if/om/hwci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/sf_kee/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 ·...

8
if/OM/hWci РЕЦЕНЗИЯ от проф. дтн. Тихомир Борисов Таков Технически университет - София атериалите, представени за участие в конкурс за заемане на академична длъжност „доцент" в област на висше образование „Технически науки", професионално направление 5.2 „Електротехника, електроника и автоматика", научна специалност „Приложна електронна и компютърна техника", обявен в Държавен вестник, бр. 97 от 25.11.2014 год. и на сайта на Технически университет - София, за нуждите на катедра "Електроника, компютърни системи и технологии" към Колеж по енергетика и електроника. Единствен кандидат: гл.ас. д-р Дориан Асенов Минков 1. Общи положения и биографични данни Техническият университет - София, в изпълнение на решение на Академичния съвет, е обявил конкурс за „доцент" в област на висше образование „Технически науки", професионално направление 5.2 „Електротехника, електроника и автоматика", научна и учебна специалност „Приложна електронна и компютърна техника", за нуждите на катедра "Електроника, компютърни системи и технологии" към Колеж по енергетика и електроникана. Обявата е публикувана в ДВ бр. 97 от 25.11.2014 год. и на сайта на ТУ - София. Документи е подал единствено гл.ас. д-р Дориан Асенов Минков. Той е роден на 11.06.1957 год. През 1980 год. завършва висше образование в Софийски университет „Св. Кл. Охридски", степен магистър, квалификация магистър по физика, специалност „Физика на полупроводниците". След завършване на висшето образование в 1980 год. постъпва на работа в Институт по микроелектроника и оптоелектроника - Ботевград, съответно като конструктор и научен сътрудник. В периода до 1991 год. се занимава с разработване и внедряване на светодиоди и оптрони. След това заминава за чужбина, където над 20 години работи в различни Университети, научно-изследователски институти и лаборатории. От 1991 год. до 1992 год. е пост-докторен сътрудник в Ранд Африкански Университет, Южна Африка по проблемите на електрониката, приложната оптика и материалознанието. В периода 1992 год. - 1996 год. е съответно пост-докторен сътрудник и старши преподавател в Натал Университет, Южна Африка по електроника, приложна оптика и материалознание. От 1996 год. до 2001 год. работи като доцент и ръководител на лаборатория в Институт по технологии на фрактурите, Тохоку Университет, Япония в областта на физика, магнетизъм, приложна оптика и 1

Upload: others

Post on 19-Jul-2020

10 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

Page 1: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

if/OM/hWci

Р Е Ц Е Н З И Я

от проф. дтн. Тихомир Борисов Таков Технически университет - София

атериалите, представени за участие в конкурс за заемане на академична длъжност „доцент" в област на висше образование „Технически науки", професионално направление 5.2 „Електротехника, електроника и автоматика", научна специалност „Приложна електронна и компютърна техника", обявен в Държавен вестник, бр. 97 от 25.11.2014 год. и на сайта на Технически университет - София, за нуждите на катедра "Електроника, компютърни системи и технологии" към Колеж по енергетика и електроника. Единствен кандидат: гл.ас. д-р Дориан Асенов Минков

1. Общи положения и биографични данни Техническият университет - София, в изпълнение на решение на

Академичния съвет, е обявил конкурс за „доцент" в област на висше образование „Технически науки", професионално направление 5.2 „Електротехника, електроника и автоматика", научна и учебна специалност „Приложна електронна и компютърна техника", за нуждите на катедра "Електроника, компютърни системи и технологии" към Колеж по енергетика и електроникана. Обявата е публикувана в ДВ бр. 97 от 25.11.2014 год. и на сайта на ТУ - София. Документи е подал единствено гл.ас. д-р Дориан Асенов Минков.

Той е роден на 11.06.1957 год. През 1980 год. завършва висше образование в Софийски университет „Св. Кл. Охридски", степен магистър, квалификация магистър по физика, специалност „Физика на полупроводниците".

След завършване на висшето образование в 1980 год. постъпва на работа в Институт по микроелектроника и оптоелектроника - Ботевград, съответно като конструктор и научен сътрудник. В периода до 1991 год. се занимава с разработване и внедряване на светодиоди и оптрони. След това заминава за чужбина, където над 20 години работи в различни Университети, научно-изследователски институти и лаборатории. От 1991 год. до 1992 год. е пост-докторен сътрудник в Ранд Африкански Университет, Южна Африка по проблемите на електрониката, приложната оптика и материалознанието. В периода 1992 год. - 1996 год. е съответно пост-докторен сътрудник и старши преподавател в Натал Университет, Южна Африка по електроника, приложна оптика и материалознание. От 1996 год. до 2001 год. работи като доцент и ръководител на лаборатория в Институт по технологии на фрактурите, Тохоку Университет, Япония в областта на физика, магнетизъм, приложна оптика и

1

Page 2: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

материалознание. През 2001 год. е проектен мениджър в Международна лаборатория за научни разработки, Япония по проблеми на електронното инженерство. От 2002 год. до 2004 год. е старши научен сътрудник в Лаборатория по ултраструктърни изследвания към Националния институт по физиологични изследвания, Япония по проблеми на физиката, приложната оптика и материалознанието. В периода 2004 год. до 2011 год. е доцент в Ритсумейкан Университет, Япония, където се занимава с научна и преподавателска дейност по електронно инженерство, приложна оптика и физика. От април 2014 год. до момента е главен асистент в Колеж по енергетика и електроника, катедра ЕКСТ, Ботевград.

През 1988 год. защитава пред СНС по Физика на кондензираната материя при ВАК дисертационен труд за присъждане на образователна и научна степен „Кандидат на физическите науки". Темата на дисертационния труд е: „Изготвяне на светодиодни структури и халогенидни покрития за такива структури" и е в областта на научната специалност по обявения конкурс за доцент.

2. Общо описание на представените материали Кандидатът е представил списъци и документи с общо 127 труда

(статии, доклади на конференции, глави от книги, патенти, учебни пособия и научно-изследователски проекти ).

Съгласно документите на кандидата, 11 труда са включени в дисертационния труд. Тях няма да ги рецензирам — те са получили своята оценка чрез успешно защитена дисертация. Не рецензирам статиите и докладите на научни форуми, както и техническите доклади, които кандидатът не е включил в „Списъка на научните трудове и учебните пособия по конкурса". Не рецензирам и учебните помагала (2 броя) и научноизследователските проекти, като ще ги взема под внимание при анализа на учебната и научноизследователската дейности на кандидатката.

Общо за участие в конкурса приемам 32 труда, които се разпределят в следните групи:

- дисертационен труд 1 брой; - глава от книга, публикувана от Elsevier 1 брой; - статии в международни списания 12 броя; - статии в наши научни списания 1 брой; - доклади на научни форуми в чужбина, 6 броя; - доклади на международни конференции, проведени у нас 2 броя; - учебни пособия 2 броя; - патент 1 брой; - научноизследователски проекти 6 броя.

Десет от рецензираните статии са в списания с Impact Factor. По брой на съавторите публикациите се разпределят както следва:

- самостоятелни - 5 броя; 2

Page 3: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

- с един съавтор - 3 броя; - с трима съавтори - 5 броя; - с четири и повече съавтори - 9 броя. От представените трудове гл.ас. Минков е обединил тематично и е

систематизирал 11 научни статии и доклади в пълен текст в областта на „Разработване на методология за излъчване в мекия рентгенов и крайния ултравиолетов диапазони, използвайки компактни пръстени за съхранение на ускорени електрони". Към тях са формулирани и научно-приложни и приложни приноси. Такъв подход се допуска от чл. 29 т. 3 от ЗРАСРБ и чл. 19 ал. 3 от Правилника за условията и реда за заемане на академичния длъжности в ТУ - София, което е равностойно на монографичен труд.

Представена е справка за участието му в научно-изследователски проекти.

3. Обща характеристика на научноизследователската и научноприложна дейност на кандидата

Гл. ас. Минков е работил и работи в областите на оптоелектрониката, физиката и материалознанието. Научно-изследователската му работа в областта на оптоелектрониката е в началния етап на неговата дейност и е съсредоточена върху разработването на конструкции и технологии за получаване на различни хетеросветодиодни структури GaAlAs/GaAs, които са в основата на серия от разработени и внедрени в производството на серия от инфрачервени светодиоди и оптрони. Представна е служебна бележка за Института по микроелектроника и оптоелектроника за участието на Минков в разработването и внедряването на 13 различни типа светодиоди и оптрони с данни за обема на производство и икономически ефект. Достоверността на неговите изследвания от този период се доказват от внедряване в производството на серия оптоелектронни прибори и патента му.

След заминаването му в чужбина работи в екипи по проблемите на електрониката, приложната оптика, магнетизма и материалознанието в научно-изследователски лаборатории в Южна Африка и Япония. Бил е ръководител на 5 различни изследователски проекта. Достоверността на изследванията му от този период се доказват с множеството публикации в авторитетни списания и конференции.

Темата на дисертационния му труд от 1988 год. в областта на физиката на полупроводниците е по тематиката на обявения конкурс за „Доцент".

4. Оценка на педагогическата подготовка и учебно-педагогическа дейност на кандидатката

Оценявам като отлична педагогическата подготовка на гл.ас. Минков. Основание за това ми дават получената магистърска квалификация физик и образователната и научна степен „Кандидат на физическите науки" (по

з

Page 4: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

настоящем „Доктор"). Дисертационният труд е защитен пред авторитения и твърде взискателен СНС по Физика на кондензираната материя при ВАК.

Той има активна преподавателска дейност като „Старши преподавател" в Натал Университет - ЮАР и „Доцент" съответно в Тохоку Университет и Ритсумейкан Университет - Япония. В момента е главен асистент в Техническия университет - София, където води лекции и упражнения по дисциплините "Физика" и „Основи на електротехниката" на студенти от Колежа по електротехника и електроника. Представена е справка от Директора на КЕЕ за хорариума на провежданите съответно по 30 часа лекции и 30 часа упражнения през учебната 2013/2014год. по дисциплината „Физика" и 15 часа лекции по „Основи на електротехниката" по действащите учебни планове.

Като учебни помагала кандидатът е представил разработен Web базиран курс лекции и глава от книга, публикувана в Германия. Разработеният курс от 17 лекции по дисциплината „Обща електротехника" е качен на Web страницата на колежа. Главата от книгата „Advanced Micro&Nanosystems" позволява запознаването със съвременни технологии за производство на микросистеми.

Всичко това показва активна и успешна учебна дейност на гл.ас. Минков.

5. Основни научни и научно-приложни приноси Научните, научно-приложни и приложни приноси на гл.ас. Минков са

в части от разделите на физиката и оптоелектрониката. Отбелязвам следните по-значими приноси в отделните направления от

научната му дейност: а) Тематично са обединени и систематизирани 11 научни статии

пълен текст като монография в областта на „Разработване на методология за излъчване в мекия рентгенов и крайния ултравиолетов диапазони, използвайки компактни пръстени за съхранение на ускорени електрони". Те обхващат статии в чуждестранни списания - 10 броя, в наше списание - 1 брой.

Целта на научните изследвания на кандидата е разработването на компактни синхротронни източници на светлина (КСИС), конструиране и изработване на мишени за преходно излъчване (ПИ) за източник на рентгенова литография, основан на компактни синхротронни източници на светлина от марката МИРРОРКЛЕ, изработване на мишени за КСИС, излъчващи в мекия рентгенов и крайния ултравиолетови диапазони, провеждане и анализиране на резултатите от експерименти с излъчване от МИРРОРКЛЕ и предложение за източник на крайна ултравиолетова литография.

Получените резултати разширяват съществуващите знания в това твърде перспективно научно-приложно направление.

4

Page 5: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

В конкретен план приносите в тематично обединените трудове като монография включват:

5.1. Научни и научно-приложни приноси с характер на обогатяване на съществуващите знания и технологични решения при синхротронните източници на светлина и приложението им в рентгеновата литография:

- Анализирани е необходимостта от създаване на компактни синхронни източници на светлина с практическо приложение в различни инженерни области, включително и за рентгенова литография в микро- и наноелектрониката. Изяснени са предимствата на функционалните характеристики на компактните синхронни източници от марката МИРРОРКЛЕ в сравнение с конвенционалните синхронни източници на светлина (1,2);

- Модифицирана е съществуващата теория за преходно излъчване, с цел приложимостта на МИРРОРКЛЕ като източник за рентгенова литография, като са въведени използването на комплексен коефициент на пречупване за материала на мишената, аналитичен израз за броя на преминавания на всеки инжектиран електрон (3);

- Разработени са технологии за изготвяне на фолио и на едноивични мишени от А1, колодион и С, както и за изработвене на едноивични мишени от подобен на диамант въглерод (5,6);

5.2. Приноси, доказващи с нови средства на съществуващи проблеми при модифицирането на компактните синхротронни източници на светлина:

- Направена е оценка на излъчваната мощност основана на едномерно ъглово разпределение на излъчване от едноивична мишена, както и сравнение на потока на релативистки електронни в две модификации ма МИРРОРКЛЕ (7);

- Измерени са двумерни ъглови разпределения на излъчване на няколко различни мишени и са анализирани получените експериментални резултати в сравнение с теоретичното разпределение за квази-монохроматично Синхротрон-Черенково излъчване (8);

5.3. Научно-приложни приноси, съдържащи нови решения при компактните синхротронни източници на светлина:

- Оптимизирани са едноивични мишени на преходно излъчване за рентгенова литография по отношение на материала и дебелината на мишената

- Предложени са два метода за определяна на спектъра на комплексния коефизиент на пречупване за тънък слой, от един негов интерференчен спектър на пропускане или на отражение (10,11).

(4);

Page 6: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

в) Научно-приложните и приложни приноси и резултати на гл.ас. Минков извън тематичната област на монографията се съдържат в 11 труда, от които 3 статии са в международни списания, 6 са доклади на конференции в чужбина и 2 са на конференции у нас. Тези приноси ги систематизирам като:

5.4. Приноси, разширяващи съществуващите знания и подходи в приложната оптика и материалознанието:

- Анализирано е определянето на комплексния коефициент на пречупване на непропускащ светлината материал, използвайки две измервания на отражението (1);

- Изследвани са химичните промени, които настъпват в слоеве от аморфен въглерод, използвани като подложка за електронна микроскопиа (2);

- Характеризирани са едноивични мишени за преходно излъчване, като са оптимизирани Mg мишени по отношение на дебелина (3);

- Разработени са източници за кул посредством използване на различни видове мишени, конструкции на излъчващите и колимиращи области и подобрения на характеристиките на МИРРОРКЛЕ (8,9,10,11);

5.5. Приноси, съдържащи нови решения в оптоелектрониката: - Предложен е метод за увеличаване на излъчваната мощност от

двуслойна хетероструктура GaAs/GaAlAs за светодиоди,получени чрез течна епитаксия, основаващ се на намаляване на скоростта на охлаждане на стопилката към края на израстване на първия слой (4);

Създадена е двуслойна хетероструктура GaAs/GaAlAs за инфречервени светодиоди чрез течна епитаксия и легиране на първия слой със Si (5);

- Моделирана е спектралната чувствителност на a-Si :Н слънчева клетка с типична конструкция, катоса анализирани случаите с еднослоен и двуслоен прозрачен контакт (7).

Приемам Авторската справка за приносите на кандидата в двата и раздела - към тематично обединените като монография трудове по „Разработване на методология за излъчване в мекия рентгенов и крайния ултравиолетов диапазони, използвайки компактни пръстени за съхранение на ускорени електрони" и към останалите 11 публикации.

6. Отражение на научните публикации на кандидата в научната общност (известни цитирания)

Кандидатът е приложил към документите и Справка на забелязани 50 цитирания от други автори на 10 негови труда. Една негова статия е цитирана в 35 публикации. За отбелязване е, че основната част от цитатите са от чуждестранни автори, като само 5 цитата са от български автори. Няма такива с негово участие, които да цитират публикациите му, т.е. да бъдат

б

Page 7: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

отнесени към групата на автоцитатите. Цитатите са основно в статии в авторитетни международни списания.

Представената справка се отнася само до публикациите, които кандидатът е включил за участие в конкурса. Част от останалите извън конкурса публикации също са били обект на цитирания.

7. Значимост на приносите за науката и практиката Значимостта на приносите се определя от дългогодишните

целенасочени изследвания в областта на електрохимията и наноелектрониката.

Има 10 статии в списания клас A: Journal of Synchrotron Radiation, Applied Physics, Nuclear Instruments&Metods in Physics Research A, Journal of Micro/Nanolithography MEMS and MOEMS,South African Journal of Physics, Pure&Applied Optics, Zeitshrift fur Physikalische Chemie, J.Non-Cryst.Solids, J.Cryst. Growth.

Общият Impact factor на списанията, в които са публикувани тези статии, е 18,84.

По такъв начин научните постижения на кандидата са станали достояние на широк кръг специалисти в областта на електрониката , физиката и приложната оптика.

Добро впечатление оставя участието на кандидата в научно-изследователски проекти и наличието на патент.

Пет от рецензираните статии и доклади са самостоятелни. Останалата част от работите са колективни, което по мое мнение е естествено. В 8 от тях той е посочен на първо място. Неговият научен и професионален авторитет не будят в мене съмнение. От документите по конкурса и от личните ми впечатления, мога да преценя, че приносите, с които Минков се явява на конкурса, са в достатъчна степен негово лично дело.

По отношение изпълнението на количествените показатели, заложени в Правилника за условията и реда за заемане на академичния длъжности в ТУ - София за „Доцент", кандидатът покрива всичките, като в повечето случаи значително ги надвишава. Това показва достатъчно високо ниво на научните постижения и педагогическата дейност на кандидата.

8. Критични бележки и препоръки Ще направя следните критични бележки и препоръки: - Не са ясни причините, поради които кандидатът не е включил за

рецензиране по този конкурс голям брой публикации - 76 (виж „Списък на всички публикации и изобретения"). Възможно е той да ги съхранява за следваща хабилитация. Независимо от достатъчния брой публикации, с които той кандидатства, изключването на такъв голям брой е в негов ущърб;

7

Page 8: if/OM/hWci - tu-sofia.bgkonkursi-as.tu-sofia.bg/doks/SF_KEE/ad/220/jury/3359.pdf · 2015-03-09 · Съгласно документит н кандидатаа е 1 труд1 с,

- Доклади под номера 9, 10 и 11, изнесени на конференции в САЩ, Испания и Япония, са приложени към документите само в резюме.

9. Лични впечатления и становище на рецензента Запознат съм подробно с научно-приложната дейност на Минков в

началния период от неговата работа (до 1988 год.), когато работехме съвместно в един научно-изследователски институт. Свидетел съм на много добрите му качества на изследовател в областта на сложните полупроводникови съединения, технологичните процеси и конструктивните особености на инфрачервените светодиоди и оптрони. След заминаването му на работа в чуждестранни университети в различни периоди продължихме съвместната ни работа в областта на сензориката, в резултат на което публикувахме две статии в чуждестранни списания ( те не са включени в материалите по конкурса). Забелязвам трайно развитие на неговия професионализъм.

Считам, че Колежът по енергетика и електроника печели с привличането като хабилитиран преподавател на специалист с такъв опит.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ По мое мнение са налице всички компоненти за една успешна

хабилитация: наличие на образователна и научна степен „Доктор"; публикации, приравнени към монография; достатъчни на брой и качество статии в авторитетни списания с Impact Factor; участие в международни конференции в чужбина; получени научно-приложни и приложни приноси; преподавателска дейност; изразен афинитет към научно-изследователска дейност; патент; достояние на изследванията му до научната общност и много цитирания.

Въз основа на гореизложеното, давам положителна оценка на единствения кандидат в конкурса гл.ас. д-р Дориан Асенов Минков и го предлагам за избор от Съвета на Колеж по енергетика и електроника на Технически университет - София за академична длъжност „доцент" в област на висше образование „Технически науки", професионално направление 5.2 „Електротехника, електроника и автоматика", научна и учебна специалност „Приложна електронна и компютърна техника", ^ ^

Дата: 02.03.2015 год. РЕЦЕНЗЕНТ: / л у /проф. дтн Тихомир Т^аков/

8