lt1007/lt1037 - 低ノイズ、高速、高精度オペアンプ · 2018-03-20 · lt1007/lt1037...

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

n 保証ノイズ：10Hzで4.5nV/√Hzn 保証ノイズ：1kHzで3.8nV/√Hzn 0.1Hz～10Hzノイズ：60nVP-P（標準）n 保証電圧利得：RL = 2kΩで7,000,000（最小）n 保証電圧利得：RL = 600Ωで3,000,000（最小）n 保証オフセット電圧：25µV（最大）n 保証温度ドリフト：0.6µV/（最大）n 保証スルーレート：11V/µs（最小）（LT1037）n 保証CMRR：117dB（最大）

LT®1007/LT1037シリーズは、（400Ω抵抗のノイズよりも低い）2.5nV/ √Hzの広帯域ノイズ、2Hzの 1/fコーナー周波数、60nVppの 0.1Hz～ 10Hzノイズといった、今日モノリシック・オペアンプで提供可能な最小のノイズ性能を実現します。このような低ノイズに加え、10µVのオフセット電圧、0.2µV/のドリフト、130dBの同相および電源除去比、5以上の閉ループ利得で安定する非補償の LT1037における 60MHzの利得帯域幅積などの卓越した高精度および高速仕様を実現しています。LT1007/LT1037の電圧利得はきわめて高く、2kΩの負荷を ± 10Vにドライブする場合は 20,000,000、600Ωの負荷をドライブする場合は 12,000,000です。デバイスの設計、製造プロセス、テストでは、各種の主要パラメータの全体の分布を最適化することに重点が置かれました。その結果、最も低コストのグレード（LT1007CおよびLT1037C）でも、同等グレードの競合アンプと比べて格段に優れた仕様を実現します。下図に示す正弦波発生器アプリケーションは、LT1037の低ノイズおよび低歪み特性を活かしたものです。

超高純度1kHz正弦波発生器

TIME (SEC)0 2 4 6 8 10

VOLT

AGE

NOIS

E (2

0nV/

DIV)

1007/37 TA02

n 低ノイズ信号処理n マイクロボルト精度のスレッショルド検出n ストレインゲージ・アンプn 直接結合されたオーディオ利得段n 正弦波発生器n テープ・ヘッド用プリアンプn マイクロフォン用プリアンプ

1007/37 TA01

430Ω

OUTPUT

C

C R

R

6

2

3

#327 LAMP

–

+LT1037

f = 12πRC

R = 1591.5Ω ±0.1%C = 0.1µF ±0.1%

TOTAL HARMONIC DISTORTION = < 0.0025%NOISE = < 0.0001%AMPLITUDE = ±8VOUTPUT FREQUENCY = 1.000kHz FOR VALUES GIVEN ±0.4%

0.1Hz～10Hzノイズ

低ノイズ、高速、高精度オペアンプ

標準的応用例

特長

アプリケーション

概要

L、LTC および LT はリニアテクノロジー社の登録商標です。

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

電源電圧.................................................................................±22V入力電圧 ...........................................................電源電圧に等しい出力短絡時間 ......................................................................無期限差動入力電流（Note 9） .......................................................±25mA保存温度範囲..........................................................–65～150

TOP VIEW

V+

VOS TRIM

VOSTRIM

–IN OUT

NC+IN

V– (CASE)

87

6

5

1

4

H PACKAGE8-LEAD TO-5 METAL CAN

–+

2

3

TJMAX = 150°C, θJA = 150°C/W, θJC = 45°C/W

1

2

3

4

8

7

6

5

TOP VIEW

VOSTRIM

VOSTRIMV+

OUT

NC

–IN

+IN

V–

–+

N8 PACKAGE8-LEAD PDIP

TOP VIEW

S8 PACKAGE8-LEAD PLASTIC SO

1

2

3

4

8

7

6

5

VOSTRIM

VOSTRIMV+

OUT

NC

–IN

+IN

V–

–

+

TJMAX = 150°C, θJA = 190°C/W

ORDER PART NUMBER ORDER PART NUMBER ORDER PART NUMBER

10071007I

10371037I

LT1007ACN8LT1007CN8LT1007IN8

LT1037ACN8LT1037CN8LT1037IN8

LT1007ACHLT1007AMHLT1007CHLT1007MH

LT1037ACHLT1037AMHLT1037CHLT1037MH


S8 PART MARkINg

LT1007CS8LT1007IS8

LT1037CS8LT1037IS8

（Note 1）

さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。

リード温度（半田付け、10秒） ................................................300動作温度範囲 LT1007/LT1037AC、C ................................................0～70 LT1007/LT1037I .....................................................–40～85 LT1007/LT1037AM、M（廃品）..............................–55～125

LT1007ACJ8LT1007AMJ8LT1007CJ8LT1007MJ8

LT1037ACJ8LT1037AMJ8LT1037CJ8LT1037MJ8


J8 PACkAgE LEAD CERDIP

廃品パッケージ廃品パッケージ

LT1007AC/AM LT1007C/I/MLT1037AC/AM LT1037C/I/M

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS

VOS Input Offset Voltage (Note 2) 10 25 20 60 µV

∆VOS Long Term Input Offset (Notes 3, 4) 0.2 1.0 0.2 1.0 µV/Mo

∆Time Voltage Stability

IOS Input Offset Current 7 30 12 50 nA

IB Input Bias Current ±10 ±35 ±15 ±55 nA

en Input Noise Voltage 0.1Hz to 10Hz (Notes 4, 6) 0.06 0.13 0.06 0.13 µVP-P

Input Noise Voltage Density fO = 10Hz (Notes 4, 5)fO = 1000Hz (Note 4)

2.82.5

4.53.8

2.82.5

4.53.8

nV/√HznV/√Hz

in Input Noise Current Density fO = 10Hz (Notes 4, 7)fO = 1000Hz (Notes 4, 7)

1.50.4

4.00.6

1.50.4

4.00.6

pA/√HzpA/√Hz

Consider the N8 Package for Alternate Source Consider the N8 or S8 Package for Alternate Source

絶対最大定格

パッケージ/発注情報

電気的特性注記がない限り、VS = ±15V、TA = 25。

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

注記がない限り、VS = ±15V、TA = 25。LT1007AC/AM LT1007C/I/MLT1037AC/AM LT1037C/I/M

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSInput Resistance, Common Mode 7 5 GΩ

Input Voltage Range ±11.0 ±12.5 ±11.0 ±12.5 V

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = ±11V 117 130 110 126 dB

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±4V to ±18V 110 130 106 126 dB

AVOL Large-Signal Voltage Gain RL ≥ 2k, VO = ±12V 7.0 20.0 5.0 20.0 V/µV

RL ≥ 1k, VO = ±10V 5.0 16.0 3.5 16.0 V/µV

RL ≥ 600Ω, VO = ±10V 3.0 12.0 2.0 12.0 V/µV

VOUT Maximum Output Voltage Swing RL ≥ 2k ±13.0 ±13.8 ±12.5 ±13.5 V

RL ≥ 600Ω ±11.0 ±12.5 ±10.5 ±12.5 V

SR Slew Rate LT1007 RL ≥ 2k 1.7 2.5 1.7 2.5 V/µs

LT1037 AVCL ≥ 5 11 15 11 15 V/µs

GBW Gain Bandwidth LT1007 fO = 100kHz (Note 8) 5.0 8.0 5.0 8.0 MHz

Product LT1037 fO = 10kHz (Note 8) (AVCL ≥ 5) 45 60 45 60 MHz

ZO Open-Loop Output Resistance VO = 0V, IO = 0 70 70 Ω

PD Power Dissipation LT1007 80 120 80 140 mW

LT1037 80 130 85 140 mW

lは、 0 ≤ TA ≤ 70の温度範囲での規格値を意味する。注記がない限り、VS = ±15V。

LT1007AC/AM LT1007C/I/MLT1037AC/AM LT1037C/I/M

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITSVOS Input Offset Voltage (Note 2) l 20 50 35 110 µV

∆VOS Average Input Offset Drift (Note 10) l 0.2 0.6 0.3 1.0 µV/°C∆Time

IOS Input Offset Currentl l 10 40 15 70 nA

IB Input Bias Currentl l ±14 ±45 ±20 ±75 nA

Input Voltage Rangel l ±10.5 ±11.8 ±10.5 ±11.8 V

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = ±10.5V l 114 126 106 120 dB

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±4.5V to ±18V l 106 126 102 120 dB

AVOL Large-Signal Voltage Gain RL ≥ 2k, VO = ±10V l 4.0 18.0 2.5 18.0 V/µV

RL ≥ 1k, VO = ±10V l 2.5 14.0 2.0 14.0 V/µV

VOUT Maximum Output Voltage Swing RL ≥ 2kl l ±12.5 ±13.6 ±12.0 ±13.6 V

PD Power Dissipationl l 90 144 90 160 mW

電気的特性

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

lは、–40°C ≤ TA ≤ 85°Cの温度範囲での規格値を意味する。注記がない限り、VS = ±15V。

MIL-STD 部品のテストリストとパラメータについては、LTC883C のデータシートを参照。Note 1：絶対最大定格は、それを超えるとデバイスの寿命を損なうおそれがある値。Note 2：入力オフセット電圧の測定は、電源投入からおよそ 0.5 秒後に自動テスト装置によって行われる。AM および AC グレードは完全にウォームアップされた状態で保証される。Note 3：入力オフセット電圧長期安定性は、動作開始から最初の 30 日を超えて延長された期間にわたって測定された、オフセット電圧の平均傾向線と時間の関係を表している。初期動作期間を除いて、最初の 30 日間の VOS の変化は標準 2.5µV である。標準的性能曲線を参照。Note 4：このパラメータはサンプルベースでのみテストされる。Note 5：10Hz ノイズ電圧密度はロットごとにサンプリングでテストされる。要求があれば、10Hz での全数テストも可能。

Note 6：「アプリケーション情報」のセクションの、0.1Hz ～ 10Hz テスタのテスト回路と周波数応答曲線を参照。Note 7：「アプリケーション情報」のセクションの電流ノイズ測定用テスト回路を参照。Note 8：このパラメータは設計によって保証されており、テストされない。Note 9：入力はバック・トゥ・バック・ダイオードで保護されている。低ノイズを達成するために、電流制限抵抗は使用されない。差動入力電圧が± 0.7V を超える場合、入力電流は 25mA に制限する必要がある。Note 10：平均入力オフセットドリフト性能は、ヌル化されない、または 8kΩ ～ 20kΩ の範囲のポテンショメータでヌル化された場合の仕様以内に入る。

lは、–55 ≤ TA ≤ 125の温度範囲での規格値を意味する。注記がない限り、VS = ±15V。

LT1007I/LT1037ISYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

VOS Input Offset Voltage (Note 2) l 40 125 µV

∆VOS Average Input Offset Drift (Note 10) l 0.3 1.0 µV/°C∆Temp

IOS Input Offset Current l 20 80 nA

IB Input Bias Current l ±25 ±90 nA

Input Voltage Range l ±10 ±11.7 V

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = ±10.5V l 105 120 dB

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±4.5V to ±18V l 101 120 dB

AVOL Large-Signal Voltage Gain RL ≥ 2k, VO = ±10V l 2.0 15.0 V/µV

RL ≥ 1k, VO = ±10V l 1.5 12.0 V/µV

VOUT Maximum Output Voltage Swing RL ≥ 2k l ±12.0 ±13.6 V

PD Power Dissipation l 95 165 mW

LT1007AM/LT1037AM LT1007M/LT1037MSYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS

VOS Input Offset Voltage (Note 2) l 25 60 50 160 µV

∆VOS Average Input Offset Drift (Note 10) l 0.2 0.6 0.3 1.0 µV/°C∆Temp

IOS Input Offset Current l 15 50 20 85 nA

IB Input Bias Current l ±20 ±60 ±35 ±95 nA

Input Voltage Range l ±10.3 ±11.5 ±10.3 ±11.5 V

CMRR Common Mode Rejection Ratio VCM = ±10.3V l 112 126 104 120 dB

PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±4.5V to ±18V l 104 126 100 120 dB

AVOL Large-Signal Voltage Gain RL ≥ 2k, VO = ±10V l 3.01 4.0 2.0 14.0 V/µV

RL ≥ 1k, VO = ±10V l 2.0 10.0 1.5 10.0 V/µV

VOUT Maximum Output Voltage Swing RL ≥ 2k l ±12.5 ±13.5 ±12.0 ±13.5 V

PD Power Dissipation l 100 150 100 170 mW

電気的特性

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)0

NUM

BER

OF U

NITS

140

120

100

80

60

40

20

01 5 7

1007/37 G01

4 9 102 3 6 8

VS = ±15VTA = 25°C497 UNITS MEASUREDFROM SIX RUNS

FREQUENCY (Hz)1

1

3

RMS

VOLT

AGE

NOIS

E DE

NSIT

Y (n

V/√H

z)

10

30

100

10 1000

1007/37 G02

0.1 100

VS = ±15VTA = 25°C

1/f CORNER = 2Hz

MAXIMUM

TYPICAL

電圧ノイズと周波数

FREQUENCY (Hz)10

0.1

0.3

3

1

10

100 1k 10k

1007/37 G07

RMS

NOIS

E DE

NSIT

Y (p

A/√H

z)

1/f CORNER = 120Hz

MAXIMUM

TYPICAL

TEMPERATURE (°C)–50

5

4

3

2

1

00 50 75

1007/37 G06

–25 25 100 125

AT 10Hz

VS = ±15V

AT 1kHz

RMS

VOLT

AGE

NOIS

E DE

NSIT

Y (n

V/√H

z)

10Hz電圧ノイズ分布

全ノイズとソース抵抗電圧ノイズと温度

SOURCE RESISTANCE (kΩ)0.1

1

10

100

1000

1 10 100

1007/37 G05

TOTA

L NO

ISE

DENS

ITY

(nV/

√Hz)

VS = ±15VTA = 25°C

SOURCE RESISTANCE = 2R

R

R

AT 1kHz

AT 10Hz

RESISTORNOISE ONLY

電流ノイズと周波数

BANDWIDTH (kHz)0.1

0.01

RMS

VOLT

AGE

NOIS

E (µ

V)

0.1

1

10

1 10 100

1007/37 G08

広帯域電圧ノイズ（0.1Hzから示される周波数まで）電圧ノイズと電源電圧

0.02Hz～10Hz RMSノイズ。利得 = 50,000（HP3582スペクトルアナライザで測定）

MARKER AT 2Hz ( = 1/f CORNER) = 179µV/√Hz50,000

nV√Hz

= 3.59

1007/37 G03

0.01Hz～1Hzのピーク・トゥ・ピーク・ノイズ

標準的性能特性

TIME (SEC)0 20 40 60 80 100

VOLT

AGE

NOIS

E (2

0nV/

DIV)

1007/37 G04

SUPPLY VOLTAGE (±V)0

5

4

3

2

1

020

1007/37 G09

5 10 15 25

RMS

VOLT

AGE

NOIS

E DE

NSIT

Y (n

V/√H

z)

AT 10Hz

TA = 25°C

AT 1kHz

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

電圧利得、RL = 2kΩおよび600Ω電圧利得と周波数電圧利得と電源電圧

電圧利得と負荷抵抗

LOAD RESISTANCE (kΩ)0.1 0.3 3

OPEN

-LOO

P VO

LTAG

E GA

IN (V

/µV)

25

20

15

10

5

01 10

1007/37 G13

VS = ±15VTA = 25°C

ウォームアップ・ドリフト

TEMPERATURE (°C)

VOLT

AGE

GAIN

(V/µ

V)

–50

25

20

15

10

5

00 50 75

1007/37 G14

–25 25 100 125

RL = 2k

RL = 1k

RL = 600Ω

VS = ±15VVOUT = ±10VVOUT = ±8V FORTA ≥ 100°C ANDRL = 600Ω

電圧利得と温度

TIME (MONTHS)0

OFFS

ET V

OLTA

GE C

HANG

E (µ

V)

10

5

0

–5

–108

1007/37 G16

2 4 6 10

0.2µV/MONTH

0.2µV/MONTHTREND LINE

4つの代表的ユニットの長期安定性消費電流と電源電圧

代表的ユニットのオフセット電圧ドリフトと温度の関係


OFFS

ET V

OLTA

GE (µ

V)

50

40

30

20

10

0

–10

–20

–30

–40

–500 50 75

1007/37 G17

–25 25 100 125

VS = ±15V

LT1007A/LT1037ALT1007/LT1037



OPEN

-LOO

P VO

LTAG

E GA

IN (V

/µV)

25

20

15

10

5

020

1007/37 G11

5 10 15 25

TA = 25°CRL = 2k

RL = 600Ω

FREQUENCY (Hz)0.01

VOLT

AGE

GAIN

(dB)

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

–20

1007/37 G10

0.1 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M

VS = ±15VTA = 25°CRL = 2k

LT1037LT1007


SUPP

LY C

URRE

NT (m

A)

20

1007/37 G18

5 10 15

4

3

2

1

0

125°C

25°C

–55°C

TIME AFTER POWER ON (MINUTES)0

CHAN

GE IN

OFF

SET

VOLT

AGE

(µV)

10

8

6

4

2

04

1007/37 G15

1 2 3 5

VS = ±15VTA = 25°C

DUAL-IN-LINE PACKAGEPLASTIC (N8) OR CERDIP (J8)

METAL CAN (H) PACKAGE

–1

0

1 –1

0

1

INPU

T VO

LTAG

E (

V)

INPUT VOLTAGE (V)

–15 –10 –5 0 5 10 15OUTPUT VOLTAGE (V)

MEASURED ON TEKTRONIX 178 LINEAR IC TESTER1007/37 G12

RL = 2k

RL = 600VS = 15VTA = 25 C

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

FREQUENCY (Hz)

COM

MON

MOD

E RE

JECT

ION

RATI

O (d

B)

140

120

100

80

60

40103 105 106 107

1007/37 G19

104

VS = ±15VVCM = ±10VTA = 25°C

LT1037LT1007

同相除去比と周波数


INPU

T BI

AS C

URRE

NT (n

A)

1007/37 G22

0 50 100

50

40

30

20

10

0–25 25 75 125

VS = ±15V

LT1007MLT1037M

LT1007AMLT1037AM

TIME FROM OUTPUT SHORT TO GROUND (MINUTES)0

SHOR

T-CI

RCUI

T CU

RREN

T (m

A)SO

URCI

NGSI

NKIN

G

50

40

30

20

10

0

–10

–20

–30

–40

–501 2

1007/37 G27

3

–55°C

–55°C

125°C

125°C

25°C

25°C

VS = ±15V

出力短絡電流と時間

LOAD RESISTANCE (Ω)100 300 3k

OUTP

UT S

WIN

G (V

)

15

12

9

6

3

01k 10k

1007/37 G24

VS = ±15VTA = 25°C

POSITIVESWING

NEGATIVESWING

出力振幅と負荷抵抗

COMMON MODE INPUT VOLTAGE (V)–15 –10

INPU

T BI

AS C

URRE

NT (n

A)

–5 50 10 15

1007/37 G21

20

15

10

5

0

–5

–10

–15

–20

DEVICE WITH NEGATIVEINPUT CURRENT

DEVICE WITH POSITIVEINPUT CURRENT

VS = ±15VTA = 25°C RCM = ≈ 7G20V

3nA

同相範囲での入力バイアス電流


COM

MON

MOD

E LI

MIT

(V)

REFE

RRED

TO

POW

ER S

UPPL

Y

V+

–1

–2

–3

–4

+4

+3

+2

+1

V–

0 50 75

1007/37 G20

–25 25 100 125

V+ = 3V TO 20V

V– = –3V TO –20V

同相制限と温度


INPU

T OF

FSET

CUR

RENT

(nA)

–50 0 25–25 50 75 100 125

1007/37 G23

60

50

40

30

20

10

0

VS = ±15V

LT1007MLT1037M

LT1007AMLT1037AM

入力オフセット電流と温度

PSRRと周波数閉ループの出力インピーダンス

入力バイアス電流と温度


FREQUENCY (Hz)1

POW

ER S

UPPL

Y RE

JECT

ION

RATI

O (d

B)

1195 G25

10210 103 104 105 106 107 108

160

140

120

100

80

60

40

20

0

TA = 25°C

NEGATIVESUPPLY

POSITIVESUPPLY

FREQUENCY (Hz)10

OUTP

UT IM

PEDA

NCE

(Ω)

100

10

1

0.1

0.01

0.001100k

1007/37 G26

100 1k 10k 1M

VS = ±15VTA = 25°CIOUT = 1mA

AV = 1000 AV = 1000

AV = 1 AV = 5

LT1007LT1037

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs


SLEW

RAT

E (V

/µs)

P

HASE

MAR

GIN

(DEG

) GAIN BANDWIDTH PROCUCT, fO = 10kHz (M

Hz)

70

60

50

20

15

10

70

60

50

0 50 75

1007/37 G30

–25 25 100 125

SLEW

GBW

VS = ±15VCL = 100pF

PHASE MARGIN

50mV

0V

-50mV

AVCL = 5VS = ±15VCL = 15pF 1007/37 G28

LT1037の小信号過渡応答

LT1037の位相マージン、利得帯域幅積、スルーレートと温度

10V

0V

-10V

AVCL = 5VS = ±15V 1007/37 G29

LT1037の大信号応答

FREQUENCY (MHz)0.1

VOLT

AGE

GAIN

(dB)

40

30

20

10

0

–10

PHASE SHIFT (DEG)

90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

1901 10 100

1007/37 G32

VS = ±15VTA = 25°CCL = 100pF

GAIN

PHASE


SLEW

RAT

E (V

/µs)

PHA

SE M

ARGI

N (D

EG)

GAIN BANDWIDTH PROCUCT, fO = 100kHz (M

Hz)

70

60

50

3

2

1

9

8

7

0 50 75

1007/37 G33

–25 25 100 125

SLEW

GBW

VS = ±15VCL = 100pF

PHASE MARGIN

FREQUENCY (MHz)0.1

VOLT

AGE

GAIN

(dB)

50

40

30

20

10

0

PHASE SHIFT (DEG)

90

100

110

120

130

140

150

160

170

180

1901 10 100

1007/37 G31

AV = 5

VS = ±15VTA = 25°CCL = 100pF

GAIN

PHASE

LT1037の利得、位相シフトと周波数

LT1007の利得、位相シフトと周波数

50mV

0V

-50mV

AVCL = 1VS = ±15VCL = 15pF 1007/37 G34

FREQUENCY (Hz)

28

24

20

16

12

8

4

01k 100k 1M 10M

1007/37 G36

10k

PEAK

-TO-

PEAK

OUT

PUT

VOLT

AGE

(V) VS = ±15V

TA = 25°C

LT1037LT1007

最大無歪み出力と周波数

5V

0V

-5V

AVCL = –1VS = ±15V 1007/37 G35

LT1007の小信号過渡応答 LT1007の大信号応答

LT1007の位相マージン、利得帯域幅積、スルーレートと温度


LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

概要LT1007/LT1037シリーズのデバイスは外付けの補償部品やヌリング部品の有無にかかわらず、OP-07、OP-27、OP-37、および 5534のソケットに直接挿入することができます。さらに、LT1007/LT1037は外付けヌリング部品を除去または変更した形で 741のソケットに挿入することも可能です。

オフセット電圧の調整LT1007/LT1037の入力オフセット電圧とその温度ドリフトは、ウェハー・テスト時に永久的なトリミングが施され、低レベルに抑えられています。しかし、VOSをさらに調整する必要がある場合は、10kΩのヌリング・ポテンショメータを使用することにより温度ドリフト特性の劣化を抑えることも可能です。ゼロ以外の値にトリミングすると (VOS/300)µV/のドリフトが生じます。たとえば、VOSが 300µVに調整された場合、ドリフトの変化は 1µV/になります（図 1）。

10kΩのポテンショメータを使用した場合の調整範囲はおよそ± 2.5mVです。より細かい調整範囲が要求される場合、より小さなポテンショメータを固定抵抗と組み合わせることによって、ヌリングの感度および精度を改善することができます。約± 200µVのヌル調整範囲を実現した例を図 2に示します。

オフセット電圧とドリフト入力端子での異種金属の接触点で生じる、温度勾配による熱電対効果は、適切な処置を講じないと、アンプの本質的なドリフトを超える大きなドリフトを発生することがあります。気流を最小限に抑え、パッケージのリードを短くし、2つの入力リードを互いに近づけて、同じ温度に保つことが必要です。

図 3のオフセット電圧測定回路は、電源電圧を± 20Vに広げて行うLT1007/LT1037のバーンイン・テストの際にも使用されます。

図2．改善された感度調整回路

1007/37 F02

1k

4.7k

OUTPUT

87 6

4

12

3

15V

–15V

–

+LT1007LT1037

4.7k

1007/37 F01

10k

OUTPUTINPUT

87 6

4

12

3

15V

–15V

–

+LT1007LT1037

図1．標準的な感度調整回路

ユニティゲイン・バッファのアプリケーション（LT1007のみ）RF ≤ 100Ωで、入力が高速の大信号パルス（>1V)でドライブされるときは、出力波形は図 4のパルス動作図で示されるような形となります。

出力波形が高速フィードスルー状の部分にある間、入力保護ダイオードが実効的に出力を入力に短絡させており、出力短絡保護によってのみ制限される電流が信号発生器に流れます。RF ≥ 500Ωでは、出力が電流要件（10Vで IL ≤ 20mA）を処理することができ、アンプはアクティブ・モードを維持し、出力を滑らかに遷移させることができます。

1007/37 F04

LT1007

–

+

RF

OUTPUT2.8V/µs

図4．パルス動作

1007/37 F03

VOUT

VOUT = 1000VOS

*RESISTORS MUST HAVE LOW THERMOELECTRIC POTENTIAL

7

6

4

2

3

15V

–15V

–

+LT1007LT1037

50k*

100Ω*

50k*

図3．オフセット電圧およびオフセット電圧温度ドリフトのテスト回路

アプリケーション情報

LT1007/LT1037

0sn100737 100737fbs

RF > 2kΩの場合、すべてのオペアンプと同様に、RFとアンプの入力容量によってポールが生成され、追加の位相シフトが生じて位相マージンが減少します。この問題は、RFと並列に小容量のコンデンサ（20pF～ 50pF）を接続することによって解決できます。

ノイズテストLT1007/LT1037の0.1Hz～10Hzピーク・トゥ・ピーク・ノイズは、図5aに示されるテスト回路で測定されます。このノイズ・テスタの周波数応答（図5b）は、0.1Hzのコーナーは1つのゼロ点のみによって定義されていることを示しています。0.1Hz～10Hzノイズを測定するためのテスト時間は10秒以下とする必要があります。なぜなら、この時間制限はゼロ点を追加するように働き、0.1Hzより下の周波数帯域からのノイズの寄与分を除去するからです。

LT1007/LT1037の標準 60nVのピーク・トゥ・ピーク・ノイズ性能を測定するには、特別な注意事項が必要です。

1. デバイスは、少なくとも 5分間はウォームアップします。オペアンプがウォームアップされるにつれて、電源がオンした時点からチップ温度が 10～ 20上昇するので、そのオフセット電圧が標準で 3µV変化します。10秒間の測定時間内に、これらの温度の影響によるオフセット電圧の変化分は簡単に数 10ナノボルトを超えることがあります。

2. 同様の理由により、デバイスを気流から十分遮蔽して、測定を無効にする数ナノボルトを超える熱電効果の可能性をなくす必要があります。

3. デバイスの近くでの突然の動きが「フィードスルー」して、測定されるノイズが増加することもあります。

多数のユニットでノイズを測定する際は、ノイズ電圧密度のテストを行うことを推奨します。10Hzノイズ電圧密度は、0.1Hz～ 10Hzピーク・トゥ・ピーク・ノイズの測定結果と相関性があります。なぜなら両方の結果とも、白色ノイズと1/fコーナー周波数によって決定されるからです。

電流ノイズは、図 6の回路で測定され、次の式で計算されます。

i

e nV

Mn

no=

( ) − ( )

( )( )

2 21 2

130 101

1 101

•/

Ω

FREQUENCY (Hz)

100

90

80

70

60

50

40

300.01 1 10 100

1007/37F05b

0.1

GAIN

(dB)

1007/37 F05a

10Ω

0.1µF

4.7µF

VOLTAGE GAIN= 50,000

24.3k

100k

–

+

–

+*

LT1007LT1037

LT1001

2k

4.3k

110k

100k

SCOPE× 1RIN = 1M

*DEVICE UNDER TEST NOTE: ALL CAPACITOR VALUES ARE FOR NONPOLARIZED CAPACITORS ONLY

2.2µF

0.1µF

22µF

図5a．0.1Hz～10Hzノイズ・テスト回路

1007/37 F06

100Ω

100k

–

+LT1007LT1037

500k

500keno

図6

図5b．0.1Hz～10Hzピーク・トゥ・ピーク・ノイズ・テスタの周波数応答


LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

LT1007/LT1037は、部分的には、入力段を120µAで動作させることによって低ノイズを達成します。これに対して、他のほとんどのオペアンプは標準 10µAで入力段を動作させます。電流ノイズが入力段の電流の平方根に正比例するのに対して、電圧ノイズは入力段の電流に反比例します。そのため、LT1007/LT1037の電流ノイズは比較的高くなっています。低い周波数では、1/f 電流ノイズの低いコーナー周波数（約120Hz）により電流ノイズがある程度減少します。

しかし、実際のアプリケーションでは多くの場合、電流ノイズがシステム性能を制限することはありません。これは、「標準的性能特性」のセクションの「全ノイズとソース抵抗」に示されています。ここで、全ノイズは次の式で計算されます。

全ノイズ = [( 電圧ノイズ )2 ＋ ( 電流ノイズ • RS)2 ＋ ( 抵抗ノイズ )2]1/2

ソース抵抗の関数として、3つの領域を識別することができます。

(i) RS ≤ 400Ω電圧ノイズが支配的な領域

(ii) 1kHzで 400Ω ≤ RS ≤ 50k

10Hzで 400Ω ≤ RS ≤ 8k

(iii) 1kHzで RS > 50k

10Hzで RS > 8k

明らかに、LT1007/LT1037は領域 (iii)で使用するべきではありません。この領域では、全システム・ノイズはオペアンプの電圧ノイズの少なくとも 6倍以上であり、低電圧ノイズの仕様は全く成り立たなくなっています。

1007/37 TA03

3651%

15k5%

20kTRIM

–

+LT1037

2

15V

–15VINPUT

3

7

6

4

OUTPUT

RN60C FILM RESISTORS

340k1%

LT1037（およびLT1007）の高利得と広帯域の特性は、低周波・高閉ループ利得アンプのアプリケーションに有効です。標準的な高精度オペアンプの開ループ利得は、帯域幅500kHzで100万程度と考えられます。利得誤差曲線が示すように、ここに示されているデバイスは利得誤差0.1%を維持できるのは高々0.3 Hzまでです。計測器レンジの信号であっても、これより速く変化する可能性があります。LT1037の「利得精度と帯域幅の積」は、図に示すように、通常デバイスの200倍高い値です。

FREQUENCY (Hz)0.1

0.001

GAIN

ERR

OR (%

)

0.01

0.1

1

1 10 100

TYPICALPRECISION

OP AMP

LT1007

LT1037

GAIN ERROR = CLOSED-LOOP GAINOPEN-LOOP GAIN

DC～5Hzで0.01%の精度を有する利得1000のアンプ利得誤差と周波数閉ループ利得 = 1000

抵抗ノイズが支配的な領域

電流ノイズが支配的な領域


標準的応用例

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

赤外線検出プリアンプ

1007/37 TA08

IR RADIATION

OPTICALCHOPPER

–

+LT1007

50mA

15V

6

4

73

2

OUTPUT TODEMODULATOR

SYNCHRONOUS

CHOPPED DETECTOROUTPUT

PHOTOCONDUCTIVEINFRARED DETECTORHgCdTe typeINFRA-RED ASSOCIATES, INC.

100µF

392k*

15V

–15V

+

+

100µF10µF

+

392Ω*

392Ω*

267Ω*

2N2219A33Ω

10Ω1k

+100µF

13Ω AT 77°K

*1% METAL FILM

300Ωの負荷を±10Vまでドライブする高精度アンプ

1007/37 TA05

3651%

20k5%

10kTRIM

–

+LT1037

–

+LT1007

2

INPUT

3

2

3

6

6

OUTPUT10V

155%

155%

RL300

340k1%

LT1007の追加によりアンプの出力ドライブ能力は±33mAまで倍増します。利得精度は、負荷条件下でのLT1037の自己発熱の影響により単独の場合より若干低下し、0.02%程度となります。

ヒステリシスを持つマイクロボルト・コンパレータ

1007/37 TA04

OUTPUT

ヌル端子の1つに対する正帰還により約5 Vのヒステリシスが発生します。出力端子は16mAの電流をシンクすることができます。入力オフセット電圧の変化は、帰還により通常5 V以下に抑えられます。

7

86

42

3INPUT

–15V

15V

–

+LT1007

100M5%

3651%

15k1%

標準的応用例

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

フォノ・プリアンプ

1007/37 TA06

100Ω –

+LT1037

MAG PHONOINPUT

7

6

43

2

7.87k15V

–15V

OUTPUT

ALL RESISTORS METAL FILM

0.01µF

0.033µF

100pF

47k

100k

テープヘッド・アンプ

1007/37 TA07

100Ω –

+LT1037

TAPE HEADINPUT

6

3

2

OUTPUT

ALL RESISTORS METAL FILM

0.01µF4.99k

316k

Q1A

Q10

Q6

Q4

Q2B

Q15

Q2A

Q1B

INVERTINGINPUT (–)

C1 = 110pF FOR LT1007C1 = 12pF FOR LT1037

NONINVERTINGINPUT (+)

3

1 8

7

6

V–

V–

V+

V+

4V–

1007/37 SD

V+

OUTPUT

Q8

3.4k 3.4k

17k17k 1.2k

750Ω

20Ω

20Ω200Ω

50Ω200Ω200Ω 6k6k

80pF 20pF

C11.2k

Q20

130pF

Q17

Q18

Q25

Q24

Q23Q16Q12

Q22Q30

Q28

Q26

Q29

Q27

450µA 240µA

500µA120µA240µA

750µA

Q19

Q11

Q13

Q7

2

Q3

Q5 Q9

標準的応用例

簡略回路図

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

Hパッケージ8ピンTO-5メタルキャン（0.200インチPCD）

（Reference LTC DWG # 05-08-1320）

J8パッケージ8ピンCERDIP（細型、0.300インチ、ハーメチック）

（Reference LTC DWG # 05-08-1110）

45°TYP

0.050(1.270)

MAX

0.016 – 0.021**(0.406 – 0.533)

0.010 – 0.045*(0.254 – 1.143)

SEATINGPLANE

0.040(1.016)

MAX 0.165 – 0.185(4.191 – 4.699)

GAUGEPLANE

REFERENCEPLANE

0.500 – 0.750(12.700 – 19.050)

0.305 – 0.335(7.747 – 8.509)

0.335 – 0.370(8.509 – 9.398)

DIA

0.200(5.080)

TYP

0.027 – 0.045(0.686 – 1.143)

0.027 – 0.034(0.686 – 0.864)

0.110 – 0.160(2.794 – 4.064)

INSULATINGSTANDOFF

H8(TO-5) 0.200 PCD 0595

LEAD DIAMETER IS UNCONTROLLED BETWEEN THE REFERENCE PLANE AND 0.045" BELOW THE REFERENCE PLANE

FOR SOLDER DIP LEAD FINISH, LEAD DIAMETER IS0.016 – 0.024

(0.406 – 0.610)

*

**

J8 1298

0.014 – 0.026(0.360 – 0.660)

0.200(5.080)

MAX

0.015 – 0.060(0.381 – 1.524)

0.1253.175MIN

0.100(2.54)BSC

0.300 BSC(0.762 BSC)

0.008 – 0.018(0.203 – 0.457)

0° – 15°

0.005(0.127)

MIN

0.405(10.287)

MAX

0.220 – 0.310(5.588 – 7.874)

1 2 3 4

8 7 6 5

0.025(0.635)

RAD TYP0.045 – 0.068

(1.143 – 1.727)FULL LEAD

OPTION

0.023 – 0.045(0.584 – 1.143)

HALF LEADOPTION

CORNER LEADS OPTION (4 PLCS)

0.045 – 0.065(1.143 – 1.651)NOTE: LEAD DIMENSIONS APPLY TO SOLDER DIP/PLATE

OR TIN PLATE LEADS

廃品パッケージ

パッケージ

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

N8パッケージ8ピンPDIP（細型、0.300インチ）(Reference LTC DWG # 05-08-1510)

S8パッケージ8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン（細型、0.150インチ）

(Reference LTC DWG # 05-08-1610)

N8 1098

0.100(2.54)BSC

0.065(1.651)

TYP

0.045 – 0.065(1.143 – 1.651)

0.130 ± 0.005(3.302 ± 0.127)

0.020(0.508)

MIN0.018 ± 0.003(0.457 ± 0.076)

0.125(3.175)

MIN

1 2 3 4

8 7 6 5

0.255 ± 0.015*(6.477 ± 0.381)

0.400*(10.160)

MAX

0.009 – 0.015(0.229 – 0.381)

0.300 – 0.325(7.620 – 8.255)

0.325+0.035–0.015+0.889–0.3818.255( )

*これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まないモールドのバリまたは突出部は0.010"（0.254mm）を超えないこと

0.016 – 0.050(0.406 – 1.270)

0.010 – 0.020(0.254 – 0.508)

× 45°

0°– 8° TYP0.008 – 0.010

(0.203 – 0.254)

SO8 1298

0.053 – 0.069(1.346 – 1.752)

0.014 – 0.019(0.355 – 0.483)

TYP

0.004 – 0.010(0.101 – 0.254)

0.050(1.270)

BSC

1 2 3 4

0.150 – 0.157**(3.810 – 3.988)

8 7 6 5

0.189 – 0.197*(4.801 – 5.004)

0.228 – 0.244(5.791 – 6.197)

寸法にはモールドのバリを含まないモールドのバリは各サイドで0.006"（0.152mm）を超えないこと寸法にはリード間のバリを含まないリード間のバリは各サイドで0.010"（0.254mm）を超えないこと

*

**

パッケージ

リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

LT1007/LT1037

sn100737 100737fbs

ブリッジ励起付きストレインゲージ・シグナル・コンディショナ

6

4

73

2

7.5V

7.5V

–7.5V

6

4

7

–7.5V

1007/37 TA09

–

+LT1007

–

+LT1007

6

4

73

3

2

2

350BRIDGE

OUTPUT0V TO 10V

301k*

301k*

GAINTRIM50k

ZEROTRIM10k

REFERENCEOUT

1 F

15V

–15V

499 *

5k2.5V

LT1009

–

+LT1007 *RN60C FILM RESISTOR

LT1007は、5Vで350 ブリッジをバイアスする励起電流を直接供給することができます。ブリッジには5Vの電圧しかかからないため（通常は10V）、全体の消費電力とブリッジのウォームアップ・ドリフトが減少します。ブリッジの出力信号は半分となりますが、LT1007が減少した信号を高精度で増幅することができます。

関連製品

製品番号説明注釈LT1028 超低ノイズ、高精度オペアンプ最小ノイズ：0.85nV/√Hz

LT1115 超低ノイズ、低歪みオーディオ・オペアンプ THD：0.002%、最大ノイズ：1.2mV/√Hz

LT1124/LT1125 デュアル/クワッド、低ノイズ、高速高精度オペアンプ LT1007に類似LT1126/LT1127 デュアル/クワッド、非補償、低ノイズ、高速、高精度オペアンプ LT1037に類似LT1498/LT1499 10MHz、5V/µs、デュアル/クワッド、レール・トゥ・レール入力および出力、

高精度 C-Load™オペアンプC-Load はリニアテクノロジー社の商標です。

LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1985

LT/CPI 1101 1.5K REV B • PRINTED IN JAPANリニアテクノロジー株式会社102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03- 5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp

標準的応用例

lt1007/lt1037 - 低ノイズ、高速、高精度オペアンプ · 2018-03-20 · lt1007/lt1037...

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