной микро­схемыСтепень интеграции D. IntcRrationsgrad

ties Integrierten Schaltkreises

Отношение суммы .элементов интегральной микросхемы и (иля) элементов, содержащихся в составе компонентов, к обьему иатегральиой мик­росхемы.

П р и м е ч а н и е . Объем зиводов не учи­тываютПоказатель степени сложности интегральной

микросхемы, характеризуемый числом содержа­щихся в ней элементов н (или) компонентов.

П р и м е ч а н и е . Степень интеграции ин­тегральной микросхемы определяют по фор­муле:

К=>1е А'.где К — коэффициент, определяющий степень

интеграции, значение которого округ­ляют до ближайшего большего целого числа;

ГОСТ 17021— 8В С. 6

Продолжение гаСл. ]

Термин Определение

25. Интегральная микро­схема К степени ин­теграции

iV — число элементов интегральной микро­схемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входяших в ин­тегральную микросхему

Интегральная микросхема содержащая от Ю*4-* до 10‘ элементом и (или) компонентов включительно.

П р и м е ч а н и е . В настоящее время суще­ствуют интегральные микросхемы !. 2. 3. 4. 5 и 6 степеней интеграции

26 Малая интегральная микросхемам и с

27. Средняя интегральная микросхемаСИС

Интегральная микросхема, содержащая до 100 элементом и (или) компонентов включитель­но

Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (иди) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 100 до 50D —для аналоговых интегральных микро­схем

Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов н (или) компонентов для цифро­вых интегральных микросхем н свыше 500 для аналоговых интегральных микросхем

Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 030 элементов и (или) компонентов для циф­ровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50 ООО — для циф­ровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше J0 ООО — для ана­логовых интегральных микросхем.

28. Большая интеграль­ная микросхемаБИС

29. Сверхбольшая интег­ральная микросхемаСБИС

П р и м е ч а н и е . К цифровым интеграль­ным микросхемам с регулярной структурой по­строения относят схемы запоминающих уст­ройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов

30. Сверхскоростная ин­тегральная микросхе­маССИС

К цифровым интегральным микросхемам с не­регулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств

Цифровая интегральная микросхема, функцио­нальное быстродействие которой не менее МО * Ги/см* на 1 логический элемент.

П р и м е ч а н и е . Под функциональным быстродействием понимают произведение рабо­чей частоты логического элемента, равной об­ратному учетверенному максимальному значе­нию ертднего времени задержки распростране­ния сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла

С. 7 ГОСТ 17021— 88

Продолжение табл. 1

Терми■ Определение

31. Тип интегральной мик­росхемы

Интегральная микросхема конкретною функ­ционального назначения и определенного колет-

32. Типопоминал интег­ральной микросхемы

рукгнвно-тсхиологического и схемотехнического решения и имеющая свое условное обозначение

Интегральная микросхема конкретного тина, отличающаяся от других микросхем того же ти­па одним или несколькими параметрами и требо­ваниями к внешним воздействующим факторам

33. Серии интегральных микросхемСерияD. Baureihe der intc-

gfierten Schaltkrelse

Созокуииость типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной электрической п. при необходимости, информационной и програм­мной совместимостью а предназначенных дли сов­местною применения.

П р и ме ч а н и е . В частном случае серию могут образовывать один или несколько типов микросхем, выполняющих одинаковые функции н отличающихся одним или несколькими элект­рическими параметрами

34. Группа типов интег­ральных микросхем

Совокупность типов интегральных микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметра-

35. Микропроцессорнаяинтегральная микро­

схемаМикропроцессорнаямикросхемаE. Microprocessor

integrated circuitF. Microprocesseur

a circuit int6grc36. Микропроцессорный

комплект интеграль­ных микросхемм п к

миИнтегральная микросхема, выполняющая функ­

цию процессора кли его части.П р и м е ч а н и е . Частным случаем являет­

ся микропроцессорная ссхцкя

Совокупность микропроцессорных н других ин­тегральных микросхем, совместимых по архитек­туре, конструктивному исполнению и электричес­ким параметрам н обеспечивающих возможность совместного применения

ГОСТ 17021—SB С. 8

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Тсрими

Т а б л и ц а 2

НомерYCpVK.1.1

Библиотека функциональных ячеек башкою кристалла интег­ральной микросхемыБиблиотека функциональных шеекБИСБМКВыводВысод бес корпусной интегральной микросхемы Вывод интегральной микросхемы свободный Вывод интегральной микросхемы неиспользуемыйВывод неиспользуемый Вывод свободныйГруппа типов интегральных микросхемКомплект интегральных микросхем микропроцессорныйКомпонентКомпонент интегральной микросхемыКристалл Кристалл базовый Кристалл интегральной микросхемы Кристалл интегральной микросхемы базовыйКорпусКорпус интегральной микросхемыКристалл интегральной микросхемы базовый матричныйМикросхема аналоговаяМикросхема СеекорпуснаяМикросхема гнбриднзяМикросхема интегральнаяМикросхема интегральная аналоговаяМикросхема интегральная бескорлусная.Микросхема интегральная большаяМикросхема интегральная гибридная.Микросхема интегральная К степени интеграцииМикросхема интегральная малаяМикросхема интегральная микропроцессорная■Микросхема интегральная пленочнаяМикросхема интегральная полупроводниковаяМикросхема интегральная сверхбольшаяМикросхема интегральная сверхскоростнаяМикросхема интегральная средняяМикросхема интегральная цифроввяМикросхема логическаяМикросхема микропроцессорнаяМикросхема пленочнаяМикросхема полупроводниковаяМикросхема цифроваямнем п кПластинаПластина полупроводниковаяПлотность упаковки

>7

1728142020212222213136

33

12 13 1213 0 9

14 7

196 17

19 28

6252с35

54

2930 278 8

355 4 8

2636 IIП2 ?

С. 9 ГОСТ 170И— 88

Продолжение табл 2

Термин Ном« РKpilKHJ

Плотность упаковки интегральной микросхемы 23Площадка интегральной микросхемы контактная 18Площадка контактная 18Подложка 10Подложка интегральной микросхемы 10СБИС 29Серия 33Серия интегральных микросхемСИСССИС

3397л. ■30

Степень интеграции 24Степень интеграции интегральной микросхемы 24Схема твердая 4Тип интегральной микросхемы 31Типономииал интегральной микросхемы 32Элемент 2Элемент интегральной микросхемы 2Ячейка базовая 15Ячейка базового кристалла интегральной микросхемы функ­циональная

10

Ячейка кристалла интегральной микросхемы базовая 15Ячейка функциональная 16

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Т а б л и ц а 3

Термин Покер терми«а

Analoger integrierter SchaltkreisAnschluss des gehauaelosen integrierten SchaltkreiscsBauelement des integrierten SchaltkreiscsBaurcihe dcr inlegrierten SchaltkreiseChip des Inlegrierten SchattkreisesDigilaler integrierter SchaltkreisElement des inlegrierten SchaltkreisesGehauseloscr integrierter SchaltkreisHalbleilerscheibclntegrationsgrad des integrierten SchattkreisesIntegrierter FilmschaltkrcisIntegrierter HalbleiterschaltkreisIntegrierter HybridschaltkreisIntegrierter SchaltkreisKontaktflachc des integrierten SchaltkreiscsPackungsdichte des integrierten SchaltkreiscsSchaltkreisgehauscSubstrat fur Hybrid und Filmschaltkreise

7203

33 128 2

191124546 1

1823

910

ГОСТ 17011-М С. 10

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙКОМ ЯЗЫКЕ

Термин

Analogue integrated circuitBlank terminalChipCircuit component Circuit element Digital integrated circuit Film integrated circuit Integrated microcircuit Hybrid Integrated circuit Microprocessor integrated circuit Non-usable terminal PackageSemiconductor Integrated circuitSubstrateTerminal

Т а б л и ц а 4

Номертермина

7 21 123 285 16

35 2294

10 20

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗКОМ ЯЗЫКЕ

Термин

Т а б л и ц а 5

Номер ЦНИИ ;

BoiticrBorneBorne non connectee Borne non utilisec Circuit integre analogiquc Circuit integre а соисЬез Circuit integre digitaux Circuit integte hybrid®Circuit integre a scmiconducteursComposant de circuitElement de circuitMicrocircuit integreMicroprocessor a circuit integrePastilleSubstrat

92021227586 4 3 2 1

351210

С. 11 ГОСТ 17021—М

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. ИСПОЛНИТЕЛИ

Е. Ю. Елпидифороаа, В. А. Ушибышев, Л. Р. Хворостьян

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государ­ственного комитета СССР по стандартам от 23.06.88 М® 2190

3. Срок первой проверки — 1995 г., периодичность проверки — 10 лет

4. Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 1623— 79

5. ВЗАМЕН ГОСТ 17021— 75

Релакгор В. М. Лисенхина Техническая редактор Э. В. Митяй

Корректор Л В. Сницарыук

Слано в ваб. 30.08.1*9 Поди. • к * . 07 0290 0.75 \< л . п. л. 0.75 уел кр-отт. 0.90 уч.-яаа. л. ___________________________________ Тир. 10 000 Цена 5 к__________

Ордеха «Зла* П ох ста . Малительегде стандартов. 123557. Москва. ГСП. НсчюпрУсИенскнй (тер., я . 3.

П идтю еслвя тапогра^н* Иадатсльстиа стандартов, ул. Дяриус и Гирсао. 39. Зек !#35.

ГОСТ 17021-88