njm8530-t1/njm8532-t1...njm8530-t1/njm8532-t1 ver.1.0 - 2 - Û 端子配置図 製品名 njm8530f-t1...
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NJM8530-T1/NJM8532-T1
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14V 動作,低雑音,低消費 入出力フルスイングオペアンプ ■ 特長(V+=5V, V-=0V, Ta=25°C) ■ 概要 ■ アプリケーション ■ ブロック図 ■ 代表特性例
NJM8530/NJM8532 は、1/2 回路入り入出力フルスイ
ングオペアンプです。14V 動作、ローノイズ、低消費特性
が特長です。 1.8V から 14V の動作電源電圧と、入出力フルスイング
特性は、オーディオアンプ、ハイサイド電流検出、バッフ
ァーなど、幅広いアプリケーションにご使用いただけま
す。加えて、低消費電流(NJM8530: 320μA typ)と広帯域
(1MHz) 、 ロ ー ノ イ ズ (10nV/√Hz) な ど の 特性に よ り
NJM8530/NJM8532 は低消費、広帯域、そしてローノイ
ズが必要とされるバッテリーアプリケーションに最適で
す。 NJM8530/NJM8532 は 1000pF 程度の容量性負荷を
駆動でき、ユニティゲインでも安定です。動作温度範囲は
-40°C to 125°C です。 NJM8530 は 5ピンのSOT-23 パッケージ、NJM8532
は 8 ピンの VSP8 パッケージがございます。
・バッテリー動作機器 オーディオ, センサーアプリケーション, メディカル, セキュリティー
・ハイサイド/ローサイド 電流センシングアンプ ・アクティブフィルター ・AD/DA コンバーターバッファー ・ハンディテスター
0
100
200
300
400
500
600
0 +2 +4 +6 +8 +10 +12 +14
消費電流
(1回路あたり
) [μA
]
電源電圧 V+ [V]
消費電流(1回路あたり)対電源電圧特性例GV=0dB
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
V+
OUTPUT+INPUT
-INPUT
V-
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001 0.01 0.1 1 10
全高調波歪
+ ノイズ
[%]
出力電圧 [Vrms]
全高調波歪 +ノイズ対出力電圧特性例V+=3V, GV=+2, RL=2kΩ to 1.5V, CL=0pF, Ta=25ºC
f=100Hz
f=10kHz
f=1kHz
・動作電圧 1.8V to 14V ・動作温度 -40 to 125°C ・低雑音 10nV/√Hz at 1kHz ・低消費電流(全回路)
NJM8530 320μA typ. NJM8532 580μA typ.
・入出力フルスイング ・広帯域 1MHz ・スルーレート 0.4V/μs ・容量性負荷ドライブ 1000pF ・ボルテージフォロワ安定 ・パッケージ
NJM8530 SOT-23-5 NJM8532 VSP8
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 端子配置図 製品名 NJM8530F-T1 NJM8532R-T1
パッケージ SOT-23-5 VSP8
端子配列
■ 製品名構成 ■ オーダーインフォメーション
製品名 パッケージ RoHS Halogen- Free
めっき 組成
マーキング 製品重量(mg)
最低発注数量 (pcs)
NJM8530F-T1(TE1) SOT-23-5 ○ - Sn2Bi A5K 15 3000 NJM8532R-T1(TE2) VSP8 ○ ○ Sn2Bi 8532T1 21 2000
NJM8532 R - T1 (TE2)
品番 パッケージ R:VSP8 F:SOT-23-5
車載仕様 テーピング
1
2
3
5
4
V+
V-
OUTPUT-INPUT
+INPUT
(Top View)
1
2
3
4
8
7
6
5
A +INPUT
A -INPUT
A OUTPUT
V-
V+
B OUTPUT
B -INPUT
B +INPUT
(Top View)
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 絶対最大定格 項目 記号 定格 単位
電源電圧 V+-V- 15 V 入力電圧 VIN V--0.3 to V++0.3(2) V 差動入力電圧 VID ±1.0(1)(2) V 入力電流 IIN 2(2) mA 消費電力(Ta=25℃) SOT-23-5 VSP8
PD 2-Layer / 4-Layer
480(3) / 650(4) 500(3) / 660(4)
mW
ジャンクション温度 Tjmax 150 °C 保存温度範囲 Tstg -40 to 150 °C
(1) 差動入力電圧は+INPUT 端子と-INPUT 端子の電位差です。 (2) 入力端子間はダイオードによって保護されています。 差動電圧が 1.0V を越える場合は、制限抵抗を用いて入力電流を 2mA 以内としてく
ださい。 電源電圧を超える入力電圧は ESD 保護ダイオードによってクランプされます。 入力電圧が電源電圧を超える場合は、制限抵抗を用いて入
力電流を 2mA 以下に抑えてください。 (3) 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (4) 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。(4層基板内箔 : 74.2×74.2mm)
■ 推奨動作条件
項目 記号 値 単位
電源電圧 V+-V- 1.8 to 14 V
動作温度範囲 Topr -40 to 125 °C
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■ 電気的特性 (指定なき場合は, V+=5V, V-=0V, VCOM=2.5V, Ta=25°C) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
入力特性
入力オフセット電圧 VIO - 1 4 mV Ta=-40°C to 125°C - - 5 入力オフセット電圧ドリフト ΔVIO/ΔT Ta=-40°C to 125°C - 1.5 - µV/°C
入力バイアス電流 IB - 50 250 nA Ta=-40°C to 125°C - - 275
入力オフセット電流 IIO - 5 100 nA Ta=-40°C to 125°C - - 100
オープンループ電圧利得 AV RL=2kΩ to 2.5V 60 85 - dB RL=2kΩ to 2.5V, Ta=-40°C to 125°C 60 - -
同相信号除去比 CMR (5) 55 70 - dB (5), Ta=-40°C to 125°C 55 - -
同相入力電圧範囲 VICM CMR≥55dB 0 - 5 V CMR≥55dB, Ta=-40°C to 125°C 0 - 5 出力特性
High レベル出力電圧 VOH
RL=20kΩ to 2.5V 4.90 4.95 - V RL=20kΩ to 2.5V, Ta=-40°C to 125°C 4.85 - - RL=2kΩ to 2.5V 4.75 4.85 - V RL=2kΩ to 2.5V, Ta=-40°C to 125°C 4.70 - -
Low レベル出力電圧 VOL
RL=20kΩ to 2.5V - 0.05 0.10 V RL=20kΩ to 2.5V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.15 RL=2kΩ to 2.5V - 0.15 0.25 V RL=2kΩ to 2.5V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.30
出力短絡電流 ISC Sourcing, Short to 2.5V - 20 - mA Sinking, Short to 2.5V - 5 - mA
電源特性 消費電流(全回路)
NJM8530 ISUPPLY
無信号時 - 320 550 μA
無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 550 消費電流(全回路)
NJM8532 無信号時 - 580 900
μA 無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 900
電源電圧除去比 SVR V+=4V to 6V 70 85 - dB V+=4V to 6V, Ta=-40°C to 125°C 70 - - AC 特性 スルーレート SR RL=2kΩ to 2.5V - 0.4 - V/μs 利得帯域幅積 GBW RL=2kΩ to 2.5V - 1 - MHz 位相余裕 Φm RL=2kΩ to 2.5V - 75 - Deg 入力換算雑音電圧 en f=1kHz - 10 - nV/√Hz チャンネルセパレーション
NJM8532 CS f=1kHz - -133 - dB
(5) CMR は CMR+: V+/2≤VCM≤V+, CMR-:V-≤VCM≤V+/2 を測定し低い方の値です。
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■ 電気的特性 (指定なき場合は, V+=3V, V-=0V, VCOM=1.5V, Ta=25°C) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
入力特性
入力オフセット電圧 VIO - 1 4 mV Ta=-40°C to 125°C - - 5 入力オフセット電圧ドリフト ΔVIO/ΔT Ta=-40°C to 125°C - 1.8 - µV/°C
入力バイアス電流 IB - 50 250 nA Ta=-40°C to 125°C - - 275
入力オフセット電流 IIO - 5 100 nA Ta=-40°C to 125°C - - 100
オープンループ電圧利得 AV RL=2kΩ to 1.5V 60 84 - dB RL=2kΩ to 1.5V, Ta=-40°C to 125°C 60 - -
同相信号除去比 CMR (5) 48 63 - dB (5), Ta=-40°C to 125°C 48 - -
同相入力電圧範囲 VICM CMR≥48dB 0 - 3 V CMR≥48dB, Ta=-40°C to 125°C 0 - 3 出力特性
High レベル出力電圧 VOH
RL=20kΩ to 1.5V 2.90 2.95 - V RL=20kΩ to 1.5V, Ta=-40°C to 125°C 2.85 - - RL=2kΩ to 1.5V 2.75 2.85 - V RL=2kΩ to 1.5V, Ta=-40°C to 125°C 2.70 - -
Low レベル出力電圧 VOL
RL=20kΩ to 1.5V - 0.05 0.10 V RL=20kΩ to 1.5V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.15 RL=2kΩ to 1.5V - 0.15 0.25 V RL=2kΩ to 1.5V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.30
出力短絡電流 ISC Sourcing, Short to 1.5V - 18 - mA Sinking, Short to 1.5V - 4.8 - mA
電源特性
消費電流(全回路) NJM8530
ISUPPLY
無信号時 - 270 460 μA
無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 460
消費電流(全回路) NJM8532
無信号時 - 510 880 μA
無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 880
電源電圧除去比 SVR V+=2.4V to 4V 68 83 - dB V+=2.4V to 4V, Ta=-40°C to 125°C 65 - - AC 特性 スルーレート SR RL=2kΩ to 1.5V - 0.35 - V/μs 利得帯域幅積 GBW RL=2kΩ to 1.5V - 1 - MHz 位相余裕 Φm RL=2kΩ to 1.5V - 75 - Deg 入力換算雑音電圧 en f=1kHz - 10 - nV/√Hz チャンネルセパレーション
NJM8532 CS f=1kHz - -130 - dB
(5) CMR は CMR+: V+/2≤VCM≤V+, CMR-:V-≤VCM≤V+/2 を測定し低い方の値です。
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■ 電気的特性 (指定なき場合は, V+=1.8V, V-=0V, VCOM=0.9V, Ta=25°C) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
入力特性
入力オフセット電圧 VIO - 1 4 mV Ta=-40°C to 125°C - - 5 入力オフセット電圧ドリフト ΔVIO/ΔT Ta=-40°C to 125°C - 2.4 - µV/°C
入力バイアス電流 IB - 50 250 nA Ta=-40°C to 125°C - - 275
入力オフセット電流 IIO - 5 100 nA Ta=-40°C to 125°C - - 100
オープンループ電圧利得 AV RL=2kΩ to 0.9V 60 83 - dB RL=2kΩ to 0.9V, Ta=-40°C to 125°C 60 - -
同相信号除去比 CMR (5) 40 55 - dB (5), Ta=-40°C to 125°C 40 - -
同相入力電圧範囲 VICM CMR≥40dB 0 - 1.8 V CMR≥40dB, Ta=-40°C to 125°C 0 - 1.8 出力特性
High レベル出力電圧 VOH
RL=20kΩ to 0.9V 1.70 1.75 - V RL=20kΩ to 0.9V, Ta=-40°C to 125°C 1.65 - - RL=2kΩ to 0.9V 1.55 1.65 - V RL=2kΩ to 0.9V, Ta=-40°C to 125°C 1.50 - -
Low レベル出力電圧 VOL
RL=20kΩ to 0.9V - 0.05 0.10 V RL=20kΩ to 0.9V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.15 RL=2kΩ to 0.9V - 0.15 0.25 V RL=2kΩ to 0.9V, Ta=-40°C to 125°C - - 0.30
出力短絡電流 ISC Sourcing, Short to 0.9V - 18 - mA Sinking, Short to 0.9V - 4.7 - mA
電源特性
消費電流(全回路) NJM8530
ISUPPLY
無信号時 - 240 430 μA
無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 430 消費電流(全回路)
NJM8532 無信号時 - 460 800
μA 無信号時, Ta=-40°C to 125°C - - 800
電源電圧除去比 SVR V+=1.8V to 2.4V 65 80 - dB V+=1.8V to 2.4V, Ta=-40°C to 125°C 60 - - AC 特性 スルーレート SR RL=2kΩ to 0.9V - 0.3 - V/μs 利得帯域幅積 GBW RL=2kΩ to 0.9V - 1 - MHz 位相余裕 Φm RL=2kΩ to 0.9V - 75 - Deg 入力換算雑音電圧 en f=1kHz - 10 - nV/√Hz チャンネルセパレーション
NJM8532 CS f=1kHz - -125 - dB
(5) CMR は CMR+: V+/2≤VCM≤V+, CMR-:V-≤VCM≤V+/2 を測定し低い方の値です。
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■ 熱特性 項目 記号 値 単位
接合部-周囲雰囲気間 SOT-23-5 VSP8
θja 2-Layer / 4-Layer
259(6) / 193(7) 252(6) / 189(7)
°C/W
接合部-ケース表面間 SOT-23-5 VSP8
ψjt 2-Layer / 4-Layer
67(6) / 58(7) 62(6) / 53(7)
°C/W
(6) 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。 (7) 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による。(4層基板内箔 : 74.2×74.2mm)
■ 消費電力-周囲温度特性例
0
100
200
300
400
500
600
700
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Pow
erDi
ssip
atio
n:P
D(m
W)
Temperature : (°C)
NJM8530F-T1(SOT-23-5)Power Dissipation vs. Temperature
Tjmax=150°C
2-Layer
4-Layer
0
100
200
300
400
500
600
700
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Pow
erDi
ssip
atio
n:P
D(m
W)
Temperature : (°C)
NJM8532R-T1(VSP8)Power Dissipation vs. Temperature
Tjmax=150°C
2-Layer
4-Layer
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
0
100
200
300
400
500
600
0 +2 +4 +6 +8 +10 +12 +14
消費電流
(1回路あたり
) [μA
]
電源電圧 V+ [V]
消費電流(1回路あたり)対電源電圧特性例GV=0dB
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
0
100
200
300
400
500
600
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
消費電流
(1回路あたり
) [μA
]周囲温度 [ºC]
消費電流(1回路あたり)対周囲温度特性例GV=0dB
V+=14V
V+=5VV+=1.8V
-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.00.40.81.21.62.0
0 2 4 6 8 10 12 14
入力オフセット電圧
[mV]
電源電圧 [V]
入力オフセット電圧対 電源電圧特性例VCOM=V+/2
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=-40ºC
-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.00.40.81.21.62.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
入力オフセット電圧
[mV]
周囲温度 [ºC]
入力オフセット電圧対 周囲温度特性例VCOM=V+/2
V+=1.8V
V+=5VV+=14V
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
-2.4 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2
頻度
入力オフセット電圧 [mV]
入力オフセット電圧分布特性例V+=14V, VCOM=V+/2, Ta=25ºC
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
-2.4 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2
頻度
入力オフセット電圧 [mV]
入力オフセット電圧分布特性例V+=5V, VCOM=V+/2, Ta=25ºC
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
-1 0 1 2 3 4 5 6
入力オフセット電圧
[mV]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧対同相入力電圧特性例V+=5V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
-1 14
入力オフセット電圧
[mV]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧対 同相入力電圧特性例V+=14V
Ta=-40ºCTa=25ºC
Ta=125ºC
0 2 4 6 8 10 12
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
-2.4 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2
頻度
入力オフセット電圧 [mV]
入力オフセット電圧分布特性例V+=1.8V, VCOM=V+/2, Ta=25ºC
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
45%
-6.0 -4.0 -2.0 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
頻度
入力オフセット電圧温度ドリフト [μV/ºC]
入力オフセット電圧温度ドリフト分布特性例V+=14V, VCOM=V+/2
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
-6.0 -4.0 -2.0 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
頻度
入力オフセット電圧温度ドリフト [μV/ºC]
入力オフセット電圧温度ドリフト分布特性例V+=1.8V, VCOM=V+/2
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
-6.0 -4.0 -2.0 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
頻度
入力オフセット電圧温度ドリフト [μV/ºC]
入力オフセット電圧温度ドリフト分布特性例V+=5V, VCOM=V+/2
NJM8530-T1/NJM8532-T1
- 10 - Ver.1.0 www.njr.co.jp
■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
-0.6 0 0.6 1.2 1.8 2.4
入力オフセット電圧
[mV]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧対同相入力電圧特性例V+=1.8V
Ta=-40ºC
Ta=25ºCTa=125ºC
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
250
-1 0 1 2 3 4 5 6
入力バイアス電流
[nA]
同相入力電圧 [V]
入力バイアス電流対同相入力電圧特性例V+=5V
Ta=25ºC
Ta=125ºC
Ta=-40ºC
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
250
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
入力バイアス電流
[nA]
周囲温度 [ºC]
入力バイアス電流対周囲温度 特性例VCOM=V+/2
V+=5V V+=14V
V+=1.8V
0123456789
1011121314
0.1 1 10 100
最大出力電圧
[V]
出力電流 [mA]
最大出力電圧対 出力電流特性例V+=14V
ISINK
ISOURCE
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
20
40
60
80
100
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
オープンループ電圧利得
[dB
]
周囲温度 [ºC]
オープンループ電圧利得対周囲温度特性例RL=2kΩ to V+/2
V+=5VV+=14V
V+=1.8V
20
40
60
80
100
120
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
同相信号
/電源電圧除去比
[dB]
周囲温度 [ºC]
同相信号 / 電源電圧除去比対周囲温度特性例
CMR(V+=1.8V)CMR(V+=5V)
CMR(V+=14V) SVR
NJM8530-T1/NJM8532-T1
- 11 - Ver.1.0 www.njr.co.jp
■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1 1 10 100
最大出力電圧
[V]
出力電流 [mA]
最大出力電圧対 出力電流特性例V+=5V
ISINK
ISOURCE
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1 1 10 100
最大出力電圧
[V]
出力電流 [mA]
最大出力電圧対 出力電流特性例V+=1.8V
ISINK
ISOURCE
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
-7-6-5-4-3-2-101234567
10 100 1k 10k 100k
最大出力電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+/V-=±7V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºCTa=125ºC
0
2
4
6
0
2
4
6
8
10
12
14
10 100 1k 10k 100k
Lowレベル出力電圧
V OL
[mV]
Hig
h レベル出力電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+=14V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
VOH
VOL
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
10 100 1k 10k 100kLo
w レベル出力電圧
V OL
[mV]
Hig
h レベル出力電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+=5V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=25ºC
Ta=-40ºCTa=125ºC
VOH
VOL
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
0
1
2
3
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10 100 1k 10k 100k
Lowレベル出力電圧
V OL
[mV]
Hig
h レベル出力電圧
V OH
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+=1.8V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
VOH
VOL
Ta=125ºCTa=25ºC
Ta=-40ºC
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10 100 1k 10k 100k
最大出力電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+/V-=±2.5V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºCTa=125ºC
-0.9
-0.6
-0.3
0.0
0.3
0.6
0.9
10 100 1k 10k 100k
最大出力電圧
[V]
負荷抵抗 [Ω]
最大出力電圧対 負荷抵抗特性例V+/V-=±0.9V, Gv=open, RL connected to 0V
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
Ta=125ºC
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
GB
W [M
Hz]
周囲温度 [ºC]
GBW 対 周囲温度特性例RL=2kΩ to V+/2, CL=0pF, f=100kHz
V+=1.8V
V+=5V
V+=14V
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
1k 10k 100k 1M 10M 100M
位相
[deg
]
電圧利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相対 周波数特性例V+=14V, Gain=40dB, RL=2kΩ to 7V, Ta=25ºC
電圧利得
位相
CL=0pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=0pF
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
1k 10k 100k 1M 10M
位相
[deg
]
電圧利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相対 周波数特性例V+=5V, Gain=40dB, RL=2kΩ to 2.5V, Ta=25ºC
電圧利得
位相
CL=0pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=0pF
-180
-120
-60
0
-60
-40
-20
0
20
40
1k 10k 100k 1M 10M
位相
[deg
]
電圧利得
[dB
]
周波数 [Hz]
40dB 電圧利得/位相対 周波数特性例V+=1.8V, Gain=40dB, RL=2kΩ to 0.9V, Ta=25ºC
電圧利得
位相
CL=0pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=220pFCL=470pF
CL=1000pF
CL=0pF
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
位相余裕
[deg
]
周囲温度 [ºC]
位相余裕対周囲温度特性例RL=2kΩ to V+/2, CL=0pF
V+=1.8V
V+=5V
V+=14V
-10
-5
0
5
10
15
20
10k 100k 1M 10M 100M
電圧利得
[dB
]周波数 [Hz]
電圧利得対周波数特性例V+=14V, Gv=0dB, RL=2kΩ to 7V, Ta=25ºC
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=1000pF
CL=2200pF
-10
-5
0
5
10
15
20
10k 100k 1M 10M 100M
電圧利得
[dB
]
周波数 [Hz]
電圧利得 対周波数特性例V+=5V, Gv=0dB, RL=2kΩ to 2.5V, Ta=25ºC
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=1000pF
CL=2200pF
-10
-5
0
5
10
15
20
10k 100k 1M 10M 100M
電圧利得
[dB
]
周波数 [Hz]
電圧利得 対周波数特性例V+=1.8V, Gv=0dB, RL=2kΩ to 0.9V, Ta=25ºC
CL=10pF
CL=220pF
CL=470pF
CL=1000pF
CL=2200pF
0
5
10
15
20
25
1 10 100 1k 10k 100k
入力換算雑音電圧
[nV/√H
z]
周波数 [Hz]
入力換算雑音電圧対周波数特性例V+=5V, RL=2kΩ to 2.5V, CL=0pF, Ta=25ºC
0
5
10
15
20
25
100 1k 10k
オーバーシュート
[%]
容量性負荷 [F]
オーバーシュート対 容量性負荷特性例VIN=1Vpp, Gv=0dB, RL=2kΩ to V+/2, Ta=25ºC
V+=1.8V
V+=5V
V+=14V
100p 1n 10n
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■ 特性例 (指定なき場合は, V-=0V, Ta=25°C)
電圧
[0.5
V/di
v]
時間 [5μs/div]
過渡応答 特性例V+=5V, VIN=1Vpp, Gv=0dB, RL=2kΩ to GND, Ta=25ºC
CL=10pF
CL=1000pF
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
スルーレート
[V/μ
s]周囲温度 [ºC]
スルーレート対周囲温度特性例VIN=1Vpp, Gv=0dB, CL=10pF, RL=2kΩ to 0V
V+=5V
V+=1.8V
V+=14V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001 0.01 0.1 1 10
全高調波歪
+ ノイズ
[%]
出力電圧 [Vrms]
全高調波歪 +ノイズ対出力電圧特性例V+=3V, GV=+2, RL=2kΩ to 1.5V, CL=0pF, Ta=25ºC
f=100Hz
f=10kHz
f=1kHz
電圧
[0.5
V/di
v]
時間 [1μs/div]
正弦波応答特性例V+=5V, f=10kHz, VIN=6VP-P
Gv=0dB, RL=2kΩ to V+/2
input
Ta=25ºCTa=125 ºC
Ta=-40ºC
-160
-140
-120
-100
-80
-60
10 100 1k 10k 100k
チャンネルセパレーション
[dB
]
周波数 [Hz]
チャンネルセパレーション対周波数特性例GV=40dB, RL=2kΩ to V+/2, Ta=25ºC
V+=3VV+=1.8V
V+=5V
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■ 測定回路
VCOM
A
V+
V-
VS=V+-V-
V+
V-
VO
RF
RG
RGRFVCOM
● ISUPPLY ● VIO, CMR, SVR
● VOH, VOL ● GBW
● SR
VOH; Vin+ = 1V, Vin- = 0V, VCOM=V+/2
VOL; Vin+ = 0V, Vin- = 1V, VCOM=V+/2,
RG=50Ω, RF=50kΩ
RG=100Ω, RF=10kΩ, CL=0pF
RL=2kΩ, CL=10pF
CL
VO
RL
V+
V-50Ω
Vo
Δt
ΔV
90%
10% Δt
ΔV
90%
10%
RL
VCOM
VO
V+
V-Vin- Vin+CL
VO
RG
RF
V+
V-50Ω
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■ アプリケーションノート
電源電圧について NJM8530/NJM8532は(V+)-(V-)端子間に所定の電圧が印
加されていれば単電源、両電源の区別なく動作いたします。 動作電源電圧範囲は単電源時では V+-V-=1.8 to 14V, 両電
源時では V+/V-=±0.9V to ±7V となります。 同相入力電圧範囲について
オペアンプの同相入力電圧範囲は電気的特性表に記載さ
れておりますが、電源電圧が変動した際の目安は VICM (typ.) = V- to V+ (Ta=25°C) となります。
温度特性については特性例をご参照ください。値はばらつ
きがございますので余裕をもってご設計ください。 最大出力電圧範囲について
オペアンプの最大出力電圧(VOM)は電気的特性表に記載
されておりますが、電源電圧が変動した際の目安は VOM (typ.) = V-+50mV to V+-50mV (RL=20kΩ, Ta=25°C) となります。負荷抵抗、出力電流、温度などで最大出力電圧
は変化いたしますので特性例をご参照ください。値はばらつ
きがございますので余裕をもってご設計ください。 入力フルスイングについて
NJM8530/NJM8532 の入力段は PNP と NPN の 2 つの
差動対をもちます(図 1)。 同相入力電圧が V-から V-+0.6V
程度の場合、PNP トランジスタの差動対が動作し、信号を増
幅します。 同相入力電圧が V-+0.6V 以上となると NPN トラ
ンジスタの差動対が徐々に動作していき、両方の差動対が
動作する状態となります。 さらに同相入力電圧が V+-0.6Vから V+
程度となると、PNP トランジスタの差動対が停止し、
NPN トランジスタの差動対のみの動作となります。 差動対の切り替わり時は、それぞれの差動対が持つオフ
セット差異により、図 2 に示すようなオフセット電圧変化が生
じます。
図 1. 入力段 等価回路図
+INPUT -INPUT
電源電圧を超える入力電圧について NJM8530/NJM8532 の入力端子は ESD 素子で保護されて
おり(図 1)、電源電圧に対して約 300mV を超えると動作いた
しますが、その時の電流値は 2mA まで許容されます。図 3は簡単に構成できる入力端子保護回路です。入力電圧が電
源電圧を超える場合は、図3のように制限抵抗(RLIMIT)を用い
て入力電流を 2mA 以下に抑えてください。
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
-1 0 1 2 3 4 5 6
入力オフセット電圧
[mV]
同相入力電圧 [V]
入力オフセット電圧対 同相入力電圧特性例V+=5V
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
Ta=125ºC
図 2. 同相入力電圧によるオフセット変動
V+
V-
Current Limit2mA
RLIMIT
VinVout
図 3. 入力端子保護
差動入力電圧について NJM8530/NJM8532の入力端子は大きな差動電圧から入力
段を保護するため内部に抵抗とダイオードが接続されていま
す(図 1)。ダイオードの順方向電圧(VF)以上の電圧がかかる
と、このダイオードと抵抗で差動電圧を制限します。 IC のバイアス電流は小さな差動電圧では 50nA 程度です
が、ダイオードに VF以上の大きな差動電圧がかかると
+INPUT、-INPUT 端子間に流れる電流が増加します。入力
端子間で許容できる差動電圧は 1.0V ですが、差動電圧が
1.0V を越える場合は、制限抵抗を用いて入力電流を 2mA 以内としてください。
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■ アプリケーションノート
容量性負荷駆動 NJM8530/NJM8532 は、ボルテージフォロワアンプとして
使用できますが、この構成は容量性負荷から最も影響を受
けやすい回路構成です。アンプ出力に接続されている容量
性負荷とアンプの出力インピーダンスにより位相遅れが発
生し、この結果負帰還回路の位相余裕度が減少するためス
テップ応答時にリンギングや、オーバーシュートが発生しま
す。 NJM8530/NJM8532 は 1000pF の容量性負荷でも安定し
た動作をしますが(オーバーシュート対容量性負荷特性例参
照)、より大きな容量性負荷を駆動する場合は図 4 に示すア
イソレーション抵抗:RISOを使用ください。RISOの追加により高
周波で抵抗性を示す出力負荷が形成され、帰還ループの位
相余裕度が向上します。また、RISOを高くすることで出力は
より安定する方向となりますが、最大出力振幅範囲、出力電
流、周波数帯域が低下します。
V+
V-
VinVout
RISO
CL
図 4. 容量性負荷のアイソレーション
差動アンプ 図5はオペアンプ1素子と抵抗4本を使用した差動アンプ
です。差動アンプは、2 つの入力信号の差分のみを増幅しま
すが、2 つの入力信号の共通信号(同相信号)は増幅されず
に除去されます。差動アンプは電流検出、差動-シングルエ
ンド変換、グラウンドノイズの影響を最小限に抑えるアイソレ
ーションアンプなど、同相信号を除去する用途に便利です。
Vout = ቀR1+R2R3+R4
ቁ R4R1
V2-R2R1
V1+ ቀR1+R2R3+R4
ቁ R3R1
Vref
R1=R3, R2=R4
Vout = R2R1
(V2-V1)+ Vref
V1
V2
R1
R2
R3R4
Vref
Vout
図 5. 差動アンプ
差動アンプの同相信号除去比(CMR)は抵抗のマッチング
が重要です。この値は不要な同相信号が出力に表れる程度
を示します。十分な CMR を確保するために、R2/R1 = R4/R3 を十分に一致させてください。
抵抗による CMR は次式で計算できます。 CMRR_error ≈ 20log ൬ 1+R2
R14Rerror
൰
CMRR_error = 抵抗のみによる CMR Rerror = 抵抗の許容差
例 R2/R1=1, Rerror=0.1%の場合、CMR=54dB R2/R1=1, Rerror=1%の場合、CMR=34dB 1%の抵抗を使用した場合、CMR は 34dB まで低下します。 電流検出
電流検出アプリケーションは、パワーモニター、バッテリー
残量監視、モーターコントロール、異常電流検出、車載、メデ
ィカル等、様々なフィードバックシステムに使用されていま
す。これらのアプリケーションは電流検出(シャント)抵抗間で
の電力消費を最小限にするため、かつ大電流を検出するた
めに非常に小さな抵抗を使用します。NJM8530/NJM8532はこのような電流検出向けに最適なオペアンプです。
図6はハイサイド電流検出回路、図7はローサイド電流検
出回路です。NJM8530/NJM8532 は入出力フルスイング特
性を持つため一つの IC でハイサイド/ローサイド電流検出ど
ちらにも対応できます。また 290μA/ch という低消費特性は、
アプリケーションの低消費化に貢献します。
NJM8530/NJM8532 は高耐圧、かつ出力フルスイングが可
能ですので、出力は 14V まで可能です(オペアンプの電源電
圧と同じとなります)。例えば、0.1Ωのシャント抵抗を使った
場合、1.4A までの検出が可能です。 差動アンプは抵抗マッチングにより同相信号除去比
(CMR)が変化いたします。詳細はアプリケーションインフォメ
ーションの差動アンプ項目をご参照ください。
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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Load
14VRs
1kΩ
100kΩ
1kΩ
100kΩ
Vout
14V
I Load
14V
Rs
1kΩ
100kΩ
1kΩ
100kΩ
Vout
14V
I
■ アプリケーションノート 電流検出(続き)
図 7. ローサイド電流検出 図 6. ハイサイド電流検出
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■外形寸法図
1 2 3
45
0~15°1.9±0.2
2.9±0.2
0.6max 0.95±0.1
1.6+0.2
-0.1
0.4±0.10.1
1.1±0.1
0.1max
2.8±0.2
0.1+0.1-0.03
0.6
0.2
■フットパターン
0.7
1.0
0.95 0.95
2.4
SOT-23-5 Unit: mm
NJM8530-T1/NJM8532-T1
- 20 - Ver.1.0 www.njr.co.jp
■外形寸法図
41
0~10゚
58
2.9+0.3
-0.1
2.8±0.2
4.0±0.3
+0.1
-0.05
+0.1
-0.05
0.2±0.10.1
0.1
M
0.1
1.1±0.1
0.6max 0.65 0.127
0.55±0.2
■フットパターン
VSP8 Unit: mm
1.95
1.0
0.23 0.65
3.5
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 包装仕様 テーピング寸法
A
BW1
P2 P0
P1
φD0
EF
W
T
K0
T2φD1
Feed direction
SYMBOL
A
B
D0
D1
E
F
P0
P1
P2
T
T2
K0
W
W1
DIMENSION
3.3±0.1
3.2±0.1
1.55
1.05
1.75±0.1
3.5±0.05
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
0.25±0.05
1.82
1.5±0.1
8.0±0.3
5.5
REMARKS
BOTTOM DIMENSION
BOTTOM DIMENSION
THICKNESS 0.1MAX
リール寸法
A
E
C D
B
W1
W
SYMBOL
A
B
C
D
E
W
W1
DIMENSION
φ180±1
φ 60±1
φ 13±0.2
φ 21±0.8
2±0.5
9±0.5
1.2±0.2
テーピング状態
more than 20pitch
Empty tape Device attaching tape
reel more than 1 round
Covering tape
Sealing with covering tape
Drawing direction 3000pcs/reel more than 20pitch
Empty tape
梱包状態 Label
Put a reel into a box
Label
SOT-23-5 Unit: mm
Insert direction
(TE1)
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■包装仕様 テーピング寸法
Feed direction
B
A
W1
P2 P0
P1
φD0
EF
W
T
T2φD1
SYMBOL
A
B
D0
D1
E
F
P0
P1
P2
T
T2
W
W1
DIMENSION
4.4
3.2
1.5
1.5
1.75±0.1
5.5±0.05
4.0±0.1
8.0±0.1
2.0±0.05
0.30±0.05
2.0 (MAX.)
12.0±0.3
9.5
REMARKS
BOTTOM DIMENSION
BOTTOM DIMENSION
THICKNESS 0.1max
+0.10+0.10
リール寸法
A
W1
E
C D
W
B
SYMBOL
A
B
C
D
E
W
W1
DIMENSION
φ254±2
φ100±1
φ 13±0.2
φ 21±0.8
2±0.5
13.5±0.5
2.0±0.2
テーピング状態
Feed direction
Sealing with covering tape
Empty tape Devices Empty tape Covering tape
more than 20pitch 2000pcs/reel more than 20pitch reel more than 1round
梱包状態
Label
Put a reel into a box
Label
VSP8 Unit: mm
Insert direction
(TE2)
NJM8530-T1/NJM8532-T1
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■ 推奨実装方法
リフローはんだ法
*リフロー温度プロファイル
a:温度上昇勾配 : 1 to 4C/s b:予備加熱温度 時間
: 150 to 180C : 60 to 120s
c:温度上昇勾配 : 1 to 4C /s d:実装領域 A 温度 時間 e:実装領域 B 温度 時間
: 220C : 60s 以内 : 230C : 40s 以内
f:ピーク温度 : 260C 以下 g:冷却温度勾配 : 1 to 6C /s
温度測定点 : パッケージ表面 a b c
e
g
150C
260C
常 温
f
180C
230C 220C d
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■ 改定履歴 日付 版数 変更内容
2019 /6 /13 1.0 新フォームにて NJM8530/32-T1 統合版でリリース
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【注意事項】
1. 当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがあります。当社半
導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任にお
いてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十分留
意されますようお願いします。 2. このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものでは
ありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権
利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。
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当社営業窓口までご相談願います。 (ア) 航空宇宙機器 (イ) 海底機器 (ウ) 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) (エ) 生命維持に関する医療装置 (オ) 防災 / 防犯装置 (カ) 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) (キ) 各種安全装置
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ますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等
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は混ぜないでください。 6. このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の
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