EQUIPO # 4

INTEGRANTES:Víctor Ismael Bautista Sánchez

Albino Ramírez SánchezAdrian muñoz Martínez

Adolfo MontenegroEmmanuel Mancilla Sánchez

Juan Ruiz GarcíaEduardo Gerardo Galaviz Flores

Materia: Física 4.Docente: Ing. Christian Aldaco González.

Horario: 3:00 a 4:00 pmAula: R-9

INTRODUCCIÓN

1.-Fenómenos de ruptura2.- Ruptura por multiplicación o avalancha.3.- Ruptura zener.

POLARIZACIÓN EN INVERSA Si polarizamos inversamente una

unión p-n el efecto neto será un

crecimiento del área de

agotamiento lo que detendrá los

portadores mayoritarios, haciendo

a esta corriente cero

Sin embargo, los portadores

minoritarios tienden a ir a la región

de agotamiento creando así una

pequeña corriente inversa .

p n

TRASPORTE EN CAMPO MUY INTENSO: FENÓMENOS DE RUPTURA.

Cuando el campo eléctrico llega a ser extremadamente intenso

(≥ 100 Kv/cm^-1), el semiconductor sufre una “ruptura” en la cual la

corriente exhibe un comportamiento “desbocado” o “galopante”.

La ruptura ocurre debido a la multiplicación de portadores que surgen de

las dos fuentes que se discuten a continuación.

CONTINUACIÓN……TRASPORTE EN CAMPO MUY INTENSO: FENÓMENOS DE RUPTURA.

Por multiplicación de

portadores queremos decir

que el número de electrones y

huecos que pueden participar

en el flujo de corriente se

incrementa.

Por supuesto el número total

de electrones se conserva

siempre.

FENOMENO DE RUPTURA POR AVALANCHA

En conexión inversa o directa de los diodos ocurre el efecto por avalancha o también llamado por multiplicación.

Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

VOLARGE PRIMARIO CORRIENTE I

-5V -10nA

-10V -20nA

-20V -30nA

-50V -100mA

Cuando la tensión aumenta el campo electrico en el tambien lo hace provocando que los electrones de la banda de valencia pasen a la de conduccion. Si estos producen colisiones a tal grado que otros electrones pasen al banda de conduccion se obtine una deacarga por avalancha.

DENTRO DEL DIODO OURRE LO SIGUIENTE

Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, los electrones libres se van acelerando estos electrones pueden chocar donde se hace el enlace covalente.

Si el electrón lleva tanta velocidad que choca y le cedé energia cinetica a tal grado que puede hacerlo un electrón libre, y ahora tendremos dos electrones libres.

Estos dos electrones vuelven a acelerar gracias al campo electrico adquiriendo la misma velocidad con la que fue el choque y así pueden volver a chocar con otro electrón de enlace covalente, y así se sucesivamente se va repitiendo el proceso.

La Ruptura Zener ocurre cuando los electrones de valencia son liberados de sus enlaces debido al gran campo eléctrico sin alcanzar un nivel al que se produzcan colisiones de gran energía.

RUPTURA ZENER

El diodo Zener a diferencia del diodo convencional tiene un grado de dopacion mayor lo que origina que la zona de deplexion sea muy estrecha.

El efecto túnel permite a los electrones filtrarse en las bandas y a medida que el campo eléctrico se incrementa la energía prohibida disminuye hasta poner en corto al diodo.

DIODO ZENER

El diodo Zener es un dispositivo semiconductor que nos permite mantener un valor máximo de voltaje en sus terminales que no se superara siempre y cuando sus características no los permitan.

Bibliografía

Principios de Electrónica: Malvino

Electrónica: Harry Mileaf

Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos: Boylestad Nashelsky

Dispositivos Semiconductores: Jasprit Singh

Consultas

http://www.4shared.com/document/6rZb8rnD/Diodo_Zener_y_Fenomeno_de_rupt.html