ida usman penumbuhan lapisan tipis kadmi
TRANSCRIPT
-
USUL
PENELITIAN FUNDAMENTAL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS KADMIUM OKSIDA DENGAN METODE PCI UNTUK APLIKASI
ELEKTRODA TRANSPARAN PADA DIVAIS SEL SURYA
TIM PENELITI:
Dr. Ida Usman (NIDN. 0018047204)
Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. (NIDN. 0003038202)
UNIVERSITAS HALUOLEO APRIL 2013
Kode/Nama Rumpun Ilmu : 111 / Fisika
-
Judut Keglatan
Kode/l'Iama Rumpnr IImuKfi&PodffiA. Nama LengkapB. MDNC. Jabatan FungsionalD. Program StudiE. Nomor HPF. Surel (e-mail)
AnffiotaPerffir (1)A. Nama LengkapB. NIDNC. Perguruan Tinggi
IamPoelitianl(*lffirhanPmfitrmTatnmkeBfaya Penelitfam l(mekmhmBlalraTahun Bedalan
HALAMAN PENGESAHANPENELITIAN FTTNDAMENTAL
Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmium Oksida Dengan Metode PCI UntukAplikasi Elektroda Transparan Pada Divais Sel Surya111 / Fisika
DT.IDA USMAN S.Si., M.Si.0018047204LektorFisika08157046972idausman 1 [email protected]
WA ODE SUKMAWATI ARSYAD0003038202UNIVERSITAS HALUOLEO2 Tahun1
Rp 146.0ffi.000,00- diusulkan ke DIKTI- dana internal PT- dana institusi lain- inkindsebutkan
Kendari, lT -4-2013,Ketua Peneliti,
Rp 73.000.000,00Rp 0,00Rp 0,00
NIPINIK 19511231
$.ffi&r,ffie
181999031002
NTPINIK I S550801 1$8403n0M
-
2
DAFTAR ISI
HALAMAN PENGESAHAN ............................................................................................... 1
DAFTAR ISI ......................................................................................................................... 2
RINGKASAN ........................................................................................................................ 3
BAB 1. PENDAHULUAN .................................................................................................... 4
1.1. Latar Belakang ................................................................................................. 4
1.2. Tujuan Khusus .................................................................................................. 5
1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian ...................................................................... 6
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA ........................................................................................... 7
2.1. Kadmium Oksida (CdO) .................................................................................. 7
2.2. TCO pada divais sel surya ................................................................................ 9
BAB 3. METODE PENELITIAN ....................................................................................... 10
3.1. Prosedur Penelitian ......................................................................................... 10
3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO ...................................................................... 12
3.3. Pembuatan divais sel surya............................................................................. 13
3.4. Lokasi Penelitian ............................................................................................ 13
3.5. Indikator Capaian Terukur ............................................................................. 13
BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN ................................................................ 14
4.1. Anggaran Biaya .............................................................................................. 14
4.2. Jadwal Penelitian ............................................................................................ 15
DAFTAR PUSTAKA .......................................................................................................... 16
LAMPIRAN ........................................................................................................................ 17
-
3
RINGKASAN Berbagai metode penumbuhan lapisan tipis CdO telah dilakukan oleh sejumlah peneliti Dari metode-metode tersebut, metode imersi kimia dinilai paling mudah dilakukan dengan peralatan yang lebih sederhana. Mekanisme penumbuhan lapisan CdO dan aplikasinya pada divais sel surya dengan metode imersi kimia pada dasarnya telah diteliti sebelumnya, namun material yang dihasilkan masih berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis CdO/Cu2O yang dihasilkan memiliki efisiensi konversi yang rendah. Hal ini diduga akibat ketidaksesuaian kisi pada persambungan antara lapisan CdO dengan lapisan InSnO2 yang berperan lapisan elektroda transparan. Oleh karena itu, penelitian ini diarahkan pada penumbuhan lapisan CdO sebagai lapisan elektroda transparan menggantikan lapisan InSnO2. Untuk tujuan ini, diperlukan metode penumbuhan yang sesuai sehingga dapat diperoleh lapisan CdO dengan sifat listrik dan sifat optik yang sesuai sebagai lapisan TCO untuk aplikasi sel surya, dengan mengoptimalkan tahapan proses imersi serta menambahkan proses pemurnian dan penguatan struktur lapisan. Metode ini selanjutnya disebut sebagai metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical Immersion, PCI). Penelitian ini dinilai memiliki potensi yang besar untuk dikembangkan lebih jauh di Indonesia, terutama ditinjau dari beberapa hal antara lain pada kontribusi yang signifikan atas kebutuhan industri divais optoelektronik (seperti sel surya, flat panel display, fototransistor) pada substrat gelas berlapis TCO serta pada temperatur penumbuhan yang rendah memungkinkan dilakukan di atas plastik transparan untuk aplikasi divais elektronik yang fleksibel biaya murah. Berdasarkan uraian tersebut, penelitian yang diusulkan mempunyai tujuan khusus mengembangkan proses penumbuhan lapisan CdO dari metode imersi kimia (CI) konvensional menjadi metode PCI, mengoptimalisasi mekanisme penumbuhan lapisan tipis CdO melalui metoda PCI, dan mengaplikasikan lapisan CdO yang dihasilkan sebagai elektroda pada divais sel surya berbasis CdO/Cu2O. Kata kunci: lapisan CdO, metode PCI, lapisan TCO
-
4
BAB 1. PENDAHULUAN
1.1. Latar Belakang
Keterbatasan sumber energi konvensional dari bahan bakar fosil telah menjadikan
energi matahari sebagai sumber energi alternatif di masa depan, terutama yang mengarah
pada mekanisme konversi fotovoltaik yang mengubah energi matahari menjadi energi
listrik, baik kajian secara eksperimental pada pengembangan material maupun kajian
teoritis pada mekanisme konversi fotovoltaik. Sebagaimana diketahui bahwa mekanisme
konversi fotovoltaik dilakukan melalui divais elektronik yang lazim dikenal sebagai sel
surya (solar cell). Meskipun teknologi pembuatan sel surya berbahan dasar kristalin telah
berkembang jauh, namun keterbatasan bahan baku dan biaya produksi yang mahal telah
menjadi kendala sehingga produsen sel surya kristalin sulit memenuhi kebutuhan pasar
yang terus mengalami peningkatan. Sel surya berbasis kristalin seperti silikon (Si) dan
germanium (Ge) dengan teknologi yang sudah mapan dinilai kurang menguntungkan
secara ekonomi karena termasuk dalam kategori teknologi biaya tinggi. Oleh karena itu,
fokus kajian utama penelitian tentang sel surya dalam beberapa dekade terakhir mengarah
pada upaya penekanan biaya produksi serta pada pertimbangan ketersediaan bahan baku di
alam.
Selain silikon dan germanium, beberapa jenis material sel surya telah banyak
diteliti seperti paduan Cadmium (CdS, CdTe, CdO), paduan Cuprum (CuIn(Ga)Se2,
Cu2O), dan material organologam (ZnPc, CuPc, dll). Khusus untuk material paduan Cd,
secara teori efisiensi konversi yang dapat dicapai >28%, namun secara eksperimen baru
mencapai kisaran ~16% (Sharma dkk., 2003). Sementara itu, paduan Cd dengan sulfat
membentuk lapisan Cadmium Sulfida (CdS) yang selama ini digunakan untuk sel surya
sudah mulai dibatasi karena efek negatif terhadap lingkungan. Oksida cadmium sudah
lebih ramah lingkungan karena dihasilkan dari proses oksidasi Cd seperti pembakaran.
Selain melalui proses pembakaran, material kadmium oksida (CdO) dapat pula disintesa di
laboratorium menggunakan larutan-larutan kimia atau metode-metode tertentu.
Berbagai metode penumbuhan lapisan tipis CdO telah dilakukan oleh sejumlah
peneliti seperti spray pyrolisis (Sanatana dkk., 1999; Mishra dkk., 2009), sputtering (Veda
dkk., 1998), solution growth (Gurumurugan dkk., 1994), imersi kimia (Amiruddin dkk.,
2011), dan sol-gel (Sakthivel dan Mangalaraj, 2011). Dari metode-metode tersebut, metode
imersi kimia dinilai paling mudah dilakukan dengan peralatan yang lebih sederhana.
-
5
Mekanisme penumbuhan lapisan CdO dan aplikasinya pada divais sel surya dengan
metode imersi kimia pada dasarnya telah kami teliti sebelumnya. Namun demikian,
material yang dihasilkan masih berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis
CdO/Cu2O yang dihasilkan memiliki efisiensi konversi yang rendah (Usman dkk., 2011).
Salah satu permasalahan yang diduga menjadi penyebab rendahnya efisiensi konversi
tersebut adalah ketidaksesuaian kisi pada persambungan antara lapisan CdO dengan
lapisan Indium Tin dioksida (InSnO2) yang berperan sebagai lapisan elektroda transparan
(TCO, Transparent Conducting Oxide) pada substrat gelas. Oleh karena itu, penelitian ini
diarahkan pada penumbuhan lapisan CdO sebagai lapisan elektroda transparan
menggantikan lapisan InSnO2. Untuk tujuan ini, diperlukan metode penumbuhan yang
sesuai sehingga dapat diperoleh lapisan CdO dengan sifat listrik dan sifat optik yang sesuai
sebagai lapisan TCO untuk aplikasi sel surya, dengan mengoptimalkan tahapan proses
imersi serta menambahkan proses pemurnian dan penguatan struktur lapisan. Metode ini
selanjutnya disebut sebagai metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical
Immersion, PCI), dimana purifikasi diperlukan sebagai proses pengikatan lapisan ionik
pada permukaan pertumbuhan.
Selain untuk pemecahan masalah tersebut di atas, penelitian ini dinilai memiliki
potensi yang besar untuk dikembangkan lebih jauh di Indonesia, terutama ditinjau dari
beberapa hal antara lain:
1. Kebutuhan industri divais optoelektronik (seperti sel surya, flat panel display,
fototransistor) pada substrat gelas berlapis elektroda transparan (TCO), dimana
substrat tersebut selama ini didatangkan dari luar negeri dengan harga yang relatif
mahal.
2. Temperatur penumbuhan yang rendah memungkinkan dilakukan di atas plastik
transparan untuk aplikasi divais elektronik yang fleksibel biaya murah.
1.2. Tujuan Khusus
Berdasarkan uraian di atas, penelitian yang diusulkan mempunyai tujuan khusus
sebagai berikut:
Mengembangkan proses penumbuhan lapisan CdO dari metode imersi kimia (CI)
konvensional menjadi metode PCI
Mengoptimalisasi mekanisme penumbuhan lapisan tipis CdO melalui metoda PCI
sehingga diperoleh lapisan CdO yang sesuai diaplikasikan sebagai lapisan TCO pada
-
6
divais sel surya, ditandai dengan struktur lapisan yang berfasa kristalin, transmitansi
optik yang tinggi, serta nilai konduktivitas yang tinggi.
Mengaplikasikan lapisan CdO yang dihasilkan sebagai elektroda pada divais sel surya
berbasis CdO/Cu2O.
1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian
Sebagaimana diketahui bahwa sejumlah divais elektronik seperti sel surya,
fototransistor, dan flat panel display memerlukan substrat yang telah dilapisi dengan
elektroda transparan (TCO). Beberapa jenis substrat gelas berlapis TCO pada prinsipnya
telah diproduksi dan diperjualbelikan, antara lain seperti substrat berlapis InSnO2 dan ZnO,
sehingga kebutuhan substrat berlapis TCO untuk keperluan riset dan industri elektronika di
Indonesia masih diimpor dari negara lain. Dengan biaya produksi yang tinggi dan
kebutuhan pasar yang terus mengalami peningkatan, harga substrat tersebut masih sangat
tinggi, tidak sebanding dengan dimensinya. Oleh karena itu, gagasan tentang penumbuhan
lapisan CdO yang akan dilakukan dalam penelitian ini dinilai cukup penting, yang diyakini
akan memberi kontribusi mendasar antara lain ditinjau dari pengembangan metode CI
konvensional menjadi metode PCI, pengembangan jenis material alternatif untuk elektroda
berbagai jenis divais optoelektronik, serta pada upaya penekanan biaya produksi dimana
metode PCI termasuk metode penumbuhan energi rendah yang tidak memerlukan perlakuan
yang rumit. Selain itu, penelitian ini diharapkan dapat menjawab permasalahan atas rendahnya
nilai efisiensi konversi sel surya berbasis CdO/Cu2O yang diperoleh pada penelitian kami
sebelumnya.
Berdasarkan potensi yang dimiliki oleh Tim Peneliti (biodata terlampir), Ketua
Peneliti memiliki keahlian dalam bidang material dan energi dengan fokus kajian
pengembangan divais sel surya. Pengalaman riset pada bidang kajian tersebut diharapkan
dapat menjadi penunjang utama atas keberhasilan pelaksanaan penelitian ini. Demikian
halnya dengan Anggota Peneliti I dan Anggota Peneliti II yang memiliki dasar keilmuan di
bidang kimia diharapkan akan memberikan kontribusi yang berarti pada kajian tentang
mekanisme reaksi kimia (reduksi-oksidasi) berbagai jenis larutan yang akan digunakan
dalam penelitian ini. Penelitian ini juga akan melibatkan sejumlah mahasiswa Program
Studi Fisika dan Program Studi Kimia FMIPA Universitas Haluoleo untuk penelitian tugas
akhir.
-
7
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA
Selain silikon, sejumlah peneliti telah memfokuskan kajiannya pada beberapa jenis
material sel surya seperti paduan Cadmium (CdS, CdTe, CdO), paduan Cuprum
(CuIn(Ga)Se2, Cu2O), dan material organologam (ZnPc, CuPc, dll), baik kajian secara teori
maupun secara eksperimen. Khusus untuk material paduan Cd, secara teori efisiensi
konversi yang dapat dicapai >28%, namun secara eksperimen baru mencapai kisaran ~16%
(Sharma dkk., 2003). Alasan inilah sehingga penelitian yang dikhususkan pada kajian
tentang sel surya berbasis Cd masih terus dilakukan hingga saat ini. Demikian halnya
dengan sel surya berbasis CdO/Cu2O telah dikembangkan di FMIPA Universitas Haluoleo
menggunakan metode imersi kimia. Namun demikian, material yang dihasilkan masih
berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis CdO/Cu2O yang dihasilkan
memiliki efisiensi konversi yang rendah (Usman dkk., 2011). Kualitas material dan
ketidaksesuaian kisi antar lapisan diduga menjadi penyebab rendahnya nilai efisiensi
konversi tersebut. Oleh karena itu, penelitian ini diarahkan untuk memperbaiki kualitas
lapisan CdO dengan mengembangkan metode penumbuhan sebelumnya menjadi metode
imersi kimia terpurifikasi (PCI), sehingga lapisan CdO yang dihasilkan memiliki struktur
yang baik dengan konduktivitas listrik yang tinggi untuk aplikasi elektroda transparan.
Penelitian ini merupakan bagian dari fokus kajian utama pembuatan divais sel surya oleh
Kelompok Keahlian Fisika Material dan Energi FMIPA Universitas Haluoleo untuk Sub-
divisi Energi Matahari sebagai Sumber Energi Listrik. Peta jalan penelitian secara utuh
untuk fokus kajian ini seperti diperlihatkan pada Gambar 1.
2.1. Kadmium Oksida (CdO)
Cadmium (Cd) merupakan jenis material yang memiliki cakupan aplikasi
penggunaan yang cukup luas, baik dalam bidang elektronika, industri, maupun kesehatan.
Paduannya dengan sulfat membentuk lapisan Cadmium Sulfida (CdS) lazim digunakan
untuk sel surya, meskipun saat ini sudah mulai dibatasi karena efek negatif terhadap
lingkungan mirip dengan efek yang ditimbulkan oleh merkuri. Oleh karena itu, sejumlah
peneliti tertarik untuk mengkaji lebih jauh material ini sehingga limbahnya dapat menjadi
lebih ramah lingkungan.
-
8
ROADMAP PENELITIAN DAN PENGABDIAN PADA MASYARAKAT, KELOMPOK KEAHLIAN FISIKA MATERIAL DAN ENERGI
Divisi: Pemanfaatan Energi Matahari Sebagai Sumber Energi Alternatif
Pemanfaatan divais sel surya
Pengembangan material dasar
Pengembangan metode pembuatan
Pengembangan struktur
Penggunaan silikon dan paduannya
Pembuatan divais sel surya
Penggunaan karbon dan paduannya
Penggunaan bahan-bahan organik
Penggunaan dye-sensitized
a-Si:H, c-Si:H, poly-Si, a-SiC:H, a-SiN:H
Penggunaan jenis material lain
CNT, karbon aktif, graphene
ekstrak buah, klorofil, organo-logam
TiO2, kongo-red, metilen-blue
Teknik PECVD
PECVD konvensional, VHF-
PECVD, HWC-VHF-PECVD
CdO, Cu2O, CdTe, CdS, dll
Teknik Imersi Kimia
Teknik Kristalisasi Terinduksi Logam
Mono-cell (p-n, p-i-n)
Tandem cell
DSSC
Sel surya efek medan
Sub-divisi: Energi Matahari Sebagai Sumber Energi Listrik
Keterangan:
Penelitian dasar sebagian besar telah dilaksanakan, memerlukan tahapan optimalisasi untuk peningkatan unjuk kerja divais
Penelitian yang terkait dengan topik usulan penelitian ini
Belum dilaksanakan
Gambar 1. Peta jalan penelitian KK Fisika Material dan Energi FMIPA Universitas Haluoleo
(Sub-divisi Energi Matahari sebagai Sumber Energi Listrik)
Kadmium oksida (CdO) sudah lebih ramah lingkungan karena dihasilkan dari
proses oksidasi Cd seperti pembakaran. Selain melalui proses pembakaran, material CdO
dapat disintesa di laboratorium menggunakan larutan-larutan kimia melalui mekanisme
reduksi-oksidasi molekul dari larutan yang mengandung unsur Cd dan O, antara lain
seperti metode chemical bath deposition (Ocampo dkk., 1993), teknik evaporasi reaktif
teraktivasi (Phatak dan Lal, 1992; Sravani dkk., 1993), spray pyrolisis (Sanatana dkk.,
1999; Mishra dkk., 2009), sputtering (Veda dkk., 1998), solution growth (Gurumurugan
dkk., 1994), electroplating bath (Karunakaran dan Dhanalakshmi, 2009), sol-gel (Sakthivel
dan Mangalaraj, 2011), dan imersi kimia (Amiruddin dkk., 2011). Metode penumbuhan
yang berbeda tentu akan menghasilkan kualitas material yang berbeda pula, sebagaimana
-
9
struktur lapisan CdO yang dihasilkan dari metode sol-gel dan imersi kimia seperti
diperlihatkan pada Gambar 2.
(a) (b)
Gambar 2. Profil permukaan: (a) lapisan tipis CdO nanokristal (Sakthivel dan Mangalaraj, 2011) dan (b) lapisan tipis CdO amorf (Usman dkk., 2011)
2.2. TCO pada divais sel surya
Berbagai jenis material telah dikembangkan sebagai lapisan TCO, terutama
material yang terdiri dari oksida logam, antara lain seperti InSnO2 (ITO), ZnO, dan CdO.
Meskipun ITO dan ZnO telah dikembangkan lebih awal dibanding CdO, kedua material
tersebut diketahui memerlukan metode penumbuhan yang lebih rumit dengan konsumsi
energi tinggi. Oleh karena itu, lapisan TCO berbasis CdO menarik perhatian sejumlah
peneliti, terutama mengarah pada metode penumbuhan terbaik untuk menghasilkan
material nanokristal CdO, antara lain seperti metode electroplating bath (Karunakaran dan
Dhanalakshmi, 2009) dan metode sol-gel dan vapour-liquid-solid (Sakthivel dan
Mangalaraj, 2011).
Sebagaimana diketahui bahwa TCO pada divais optoelektronik diperlukan sebagai
elektroda yang menghubungkannya dengan rangkaian eksternal. Gambar 3
memperlihatkan penempatan lapisan TCO dalam struktur divais sel surya.
Vout
substrat transparan
kontak logam (Ag/Au)
TCO material tipe-n
material tipe-p
(a) (b)
Gambar 3. Struktur dasar: (a) sel surya p-n junction, (b) sel surya organik
-
10
BAB 3. METODE PENELITIAN
Penelitian ini pada prinsipnya adalah kelanjutan dari penelitian sebelumnya, dengan
fokus kajian utama tentang pembuatan divais sel surya berbasis CdO/Cu2O. Secara teori,
unjuk kerja divais sel surya jenis ini dapat mencapai efisiensi pada kisaran 20%. Untuk
mencapai nilai tersebut, kami telah menyusun tahapan-tahapan optimasi dan sebagaimana
diperlihatkan dalam bentuk diagram (Gambar 4).
Divais Sel Surya
Efisiensi Tinggi B
erbasis CdO
/Cu
2 O
Pengembangan metode penumbuhan
Kajian jenis mineral sumber Cd dan Cu
Kajian struktur material per lapisan aktif
Kajian struktur divais sel surya
Kajian jenis dan struktur material lapisan pendukung
Kajian stabilitas divais sel surya
* imersi kimia(2009, 2011-2012)
** imersi kimia terpurifikasi(2014-2015)
*** elektrokimia(...)
* cadmium acetate dan copper sulfide(2009, 2011-2012)
** cadmium nitrate dan copper sulfide
(...)
* amorf(2009, 2011-2012,
2014-2015)
** nanokristal dan mikrokristal(.....)
* TCO berbasis InSnO2(2009, 2011-2012)
** TCO berbasis CdO(2014-2015)
*** buffer layer(...)
* mono-cell(2009, 2011-2012,
2014-2015)
** tandem-cell(...)
* Uji intensitas tinggi(...)
** Uji cuaca ekstrim(...)
Gambar 4. Fishbone diagram penelitian tentang sel surya berbasis CdO/Cu2O
3.1. Prosedur Penelitian
Secara lengkap, penelitian ini direncanakan akan dilakukan selama 2 (dua) tahun.
Penelitian tahun I akan difokuskan pada optimalisasi penumbuhan lapisan tipis CdO
hingga diperoleh lapisan dengan sifat optik dan sifat listrik yang sesuai untuk lapisan TCO.
Optimasi ini meliputi optimasi konsentrasi larutan, optimasi temperatur pemurnian, dan
optimasi temperatur penguatan struktur (annealing). Pada tahun II, penelitian akan
difokuskan pada pengaplikasian lapisan CdO sebagai lapisan TCO pada sel surya berbasis
CdO/Cu2O. Optimasi dilakukan pada ketebalan lapisan TCO. Tahapan pelaksanaan
penelitian ini secara skematik diperlihatkan melalui diagram alir pada Gambar 5.
3.1.1. Metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical Immersion, PCI)
Metode PCI merupakan hasil pengembangan dari metode imersi kimia
konvensional. Sebagaimana metode chemical bath umumnya, metode ini juga
menggunakan mekanisme reaksi reduksi-oksidasi (redoks) dalam larutan kimia sesuai jenis
-
11
material yang akan ditumbuhkan. Metode imersi kimia merupakan metode pencelupan
substrat sebagai media penumbuhan secara berurutan, masing-masing ke dalam larutan
sumber ion positif (hasil oksidasi), kemudian dilanjutkan ke dalam larutan sumber ion
negatif (pereduksi). Salah satu kelemahan metode imersi kimia konvensional adalah
ketidakteraturan ikatan molekul saat poses berjalan sehingga molekul yang menguap akan
meninggalkan lubang (cacat struktur).
Penumbuhan lapisan tipis CdO
optimasi konsentrasi larutan
optimasi temperatur pemurnian
Optimasi temperatur annealing
Karakterisasi
Pengukuran struktur lapisan: SEM, XRD,
ketebalan
Penentuan sifat optik: UV-Vis
Penentuan sifat listrik: pengukuran konduktivitas listrik
Lapisan TCO berbasis CdO
Pembuatan divais sel surya CdO/Cu2O
optimasi ketebalan lapisan TCO
optimasi ketebalan lapisan aktif
Karakterisasi
Penentuan efisiensi konversi Uji stabilitas divais
Prototipe divais sel surya
TAHUN I TAHUN II
Gambar 4. Diagram alir pelaksanaan penelitian
Untuk kebutuhan material sebagai elektroda yang diketahui harus memenuhi sifat
optik dan sifat listrik yang baik, maka diperlukan proses pemurnian menggunakan larutan
oksidator kuat sebagai anion untuk mengikat kelebihan ion-ion negatif pada permukaan
pertumbuhan setiap kali proses imersi (anion), sehingga diperoleh material yang murni
berstruktur kristalin (nanokristal atau mikrokristal). Oleh karena itu, ukuran butiran
kristalin akan bergantung pada konsentrasi larutan oksidator kuat.
3.1.2. Penumbuhan lapisan tipis CdO dengan metode PCI
Dalam penelitian ini, lapisan CdO ditumbuhkan di atas substrat gelas menggunakan
larutan cadmium acetate dihydrate [Cd(CH3COO)2.2H2O] pada variasi konsentrasi 0,02M
- 0,08M, larutan sodium hydroxide [NaOH] pada variasi konsentrasi 0,1M - 0,4M, serta
larutan hydrogen peroxide [H2O2] pada variasi konsentrasi 0,001M - 0,004M. Hasil imersi
kemudian dipanaskan (annealing) pada temperatur yang bervariasi antara 200oC - 400oC.
-
12
Sebelum penumbuhan, substrat dibersihkan menggunakan chromic acid [H2CrO4]
dan air distilasi [H2O]. Semua larutan yang diperlukan disiapkan terlebih dahulu, dengan
masing-masing pasangan konsentrasi. Langkah proses penumbuhan dilakukan secara
berurutan, dimulai dengan mengimersi substrat ke dalam larutan cadmium acetate dan
sodium hydroxide masing-masing selama 30 detik. Sampel kemudian dimasukkan ke
dalam air distilasi selama 15 detik, kemudian ke dalam larutan hydrogen peroxide selama
30 detik. Sampel kemudian dimasukkan kembali ke dalam air distilasi selama 15 detik.
Siklus tersebut diulangi sebanyak beberapa kali sesuai dengan ketebalan lapisan yang
diinginkan. Salah satu sisi sampel kemudian dibersihkan menggunakan larutan ammonium
chloride (NH4Cl), lalu di-annealing (penguatan ikatan) pada temperatur tertentu selama 45
menit.
3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO
Untuk mengetahui kualitas lapisan tipis CdO yang dihasilkan, maka dilakukan
karakterisasi yang meliputi penentuan celah pita optik, penentuan struktur, dan penentuan
konduktivitas listrik. Celah pita optik (Eopt) ditentukan menggunakan metode Tauc Plot
dari data hasil pengukuran spektrometer Ultraviolet Visible (UV-Vis), berdasarkan
persamaan (Prasad, 1991):
( )optEhBh = ; [ ])(1
= Tlnd
dimana h adalah konstanta Planck, adalah frekuensi gelombang cahaya, B adalah
konstanta yang bergantung material, adalah koefisien absorpsi lapisan, d adalah
ketebalan lapisan, dan T adalah transmitansi lapisan terhadap cahaya UV-Vis.
Dalam penelitian ini, struktur lapisan ditentukan dari hasil pengukuran X-ray
Diffraction (XRD). Puncak difraksi yang terbentuk memberikan informasi tentang fasa,
orientasi, serta ukuran butir kristalin dalam lapisan. Ukuran butir kristalin () dihitung
menggunakan persamaan Scherer (Kanicki, 1991):
( )
=2cos
k (3)
dimana k adalah konstanta yang bergantung bentuk butir (k = 0,89 untuk butir sferis),
adalah panjang gelombang sinar-X yang digunakan, 2 adalah posisi angular puncak
difraksi, dan adalah nilai FWHM (Full-width Half Maximum) dari puncak difraksi.
-
13
Konduktivitas listrik ditentukan dengan metode coplanar, dengan mengukur arus
listrik keluaran (I) pada variasi sumber tegangan (V). Kemiringan kurva I-V merupakan
nilai resistivitas (R) lapisan, sehingga konduktivitas () dapat ditentukan.
3.3. Pembuatan divais sel surya
Dalam penelitian ini, pengaplikasian lapisan tipis CdO sebagai lapisan TCO pada
divais sel surya dijadwalkan akan dilakukan pada tahun ke-2. Sel surya akan dibuat dalam
struktur p-n junction seperti diperlihatkan pada Gambar 4(a), dimana lapisan-n
menggunakan material CdO sedang lapisan-p menggunakan material Cu2O. Seperti
diketahui bahwa penggunaan lapisan TCO berbasis CdO yang disambungkan langsung
dengan lapisan aktif yang juga berbasis CdO diharapkan dapat mengatasi masalah
ketidaksesuaian kisi sebagaimana hasil penelitian sebelumnya.
3.4. Lokasi Penelitian
Tahapan penelitian ini secara keseluruhan akan dilakukan di Universitas Haluoleo,
masing-masing adalah pembuatan larutan, proses imersi, dan pengukuran UV-Vis di
Laboratorium Jurusan Kimia FMIPA Universitas Haluoleo, sedang pengukuran XRD,
SEM, dan konduktivitas akan dilakukan di Laboratorium Jurusan Fisika FMIPA
Universitas Haluoleo.
3.5. Indikator Capaian Terukur
Sebagaimana diuraikan dalam tujuan penelitian dan bagan alir pelaksanaan
penelitian, indikator keberhasilan penelitian ini akan terlihat dari:
Keberhasilan penumbuhan lapisan tipis CdO dengan metode PCI, yang ditandai dengan
kualitas material yang baik, antara lain adalah struktur lapisan CdO berbentuk kristalin
dengan ukuran butir >10nm dan konduktivitas lapisan yang cukup tinggi (>103 S/cm).
Keberhasilan saat pengaplikasian lapisan TCO berbasis CdO pada prototipe divais sel
surya berbasis CdO/Cu2O, dengan efisiensi >5%
Publikasi ilmiah dalam jurnal nasional terakreditasi dan/atau jurnal internasional
dan/atau invensi HKI (paten).
Jumlah mahasiswa S1 yang terlibat langsung sebagai kegiatan penelitian tugas akhir.
-
14
BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN
4.1. Anggaran Biaya
Alokasi biaya penelitian yang diusulkan dalam penelitian ini dapat diperinci seperti
pada tabel berikut ini:
No. Jenis Pengeluaran Biaya yang diusulkan (Rp)
Tahun I Tahun II
Gaji dan Upah 20.800.000 20.800.000
Bahan habis pakai dan peralatan 27.754.000 27.690.000
Perjalanan 13.500.000 13.500.000
Lain-lain 10.946.000 11.010.000
Jumlah 73.000.000 73.000.000
-
15
4.2. Jadwal Penelitian
No. Jenis Kegiatan Tahun I Tahun II 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1. Persiapan (penyediaan kelengkapan/bahan
penelitian)
2. Penumbuhan lapisan tipis CdO Variasi konsentrasi larutan Variasi temperatur pemurnian Variasi temperatur annealing
3. Karakterisasi UV-Vis, SEM, dan XRD 4. Metalisasi dan pengukuran konduktivitas
listrik
5. Pembuatan divais sel surya Variasi ketebalan lapisan TCO Variasi ketebalan lapisan aktif (CdO
dan Cu2O)
6. Karakterisasi SEM untuk penampang divais sel surya
7. Pengukuran I-V dan penentuan unjuk kerja 8. Uji stabilitas divais 9. Penyusunan laporan penelitian 10. Diseminasi/publikasi
-
16
DAFTAR PUSTAKA Amiruddin, Usman, I. dan Dula, M. (2011), Penumbuhan Lapisan Tipis CdO dengan
Teknik Imersi Kimia Untuk Aplikasi Sel Surya, Jurnal Aplikasi Fisika, 7(2), 84. Gurumurugan, K., Mangalraj, D. and Narayanandas, S.K. (1994), Correlations Between
the Optical and Electrical Properties of CdO Thin Films Deposited by Spray Pyrolisis, Thin Solid Films, 251, 7.
Kanicki, J. (1991), Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices: Optoelectronic Devices, Artech House Inc., USA.
Karunakaran, C. and Dhanalakshmi, R. (2009), Selectivity in Photo Catalysis by Particulate Semiconductors, Central Euro. J. of Chemistry, 7(1), 134.
Mishra, R.L., Sharma, A.K., Prakash, S.G. (2009), Gas Sensitivity and Characterization of Cadmium Oxide Semiconducting Thin Film Deposited by Spray Pyrolisis Technique, Digest J. of Nanomaterials and Biostructures, 4(3), 511.
Ocampo, M., Fernandez, A.M., dan Sebastian, P.J. (1993), Transparent Conducting CdO Films Formed by Chemical Bath Deposition, Semiconductor Science Technology, 8, 750.
Phatak, G. dan Lal, R. (1992), Structural and Electrical Properties of Cadmium Oxide Films Deposited by the Activated Reactive Evaporation, Thin Solid Films, 209, 240.
Prasad, K. (1991), Microcrystalline Silicon Prepared with VHF-GD Process, Thesis (Ph.D.), Institute of Microtechnology University of Neuchatel.
Sakthivel, S. and Mangalaraj, D. (2011), Cadmium Oxide Nano Particles by Sol-Gel and Vapour-Liquid-Solid Methods, Nano Vision, 1(1), 47.
Sanatana, G., Acevedo, A.M., Vigil, F., Cruze, G. (1999), Superficiesy Vacio, 9, 300. Sharma, R.K., Jain, K., dan Rastogi, A.C. (2003), Growth of CdS and CdTe Thin Films for
the Fabrication of n-CdS/p-CdTe Solar Cell, Current Applied Physics, 3, 199. Sravani, C., Reddy, K.T.R., dan Reddy, P.J. (1993), Influence of Oxygen Partial Pressure
on the Physical Behaviour of CdO Films Prepared by Activated Reactive Evaporation, Material Letter, 15, 356.
Usman, I., Amiruddin, Lestari, L., dan Suryani (2011), Studi Awal Pembuatan Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O dengan Teknik Imersi Kimia, Positron: Berkala Ilmiah Fisika, 1(1), 50.
Veda, N., Meada, H., Hosono, H., and Kawazoe, H. (1998), Band-gap Widening of CdO Thin Films, J. Appl. Phys., 84, 6174.
-
17
LAMPIRAN
-
18
Lampiran 1. Justifikasi Anggaran Penelitian
1. Honor
Honor Honor/jam (Rp) Waktu
(jam/minggu) Minggu Honor per tahun (Rp) Thn. I Thn. II
Ketua 30.000 10 80 12.000.000 12.000.000 Anggota 27.500 8 80 8.800.000 8.800.000
SUB TOTAL (Rp) 20.800.000 20.800.000 2. Peralatan penunjang
Material Justifikasi pemakaian Kuantitas Harga satuan (Rp)
Harga peralatan penunjang (Rp)
Thn. I Thn. II UV-Vis pemeliharaan 50 sampel 50.000 2.500.000 0 SEM pemeliharaan 40 sampel 300.000 6.000.000 6.000.000 XRD pemeliharaan 25 sampel 150.000 3.750.000 0 I-V pemeliharaan 80 sampel 50.000 2.500.000 1.500.000
SUB TOTAL (Rp) 14.750.000 7.500.000
3. Bahan habis pakai
Material Justifikasi pemakaian Kuantitas Harga satuan (Rp)
Biaya per tahun (Rp)
Thn. I Thn. II Cadmium acetate dihydrate 99,99%
sumber Cd+ 2 btl. @500gr 3.180.000 3.180.000 3.180.000
Sodium hydroxide 99,99%
sumber -OH 2 btl. @50gr 2.681.000 2.681.000 2.681.000
Ammonium chloride 99,99%
pembersih 2 btl. @250gr 1.600.000 1.600.000 1.600.000
Hydrogen Peroxide 30%
kation 2 ltr. 1.603.000 1.603.000 1.603.000
Copper sulfate 99,99%
sumber Cu+ 2 btl. @250gr 2.193.000 0 4.386.000
Sodium thiosulfate 99,99%
pereduksi 2 btl. @250gr 1.300.000 0 2.600.000
chromic acid 99,99%
pencuci 4 kg 45.000 90.000 90.000
Gelas Corning 7059 (10mm x 10mm x 0,8mm)
substrat 20 lbr. 275.000 2.750.000 2.750.000
Air destilasi pelarut 20 ltr. 2.000 20.000 20.000 Aluminium 99% metalisasi 2m 230.000 230.000 230.000 Kaus tangan karet Pelindung 4 duz 50.000 100.000 100.000 Lampu halogen 240V/250W
Sumber cahaya
6 bh. 100.000 200.000 400.000
Kertas tissue pembersih 40 bh. 2.500 50.000 50.000 Masker Pelindung 4 bh. 250.000 500.000 500.000
SUB TOTAL (Rp) 13.004.000 20.190.000
-
19
4. Perjalanan
Material Justifikasi perjalanan Kuantitas Harga satuan (Rp)
Biaya per tahun (Rp)
Thn. I Thn. II Perjalanan ke luar Kendari
Seminar Nasional
6 4.500.000 13.500.000 13.500.000
SUB TOTAL (Rp) 13.500.000 13.500.000 5. Lain-lain
Kegiatan Justifikasi Kuantitas Harga satuan (Rp)
Biaya per tahun (Rp)
Thn. I Thn. II Publikasi dalam jurnal ilmiah nasional
Diseminasi 4 1.000.000 2.000.000 2.000.000
Publikasi dalam jurnal internasional
Diseminasi 1 4.000.000 0 4.000.000
Pengusulan invensi paten
Diseminasi 1 4.000.000 4.000.000 0
Seminar Nasional Biaya registrasi
6 1.000.000 3.000.000 3.000.000
Pembuatan Laporan
Biaya cetak 4 250.000 500.000 500.000
Administrasi ATK 2 1.478.000 1.446.000 1.510.000 SUB TOTAL (Rp) 10.946.000 11.010.000
TOTAL ANGGARAN YANG DIPERLUKAN SETIAP TAHUN
(Rp) 73.000.000 73.000.000
TOTAL ANGGARAN YANG DIPERLUKAN SELURUH
TAHUN (Rp) 146.000.000
-
20
Lampiran 2. Dukungan sarana dan prasarana penelitian
2A. Laboratorium
Instansi tim peneliti saat ini saat ini telah memiliki fasilitas laboratorium dengan peralatan
yang cukup memadai seperti peralatan XRD, SEM, kalibrator, picoammeter, dan oven
pemanas terkontrol. Peralatan-peralatan tersebut sangat menunjang dalam proses
pelaksanaan penelitian ini..
2B. Peralatan Utama
Adapun peralatan utama yang akan digunakan dalam penelitian ini adalah:
1. Nama Alat : Labu ukur, gelas reaksi, erlenmeyer, dan pengaduk
Fungsi : Peralatan untuk proses imersi
Keterangan : Alat ini dimiliki oleh tersedia di Lab. Kimia FMIPA Unhalu.
2. Nama Alat : Oven/Pemanas (Furnace)
Fungsi : Peralatan untuk annealing
Keterangan : Alat ini dimiliki oleh tersedia di Lab. Kimia FMIPA Unhalu.
3. Nama Alat : X-ray diffraction (XRD)
Fungsi : Digunakan untuk menganalisa struktur material hasil deposisi
Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.
4. Nama Alat : Scanning Electron Microscope (SEM)
Fungsi : Digunakan untuk mengidentifikasi struktur material
Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.
5. Nama Alat : Spektrometer Ultraviolet Visible (UV-Vis)
Fungsi : Digunakan untuk mengidentifikasi sifat optik lapisan
Keterangan : Alat ini tersedia di Lab. Kimia FMIPA Universitas Haluoleo.
6. Nama Alat : Picoammeter
Fungsi : Digunakan untuk pengukuran karakteristik I-V dan pengukuran
konduktivitas
Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.
7. Nama Alat : Kalibrator
Fungsi : Digunakan untuk mengkalibrasi alat ukur listrik
Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.
-
21
Lampiran 3. Susunan organisasi tim peneliti dan pembagian tugas
No. Nama/NIDN Instansi Asal Bidang
Ilmu
Alokasi Waktu
(jam/minggu) Uraian Tugas
1 Dr. Ida Usman NIDN. 0018047202
FMIPA Universitas Haluoleo
Fisika Material
dan Energi
10 preparasi sampel, koordinasi untuk
pengukuran XRD, SEM, UV-Vis, konduktivitas,
pembuatan prototipe divais sel surya, diseminasi,
dan pembuatan laporan
2 Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. NIDN. 0003038202
FMIPA Universitas Haluoleo
Fisika Material
8 Penyediaan bahan, preparasi sampel,
pengolahan/analisis data XRD, SEM,
UV-Vis, konduktivitas,
diseminasi, dan pembuatan laporan
-
22
Lampiran 4. Nota kesepahaman MOU atau pernyataan kesediaan dari mitra
TIDAK ADA
-
23
Lampiran 5. (A) Biodata Ketua Tim Peneliti A. Identitas Diri
1 Nama Lengkap (dengan gelar) Dr. Ida Usman 2 Jenis Kelamin L 3 Jabatan Fungsional Lektor 4 NIP/NIK/Identitas lainnya 19720418 199903 1 002 5 NIDN 0018047204 6 Tempat dan Tanggal Lahir Tongkuno, 18 April 1972 7 E-mail [email protected] 8 Nomor Telepon/HP 08157046972 9 Alamat Kantor Kampus Unhalu Bumi Tridharma Anduonohu,
Kendari, Sulawesi Tenggara 10 Nomor Telepon/Faks (0401)3191929 / (0401)390496 11 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1 = 41 orang; S-2 = 0 orang; S-3 = 0 orang
12 Mata Kuliah yang Diampu
1. Fisika Divais Semikonduktor 2. Fisika Semikonduktor 3. Simulasi Fisika 4. Mikroprosessor 5. Metode Penulisan Karya Ilmiah 6. Elektronika Dasar 7. Elektronika Digital
B. Riwayat Pendidikan S1 S2 S3 Nama Perguruan Tinggi Universitas
Hasanuddin Institut Teknologi
Bandung Institut Teknologi
Bandung Bidang Ilmu Fisika Fisika Fisika Tahun Masuk-Lulus 1992-1997 1998-2001 2001-2006 Judul Skripsi/ Tesis/Disertasi
Analisis Komponen Utama dalam
penentuan penyebaran unsur hara dan
fitoplankton di Teluk Bone
Fabrikasi Divais Sel Surya Berbasis c-Si:H dengan Teknik VHF-
PECVD
Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H untuk Aplikasi Sel Surya
dengan Metode HWC-VHF-PECVD
Nama Pembimbing/ Promotor
Dr. Halmar Halide Prof. Toto Winata, Ph.D
Prof. Toto Winata, Ph.D
C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir (Bukan Skripsi, Tesis, maupun Disertasi)
No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan Sumber* Jml (Juta Rp) 1. 2012 Pengembangan Divais Sel Surya
Struktur Tandem Triple-Cell Berbasis Silikon Polymorphous dengan Teknik VHF-PECVD
Hibah Stranas, Dikti
85
2. 2011 (Anggota)
Optimasi Pembuatan Divais Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O Melalui Teknik Imersi Kimia
Hibah Bersaing,
Dikti
45
-
24
3. 2010-2011
(Ketua) Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Polikristal Tipe-p Dengan Metode Kristalisasi Terinduksi Aluminium Dan Aplikasinya Pada Divais Sel Surya
Hibah Bersaing,
Dikti
82,5
4. 2010-2011 (Ketua)
Pemodelan Reaksi Nuklir Dengan Menggunakan Formalisme Densitas Energi Dan Penerapannya Untuk Menjelaskan Data Eksperimen Hamburan Quasi-elastik Dari Reaksi Yang Melibatkan Inti-inti Berat
Hibah Fundamental,
Dikti
68
5. 2009 (Anggota)
Optimasi Pemanfaatan Cahaya Matahari Sebagai Sumber Energi Alternatif Pada Mesin Perontok Padi Dan Sistem Pengering Padi Model Slope Thermal Collector
Riset Unngulan Strategis Nasional, Unhalu
60
6. 2009 (Ketua)
Fabrikasi Divais Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O Melalui Teknik Imersi Kimia
Hibah Kompetitif,
Dikti
79,5
7. 2008-2009 (Ketua)
Pengembangan Divais Sel Surya Organik Berbasis Ekstrak Buah Segar Yang Menggunakan Elektroda Carbon Nano Tubes
Hibah Bersaing,
Dikti
80
* Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan
Sumber* Jml (Juta Rp) 1 2008 Rancang Buat sistem Hibrid
Pembangkit Listrik tenaga Surya di Kel. Bungkutoko, Kendari
DP2M, Dikti 7,5
2 2009 Rancang Buat Sistem Pengering Rumput Laut Model Slope Thermal Collector
DP2M, Dikti 40
* Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. E. Publikasi Artikel Ilmiah dalam Jurnal dalam 5 Tahun Terakhir
No Judul Artikel Ilmiah Nama Jurnal Volume/ Nomor/Tahun 1 Penumbuhan Lapisan Tipis CdO dengan Teknik
Imersi Kimia Jurnal Aplikasi
Fisika Vol. 7, No. 2,
2011 2 Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Mikrokristal
Terhidrogenasi dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Reaktor Vol. 13 No. 1, 2010
3 Analisis Sifat Listrik Ekstrak Kulit Buah Kakao Untuk Sel Surya Organik
Jurnal Aplikasi Fisika
Vol. 5 No. 2, 2009
4 Pengaruh Ketebalan Lapisan-p Terhadap Profil Distribusi Pembawa Muatan pada Sel Surya p-i-n Berbasis a-Si:H
Jurnal Natural Vol. 8 No.1, 2008
-
25
5 The Influence of Silane Gas Flow Rate on Optoelectronic Properties of c-Si:H Prepared by HWC-VHF-PECVD Technique
ITB Journal of Science
Vol. 40A No. 2, 2008
6 Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif Terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-Si:H Yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Jurnal Matematika & Sains
Vol. 13 No. 4, 2008
7 Catalytic Carbon Submicron Fabrication using Home-built Very-High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
ITB Journal of Science
Vol. 40A No. 2, 2008
8 Identifikasi Gugus Molekul Fotoaktif Hasil Ekstraksi Kulit Buah Kakao (Theobroma cacao L.) dengan Spektrometer FTIR untuk Aplikasi Sel Surya organik
Jurnal Aplikasi Fisika
Vol. 4 No.2, 2008
F. Pemakalah Seminar Ilmiah (Oral Presentation) dalam 5 Tahun Terakhir
No Nama Pertemuan Ilmiah/Seminar Judul artikel Ilmiah Waktu dan
Tempat 1 Seminar Nasional Hasil-hasil
Penelitian Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Polikristal Tipe-p Dengan Metode Kristalisasi Terinduksi Aluminium
2011, Makassar
2 Seminar Nasional MIPA The Effect Of Power Discharge to The Structural Properties Of Silicon Thin
Film Prepared by VHF-PECVD Technique
2012, Palu
G. Karya Buku dalam 5 Tahun Terakhir
No. Judul Buku Tahun Jumlah Halaman Penerbit
H. Perolehan HKI dalam 510 Tahun Terakhir No. Judul/Tema HKI Tahun Jenis Nomor P / ID 1 Penumbuhan Sel Surya Organik
Berbasis Ekstrak Kulit Buah Kakao Dengan Elektroda Carbon Nano Tube
2010 Paten Sederhana
P00200900701
I. Pengalaman Merumuskan Kebijakan Publik/Rekayasa Sosial Lainnya dalam 5 Tahun
Terakhir
No. Judul/Tema/Jenis Rekayasa Sosial Lainnya yang Telah Diterapkan Tahun Tempat
Penerapan Respons
Masyarakat
J. Penghargaan dalam 10 tahun Terakhir (dari pemerintah, asosiasi atau institusi
lainnya)
No. Jenis Penghargaan Institusi Pemberi Penghargaan Tahun
-
]:g', ;:.={-nE:r!ry:t::ai-{:?.].qT..]. 1_1B.-,rrnq::eiia11lf5r,::
I
Semua data yang saya isikan dan tprcantum dalam biodata ini adalah benar dan dapatdipertanggunglawabkan secara 'hukum. Apabila di kemudian hari ternyata dijumpai|e,,0:1*.:lrt:n o:r.** kenyataan, saya sanggup menerimu runoll:.Demikian biodata ini saya buat dengan sebenarnya untuk memenuhi salah satu persyaratandalam pengajuan Usul Penelitian Fundamental 2013
Kendari, 1 April20l3Pengusul,
L:
EL,'?inar'
,;ir
F-i l
26
-
27
Lampiran 5. (B) Biodata Anggota Tim Peneliti A. Identitas Diri
1 Nama Lengkap (dengan gelar) Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. 2 Jenis Kelamin P 3 Jabatan Fungsional Lektor 4 NIP/NIK/Identitas lainnya 19820303 200501 2 003 5 NIDN 0003038202 6 Tempat dan Tanggal Lahir Kendari, 03 Maret 1982 7 E-mail [email protected] 8 Nomor Telepon/HP 0401-3122852 / 081935420564 / 081294054025 9 Alamat Kantor Kampus Unhalu Bumi Tridharma Anduonohu,
Kendari, Sulawesi Tenggara 10 Nomor Telepon/Faks (0401)3191929 / (0401)390496 11 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1 = 3 orang; S-2 = 0 orang; S-3 = 0 orang
12 Mata Kuliah yang Diampu
1. Serat Optik 2. Metode Pengukuran Fisis 3. Fisika Dasar I dan II 4. Eksperimen Fisika III 5. Serat Optik
B. Riwayat Pendidikan S1 S2 Nama Perguruan Tinggi Universitas Haluoleo Institut Teknologi Bandung
Bidang Ilmu Fisika Fisika
Tahun Masuk-Lulus 2000 - 2004 2004 - 2007
Judul Skripsi/ Tesis/Disertasi
Karakterisasi Sifat Fisis Karbon Aktif Tempurung Kelapa Untuk
Aplikasi Divais Elektronik
Preparasi dan Spektroskopi Optik Polimer Hibrid
Organik/Inorganik yang Mengandung Europium (III)
Kompleks untuk aplikasi Komponen Optik
Nama Pembimbing/ Promotor
M. Jahiding, S.Si., M.Si. Dr. Rahmat Hidayat
C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir (Bukan Skripsi, Tesis, maupun Disertasi)
No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan Sumber* Jml (Juta Rp) 1 2013
(Teknisi) Pengembangan sel surya berbasis dye dengan gel elektrolit hibrid dan proses fabrikasinya dengan teknik roll-printing sederhana
Insentif Riset Sinas
200
2 2012 (Asisten Peneliti)
Pengembangan Sel Surya Tersensitisasi-Dye Bentuk Padat Untuk Mengatasi Masalah Kebocoran Elektrolit Dalam Bentuk Konvensionalnya
Program Desentralisasi DIKTI 2012
75
-
28
3 2007 (Ketua)
Pembuatan Film Titanium Dioksida (TiO2) sebagai Bahan dielektrik Sensor Kelembaban Jenis Kapasitif
Penelitian Dosen Muda
(DP2M)
10
* Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan
Sumber* Jml (Juta Rp)
* Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. E. Publikasi Artikel Ilmiah dalam Jurnal dalam 5 Tahun Terakhir
No Judul Artikel Ilmiah Nama Jurnal Volume/ Nomor/Tahun
F. Pemakalah Seminar Ilmiah (Oral Presentation) dalam 5 Tahun Terakhir
No Nama Pertemuan Ilmiah/Seminar Judul artikel Ilmiah Waktu dan
Tempat 1 6th International Symposium
on Modern Optics and Its Applications, Bandung Institute of Technology, Indonesia
Organic-Inorganic Hybrid Polymer Containing Light Emitting Molecules for Light Amplifications Applications
ITB, 2007
2 Proceeding of International Conference on Mathematics and Natural Sciences, Bandung, Indonesia
Photopolymerization and Spectroscopic Characteristic of Europium (III) Complex Doped
Hybrid Polymer Ormocer
ITB, 2006
G. Karya Buku dalam 5 Tahun Terakhir
No. Judul Buku Tahun Jumlah Halaman Penerbit
H. Perolehan HKI dalam 510 Tahun Terakhir No. Judul/Tema HKI Tahun Jenis Nomor P / ID
I. Pengalaman Merumuskan Kebijakan Publik/Rekayasa Sosial Lainnya dalam 5 Tahun Terakhir
No. Judul/Tema/Jenis Rekayasa Sosial Lainnya yang Telah Diterapkan Tahun Tempat
Penerapan Respons
Masyarakat
-
J. Penghargaan dalam l0 tahun Terakhir (dari pemerintah, asoslosi atau instit*si
Kendari, I April20l3Pengusul,
Semua data yang saya isikan dan tercantum dalam biodata ini adalah'benar dan dapatdipertanggungjawabkan secara hukum. Apabila di kemudian hari ternyata dijumpaiketidak-sesuaian dengan kenyataan, saya sanggup menerima sanksi.Demikian biodata ini saya buat dengan sebenarnya untuk memenuhi salah satu persyaratandalam pengajuan Usul Penelitian Fundamental 201 3
iII?.
'
iItt!
LE
h.F'
lain
No. Jenis Penghargaan Institusi PemberiPensharshan Tahun
29
-
30
Lampiran 6. Surat pernyataan ketua peneliti
-
KEMENTERIAN PENDIDIKAN DAN KEBUDAYAANUNIVERSITAS HALUOLEO
Kampus Hijau Bumi Tridharma Anduonohu, Kendari 93232Telp. : (0401) 3194163, Fax. : (0401) 3190006
SURAT PERNYATAAN KETUA PELITIIPELAKSANA
Yang bertandatangandi bawah ini:Nama
NIDNPangkat / Golongan
Jabatan Fungsional
Dengan ini menyatakan bahwa proposal penelitian saya dengan judul:Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmium Aksida Dengan Metade PCI Untuk Aplikasi
Elelaroda Transparan Pada Divais Sel Suryayang diusulkan dalam skema Penelitian Fundamental untuk tahun anggaran 2014 - 2015bersifat origiral dan belum pernah dibiayai oleh lembaga / snmber dana lain.Bilamana di kemudian hari ditemukan ketidaksesuaian dengan pernyataan ini, maka sayabersedia dituntut dan diproses sesuai dengan ketentuan yang berlaku dan mengembalikanseluruh biaya penelitian yang sudah diterima ke kas negara.
Demikian pernyataan ini dibuat dengan dan dengan sebenar-benamya.
Kendari, 1 April2013
I 002
Dr.IdaUsman0018047204
PenataTk.I/IIVdLektor
3l
USULHALAMAN PENGESAHANDAFTAR ISIRINGKASANBAB 1. PENDAHULUAN1.1. Latar Belakang1.2. Tujuan Khusus1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA2.1. Kadmium Oksida (CdO)2.2. TCO pada divais sel surya
BAB 3. METODE PENELITIAN3.1. Prosedur Penelitian3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO3.3. Pembuatan divais sel surya3.4. Lokasi Penelitian3.5. Indikator Capaian Terukur
BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN4.1. Anggaran Biaya4.2. Jadwal Penelitian
DAFTAR PUSTAKALAMPIRANLampiran 1. Justifikasi Anggaran PenelitianLampiran 2. Dukungan sarana dan prasarana penelitianLampiran 3. Susunan organisasi tim peneliti dan pembagian tugasLampiran 4. Nota kesepahaman MOU atau pernyataan kesediaan dari mitraLampiran 5. (A) Biodata Ketua Tim PenelitiUntitled
Lampiran 5. (B) Biodata Anggota Tim PenelitiUntitled
Lampiran 6. Surat pernyataan ketua peneliti