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半導体工学 11第9回目/ OKM
MOSFETMOSFETの動作原理の動作原理
・しきい電圧(・しきい電圧(VVTHTH))と制御と制御
・・EE型と型とDD型型
・0次近似によるドレイン電流解析・0次近似によるドレイン電流解析
半導体工学 22第9回目/ OKM
電子のエネルギーバンド図での考察
価電子帯
Ec
Ev
EF
Ei
伝導帯
金属(M)
酸化膜(O)
シリコン(S) 電
子エネルギー
理想MOS構造の仮定: ・シリコンと金属の仕事関数が等しい。
・界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない。
熱平衡でフラットバンド
金属(M)
酸化膜(O)
シリコン(S)
qVG
ゲートに正電圧
半導体工学 33第9回目/ OKM
表面電位と表面キャリア密度
金属(M)
酸化膜(O)
シリコン(S)
qVG
Ec
Ev
EF
Ei
qφs
qφp
バルク(bulk)領域の正孔密度:(4-14)式
表面電位:
表面正孔密度→表面電位のボルツマン因子だけ減少
表面電子密度→表面電位のボルツマン因子だけ増加
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛−=
kTqNp s
Asφexp
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛ −==
kTq
nkT
EEnNp p
iFip
iApφ
expexp0
φs > 0
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛=
kTq
Nnn s
A
is
φexp2
半導体表面は空乏
半導体工学 44第9回目/ OKM
p型表面の伝導型がnに反転
qVG
Ec
Ev
EF
Ei
qφs
qφp
qVTH
Ec
Ev
EF
Ei
qφs = 2qφp
qφp
半導体表面は真性
EF
がEi
に一致
qφp
p型表面がnに反転
ゲート電圧をさらに増やしていくと
qVOX
禁制帯中央から見てEFの位置がバルクと表面とで正反対!
dOX
半導体工学 55第9回目/ OKM
理想MOS構造のしきい電圧
半導体工学 66第9回目/ OKM
VGS
空乏層電荷 (QSC)アクセプタ
ある程度,表面に電子が溜まると電界は遮蔽され,Cが一定になる
QC = COX (VGS-VTH)• Q=QSC+QC
チャネル電荷 (QC)伝導電子
Cは空乏層の伸
びにより減少
VTH
しきい電圧 (threshold voltage)
半導体工学 77第9回目/ OKM
しきい電圧 (VTH)
n-MOS の場合
– ゲート電圧を上げていった
ときに,表面電子密度が増
加し,バルク正孔密度に等
しくなったときの値.
– 仕事関数の小さなゲート電
極材料によりマイナス側に
シフト.
VGS
チャネル電荷 (QC)
⇒ ソース・ドレイン間のコンダクタンス
VTH
ドナーなど,プラスのイオンをドーピングすることで,マイナス側にシフトできる
半導体工学 88第9回目/ OKM
MOSFETはしきい電圧の
コントロールが可能
エンハンスメント型
Enhancement 型
normally off 型ともいう
デプレション型
Depletion 型
normally on 型ともいう
Siバイポーラ
立上がり電圧がしきい電圧.
約0.7 Vのnormally off 型のみ.VGS
IDS
VTH
ED
0
⇒ 出力電流
⇒入力電圧
半導体工学 99第9回目/ OKM
ゲート材料としきい電圧
ゲート金属の仕事関数
大 小
Ec
Ev
poly p-SiGate
p-Si ポリシリコンゲート
NMOS PMOS
Ec
Ev
poly n-SiGate
n-Si
半導体工学 1010第9回目/ OKM
酸化膜中電荷によるVTHシフト
Na+
Na+
Na+
Na+
Na+
Na+
Na+Na+
Na+ Na+
酸化膜中にNaやKなどの陽イオンが汚染混入
→ 電圧をかけなくても電子が表面に。
→ VTHは負側にシフト
フローティングゲートに電子を注入・蓄積
→ 電子は表面に行き難く→ VTHは正側にシフト
EPROM等(フラッシュメモリ)
半導体工学 1111第9回目/ OKM
チャネルドープとしきい電圧
半導体工学 1212第9回目/ OKM
G
sub
D
S
G
sub
D
S
G
sub
D
S
G
sub
D
S
IDS
VDS
VGS
IDS
VDS
VGS
IDSS
VGS
IDSS
VGS
VGS
IDSS
VGS
IDSS
IDS
VDS
VGS
IDS
VDS
VGS
MOSFETを4種類に大別(しきい電圧の絶対値を 2V として例示)
nMOS (E) nMOS (D) pMOS (E) pMOS (D)
伝達特性
出力特性
回路記号
+5 V
+4 V+3 V
< 2 V
+1 V
0 V- 1 V
< - 2 V
- 5 V
- 4 V- 3 V
> - 2 V
- 1 V
0 V+1 V
> +1 V
半導体工学 1313第9回目/ OKM
チャネルコンダクタンス
チャネルに誘導される伝導電荷
(単位面積当たり)
チャネル電荷分布が,ドレイン印加電圧に影響さ
れなければ・・
QCWL
QCWL
QC = COX VGS − VTH( )
半導体工学 1414第9回目/ OKM
ドレイン電流を求めよう
QCWL
QCWL
QCWL =εOXε0WL
dOXVGS − VTH( ) tC =
LvC
の電荷が
IDS =QCWL
tC=
εOXε0μ n
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ VGS − VTH( )VDS
秒かかって走行.
tC =
Lμ nE
=L
μ n (VDS /L)=
L2
μ nVDS
半導体工学 1515第9回目/ OKM
線形領域の特性と利得係数
( ) ( ) DSTHGSDSTHGSOX
nOX
C
CDS VVVVVV
LW
dtWLQ
I −=−⎟⎠⎞
⎜⎝⎛== 0 β
μεε
利得係数(gain)
IDS
VDSVGS < VTH
VGS - VTH に比例して増加
半導体デバイス工学 11第8回目/ OKM
MOSFETの出力静特性
0 V 0 V+5 V
0 V
チャネル
5 V 5 V
ソース ゲート ドレイン(a)
IDS =QCWL
tC=
εOXε0μ n
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ VGS − VTH( )VDS
n-MOSVTH = +2 V
+3 V+1 V VDS
IDSVGS = +5 V
VGS = +3 V
半導体デバイス工学 22第8回目/ OKM
MOSFETの出力静特性
0 V +5 V +1 V
0 V
空乏層
4 V
(b)
VDS が0のときに同じ
1V分は空乏層
に逆バイアス
n-MOSVTH = +2 V
+3 V+1 V VDS
IDS VGS = +5 V
VGS = +3 V
半導体デバイス工学 33第8回目/ OKM
0 V +5 V +3 V
0 V
ピンチオフ
2 V
(c)
ピンチオフ電圧 VP
ゲートとドレインの電圧差
が 2 V !
しきい電圧に等しい VGS − VDS = VTH
VDS = VGS − VTH ≡ VP
n-MOSVTH = +2 V
+3 V+1 V VDS
IDSVGS = +5 V
VGS = +3 V
半導体デバイス工学 44第8回目/ OKM
傾斜チャネル近似Gradual channel approximation
0 V V GS
0 V空乏層
V DS
z
0 L
V C (z )
( )THCGSOXC VzVVzWCzWzQ −−⋅⋅= )(dd)(
IDS (z) = QC (z)μ n∂VC (z )
∂z= const.
IDS =1L
I DS(z )dz0
L∫
=1L
QC (z)μ n ∂VC (z ) /∂z( )dz0
L∫
=μ nεOXε0
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ VGS − VC − VTH( )dVC0
VDS∫
=μ nεOXε0
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ VGS − VTH( )VDS −
VDS2
2
⎡
⎣ ⎢ ⎢
⎤
⎦ ⎥ ⎥
半導体デバイス工学 55第8回目/ OKM
線形領域と飽和領域
線形領域のドレイン電流
利得係数 β, プロセス係数 KP
飽和電流値 IDSS
IDS =μ nεOXε0
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ VGS − VTH( )VDS −
VDS2
2
⎡
⎣ ⎢ ⎢
⎤
⎦ ⎥ ⎥
= β VGS − VTH( )VDS −VDS
2
2
⎡
⎣ ⎢ ⎢
⎤
⎦ ⎥ ⎥
β ≡μ nεOXε0
dOX
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ ≡ K P
WL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟
IDSS =12
β VGS − VTH( )2=
12
βVP2
IDS
VDS0
線形領域
飽和領域IDSS
VP = VGS − VTH
半導体デバイス工学 66第8回目/ OKM
ピンチオフ電圧以上で飽和する理由
0 V +5 V +3 V
0 V
ピンチオフ
2 V
チャネルの抵抗
小 大
VC(z)
L0
+3 V
VC (z) = VP 1− 1−zL
⎛
⎝ ⎜
⎞
⎠ ⎟
Ez (z) = −∂VC (z )
∂z= −
VP
2L1−
zL
⎛ ⎝ ⎜
⎞ ⎠ ⎟ −1
QC (z)dz = COXVP 1−zL
IDSS = β VGS − VC − VTH( )dVC0
VC∫
半導体デバイス工学 1212第8回目/ OKM
小信号パラメ タ小信号パラメータ
IDS = β VGS −VTH( )VDS −VDS
2
2⎡
⎣ ⎢ ⎤
⎦ ⎥
ドレインコンダクタンス
∂ IgD 0 ≡
∂ IDS
∂VDS VDS → 0
= β VP = β (VGS −VTH )線形領域:
gDS ≡∂IDS
∂VDS VDS >VP
=∂IDSS
∂VDS= 0飽和領域:
伝達コンダクタンス
∂ IDS線形領域 gm ≡∂ IDS
∂VGS= β VDS線形領域:
PGS
DSSm V
VI
g β∂∂
=≡飽和領域:
半導体デバイス工学 1313第8回目/ OKM
ゲ トキャパシタンスゲートキャパシタンス
遮断領域 線形領域 飽和領域
S G D S G D S G D
C WL
COX WL2
COX WL2
COX WL
23
COX WL
sub sub subsub sub sub
半導体デバイス工学 1414第8回目/ OKM
チャネル長変調チャネル長変調
半導体デバイス工学 1515第8回目/ OKM
等価回路と遮断周波数 f等価回路と遮断周波数 fT
G Di G i D G DC GDi G i D
C GS g v GSv GSC GS g mv GS
g Dv GSC GS g mv GSv GS g Dv GS
SCGS =
23
COXWLS
電圧利得gm=βVp3
電流利得
遮断周波数=利得帯域幅積