Ischia, 21-23 giugno 2006Riunione Annuale GE 2006

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INFLUENZA DELLE VARIAZIONI INFLUENZA DELLE VARIAZIONI

TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI

MOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALEMOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALE

(A9)(A9)

G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

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OUTLINE

IntroduzioneIntroduzione

Gli effetti da singolo evento nei MOSFET:Gli effetti da singolo evento nei MOSFET:

il SEB ed il SEGRil SEB ed il SEGR

Il Set-Up sperimentaleIl Set-Up sperimentale

I risultati sperimentaliI risultati sperimentali

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AltitudeAltitude Flux Flux FactorFactor >10Mev flux (cm>10Mev flux (cm-2-2hh-1-1))

Sea levelSea level 11 2020

1500 m1500 m(Denver)(Denver) 3-43-4 7070

3000 m3000 m(Leadville)(Leadville) 10-1510-15 250250

12000 m12000 m 200-300200-300 4000-60004000-6000

J.F. Ziegler – Terrestrial cosmic rays – IBM J. RES. DEVELOP. VOL. 40 NO. 1 JANUARY 1996

INTRODUZIONE

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In un power MOSFET l’occorrenza di un SEB distruttivo è legata all’attivazione del transistore bipolare parassita nascosto nella struttura

SINGLE EVENT BURNOUT (SEB)

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Electric FieldElectric Field

In un power MOSFET l’occorrenza di un SEGR è legata alla contemporanea presenza di un elevato campo elettrico nell’ossido di gate e

di un’elevata concentrazione di lacune nella struttura

SINGLE EVENT GATE RUPTURE (SEGR)

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IL SET-UP SPERIMENTALE

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NUOVE GENERAZIONI DI MOSFET DA 200V

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I RISULTATI SPERIMENTALI

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GRAZIE PER L’ATTENZIONEGRAZIE PER L’ATTENZIONE