東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリ...

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 1

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック

TAR5SB15～TAR5SB50 ポイントレギュレータ (ロードロップアウトレギュレータ) コントロール端子付きバイポーラタイプの汎用シングル電源で、コントロール端子により、ON/OFF を操作すること

ができます。また、出力段は過熱保護、過電流保護回路を内蔵して

います。

特長 • 低スタンバイ電流です。 • 過熱保護、過電流保護回路内蔵です。 • 動作電圧範囲が広い。 • 最大出力電流が大きい。 • 入出力間電圧差が小さい。 • 小型外囲器です。 • セラミックコンデンサ使用可。

端子接続図 (top view)

過熱保護回路、過電流保護回路は、製品の動作を絶対最大定格以下に保証するものではございません。実際のご使用の際には、製品 TD 記載の絶対最大定格を超えない範囲でご使用ください。

質量: 0.014 g (標準)

1 3 2

VOUT

CONTROL

4

GND

NOISE

VIN

5

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 2

製品および現品表示一覧表現品表示方法

品名現品表示品名現品表示

TAR5SB15 1B5 TAR5SB33 3B3


















絶対大定格 (Ta = 25°C)

項目記号定格単位

入力電圧 VIN 15 V

出力電流 IOUT 200 mA

200 (注 1)消費電力 PD

380 (注 2)mW

動作温度 Topr −40~85 °C

保存温度 Tstg −55~150 °C

注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お

よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが

あります。弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ

び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

注 1: 単体定格

注 2: 基板付け時定格 (ガラスエポキシ基板面積 : 30 mm × 30 mm, 銅箔パッド面積 : 50 mm2)

3 B 0

例) TAR5SB30 (3.0 V) の場合

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 3

TAR5SB15~TAR5SB22

電気的特性 (特に指定がない場合, VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 50 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Tj = 25°C)

項目記号測定条件小標準大単位

出力電圧 VOUT 「出力電圧精度」参照

入力安定度 Reg･line VOUT + 1 V < = VIN < = 15 V, IOUT = 1 mA ⎯ 3 15 mV

負荷安定度 Reg･load 1 mA < = IOUT < = 150 mA ⎯ 25 75 mV

IB1 IOUT = 0 mA ⎯ 170 ⎯ バイアス電流

IB2 IOUT = 50 mA ⎯ 550 850μA

スタンバイ電流 IB (OFF) VCT = 0 V ⎯ ⎯ 0.1 μA

出力雑音電圧 VNO VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA,10 Hz < = f < = 100 kHz, CNOISE = 0.01 μF, Ta = 25°C

⎯ 30 ⎯ μVrms

出力電圧温度係数 TCVO −40°C < = Topr < = 85°C ⎯ 100 ⎯ ppm/°C

入力電圧 VIN ⎯ 2.4 ⎯ 15 V

リップル圧縮度 R.R. VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA,CNOISE = 0.01 μF, f = 1 kHz, VRipple = 500 mVp-p, Ta = 25°C

⎯ 70 ⎯ dB

コントロール電圧 ( O N ) VCT (ON) ⎯ 1.5 ⎯ VIN V

コントロール電圧 ( O F F ) VCT (OFF) ⎯ ⎯ ⎯ 0.4 V

コントロール電流 ( O N ) ICT (ON) VCT = 1.5 V ⎯ 3 10 μA

コントロール電流 ( O F F ) ICT (OFF) VCT = 0 V ⎯ 0 0.1 μA

TAR5SB23~TAR5SB50

電気的特性 (特に指定がない場合, VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 50 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Tj = 25°C)

項目記号測定条件小標準大単位

出力電圧 VOUT 「出力電圧精度」参照

入力安定度 Reg･line VOUT + 1 V < = VIN < = 15 V, IOUT = 1 mA ⎯ 3 15 mV

負荷安定度 Reg･load 1 mA < = IOUT < = 150 mA ⎯ 25 75 mV

IB1 IOUT = 0 mA ⎯ 170 ⎯ バイアス電流

IB2 IOUT = 50 mA ⎯ 550 850μA

スタンバイ電流 IB (OFF) VCT = 0 V ⎯ ⎯ 0.1 μA

出力雑音電圧 VNO VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA,10 Hz < = f < = 100 kHz, CNOISE = 0.01 μF, Ta = 25°C

⎯ 30 ⎯ μVrms

小入出力間電圧差 VIN − VOUT IOUT = 50 mA ⎯ 130 200 mV

出力電圧温度係数 TCVO −40°C < = Topr < = 85°C ⎯ 100 ⎯ ppm/°C

入力電圧 VIN ⎯ VOUT + 0.2 V ⎯ 15 V

リップル圧縮度 R.R. VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA,CNOISE = 0.01 μF, f = 1 kHz, VRipple = 500 mVp-p, Ta = 25°C

⎯ 70 ⎯ dB

コントロール電圧 ( O N ) VCT (ON) ⎯ 1.5 ⎯ VIN V

コントロール電圧 ( O F F ) VCT (OFF) ⎯ ⎯ ⎯ 0.4 V

コントロール電流 ( O N ) ICT (ON) VCT = 1.5 V ⎯ 3 10 μA

コントロール電流 ( O F F ) ICT (OFF) VCT = 0 V ⎯ 0 0.1 μA

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 4

出力電圧精度 (VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 50 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Tj = 25°C)

品名記号小標準大単位

TAR5SB15 1.44 1.5 1.56

TAR5SB16 1.54 1.6 1.66

TAR5SB17 1.64 1.7 1.76

TAR5SB18 1.74 1.8 1.86

TAR5SB19 1.84 1.9 1.96

TAR5SB20 1.94 2.0 2.06

TAR5SB21 2.04 2.1 2.16

TAR5SB22 2.14 2.2 2.26

TAR5SB23 2.24 2.3 2.36

TAR5SB24 2.34 2.4 2.46

TAR5SB25 2.43 2.5 2.57

TAR5SB26 2.53 2.6 2.67

TAR5SB27 2.63 2.7 2.77

TAR5SB28 2.73 2.8 2.87

TAR5SB29 2.83 2.9 2.97

TAR5SB30 2.92 3.0 3.08

TAR5SB31 3.02 3.1 3.18

TAR5SB32 3.12 3.2 3.28

TAR5SB33 3.21 3.3 3.39

TAR5SB34 3.31 3.4 3.49

TAR5SB35 3.41 3.5 3.59

TAR5SB36 3.51 3.6 3.69

TAR5SB37 3.6 3.7 3.8

TAR5SB38 3.7 3.8 3.9

TAR5SB39 3.8 3.9 4.0

TAR5SB40 3.9 4.0 4.1

TAR5SB41 3.99 4.1 4.21

TAR5SB42 4.09 4.2 4.31

TAR5SB43 4.19 4.3 4.41

TAR5SB44 4.29 4.4 4.51

TAR5SB45 4.38 4.5 4.62

TAR5SB46 4.48 4.6 4.71

TAR5SB47 4.58 4.7 4.82

TAR5SB48 4.68 4.8 4.92

TAR5SB49 4.77 4.9 5.03

TAR5SB50

VOUT

4.87 5.0 5.13

V

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 5

アプリケーションノート

1. 推奨使用回路上図にポイントレギュレータの推奨使用回路を示します。入出力には安定動作のためコンデンサを入れてください。また、

コントロール機能を使用しない場合は端子を VCC 端子に接続することを推奨します。

2. 許容損失について TAR5SBxx シリーズの基板実装時の許容損失 (380 mW) は以下に示すサイズ、パターンで測定しています。ご使

用の際には周囲温度、入力電圧、出力電流等のパラメータを考慮の上、最大許容損失からできるだけ余裕を持った

パターン設計をしてください。この際、適当なディレーティング (一般的には最大値の 70~80%) をした数値でのご

使用を推奨いたします。

熱抵抗評価基板

基板材質: ガラスエポキシ、基板面積 30 mm × 30 mm 銅箔パッド面積: 50 mm

2、t = 0.8 mm

COUT

CIN

CNOISE

VOUT NOISE

VIN GND CONTROL

コントロール電圧出力電圧

HIGH ON

LOW OFF

VOUT

5

CONTROL

4

1 3

GND

2

NOISE

VIN

10 μ

F

0.01

μF

1 μF

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 6

3. リップルリジェクションについて TAR5SBxx シリーズでは、リップルリジェクション特性に優れた回路を採用しております。また、電源電圧の急

しゅんな抵抗に伴う出力変動 (入力過渡応答特性) にもきわめて優れた特性を示すため、あらゆる携帯電話システム

の RF ブロック用途に最適です。

4. NOISE 端子 TAR5SBxx シリーズでは、出力雑音電圧の低減のために NOISE 端子があります。この端子と GND 間にコンデ

ンサを接続することにより、出力雑音が低減されます。本製品では安定動作のため、必ず 0.0047 μF 以上のコンデ

ンサを NOISE 端子と GND 間に接続してご使用下さい。また、NOISE 端子に接続するコンデンサの容量により、出力電圧の立ち上がり時間が変化します。

Ripple Rejection − f

TAR5S28 の入力過渡応答

周波数 f (Hz)

時間 t (ms)

リップル

リジェ

クション

(d

B)

0 10 100 1 k 10 k 100 k 300 k

10

20

30

40

50

60

70

80

10 μF

2.2 μF

1 μF

VIN = 4.0 V, CNOISE = 0.01 μF,

CIN = 1 μF, Vripple = 500 mVp−p,Iout = 10 mA, Ta = 25°C

CNOISE − VN

出力立ち上がり波形

NOISE 端子容量 CNOISE (F)

時間 t (ms)

コン

トロ

ール

電圧

V

CT

(ON

) (

V)

出

力雑

音電

圧

VN

(μ

V)

0

10

20

30

40

50

60

0.001 μ 0.01 μ 1.0 μ

TAR5S50

0.1 μ

TAR5S30

TAR5S15

CIN = 1 μF, Cout = 10 μF,

Iout = 10 mA, Ta = 25°C

出力

電圧

V

OU

T (

V)

0 1 4 5 8 10

入力電圧

2.8 V

2 3 6 7 9

出力電圧

3.1 V

3.4 V

Ta = 25°C, CIN = 1 μF, Cout = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF,

VIN: 3.4 V → 3.1 V, Iout = 50 mA

4010 200

1

2

3

1

2

−10 0 9030

0

60 50 80 70

出力電圧波形

コントロール電圧波形

CNOISE = 0.01 μF

1 μF

0.33 μF0.1 μF

CIN = 1 μF, Cout = 10 μF,

Iout = 50 mA, Ta = 25°C

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 7

5. セラミックコンデンサを使用した場合の特性例弊社評価回路 (下図) で評価した場合の、出力電圧が発振しない出力コンデンサの直列等価抵抗 (ESR) と出力電

流の安定動作領域を以下に示します。TAR5SBxx シリーズは出力コンデンサにセラミックコンデンサを用いても安

定動作致します。出力コンデンサにセラミックコンデンサを使用した場合、タンタルコンデンサの場合と比較してリップル周波数

が 30 kHz 以上のリップルリジェクションに違いがあります。この比較データを下図に示します。なお、ご使用の際には、お客様の使用条件で安定動作することの確認をお願いいたします。

安定動作領域特性例

安定動作領域評価回路

リップルリジェクション特性 (f = 10 kHz~300 kHz)

出力電流 IOUT (mA)

(TAR5SB15) 安定動作領域





直列等価

抵抗

E

SR

(Ω

)

直列等価

抵抗

E

SR

(Ω

)

直列

等価

抵抗

E

SR

(Ω

)

リ

ップル

リジェ

クション

(d

B)

(TAR5SB30) Ripple Rejection – f

周波数 f (Hz)

TAR5SB**

GND CIN セラミック

VIN = VOUT+ 1 V

CONTROL

CNOISE = 0.01 μF

ROUTESR

COUT セラミック

評価に使用したコンデンサ村田製作所 CIN: GRM40B105K

COUT: GRM40B105K/GRM40B106K

30

0

10

20

40

70

50

60 セラミック

2.2 μF

10 k 300 k 100 k

セラミック 10 μF タンタル 10 μF

タンタル 2.2 μFタンタル 1 μF

セラミック1 μF

@VIN = 4.0 V, CNOISE = 0.01 μF,

CIN = 1 μF, Vripple = 500 mVp-p,

Iout = 10 mA, Ta = 25°C

1000 k

80 40 0.02

0.1

1

10

100

0 20 15060 120 100 140

@VIN = 2.5 V, CNOISE = 0.01 μF,CIN = 1 μF, Cout = 1 μF~10 μF,

Ta = 25°C

安定動作領域

80 400.02

0.1

1

10

100

0 20 15060 120 100 140

@VIN = 6.0 V, CNOISE = 0.01 μF,CIN = 1 μF, Cout = 1 μF~10 μF,

Ta = 25°C

安定動作領域

80 40 0.02

0.1

1

10

100

0 20 15060 120 100 140

@VIN = 3.8 V, CNOISE = 0.01 μF,

CIN = 1 μF, Cout = 1 μF~10 μF, Ta = 25°C

安定動作領域

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 8

出力電圧

V

OU

T (

V)

出

力電

圧

VO

UT

(V

)


(TAR5SB15) IOUT – VOUT

出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)







出力電圧

V

OU

T (

V)

1.4

1.5

1.6 VIN = 2.5 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Pulse width = 1 ms

0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

1.7

1.8

1.9VIN = 2.8 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Pulse width = 1 ms

0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

1.9

2.0


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

2.0

2.1


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

2.1

2.2


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

2.2

2.3

VIN = 3.3 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Pulse width = 1 ms

0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 9



出力電圧

V

OU

T (

V)


2.6

2.7

2.8

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)

2.4

2.5


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25



出

力電

圧

VO

UT

(V

)

VIN = 3.8 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF,

CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

2.7

2.8

2.9

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出

力電

圧

VO

UT

(V

)



2.8

2.9

3

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40

VIN = 4.0 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

2.9

3.0

3.1

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40

3.0

3.1


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 10



出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)


CNOISE = 0.01 μF, Pulse width = 1 ms

3.2

3.3

3.4

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出

力電

圧

VO

UT

(V

)



4.4

4.5

4.6

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出力電圧

V

OU

T (

V)

VIN = 6.0 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

4.9

5.0

5.1

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出

力電

圧

VO

UT

(V

)



3.4

3.5

3.6

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40



出力電圧

V

OU

T (

V)



4.7

4.8

4.9

0 50 100 150

Ta = 85°C

25

−40

3.1

3.2


0 50 100 150

Ta = 85°C

−40

25

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 11

バイアス

電流

I B

(m

A)

バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)

入力電圧 VIN (V)

(TAR5SB15) IB – VIN

バイアス

電流

I B

(m

A)



バイアス

電流

I B

(m

A)



バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)







バイアス

電流

I B

(m

A)

CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μFPulse width = 1 ms

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

10050 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

10050 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA 100

50 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA 100

50 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA 100

50 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA 100

50 1

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 12



バイアス

電流

I B

(m

A)


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

10050 1



バイアス

電流

I B

(m

A)


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

10050 1



バイアス

電流

I B

(m

A)



バイアス

電流

I B

(m

A)



バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

10050 1



バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA 100

50 1


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100

50 1

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 13



バイアス

電流

I B

(m

A)



バイアス

電流

I B

(m

A)

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1




バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1




バイアス

電流

I B

(m

A)

CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF

Pulse width = 1 ms

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1




バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)

CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF

Pulse width = 1 ms

0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100 50 1



バイアス

電流

I B

(m

A)


0

5

10

0 5 10 15

IOUT = 150 mA

100

50 1

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 14

出力電圧

V

OU

T (

V)

出

力電

圧

VO

UT

(V

)


(TAR5SB15) VOUT – VIN

出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)







出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5

IOUT = 1 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5

IOUT = 1 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF, Pulse width = 1 ms

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 15



出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5

IOUT = 1 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF,




出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5





出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5





出

力電

圧

VO

UT

(V

)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5



0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 16



出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5





出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5




出

力電

圧

VO

UT

(V

)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5




出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5




出力電圧

V

OU

T (

V)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5





出

力電

圧

VO

UT

(V

)

0 5 10 15 0

3

6

1

2

4

5


TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 17

出力電圧

V

OU

T (

V)

出

力電

圧

VO

UT

(V

)

周囲温度 Ta (°C)

(TAR5SB15) VOUT – Ta

出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)







出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 1.4

−25 0 25 100 75 50

1.45

1.5

1.55

1.6


IOUT = 50 mA

100 150

−50 1.7

−25 0 25 100 75 50

1.75

1.8

1.85

1.9


IOUT = 50 mA

100 150

−50 1.9

−25 0 25 100 75 50

1.95

2.0

2.05

2.1


IOUT = 50 mA

100 150

−50 2.0

−25 0 25 100 75 50

2.05

2.1

2.15

2.2


IOUT = 50 mA

100 150

−50 2.1

−25 0 25 100 75 50

2.15

2.2

2.25

2.3


IOUT = 50 mA

100 150

−50 2.2

−25 0 25 100 75 50

2.25

2.3

2.35

2.4


IOUT = 50 mA

100 150

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 18



出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 2.4

−25 0 25 100 75 50

2.45

2.5

2.55

2.6



IOUT = 50 mA

100 150



出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 2.6

−25 0 25 100 75 50

2.65

2.7

2.75

2.8



IOUT = 50 mA

100150



出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)

−50 2.7

−25 0 25 100 75 50

2.75

2.8

2.85

2.9



IOUT = 50 mA

100 150



出

力電

圧

VO

UT

(V

)

−50 2.8

−25 0 25 100 75 50

2.85

2.9

2.95

3.0



IOUT = 50 mA

100 150

−50 2.9

−25 0 25 75 50

2.95

3.0

3.05

3.1

VIN = 4 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

IOUT = 50 mA

100

100 150

−50 3.0

−25 0 25 100 75 50

3.05

3.1

3.15

3.2


IOUT = 50 mA

100150

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 19



出力電圧

V

OU

T (

V)



出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 3.2

−25 0 25 75 50

3.25

3.3

3.35

3.4



IOUT = 50 mA

100

100150



出

力電

圧

VO

UT

(V

)



出力電圧

V

OU

T (

V)



出

力電

圧

VO

UT

(V

)



出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 4.4

−25 0 25 100 75 50

4.45

4.5

4.55

4.6



IOUT = 50 mA

100150

−50 3.4

−25 0 25 100 75 50

3.45

3.5

3.55

3.6


IOUT = 50 mA

100 150

−50 4.9

−25 0 25 100 75 50

4.95

5

5.05

5.1

VIN = 6 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

IOUT = 50 mA

100

150

−50 4.7

−25 0 25 100 75 50

4.75

4.8

4.85

4.9



IOUT = 50 mA

100

150

−50 3.1

−25 0 25 100 75 50

3.15

3.2

3.25

3.3


IOUT = 50 mA

100 150

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 20

−50 −25 0 25 100 75 50 0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms

IOUT = 150 mA

100

50

101


IB – Ta

バイアス

電流

I B

(m

A)


(TAR5SB23~TAR5SB50) VIN - VOUT – Ta

小入出

力間電

圧差

V

IN -

VO

UT

(V

)


(TAR5SB23~TAR5SB50) VIN - VOUT – IOUT

小

入出

力間

電圧

差

VIN

- V

OU

T (

V)


IB – IOUT

バ

イア

ス電

流

I B

(mA

)

時間 t (ms)

出力立ち上がり波形

出力電圧

V

OU

T (

V)

時間 t (ms)

出力立ち下がり波形

出力電圧

V

OU

T (

V)

−50 −25 0 25 100 75 50 0

0.5

1

1.5

2

2.5

3 VIN = VOUT + 1 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF Pulse width = 1 ms IOUT = 150 mA

100

50

10

1

0 50 100 150

Ta = 25°C

85

−40

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5 CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01μF Pulse width = 1 ms

VIN = VOUT + 1 V,

VCT (ON) = 1.5 → 0 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF

0 1


出力電圧波形

2

3

0

1

0

1

2

3

VIN = VOUT + 1 V,

VCT (ON) = 0 → 1.5 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF

2

3

0

1

0

1

2

3

0 1

Ta = 25°C 85

−40


出力電圧波形コントロ

ール電

圧

VC

T (O

N)

(V

)

コントロ

ール電

圧

VC

T (O

N)

(V

)

VIN = VOUT + 1 V, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF,

CNOISE = 0.01 μF

Pulse width = 1 ms

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0 50 100 150

Ta = 25°C

85

−40

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 21


PD – Ta

許

容損

失

PD

(m

W)

−40 0

0 40 120 80

100

200

300

400

① 基板面積 30 mm × 30 mm, t = 0.8 mm 銅箔パッド面積 50 mm2, ガラスエポキン基板に取り付け時

② 単体

②

①

周波数 f (Hz)

VN – f

出力雑音

電圧

V

N

(μV

/

Hz

√ )

VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF,

10 Hz < f < 100 kHz, Ta = 25°C

10

1

0.1

0.01

0.001 10 100 1 k 10 k 100 k

周波数 f (Hz)

Ripple Rejection – f

リップル

リジェ

クション

(d

B)

0

10

20

60

70

80

30

40

50

10 100 1 k 10 k 100 k 1000 k

VIN = VOUT + 1 V, IOUT = 10 mA, CIN = 1 μF, COUT = 10 μF, CNOISE = 0.01 μF,

VRipple = 500 mVp-p, Ta = 25°C

TAR5SB15 (1.5 TAR5SB30 (3.0

TAR5SB50 (5.0

TAR5SB45 (4.5

TAR5SB35 (3.5

TAR5SB25 (2.5

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 22

外形図

質量: 0.014 g (標準)

TAR5SB15～TAR5SB50

2007-11-01 23

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東芝バイポーラ形リニア集積回路 シリコン モノリ...

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