heterosandūros
TRANSCRIPT
![Page 1: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/1.jpg)
Įvairiatarpės sandūros, jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas. Krūvininkų injekcija ir
ekstrakcija. Voltamperinės charakteristikos teorija.
Algimantas Časas
![Page 2: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/2.jpg)
Turinys
• Įvairiatarpės sandūros, • jų juostų schema ir potencialo
pasiskirstymas. • Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija. • Voltamperinės charakteristikos teorija• Literatūra
![Page 3: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/3.jpg)
Įvairiatarpės sandūros
Skirtumai nuo ankščiau nagrinėtų p-n sandūrų:
–Medžiagos yra su skirtingais draustinių juostų tarpais Eg, dėl to atsiranda energijos juostų trūkis–Sandūrų gamybai naudojamos sudėtingesnės technologijos –Padarė perversmą elektronikoje (2000m. Nobelio premija Herbert Kroemer, Zhores I. Alferov už heterosandūrų vystymą)–Tos pačios kristalinės struktūros gardelės konstantos dviejų skirtingų puslaidininkių idealiai nesutampa, dėl to vartojamos poros, kurios turi mažiausią skirtumą (Si ir Ge, Ge ir GaAs).
![Page 4: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/4.jpg)
Įvairiatarpės sandūrosHEMTHIT
Dvigubos heterosandūros lazeris
![Page 5: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/5.jpg)
Įvairiatarpės sandūros
Nagrinėsime dviejų n ir p tipo skirtingos cheminės sudėties puslaidininkių sandūrą
12.1 pav. (a) Dveijų skirtingų puslaidininkių energijos juostų schema
Skirtingi parametrai (χ; ε; Ф; Еg)
![Page 6: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/6.jpg)
12.1 pav. (b) Dveijų skirtingų puslaidininkių sandūros juostų schema ir potencialo Pasiskirstymas
![Page 7: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/7.jpg)
Įvairiatarpės sandūros
![Page 8: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/8.jpg)
Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
![Page 9: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/9.jpg)
Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
![Page 10: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/10.jpg)
Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija
![Page 11: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/11.jpg)
Voltamperinės charakteristikos teorija
• Priemaišos yra seklios ir visiškai jonizuotos• Atsižvelgsime tik į vyraujančią srovę• Pagrindinių krūvininkų injekciją iš siaurajuosčio į plačiajuostį
puslaidininkį trukdo didelis potencialo barjeras, todėl šios injekcijos sukelta difuzinė srovė yra silpna ir į ją neatsižvelgsime (ekstrakcijos srovė, gauta ekstrahuojant plačiajuosčio puslaidininkio šalutinius krūvininkus, taip pat yra silpna, nes šalutinių krūvininkų generacijos sparta ir jų tankis yra maži).
• Laikysime, kad sandūros plokštumoje (x = 0) nėra laisvųjų cheminių ryšių, kurie veikia kaip rekombinacijos centrai, taip pat nėra kitų defektų
• Pagaminti tokią heterosandūrą praktiškai neįmanoma, todėl ji vadinama idealiąja pn heterosandūra.
![Page 12: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/12.jpg)
Voltamperinės charakteristikos teorija
![Page 13: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/13.jpg)
Voltamperinės charakteristikos teorija
![Page 14: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/14.jpg)
• Išnagrinėtas idealiosios pn heterosandūros difuzinės srovės modelis praktiškai sunkiai realizuojamas, nes, gaminant pn heterosandūrą, sudaroma daug paviršinių lygmenų.
• Gardelės defektai, esantys realios pn heterosandūros skirtingų gardelių sąlyčio plokštumoje, sudaro paviršinius lygmenis, ir atsiranda papildomų elektroninių šuolių galimybė. Dėl to realios pn heterosandūros srovės mechanizmas gali iš esmės skirtis nuo idealiosios.
• Jeigu paviršinių lygmenų nėra (heterosandūrą ideali), iš pimojo į antrąjį puslaidininkį pereina tik tie elektronai, kurių energija didesnė už barjero aukštį. Skylės iš antrojo į pirmąjį puslaidininkį patenka viršbarjerinės emisijos būdu arba tuneliuodamos pro siaurą srities barjerą.
• Kai yra paviršinių lygmenų, elektronai sandūroje patenka į juos ir, išspinduliuodami fononus, paviršiniais lygmenimis Et nusileidžia žemyn ir rekombinuoja su skylėmis. Ši srovė vadinama rekombinacijos srove. Ji yra nenaudinga, nes silpnina injektuotų skylių ir elektronų difuzines sroves.
Išvados
![Page 15: Heterosandūros](https://reader030.vdocuments.mx/reader030/viewer/2022020116/55ae79a81a28abfa758b45d7/html5/thumbnails/15.jpg)
Literatūra:•V. Kažukauskas “Šiuolaikiniai mikroelektronikos puslaidininkių prietaisai” 2008•S. M. Sze, Kwok Kwok Ng “Physics of semiconductor devices” 2007• Jenny Nelson “The Physics of Solar Cells” 2007•Principles of Semiconductor Devices http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_3.htm (2011 10 25)
ROS Solutions for Industrial Robotics - ROS Solutions for Industrial Robotics ROS-Industrial Program
ROS and RNS: key factors in goiter and .ROS : definition Reactive oxygen species : ROS ... Increased
Some ROS daf/courses/MAAV-2019/ROSSlides/ROS...¢ 2019-10-01¢ ROS Environment ¢â‚¬¢ ROS relies on the