lin transceiver with voltage...

MCP2003/4LIN J2602 トランシーバ

注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います。

特長

• MCP2003 と MCP2004 は LIN バス規格 1.3、2.0、2.1 と SAE J2602 規格に準拠します。

• LIN 互換出力ドライバを使用して最大 20 Kbaud のbaud レートをサポート

• 43 V のロードダンプ保護

• 厳しい OEM 要件を満たす極めて低い EMI• 極めて高い ESD 耐性

- VBB で 20 kV 以上 (IEC 61000-4-2)- LBUS で 14 kV 以上 (IEC 61000-4-2)

• 厳しい OEM 要件を満たす極めて高い RF ノイズ耐性

• 広い電圧レンジ (6.0 ～ 27.0 V、連続 )• 拡張温度レンジ -40 ～ +125 ℃• PIC® MCU EUSART と標準 USART へのインターフェイス

• LIN (Local Interconnect Network) バスピン

- プルアップ抵抗とダイオードを内蔵

- バッテリ短絡保護

- グランド断線保護

- 高電流駆動

• 自動サーマルシャットダウン

• 低消費電力モード

- レシーバ監視バスとトランスミッタ OFF (≅ 5 µA)

概要

本デバイスは、LIN バス規格リビジョン 2.1 と SAEJ2602 規格を満たす半二重双方向通信用の物理インターフェイスを車載および産業用 LIN システムに提供します。本デバイスは、内部回路により短絡保護および過熱保護されます。本デバイスは、車載環境での動作向けに専用設計されており、定められた全ての過渡条件に耐えると共に、自己消費電流に対する最新の厳しい要件を全て満たします。

MCP200X ファミリには下記バージョンが存在します。

• 8 ピン PDIP、DFN、SOIC パッケージ

- MCP2003、LIN 互換ドライバ、WAKE ピン付き

- MCP2004、LIN 互換ドライバ、FAULT/TXE ピン付き

パッケージタイプ

MCP2004PDIP、SOIC

FAULT/TXE

CS

TXD

VBB

LBUS

1

2

34

8

7

65 VSS

VRENRXD

MCP2003PDIP、SOIC

WAKE

CS

TXD

VBB

LBUS

1

2

34

8

7

65 VSS

VRENRXD

MCP20034x4 DFN*

WAKE

CS

TXD

VBB

LBUS

1

2

3

4

8

7

6

5 VSS

VRENRXD

EP9

MCP20044x4 DFN*

FAULT/TXE

CS

TXD

VBB

LBUS

1

2

3

4

8

7

6

5 VSS

VRENRXD

EP9

* 露出サーマルパッド (EP) 付き ( 表 1-1 参照 )

© 2011 Microchip Technology Inc. DS22230C_JP - p. 1

MCP2003/4

MCP2003 のブロック図

MCP2004 のブロック図

RatiometricReference

OC

ThermalProtection

VREN

WAKE

RXD

TXD

VBB

LBUS

VSS

~30kΩCS

Wake-UpLogic and

Power Control

Short CircuitProtection

RatiometricReference

OC

ThermalProtection

VREN

FAULT/TXE

RXD

TXD

VBB

LBUS

VSS

~30kΩCS

Wake-UpLogic and

Power Control

Short CircuitProtection

DS22230C_JP - p. 2 © 2011 Microchip Technology Inc.

MCP2003/4

1.0 デバイスの概要

MCP2003/4 は、マイクロコントローラと LIN バス間の物理インターフェイスを提供します。本デバイスはCMOS/TTL論理レベルとLIN論理レベルを双方向に変換します。本デバイスは、最大 20 Kbaud のシリアルバス速度を持つ車載および産業用アプリケーション向けに設計されています。

LIN 規格 2.1 は、システム内の全ノードのトランシーバを LIN ピン経由で接続する事、グランドを基準とする事、LIN バスからバッテリ電源に対して最大 510 Ωの外付け終端抵抗を使用する事を要求します。510 Ωは 1 個のマスタノードと 15 個のスレーブノードに対応します。

VREN ピンを使用して外部電圧レギュレータの論理入力を駆動できます。このピンの状態は、パワーダウンモードを除く全てのモードで HIGH です。

1.1 外付け保護回路

1.1.1 バッテリ逆極性保護

逆極性保護には外付けのバッテリ逆極性保護ダイオードを使用する必要があります ( 例 1-1 参照 )。

1.1.2 過渡電圧保護 ( ロードダンプ )デバイスを電源の過渡電圧と ESD から保護するために、VBB ピンとグランドの間に 43 V の過渡電圧抑制(TVS) ダイオードを取り付け、バッテリ電源に対して直列に 50 Ω の過渡電圧保護抵抗 (RTP) を取り付ける事を推奨します ( 例 1-1 参照 )。この保護回路は必須ではありませんが、技術的に有効な措置として推奨します。

1.2 内部保護回路

1.2.1 ESD 保護

デバイスレベルでの ESD 耐性については、デバイスの最大動作仕様値を参照してください。

1.2.2 グランド断線保護

LIN バス規格は、グランド断線時に LIN ピンがリセッシブ状態に移行する事を定めています。このため、グランド断線が発生すると、LIN ラインは強制的に高インピーダンスレベルにされます。

1.2.3 熱保護

熱保護回路はダイ温度を監視し、過熱時に LIN トランスミッタをシャットダウンできます。熱的過負荷には 2 つの原因が存在します。サーマルシャットダウンは、下記のいずれかまたは両方の熱的過負荷条件によってトリガされます。

• LIN バス出力の過負荷

• 環境温度の上昇によるダイ温度の上昇

TXDを駆動しながらRXDピンの状態をチェックする事により、バス競合 (Rx = LOW、Tx = HIGH) または熱的過負荷 (Rx = HIGH、Tx = LOW) の発生を検出できます。熱的過負荷イベントが発生した後、ダイ温度が復帰温度しきい値よりも低下すると、デバイスは自動的に復帰します。図 1-1 を参照してください。

図 1-1: サーマルシャットダウンのステート図

Operation

Mode

Transmitter

Shutdown

LIN busShortedto VBB

Temp < SHUTDOWNTEMP


MCP2003/4

1.3 動作モード

全動作モードの概要を表 1-1 に示します。

1.3.1 パワーダウンモード

パワーダウンモードでは、トランスミッタと VREN の両方が停止し、レシーバセクションとウェイクアップ回路だけが動作します。このモードは最低消費電力モードです。

バス動作 (BREAK キャラクタ等 )、CS の HIGH レベルへの変化、WAKE の立ち下がりエッジのいずれかが発生すると、デバイスは即座にレディモードに移行します。デバイスがパワーダウンモードからレディモードに移行した際にCSがHIGHレベルを保持していれば、デバイスは内部電圧が安定した時点で即座に動作モードに移行します。

1.3.2 レディモード

レディモードへの移行により、VREN が有効化され、レシーバ検出回路に電源が供給されます。トランスミッタは無効化されたままであるため、デバイスはデータを受信可能ですが、送信はできません。

VBB 電源ピンがパワーオンしても、CS ピンが LOWである限りデバイスはレディモードに留まります。CSピンが HIGH に移行すると、デバイスは動作モードに移行します。しかし、CS が HIGH に変化した時に TXD

ピンが LOW に保持されていた場合、デバイスは動作モードではなくトランスミッタOFFモードに移行します。

1.3.3 動作モード

このモードでは全ての内部モジュールが動作します。

MCP2003/4 は、CS の立ち下がりエッジによってパワーダウンモードに移行します。MCP2003/4 は、フォルト条件発生時にトランスミッタOFFモードに移行します。フォルト条件には熱的過負荷、バス競合、TXDタイマ時間超過が含まれます。

MCP2004 デバイスでは、FAULT/TXE ピンが LOW にプルされた場合にもトランスミッタOFFモードに移行します。

1.3.4 トランスミッタ OFF モード

フォルト条件が発生した時、または MCP2004 でFAULT/TXE ピンが LOW へプルダウンされた時に、デバイスはトランスミッタ OFF モードに移行します。フォルト条件には熱的過負荷、バス競合、TXD タイマ時間超過が含まれます。

MCP2003/4はCSの立ち下がりエッジでパワーダウンモードに移行します。あるいは、全てのフォルトが解消され、かつ MCP2004 では FAULT/TXE ピンが HIGHである場合に動作モードに戻ります。

図 1-2: 動作モードのステート図 – MCP2003

Note: バス動作は、LBUS がバス動作デバウンス時間 (tBDB) よりも長く VIL(LBUS) を下回る状態として定義されます。

OperationMode

VREN ONRX ON TX ON

Ready Mode

VREN ONRX ON TX OFF

TOFFMode

VREN ONRX ON TX OFF

Power-Down Mode

VREN OFFRX OFF TX OFF

VBAT > 5.5V

CS =1 and TXD = 0

CS = 0

CS = 1 and TXD = 1

CS = 0

Falling edge on LIN

or CS = 1

CS = 1 and TXD = 1

and No Fault

Fault (Thermal or Timer)

PORVREN OFF

RX OFF TX OFF


MCP2003/4

図 1-3: 動作モードのステート図 – MCP2004

表 1-1: 動作モードの概要

Note: MCP2003/4 のサーマルシャットダウン中に TXD が HIGH へアクティブに駆動されないようにする必要があります。これを守らないと、ESD ダイオードを通して内部ロジック回路に電源が供給され、デバイスが破損する可能性があります。

ステートトランスミッタ

レシーバ Vren 動作備考

POR OFF OFF OFF CS が LOW でレディモードに移行CS が HIGH で動作モードに移行

レディモード OFF ON ON CS が HIGH で動作モードに移行バスOFFステート

動作モード ON ON ON CS が LOW でパワーダウンモードに移行FAULT/TXE が LOW でトランスミッタ OFFモードに移行

通常動作モード

パワーダウンモード

OFF バス動作の検出

OFF LIN バス立ち下がりでレディモードに移行CS が HIGH で動作モードに移行

低消費電力モード

トランスミッタOFF モード

OFF ON ON CS が LOW でパワーダウンモードに移行 FAULT/TXEとTXDがHIGHで動作モードに移行

FAULT/TXE はMCP2004 にのみ適用

OperationMode

VREN ONRX ON TX ON

Ready Mode

VREN ONRX ON TX OFF

TOFFMode

VREN ONRX ON TX OFF

Power-Down Mode

VREN OFFRX OFF TX OFF

VBAT > 5.5V

CS = 0

CS = 0

Falling edge on LIN or CS = 1

PORVREN OFF

RX OFF TX OFF

CS = 1 and TXE = 1and TXD = 1 and No Fault

Fault (Thermal or Timer) or TXE = 0

CS = 1 and (TXE = 0 or TXD = 0)

CS = 1 and TXD = 1 and TXE = 1


MCP2003/4

1.4 代表的なアプリケーション

例 1-1: 代表的なアプリケーション - MCP2003

例 1-2: 代表的なアプリケーション - MCP2004

LIN Bus

27V

VBB

LBUS

VREN

TXD

RXD

VSS

VDD

TXD

RXD

+12

1.0µF

CSI/O

WAKE

50Ω43V

1KΩ

+12Master Node Only

+12

220KΩ

Wake-up

VOLTAGE REG

100nF

(See Note)

Note: 電流要求が 20 mA よりも低いアプリケーションでは、電圧レギュレータから +12V への接続を省略し、VREN ピンから直接レギュレータに電圧を供給できます。

LIN Bus

27V

VBB

LBUS

VREN

TXD

RXD

VSS

VDD

TXD

RXD

+12

1.0µF

CSI/O

FAULT/TXEI/O

50Ω43V

1KΩ

+12Master Node Only

+12

220KΩ

Wake-up

VOLTAGE REG

100nF


MCP2003/4

例 1-3: 代表的な LIN ネットワークコンフィグレーション

MasterµC

1kΩVBB

Slave 1µC

Slave 2µC

Slave n <23µC

(40m)+ Return

LIN bus

LIN busMCP200X

LIN busMCP200X

LIN busMCP200X

LIN busMCP200X


MCP2003/4

1.5 ピンの説明

表 1-1: ピンの説明

1.5.1 受信データ出力 (RXD)受信データ出力ピンはオープンドレイン (OD) 出力であり、LIN ピンの状態に追従します。

1.5.2 CS ( チップセレクト )これはチップセレクト入力ピンです。内部プルダウン抵抗は CS ピンを LOW に維持します。これにより、マイクロコントローラがパワーオンリセットおよび I/O初期化シーケンスを実行している間、バス上での破損データの発生が回避されます。トランスミッタを有効化するには、このピンで HIGH レベルを検出する必要があります。

CS = 0 の場合、VBB 電源 ON 時に、デバイスはレディモードに留まります。レディモードでは、レシーバはONですが、LINトランスミッタドライバはOFFです。

CS = 1 の場合、VBB 電源 ON 時に、デバイスは内部電圧が安定した後即座に動作モードに移行します。

このピンはローカルウェイクアップ入力としても使用できます ( 例 1-1 参照 )。この場合、内部プルダウン抵抗が CS を LOW に保持できるようにするために、CSを制御しているマイクロコントローラ I/Oを高インピーダンス入力に変更する必要があります。これにより、外部スイッチ等の外部ソースからトランシーバとマイクロコントローラの両方をウェイクアップできます ( ただし、それらに電源が供給されている必要があります )。

1.5.3 ウェイクアップ入力 (WAKE)このピンは MCP2003 でのみ使用できます。

WAKEピンは、VBBに対する800 KΩ内部プルアップを備えます。WAKE ピンの立ち下がりエッジにより、デバイスがパワーダウンモードからウェイクアップします。ウェイクアップすると MCP2003 はレディモードに移行します。

1.5.4 FAULT/TXEMCP2004 だけがこのピンを備えます。このピンは双方向で機能し、トランスミッタの無効化と、トランスミッタ無効化に関連するフォルト出力に使用できます。このピンは表 1-2 の定義に従うオープンドレイン出力です。内部フォルト条件または外部からの駆動によってこのピンが LOW (「0」) になると、トランスミッタが無効化されます。トランスミッタが無効化されている間、電流を低減するために、LBUS ピンの 30 kΩ 内部プルアップ抵抗も切断されます。

ピン名 8 ピンPDIPSOIC

8 ピンDFN

MCP2003 MCP2004

通常動作通常動作

RXD 1 1 受信データ出力 (OD) 受信データ出力 (OD)CS 2 2 チップセレクト (TTL) チップセレクト / ローカル WAKE

(TTL)

WAKE (MCP2003 のみ )FAULT/TXE (MCP2004のみ )

3 3 ウェイクアップ、HV 許容差フォルト検出出力 (OD)トランスミッタイネーブル (TTL)

TXD 4 4 送信データ入力 (TTL) 送信データ入力 (TTL)VSS 5 5 グランドグランド

LBUS 6 6 LIN バス ( 双方向 ) LIN バス ( 双方向 )VBB 7 7 バッテリ正極バッテリ正極

VREN 8 8 電圧レギュレータイネーブル出力

電圧レギュレータイネーブル出力

EP — 9 露出サーマルパッド ; 電気的に接続しない、またはVss へ接続する

露出サーマルパッド ; 電気的に接続しない、または Vssへ接続する

凡例 : TTL = TTL 入力バッファ ; OD = オープンドレイン出力

Note: CSをHIGHに固定する事は推奨しません。この場合、マイクロコントローラが初期化される前にMCP2003/4が動作モードに移行し、予期せぬ LIN トラフィックが生じる可能性があります。

Note: 内部回路が短絡または過熱を検出してLBUS 出力ドライバを無効化した時に、FAULT/TXE ピンが真 (「0」) となります。


MCP2003/4

表 1-2: FAULT/TXE ピンの状態定義

1.5.5 送信データ入力 (TXD)送信データ入力ピンは内部プルアップを備えます。LIN ピンは、TXD が LOW の時に LOW ( ドミナント )、TXD が HIGH の時に HIGH ( リセッシブ ) です。

バスセキュリティを高めるために、TXD は、外部 TXD電圧に関係なく、トランスミッタが無効化された時に内部で強制的に「1」とされます。

1.5.5.1 TXD ドミナントタイムアウト

TXD が約 10 ms よりも長く LOW に駆動された場合、LBUS ピンがリセッシブモードに切り換わり、デバイスはトランシーバ OFF (TOFF) モードに移行します。これにより、LIN ノードが LIN バスを常時ドミナントモードに駆動する事が回避されます。トランスミッタは、TXD の立ち上がりエッジで再有効化されます。

1.5.6 グランド (VSS)これはグランドピンです。

1.5.7 LIN バス (LBUS)双方向の LIN バスピン (LBUS) は TXD 入力によって制御されます。LBUS は、電流制限されたオープンコレクタ出力を備えます。EMI を低減するために、信号の状態変化時の立ち上がり / 立ち下がりエッジは、スロープ制御されます ( エッジ丸め制御を含む )。

内部 LIN レシーバは、LIN バス上の動作を監視し、出力信号 RXD を LBUS ピンの状態に追従させます。

1.5.7.1 バスドミナントタイマ

バスドミナントタイマは、LBUS ピンがドミナント状態に切り換わってから約25 ms後にLBUSトランスミッタを無効化する内部タイマです。このタイマは、LBUSがリセッシブ状態に切り換わるとリセットされます。

CS が HIGH であれば、LBUS ピンがリセッシブ状態に切り換わった後にLINバストランスミッタが再有効化されます。LIN バスが外部からドミナントに保持されるか、あるいは TXD が LOW に駆動される事によってトランスミッタが無効化される可能性があります。さらに MCP2004 では、トランスミッタ OFF 状態である事を示すために、FAULT ピンが LOW に駆動されます。

1.5.8 バッテリ (VBB)これはバッテリ正極電源電圧ピンです。

1.5.9 電圧レギュレータイネーブル出力 (VREN)これは外部電圧レギュレータのイネーブルピンです。オープンソース出力は、パワーダウンモード以外の全てのモードで HIGH (VBB) にプルされます。

1.5.10 露出サーマルパッド (EP)電気的に接続しないか、Vss に接続します。

TXD入力

RXD出力

LINバス I/O 熱的過負荷

FAULT/TXE定義

外部入力駆動出力

L H VBB OFF H L フォルト : TXD が LOW に駆動された、LINBUS が VBB に短絡した (Note 1)

H H VBB OFF H H OK

L L GND OFF H H OK

H L GND OFF H H OK: データを LINBUS から受信している

x x VBB ON H L フォルト : トランシーバはサーマルシャットダウン中

x x VBB x L x フォルトなし : CPU がトランシーバに対してトランスミッタドライバを停止するように指示している

凡例 : x = ドントケア

Note 1: FAULT/TXE は、TXD の立ち下がりエッジから約 25 μs 後に有効となります。これにより、バス伝播遅延中の誤ったフォルト出力が排除されます。


MCP2003/4
NOTE:

MCP2003/4

2.0 電気的特性

2.1 絶対最大定格†

VIN DC 電圧 : RXD、TXD、FAULT/TXE........................................................................................................ -0.3 ～ +30 VVIN DC 電圧 : CS、WAKE、VREN................................................................................................................ -0.3 ～ +30 V

VBB バッテリ電圧 : 連続、非動作時 (Note 1) .............................................................................................. -0.3 ～ +40 V

VBB バッテリ電圧 : 連続、非動作 (LIN バスリセッシブ ) 時 (Note 2) ......................................................... -0.3 ～ +43 V

VBB バッテリ電圧 : ISO 7637 過渡試験 1 ..............................................................................................................-200 V

VBB バッテリ電圧 : ISO 7637 過渡試験 2a ...........................................................................................................+150 V

VBB バッテリ電圧 : ISO 7637 過渡試験 3a .............................................................................................................-300V

VBB バッテリ電圧 : ISO 7637 過渡試験 3b ...........................................................................................................+200 V

VLBUS バス電圧 : 連続................................................................................................................................... -18 ～ +30 V

VLBUS バス電圧 : 過渡 (Note 3) .................................................................................................................... -27 ～ +43 V

ILBUS バス短絡電流リミット.................................................................................................................................200 mA

ESD 保護 : LIN、VBB、WAKE (IEC 61000-4-2) (Note 4) ....................................................................................... ±8 KV

ESD 保護 : LIN、VBB ( 人体モデル ) (Note 5)......................................................................................................... ±8 KV

ESD 保護 : その他のピン ( 人体モデル ) (Note 5)................................................................................................... ±4 KV

ESD 保護 : その他のピン ( デバイス帯電モデル ) (Note 6) .................................................................................... ±2 KVESD 保護 : その他のピン ( マシンモデル ) (Note 7) ..............................................................................................±200 V

最高接合部温度 .......................................................................................................................................................150 ℃

保管温度..................................................................................................................................................... -65 ～ +150 ℃

Note 1: LIN 2.x 準拠仕様

2: SAE J2602 準拠仕様

3: ISO 7637/1 ロードダンプに準拠 (t < 500 ms)

4: IEC 61000-4-2 (330 Ω、150 pF、トランシーバ EMC 試験仕様 [2] ～ [4]) に準拠。仕様を満たすには WAKEピンに直列抵抗の取り付けが必要です ( 例 1-1 参照 )。

5: AEC-Q100-002 / JESD22-A114 に準拠

6: AEC-Q100-011B に準拠

7: AEC-Q100-003 / JESD22-A115 に準拠

2.2 本書で使用する用語

本書では、LIN 仕様書とは異なる用語や名称を一部使用しています。それらの対応表を下に記載します。

† 注意 : 上記の「絶対最大定格」を超える条件は、デバイスに恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはストレス定格です。本書の動作表に示す条件または上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる最大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する可能性があります。

LIN 2.1 仕様書での名称以下の各種テーブル内の名称定義

VBAT 該当なし ECU 動作電圧

VSUP VBB デバイスピンでの電源電圧

IBUS_LIM ISC ドライバの電流リミット

VBUSREC VIH(LBUS) リセッシブ状態

VBUSDOM VIL(LBUS) ドミナント状態


MCP2003/4

2.3 DC 仕様

DC 仕様

電気的特性特に明記のない限り、全てのリミット値は下記条件での値です :VBB = 6.0 ～ 27.0 V TA = -40 ～ +125 ℃

パラメータ記号 Min. Typ. Max. 単位条件

電源

VBB 自己消費電流 IBBQ 90 150 µA 動作モードバスリセッシブ (Note 1)

VBB トランスミッタOFF電流 IBBTO — 75 120 µA トランスミッタ OFF バスリセッシブ (Note 1)

VBB パワーダウン電流 IBBPD — 5 15 µA トランスミッタ OFF バスリセッシブ (Note 1)

VBB 電流 VSS フローティング時

IBBNOGND -1 — 1 mA VBB = 12 VGND ～ VBBVLIN = 0 ～ 27 V

マイクロコントローラインターフェイス

HIGH レベル入力電圧(TXD、FAULT/TXE)

VIH 2.0 — 5.3 V

LOW レベル入力電圧(TXD、FAULT/TXE)

VIL -0.3 — 0.8 V

HIGH レベル入力電流(TXD、FAULT/TXE)

IIH -2.5 — — µA 入力電圧 = 4.0 V

LOW レベル入力電流(TXD、FAULT/TXE)

IIL -10 — — µA 入力電圧 = 0.5 V

HIGH レベル電圧 (VREN) VHVREN -0.3 — VBB+0.3

HIGH レベル出力電流(VREN)

IHVREN -20 — -10 mA 出力電圧 = VBB - 0.5 V

HIGH レベル入力電圧(CS)

VIH 2.0 — VBB V 電流制限抵抗を介する

LOW レベル入力電圧(CS)

VIL -0.3 — 0.8 V

HIGH レベル入力電流(CS)

IIH -10.0 — 10.0 µA 入力電圧 = 4.0 V

LOW レベル入力電流(CS)

IIL -5.0 — 5.0 µA 入力電圧 = 0.5 V

LOW レベル入力電圧(WAKE)

VIL VBB – 4.0V — — V

LOW レベル出力電圧(RXD)

VOL — — 0.4 V IIN = 2 mA

HIGH レベル出力電流(RXD)

IOH -1 — -1 µA VLIN - VBB、VRXD = 5.5 V

Note 1: ノードは、この条件で流れる電流に耐える必要があります。バスはこの条件で動作する必要があります。


MCP2003/4

バスインターフェイス

HIGH レベル入力電圧 VIH(LBUS) 0.6 VBB — — V リセッシブ状態

LOW レベル入力電圧 VIL(LBUS) -8 — 0.4 VBB V ドミナント状態

入力ヒステリシス VHYS — — 0.175 VBB V VIH(LBUS) – VIL(LBUS)

LOW レベル出力電流 IOL(LBUS) 40 — 200 mA 出力電圧 = 0.1 VBB、VBB = 12 V

入力でのプルアップ電流 IPU(LBUS) 5 — 180 µA ~30 kΩ 内部プルアップ VIH (LBUS) = 0.7 VBB 時

短絡電流リミット ISC 50 — 200 mA (Note 1)HIGH レベル出力電圧 VOH(LBUS) 0.9 VBB — VBB V

ドライバドミナント電圧 V_LOSUP — — 1.2 V VBB = 7 V、RLOAD = 500 Ωドライバドミナント電圧 V_HISUP — — 2.0 V VBB = 18 V、RLOAD = 500 Ωドライバドミナント電圧 V_LOSUP-1K 0.6 — — V VBB = 7 V、RLOAD = 1 kΩ

ドライバドミナント電圧 V_HISUP-1K 0.8 — — V VBB = 18 VRLOAD = 1 kΩ

入力リーク電流 ( ドミナントバスレベル時のレシーバでの電流 )

IBUS_PAS_DOM -1 -0.4 — mA ドライバ OFFVBUS = 0 VVBB = 12 V

入力リーク電流 ( リセッシブバスレベル時のレシーバでの電流 )

IBUS_PAS_REC — 12 20 µA ドライバ OFF8 V < VBB < 18 V8 V < VBUs < 18 VVBUS ≥ VBB

リーク電流( グランドから切断時 )

IBUS_NO_GND -10 1.0 +10 µA GNDDEVICE = VBB0 V < VBUS < 18 VVBB = 12 V

リーク電流(VBB から切断時 )

IBUS — — 10 µA VBB = GND0 < VBUS < 18 V (Note 2)

レシーバ中心電圧 VBUS_CNT 0.475 VBB 0.5 VBB

0.525 VBB V VBUS_CNT = (VIL (LBUS) + VIH (LBUS))/2

スレーブ終端抵抗 RSLAVE 20 30 47 kΩ

スレーブノードの静電容量 CSLAVE 50 pF

2.3 DC 仕様 ( 続き )

DC 仕様

電気的特性特に明記のない限り、全てのリミット値は下記条件での値です :VBB = 6.0 ～ 27.0 V TA = -40 ～ +125 ℃

パラメータ記号 Min. Typ. Max. 単位条件

Note 1: ノードは、この条件で流れる電流に耐える必要があります。バスはこの条件で動作する必要があります。


MCP2003/4

2.4 AC 仕様

AC 特性 VBB = 6.0 ～ 27.0 V; TA = -40 ～ +125 ℃

パラメータ記号 Min. Typ. Max. 単位試験条件

バスインターフェイス – 一定スロープ時間パラメータ

立ち上がり / 立ち下がりエッジのスロープ

tslope 3.5 — 22.5 µs 7.3 V <= VBB <= 18 V

トランスミッタの伝播遅延 ttranspd — — 4.0 µs ttranspd = max (ttranspdr または ttranspdf)レシーバの伝播遅延 trecpd — — 6.0 µs trecpd = max (trecpdr または trecpdf)レシーバ立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの伝播遅延の対称性

trecsym -2.0 — 2.0 µs trecsym = max (trecpdf – trecpdr)VCC に対して RRXD 2.4 Ω、CRXD 20 PF

トランスミッタ立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの伝播遅延の対称性

ttranssym -2.0 — 2.0 µs ttranssym = max (ttranspdf - ttranspdr)

FAULT/TXE のバス競合出力のサンプリング時間

tfault — — 32.5 µs tfault = max (ttranspd + tslope + trecpd)

デューティサイクル 1 @20.0 kbit/sec

.396 — — Cbus; Rbus 条件 :1 nF; 1 kΩ | 6.8 nF; 660Ω | 10 nF; 500 ΩTHrec(max) = 0.744 x VBBTHdom(max) = 0.581 x VBBVBB = 7.0?18 V; tbit = 50 µsD1 = tbus_rec(min)/2 x tbit)


— — .581 Cbus; Rbus 条件 :1 nF; 1 kΩ | 6.8 nF; 660Ω | 10 nF; 500 ΩTHrec(max) = 0.284 x VBBTHdom(max) = 0.422 x VBBVBB =7.6?18 V; tbit = 50 µsD2 = tbus_rec(max)/2 x tbit)


.417 — — Cbus; Rbus 条件 :1 nF; 1 kΩ | 6.8 nF; 660Ω | 10 nF; 500 ΩTHrec(max) = 0.778 x VBBTHdom(max) = 0.616 x VBBVBB = 7.0?18 V; tbit = 96 µsD3 = tbus_rec(min)/2 x tbit)


— — .590 Cbus; Rbus 条件 :1 nF; 1 kΩ | 6.8 nF; 660Ω | 10 nF; 500 ΩTHrec(max) = 0.251 x VBBTHdom(max) = 0.389 x VBBVBB =7.6?18 V; tbit = 96 µsD4 = tbus_rec(max)/2 x tbit)

ウェイクアップタイミング

バス動作デバウンス時間 tBDB 5 20 µs バスデバウンス時間、10 µs typicalバス動作から Vren ON tBACTVE 35 150 µs バスデバウンス時間後、52 µs typicalWAKE から Vren ON tWAKE 150 µs

チップセレクトからVren ON

tCSOR — 150 µs Vren フローティング

チップセレクトからVren OFF

tCSPD — 80 µs Vren フローティング


MCP2003/4

2.5 温度仕様

温度特性

パラメータ記号 Typ Max 単位試験条件

復帰温度 θRECOVERY +140 — ℃

シャットダウン温度 θSHUTDOWN +150 — ℃

短絡復帰時間 tTHERM 1.5 5.0 ms

パッケージ熱抵抗

熱抵抗、8 ピン DFN θJA 35.7 — ℃ /W熱抵抗、8 ピン PDIP θJA 89.3 — ℃ /W熱抵抗、8 ピン SOIC θJA 149.5 — ℃ /WNote 1: 最大電力損失は TJMAX、ΘJA、周囲温度 TA によって変化します。最大許容電力損失は次式により求まり

ます : PD = (TJMAX - TA) ΘJA。この電力損失を超えるとダイ温度が 150 ℃を超え、MCP2003/4 はサーマルシャットダウンします。


MCP2003/4

2.6 代表的な性能データ

Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用します : VBB = 6.0 ～ 18.0 V、TA = -40 ～ +125 ℃

図 2-1: 代表的な IBBQ 特性

図 2-2: 代表的な IBBPD 特性

図 2-3: 代表的な IBBTO 特性

Note: 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的とします。ここに記載する性能特性は検証されておらず、保証されません。これらの図表の一部には、仕様動作レンジ外で計測されたデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 )。従ってこれらのデータは保証範囲外です。

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

0.14

6 7.3 12 14.4 18

VBB (V)

Cur

rent

(mA

)

-40C25C85C125C

0

0.001

0.002

0.003

0.004

0.005

0.006

0.007

0.008

6 7.3 12 14.4 18

VBB (V)

Cur

rent

(mA

)

-40C25C85C125C

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

6V 7.3V 12V 14.4V 18V

VBB (V)

Cur

rent

(mA

)

-40C25C85C125C


MCP2003/4

2.7 タイミング図と仕様

図 2-4: バスタイミング図

図 2-5: CS ～ VREN タイミング図

図 2-6: BUS ～ VREN WAKE タイミング図

.95VLBUS

0.5VLBUS

TTRANSPDR

TRECPDR

TTRANSPDF

TRECPDF

TXD

LBUS

RXD

Internal TXD/RXDCompare

FAULT Sampling

TFAULT TFAULT

FAULT/TXE Output Stable StableStable

Match MatchMatch Match Match

HoldValue

HoldValue

50%50%

.50VBB

50%50%

0.0V

TCSPD

TCSORCS

VREN

VBB

OFF

VREN

LBUS

.4VBB

VBB

TBDB + TBACTVE


MCP2003/4
NOTE:

© 2

MCP2003/4

3.0

3.1

パッケージ情報

パッケージのマーキング情報

XXXXXXXXXXXXXNNN

YYWW

8 ピン PDIP (300 mil) 例 :

8 ピン SOIC (150 mil) 例 :

XXXXXXXXXXXXYYWW

NNN

E/P^^2560948

MCP2003ESN^^0948

256

MCP2003

凡例 : XX...X お客様固有情報Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 )YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 週コード (1 月の第 1 週を「01」とする )NNN 英数字のトレーサビリティコードつや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク* このパッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDC マーク ( )

は外箱に表記しています。

Note: マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合、複数行を使用します。この場合、お客様固有情報に使用できる文字数が制限されます。

3e

3e

3e

3e

8 ピン DFN (4x4) 例 :

XXXXXX

YYWWNNN

XXXXXX20040948

256

E/MD^ 3̂e

011 Microchip Technology Inc. DS22230C_JP - p. 19

MCP2003/4

8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MD) – 4x4x0.9 mm Body [DFN]

Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging

Microchip Technology Drawing C04-131E Sheet 1 of 2


MCP2003/4

8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MD) – 4x4x0.9 mm Body [DFN]


Microchip Technology Drawing C04-131E Sheet 2 of 2


MCP2003/4



MCP2003/4

��

�� !"��#�$�%��&"��'�� (�)"&�'"!&�)��&�#�*�&��&��&��#�� +��%��&�,��&��!&��-� ��'��!��!��#�.��#��&��"#��'�#�%��!��&"!��!��#�%��!��&"!��!�!��&��$��#��/��!�#�� '��!��#�&��.�0��

1�,2�1�!��'��!�� &��$��&� ��"��!�*��*�&�"&�&��!�

�� 3�&��'!&��"��&��4��#�*��!(��!��!��&��4��%��&��&�#��&��&&�255***�'��'5��4��

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N

E1

NOTE 1

D

1 2 3

A

A1

A2

L

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e

E

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MCP2003/4



MCP2003/4

�� !�� ""�#$��%&�� !�'�

�� 3�&��'!&��"��&��4��#�*��!(��!��!��&��4��%��&��&�#��&��&&�255***�'��'5��4��


MCP2003/4

補遺 A: 改訂履歴

リビジョン A (2010 年 3 月 )• 本書の初版

リビジョン B (2010 年 7 月 )• セクション 2.2「本書で使用する用語」を追加、表 2.3 に「スレーブノードの静電容量」を追加

リビジョン C (2011 年 6 月 )• スリープモードからパワーダウンモードに関する全ての記述を更新、セクション 2.4「AC 仕様」内のデューティサイクル 2 に関する Max. 値を更新


MCP2003/4
NOTE:

MCP2003/4

製品識別システム

ご注文または製品の価格や納期につきましては、弊社または各地の営業所までお問い合わせください。

PART NO. X /XX

パッケージ温度レンジ

デバイス

デバイス : MCP2004: 電圧レギュレータ内蔵 LIN トランシーバMCP2004T : 電圧レギュレータ内蔵 LIN トランシーバ

( テープ & リール ) (DFN、SOIC)MCP2003: 電圧レギュレータ内蔵 LIN トランシーバMCP2003T : 電圧レギュレータ内蔵 LIN トランシーバ

( テープ & リール ) (DFN、SOIC)

温度レンジ : E = -40 ～ +125 ℃

パッケージ : MD = プラスチックマイクロスモールアウトライン (4x4)、8 ピンP = プラスチック DIP (300 mil ボディ )、8 ピン、14 ピンSN = プラスチック SOIC、(150 mil ボディ )、8 ピン

例 :a) MCP2004-E/MD: 拡張温度レンジ、

8 ピン DFN パッケージ

b) MCP2004-E/P: 拡張温度レンジ、8 ピン PDIP パッケージ

c) MCP2004-E/SN: 拡張温度レンジ、 8 ピン SOIC パッケージ

d) MCP2004T-E/MD: テープ & リール、拡張温度レンジ、8 ピン DFN パッケージ

e) MCP2004T-E/SN: テープ & リール、拡張温度レンジ、8 ピン SOIC パッケージ

a) MCP2003-E/MD: 拡張温度レンジ、8 ピン DFN パッケージ

b) MCP2003-E/P: 拡張温度レンジ、8 ピン PDIP パッケージ

c) MCP2003-E/SN: 拡張温度レンジ、 8 ピン SOIC パッケージ

d) MCP2003T-E/MD: テープ & リール、拡張温度レンジ、8 ピン DFN パッケージ

e) MCP2003T-E/SN: テープ & リール、拡張温度レンジ、8 ピン SOIC パッケージ


MCP2003/4
NOTE:


本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する

情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ

り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ

リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に

あります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口

頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている

情報に関して、状態、品質、性能、品性、特定目的への適合

性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マ

イクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一

切の責任を否認します。マイクロチップ社の明示的な書面に

よる承認なしに、生命維持装置あるいは生命安全用途にマイ

クロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクと

し、また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレー

ム、訴訟、費用に関して、マイクロチップ社は擁護され、免

責され、損害受けない事に同意するものとします。暗黙的あ

るいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保

有しているライセンスは一切譲渡されません。

商標

マイクロチップ社の名称と Microchip ロゴ、dsPIC、KEELOQ、

KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、 PIC32

ロゴ、rfPIC、UNI/O は、米国およびその他の国におけるマイ

クロチップ・テクノロジー社の登録商標です。

FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、Embedded Control SolutionsCompany は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー

社の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age,Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、

ECONOMONITOR、FanSense、HI-TIDE、In-Circuit SerialProgramming、ICSP、Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certifiedrロゴ、MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient CodeGeneration、PICC、PICC-18、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、PICtail、REAL ICE、rfLAB、Select Mode、Total Endurance、TSHARC、UniWinDriver、WiperLock、ZENA は、米国およ

びその他の国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の登

録商標です。

SQTP は、米国におけるマイクロチップ・テクノロジー社の

サービスマークです。

その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。

© 2011, Microchip Technology Incorporated, All RightsReserved.

ISBN: 978-1-61341-036-3

マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください。

• マイクロチップ社製品は、該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。

• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、マイクロチップ社製品のセキュリティレベルは、現

在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。

• しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解ではこうした手法は、

マイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります。このような行

為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• マイクロチップ社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コー

ド保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。マイクロ

チップ社のコード保護機能の侵害は、デジタルミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはそ

の他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利が

あります。

マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とイドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2002 認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC®MCU および dsPIC®DSC、KEELOQ®

コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています。


北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel:480-792-7200 Fax:480-792-7277技術サポート : http://www.microchip.com/supportURL: www.microchip.com

アトランタDuluth, GA Tel:678-957-9614 Fax:678-957-1455

ボストンWestborough, MA Tel:774-760-0087 Fax:774-760-0088

シカゴItasca, IL Tel:630-285-0071 Fax:630-285-0075

クリーブランドIndependence, OH Tel:216-447-0464 Fax:216-447-0643

ダラスAddison, TX Tel:972-818-7423 Fax:972-818-2924

デトロイトFarmington Hills, MI Tel:248-538-2250Fax:248-538-2260

インディアナポリスNoblesville, IN Tel:317-773-8323Fax:317-773-5453

ロサンゼルスMission Viejo, CA Tel:949-462-9523 Fax:949-462-9608

サンタクララSanta Clara, CA Tel:408-961-6444Fax:408-961-6445

トロントMississauga, Ontario, CanadaTel:905-673-0699 Fax:905-673-6509

アジア / 太平洋アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel:852-2401-1200Fax:852-2401-3431

オーストラリア - シドニーTel:61-2-9868-6733Fax:61-2-9868-6755

中国 - 北京Tel:86-10-8569-7000 Fax:86-10-8528-2104

中国 - 成都Tel:86-28-8665-5511Fax:86-28-8665-7889

中国 - 重慶Tel:86-23-8980-9588Fax:86-23-8980-9500

中国 - 武漢Tel:86-571-2819-3180 Fax:86-571-2819-3189

中国 - 香港 SARTel:852-2401-1200 Fax:852-2401-3431

中国 - 南京Tel:86-25-8473-2460Fax:86-25-8473-2470

中国 - 青島Tel:86-532-8502-7355Fax:86-532-8502-7205

中国 - 上海Tel:86-21-5407-5533 Fax:86-21-5407-5066

中国 - 瀋陽Tel:86-24-2334-2829Fax:86-24-2334-2393

中国 - 深圳Tel:86-755-8203-2660 Fax:86-755-8203-1760

中国 - 武漢Tel:86-27-5980-5300Fax:86-27-5980-5118

中国 - 西安Tel:86-29-8833-7252Fax:86-29-8833-7256

中国 - 厦門Tel:86-592-2388138 Fax:86-592-2388130

中国 - 珠海Tel:86-756-3210040 Fax:86-756-3210049

アジア / 太平洋インド - バンガロールTel:91-80-3090-4444 Fax:91-80-3090-4123

インド - ニューデリーTel:91-11-4160-8631Fax:91-11-4160-8632

インド - プネTel:91-20-2566-1512Fax:91-20-2566-1513

日本 - 横浜Tel:81-45-471- 6166 Fax:81-45-471-6122

韓国 - 大邱Tel:82-53-744-4301Fax:82-53-744-4302

韓国 - ソウルTel:82-2-554-7200Fax:82-2-558-5932 または 82-2-558-5934

マレーシア - クアラルンプールTel:60-3-6201-9857Fax:60-3-6201-9859

マレーシア - ペナンTel:60-4-227-8870Fax:60-4-227-4068

フィリピン - マニラTel:63-2-634-9065Fax:63-2-634-9069

シンガポールTel:65-6334-8870Fax:65-6334-8850

台湾 - 新竹Tel:886-3-6578-300Fax:886-3-6578-370

台湾 - 高雄Tel:886-7-213-7830Fax:886-7-330-9305

台湾 - 台北Tel:886-2-2500-6610 Fax:886-2-2508-0102

タイ - バンコクTel:66-2-694-1351Fax:66-2-694-1350

ヨーロッパオーストリア - ヴェルスTel:43-7242-2244-39Fax:43-7242-2244-393

デンマーク - コペンハーゲンTel:45-4450-2828 Fax:45-4485-2829

フランス - パリTel:33-1-69-53-63-20 Fax:33-1-69-30-90-79

ドイツ - ミュンヘンTel:49-89-627-144-0 Fax:49-89-627-144-44

イタリア - ミラノ Tel:39-0331-742611 Fax:39-0331-466781

オランダ - ドリューネンTel:31-416-690399 Fax:31-416-690340

スペイン - マドリッドTel:34-91-708-08-90Fax:34-91-708-08-91

イギリス - ウォーキンガムTel:44-118-921-5869Fax:44-118-921-5820

各国の営業所とサービス

05/02/11

http://support.microchip.com

http://www.microchip.com

lin transceiver with voltage...

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