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Elettronica Digitale Formulario A. Modello unificato del transistore MOS a canale N per tecnologie a canale corto (L << 1 µm) ! ! " ! ! # $ % + & & ' ( ) ) * + , - = . = 0 V  per ) V 1 ( 2 V V V L W k I 0 V  per 0 I GT DS 2 min min GT D GT D /  dove ) V , V , V min( V DSAT DS GT min  =  e t GS GT  V V V  ! =  B. Resistenza equivalente del transistore MOS a canale N in commutazione ! " # $ % & ' (  DD DSAT DD eq  V 9 7 1 I V 4 3 R  )  dove ! ! " # $ $ % & ' ' ( = 2 V V ) V V ( L W k I 2 DSAT DSAT t DD DSAT  C. Invertitore CMOS: formule fondamentali DD OH  V V  =  GND V OL  =  DSATn n n DSATp  p  p DD M V L W k V L W k r con r 1 rV V ! " # $ % & ' ! " # $ % & ' = + (  

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  • Elettronica Digitale

    Formulario A. Modello unificato del transistore MOS a canale N per tecnologie a canale corto (L

  • gVVVV

    gVVV MDDMILMMIH

    +== dove

    ( )pnDSATntnM 2VVV

    r1g

    +

    +=

    +=

    2RR

    C69.02tt

    t eqpeqnLpLHpHL

    p

    fVCP 2DDLdiss =

    _____________________________________________________________________________

    Modello semplificato di processo CMOS da 0.25 m

    Vt [V] VDSAT [V] k [A/V2] [V-1]

    NMOS 0.43 0.63 11510-6 0.06

    PMOS -0.4 -1 -3010-6 -0.1